遠田義晴 Enta Yoshiharu

… 別表記

遠田義春 ENTA Yoshiharu

研究者番号	20232986
その他のID
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 弘前大学, 理工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 2015年度 – 2021年度: 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 2009年度 – 2011年度: 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 2009年度 – 2011年度: 弘前大学, 理工学部, 准教授 2008年度 – 2009年度: 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 1999年度 – 2000年度: 弘前大学, 理工学部, 助教授 1993年度 – 1998年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連 / ナノ材料工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 … もっと見る / 表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 計測・制御工学 / 電子材料工学隠す
キーワード	研究代表者光電子分光 / シリコン酸化膜 / その場観察 / リアルタイム / Si(100) / 還元反応 / 電子線照射 / RHEED / 熱脱離 / 放射光 … もっと見る / 半導体 / 表面準位 / 振動 / 結晶成長 / 気相励起 / 絶縁膜 / SiC / 界面 / 新奇形成法 / 量子ドット / ナノ構造形成 / 電子顕微鏡 / ナノ構造 / ボイド / photoelectron oscillation / real-time measurement / in-situ observation / oscillation / photoelectron spectroscopy / epitaxial growth / Si (100) / 光電子強度 / 紫外光電子分光 / 薄膜成長 / ウェット酸化 / ドライ酸化 / ゲート酸化膜 / リアルタイム測定 / 酸化速度 / 内殻準位 / 熱酸化 / 内殼準位 / シリコン / 光電子強度振動 / ジシラン / 膜厚測定 … もっと見る研究代表者以外赤外分光 / 半導体 / CVD / ナノドット / 多重内部反射 / 固液界面 / GeSn / Bi / Ge / 量子ドット / 半導体ナノ構造 / シリコン / hydrogen desorption / Si (100) / Multiple internal reflection / その場観察 / 半導体表面 / 放射光 / エッチング / 酸化 / 反応機構 / 電極反応 / Sn / IV族半導体 / Large-diameter Si wafer / In-line monitoring / organic materials / surface contamination / Infrared spectroscopy / Semiconductor / インライン・モニタリング / 大口径ウェーハ / インライン・モニタ / 有機物 / 表面汚染 / disilane / silane / silicon carbide / doping / gas-source MBE / silicon epitaxy / 脱離 / 吸着 / ガスソース MBE / アセチレン / 酸化過程 / 水素 / ホスフィン / ジシラン / シラン / 炭化ケイ素 / 水素脱離 / ドーピング / ガスソースMBE / シリコンエピタキシー / Photodecomposition / Layred structure / Synchrotron radiation / Ultraviolet light / Ultra-thin film / Organometallic compound / Photo-induced catalytic reaction / 光分解反応 / 層状構造 / 紫外光 / 超薄膜 / 有機金属 / 光触媒反応 / photoelectron oscillation / gas-source epitaxy / in-situ observation / photoelectron spectroscopy / epitaxial growth / light-assisted process / 光電子分光 / Si(100) / 光電子強度振動 / 気相成長 / 水素脱離反応 / 紫外光電子分光 / 半導体結晶成長 / 光励起プロセス / Semiconductor fabrication process / Solid-liquid interface / In-situ monitoring / Atomic scale monitoring / Semiconductor surface / infrared reflection Spectroscopy / 表面処理 / 大気酸化 / 評価装置 / 原子制御 / 半導体プロセス / 原子制御計測 / 赤外反射分光 / Photo-Induced Reaction / Semiconductor Surface / Low-Temperature Process / Dielectric Film / Synchrotron Radiation / 放射光励起 / 光励起反応 / 低温薄膜形成 / 高誘電体薄膜 / ナノリボン / 金属 / 電子物性 / 表面終端 / 表面微細加工 / ステップ / エピタキシャルグラフェン / グラフェン / Siスペーサ層 / ナノ構造 / Geドット / 量子構造 / ナノリング / SiGe / 多重反射隠す

複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  弘前大学
将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  弘前大学
外部電子エネルギー注入による埋もれた界面への量子ドット構造形成研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
- 研究機関
  弘前大学
半金属（金属）を媒介したⅣ族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
真空熱分解法によるシリコンナノ構造形成と反応制御研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料工学
- 研究機関
  弘前大学
Si(110)表面ステップ挙動の解明とSiグラフェンナノリボンの自己組織的形成
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
リアルタイム観測によるナノオーダー極薄シリコン絶縁膜の形成機構研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
新奇量子構造SiGeナノハットおよびナノリングの自己組織的形成
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
リアルタイム光電子分光法によるシリコン熱酸化過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  弘前大学
赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東北大学
Siウェーハ表面汚染インライン赤外診断装置の開発研究
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
リアルタイム光電子分光による半導体表面準位の新解析法研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
Si上水素の表面化学とエピタキシー制御
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
光電子分光強度の振動測定による単原子層精度結晶成長のその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究
- 研究代表者
  
  末光眞希, 宮本信雄
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
有機金属を用いた光触媒反応による層状超薄膜構造の形成
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
角度分解光電子強度の周期的振動による単原子層結晶成長制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠田義晴
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
赤外反射分光法による半導体結晶表面の原子制御計測の開発
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  計測・制御工学
- 研究機関
  東北大学
放射光励起ガスソースCVDによる高誘電体薄膜の低温形成
- 研究代表者
  
  庭野道夫
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東北大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Annealing-induced void formation in SiO2 layers on Si substrates: Influence of surface orientation and hydrocarbon exposure2022
- 著者名/発表者名
  Enta Yoshiharu、Masuda Yusuke、Akimoto Kyota
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 719 ページ: 122029-122029
- DOI
  10.1016/j.susc.2022.122029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[雑誌論文] Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition2022
- 著者名/発表者名
  Sasaki Yuya、Osanai Hiroya、Ohtani Yusuke、Murono Yuta、Sato Masayoshi、Kobayashi Yasuyuki、Enta Yoshiharu、Suzuki Yushi、Nakazawa Hideki
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 123 ページ: 108878-108878
- DOI
  10.1016/j.diamond.2022.108878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694, KAKENHI-PROJECT-21K04858
[雑誌論文] Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen2022
- 著者名/発表者名
  Nakazawa Hideki、Nakamura Kazuki、Osanai Hiroya、Sasaki Yuya、Koriyama Haruto、Kobayashi Yasuyuki、Enta Yoshiharu、Suzuki Yushi、Suemitsu Maki
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 122 ページ: 108809-108809
- DOI
  10.1016/j.diamond.2021.108809
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694, KAKENHI-PROJECT-21K04858
[雑誌論文] Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films2022
- 著者名/発表者名
  Osanai Hiroya、Nakamura Kazuki、Sasaki Yuya、Koriyama Haruto、Kobayashi Yasuyuki、Enta Yoshiharu、Suzuki Yushi、Suemitsu Maki、Nakazawa Hideki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 745 ページ: 139100-139100
- DOI
  10.1016/j.tsf.2022.139100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694, KAKENHI-PROJECT-21K04858
[雑誌論文] Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  Nakamura K.、Ohashi H.、Enta Y.、Kobayashi Y.、Suzuki Y.、Suemitsu M.、Nakazawa H.
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 736 ページ: 138923-138923
- DOI
  10.1016/j.tsf.2021.138923
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[雑誌論文] Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon2019
- 著者名/発表者名
  Narita Syunki、Nara Yuki、Enta Yoshiharu、Nakazawa Hideki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SI ページ: SIIA16-SIIA16
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab2536
- NAID
  210000156707
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[雑誌論文] Activation Energy of Thermal Desorption of Silicon Oxide Layers on Silicon Substrates2017
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 656 ページ: 96-100
- DOI
  10.1016/j.susc.2016.10.007
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition2017
- 著者名/発表者名
  Nakazawa Hideki、Magara Kohei、Takami Takahiro、Ogasawara Haruka、Enta Yoshiharu、Suzuki Yushi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 636 ページ: 177-182
- DOI
  10.1016/j.tsf.2017.05.046
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618, KAKENHI-PROJECT-15K06432
[雑誌論文] Effects of Temperature and Pressure in Oxynitridation Kinetics on Si(100) with N2O Gas2017
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, Takahiro Takami
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 印刷中ページ: 63-67
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.10.025
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Angle-Resolved and Resonant Photoemission Study of the Valence Bands of α-La(0001) on W(110)2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Osamu Morimoto, Hiroo Kato, Yasuo Sakisaka
- 雑誌名
  
  World Journal of Condensed Matter Physics
  
  巻: 6 号: 01 ページ: 17-26
- DOI
  10.4236/wjcmp.2016.61003
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O2016
- 著者名/発表者名
  Y. Enta
- 雑誌名
  
  International Journal of Applied and Natural Sciences
  
  巻: 5-1 ページ: 63-68
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition2016
- 著者名/発表者名
  Masato Tsuchiya, Kazuki Murakami, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Kengo Tokuda, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Satoshi Ando, and Hideki Nakazawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 6 ページ: 065502-065502
- DOI
  10.7567/jjap.55.065502
- NAID
  210000146590
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 460 ページ: 27-36
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.068
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Ring structures formed inside voids in SiO2 layer on Si(100) during thermal decomposition2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Taichi Yoshida
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 2 ページ: 028004-028004
- DOI
  10.7567/jjap.55.028004
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition2016
- 著者名/発表者名
  Hideki Nakazawa, Saori Okuno, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Soushi Miura, Yoshiharu Enta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1255011-9
- DOI
  10.7567/jjap.55.125501
- NAID
  210000147302
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618, KAKENHI-PROJECT-15K06432
[雑誌論文] シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響2015
- 著者名/発表者名
  高見貴弘、和田誠、遠田義晴
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告書
  
  巻: 115-179 ページ: 71-74
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Dry-Oxidation Rate of Si(100) Surface up to 2 nm-Oxide Thickness2015
- 著者名/発表者名
  Y. Enta, M. Arita, M. Wada
- 雑誌名
  
  International Journal of Applied and Natural Sciences
  
  巻: 4-6 ページ: 51-56
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[雑誌論文] Characteristics of Silicon/Nitrogen-Incorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2012
- 著者名/発表者名
  H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe
- 雑誌名
  
  apanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 ページ: 15603-15603
- NAID
  40019137978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Initial thermal oxidation of Si(100) investigated by Si 2p core-level photoemission2011
- 著者名/発表者名
  Y.Enta
- 雑誌名
  
  Photon Factory Activity Report 2010
  
  巻: 28B ページ: 57-57
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si2011
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Fukidome, Shunsuke Abe, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Syuya Inomata, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Yoshiharu Enta, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Shun Ito, and Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Appled Phsics Express
  
  巻: 4巻
- NAID
  10030153776
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[雑誌論文] Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si2011
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Fukidome, Shunsuke Abe, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Syuya Inomata, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Yoshiharu Enta, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Shun Ito, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Appled Phsics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10030153776
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[雑誌論文] シリコン酸化膜の不均一な熱分解2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴, 小川可乃, 永井孝幸
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告書
  
  巻: 111巻ページ: 61-64
- NAID
  110008801099
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] シリコン酸化膜の不均一な熱分解2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告書
  
  巻: 111 ページ: 61-64
- NAID
  110008801099
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Oxygen-Induced Reduction of the Graphitization Temperature of SiC Surface2011
- 著者名/発表者名
  K. Imaizumi, H. Hanada, R. Takahashi, E. Saito, H. Fukidome, Y. Enta, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, M. Suemitsu
- 雑誌名
  
  apanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 ページ: 70105-70105
- NAID
  210000070788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon Using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si2011
- 著者名/発表者名
  H. Fukidome, S. Abe, R. Takahashi, K. Imaizumi, S. Inomata, H. Handa, E. Saito, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, T. Kinoshita, S. Ito, M. Suemitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 ページ: 115104-115104
- NAID
  10030153776
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Control of Epitaxy of Graphene by Crystallographic Orientation of Si Substrate toward Device Applications2011
- 著者名/発表者名
  H. Fukidome, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, H. Handa, H.-C. Kang, H. Karasawa, T. Suemitsu, T. Otsuji, Y. Enta, M. Suemitsu, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, T. Kinoshita
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Chemistry
  
  巻: 21 ページ: 17242-17248
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure2010
- 著者名/発表者名
  H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Enta, M. Suemitsu
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 19 ページ: 1387-1392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2010
- 著者名/発表者名
  Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, Y. Sakisaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 235 ページ: 12008-12008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2010
- 著者名/発表者名
  Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, and Y. Sakisaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 235巻ページ: 12008-12013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2010
- 著者名/発表者名
  Y.Enta, H.Nakazawa, S.Sato, H.Kato, Y.Sakisaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 235 ページ: 12008-12013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2010
- 著者名/発表者名
  Y.Enta
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 235 ページ: 12008-12008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2009
- 著者名/発表者名
  H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 48 ページ: 116002-116002
- NAID
  40016844227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[雑誌論文] Epitaxial of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates
- 著者名/発表者名
  T.Ide, Y. Kawai, H. Handa, H. Fukidome, M. Kotsugi, T. Ohkochi, Y. Enta, T. Kinoshita, A.Yoshigoe, Y. Teraoka, M. Suemitsu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: (印刷中)
- NAID
  210000140718
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] 4H-SiC(0001)-Si面およびC面上SiO2薄膜の真空熱脱離2022
- 著者名/発表者名
  佐藤聖能、室野優太、喜多直人、遠田義晴
- 学会等名
  令和３年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 青色Zr系金属ガラスの深さ元素分析による高濃度Cu層の存在2022
- 著者名/発表者名
  増田悠右、工藤竜太、遠田義晴、富樫望
- 学会等名
  令和３年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] プラズマ化学気相成長法により作製したSiおよびN添加DLC膜特性への水素およびAr希釈の効果2021
- 著者名/発表者名
  佐々木祐弥、長内公哉、大谷優介、室野優太、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、中澤日出樹
- 学会等名
  第８２回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 電子線照射によるシリコン酸化膜の還元に伴う表面変形2021
- 著者名/発表者名
  秋元恭汰、藤森敬典、遠田義晴
- 学会等名
  第６８回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] SiC基板表面の低温熱酸化：面方位による酸素圧力依存性の差異2021
- 著者名/発表者名
  室野優太、佐藤聖能、郡山春人、遠田義晴
- 学会等名
  第８２回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] ポストアニールが窒素添加水素化DLC膜の機械的・光学的・電気的特性に及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  長内公哉、室野優太、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、中澤日出樹
- 学会等名
  第３４回ダイヤモンドシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] Annealing Effects on the Properties of Hydrogenated Diamond-Like Carbon Films Doped with Silicon and Nitrogen2021
- 著者名/発表者名
  H. Nakazawa, K. Nakamura, H. Osanai, H. Koriyama, Y. Kobayashi, Y. Enta, Y. Suzuki, M. Suemitsu
- 学会等名
  14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] SiC基板表面の低温熱酸化速度―酸化圧力依存性―2021
- 著者名/発表者名
  室野優太、佐藤聖能、郡山春人、遠田義晴
- 学会等名
  第６８回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] シリコン酸化膜の電子線照射による還元に伴う表面変形の照射条件依存性2021
- 著者名/発表者名
  秋元恭汰、藤森敬典、遠田義晴
- 学会等名
  第８２回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH2及びAr希釈の効果2021
- 著者名/発表者名
  佐々木祐弥、長内公哉、大谷優介、室野優太、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、中澤日出樹
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] Influence of Hydrogen Gas Flow Ratio on the Properties of Silicon and Nitrogen Doped Diamond-Like Carbon Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2021
- 著者名/発表者名
  H. Osanai, Y. Sasaki, Y. Ohtani, Y. Murono, M. Sato, Y. Kobayashi, Y. Enta, Y. Suzuki, H. Nakazawa
- 学会等名
  14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] シリコン酸化膜の電子線照射による還元反応と微細構造形成2020
- 著者名/発表者名
  藤森敬典、増田悠右、遠田義晴
- 学会等名
  令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 窒素添加ダイヤモンドライクカーボン膜特性へのポストアニール効果2020
- 著者名/発表者名
  長内公哉、中村和樹、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、中澤日出樹
- 学会等名
  ２０２０年日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 走査型オージェ電子顕微鏡によるZr系金属ガラス表面の腐食2020
- 著者名/発表者名
  小野大樹、遠田義晴、富樫望
- 学会等名
  令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 4H-SiC基板の低温熱酸化2020
- 著者名/発表者名
  郡山春人、室野優太、遠田義晴
- 学会等名
  令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 窒素添加DLC膜特性へのアニール効果2020
- 著者名/発表者名
  長内公哉、中村和樹、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、中澤日出樹
- 学会等名
  令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] ポストアニールが窒素添加DLC膜特性に及ぼす効果2020
- 著者名/発表者名
  長内公哉、中村和樹、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希、中澤日出樹
- 学会等名
  第６７回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 1000℃以下でのSiC表面の熱酸化速度2020
- 著者名/発表者名
  室野優太、郡山春人、遠田義晴
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 電子線照射熱反応によるシリコン酸化膜の局所的分解反応2020
- 著者名/発表者名
  秋元恭汰、藤森敬典、遠田義晴
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応：還元過程の時間発展2019
- 著者名/発表者名
  藤森敬典、千田陽介、増田悠右、氏家夏樹、遠田義晴
- 学会等名
  第８０回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 4H-SiC表面の低温熱酸化：Si面とC面の差異2019
- 著者名/発表者名
  郡山春人、遠田義晴
- 学会等名
  第８０回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果2019
- 著者名/発表者名
  長内公哉、中村和樹、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希、中澤日出樹
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K03694
[学会発表] 電子線照射によるSiO2/Si界面反応2018
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  半導体薄膜高額の過去・現在・未来　－ICT社会の将来を見据えて－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 室温電子線照射によるSiO2膜／Si基板界面でのSi微細構造形成2018
- 著者名/発表者名
  遠田　義晴，増田　悠右，千田　陽介
- 学会等名
  第６５回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] Effects of nitrogen doping on the chemical bonding states and properties of silicon-doped diamond-like carbon films2017
- 著者名/発表者名
  Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Tai Yokoyama, Kei-ichiro Tajima, Norifumi Endo, Maki Suemitsu, Yoshiharu Enta, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Surface Science（ISSS-8）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] Effects of Organic-Compounds Doses on Silicon Fine Structures Formed in Voids on Silicon Dioxide Layers by Annealing in Vacuum2017
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Takayuki Nagai, Kano Ogawa, Taichi Yoshida, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara, Yoshisumi Tsuchimoto, Chikashi Maita, Natsuki Ujiie, Hideki Nakazawa
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Surface Science（ISSS-8）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-２2017
- 著者名/発表者名
  対馬和都, 滝田健介, 中澤日出樹, 遠田義晴, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩
- 学会等名
  第６４回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン基板上シリコン酸化膜の電子線照射による還元反応2017
- 著者名/発表者名
  増田悠右、遠田義晴
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介，対馬和都, 遠田義晴, 俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
- 学会等名
  平成29年度電気関係学会東北支部連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介, 対馬和都, 遠田義晴, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 池田高之, 水野誠一郎, 岡本浩
- 学会等名
  第６４回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 水素原子を用いた3C-SiC/Si基板上へのグラフェンの低温形成2017
- 著者名/発表者名
  荒畑宏樹、成田克、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介，対馬和都, 遠田義晴, 俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
- 学会等名
  平成29年度電気関係学会東北支部連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加 DLC 薄膜の作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  中村和樹，大橋遼, 横山大, 田島圭一郎,　遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹
- 学会等名
  応用物理学会第７２回東北支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] Electron Beam Irradiation Effects on SiO2 Layer on Silicon Substrate at Room Temperature2017
- 著者名/発表者名
  Yusuke Masuda, Yoshiharu Enta
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Surface Science（ISSS-8）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果2016
- 著者名/発表者名
  中村和樹，大橋遼, 横山大, 田島圭一郎,　遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 中澤日出樹
- 学会等名
  応用物理学会第７１回東北支部学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2016-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] Effects of Temperature and Pressure in Oxynitridation Kinetics on Si(100) with N2O Gas2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, and Takahiro Takami
- 学会等名
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces ISCSI-VII: International SiGe Technology and Device Meeting ISTDM 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果2016
- 著者名/発表者名
  中村和樹,　大橋遼, 横山大, 田島圭一郎,　遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 中澤日出樹
- 学会等名
  第７７回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性2016
- 著者名/発表者名
  遠田義晴，長内翔大，小笠原崇仁
- 学会等名
  第６３回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマCVD法によるN添加およびSi/N共添加DLC膜の特性比較2016
- 著者名/発表者名
  中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
- 学会等名
  第30回ダイヤモンドシンポジウム
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2016-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性2016
- 著者名/発表者名
  中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
- 学会等名
  2016年真空・表面科学合同講演会第36回表面科学学術講演会第57回真空に関する連合講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] Silicon Fine Structures Formed by Thermal Desorption of Silicon Dioxide Layer in Vacuum2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Enta, Takayuki Nagai, Kano Ogawa, Taichi Yoshida, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara, Yoshisumi Tsuchimoto, Chikashi Maita, Natsuki Ujiie, Hideki Nakazawa
- 学会等名
  Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2016-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析2015
- 著者名/発表者名
  高見貴弘，和田誠，遠田義晴
- 学会等名
  応用物理学会第７０回東北支部学術講演会
- 発表場所
  ホテルアップルランド
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン酸化膜のボイド状熱脱離とボイド内微細構造2015
- 著者名/発表者名
  遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁
- 学会等名
  応用物理学会第７０回東北支部学術講演会
- 発表場所
  ホテルアップルランド
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響2015
- 著者名/発表者名
  高見貴弘，和田誠，遠田義晴
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子部品・材料研究会
- 発表場所
  弘前大学
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] 気相熱励起N2Oガスを用いたシリコン熱酸窒化反応2015
- 著者名/発表者名
  高見貴弘，遠田義晴
- 学会等名
  第７６回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04618
[学会発表] シリコン酸化膜の不均一な熱分解2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  弘前大学
- 年月日
  2011-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] シリコン基板上SiO2膜の熱分解によるボイド形成2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] シリコン酸化膜のSi 2p光イオン化断面積2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] シリコン基板上SiO2膜の熱分解によるボイド形成2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] シリコン酸化膜の不均一な熱分解2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  弘前大学(青森県)
- 年月日
  2011-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] シリコン酸化膜のSi 2p光イオン化断面積2011
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  つくば国際会議場(茨城県)
- 年月日
  2011-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] 酸化膜厚2nmまでのシリコン急速初期酸化2010
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] CONTROL OF STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF EPITAXIAL GRAPHENE BY CRYSTALLOGRAHIC ORIENTATION OF Si SUBSTRATE2010
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe
- 学会等名
  2nd International Symposium on Graphene Devices
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[学会発表] 酸化膜厚2nmまでのシリコン急速初期酸化2010
- 著者名/発表者名
  遠田義晴
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] Nanoscale Control of Structure of Epitaxial Graphene by Using Substrate Microfabrication2010
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe
- 学会等名
  2nd International Symposium on Graphene Devices
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[学会発表] Formation of Epitaxial Graphene on Mesa-patterned SiC Substrate2010
- 著者名/発表者名
  H. Handa, R. Takahashi, K. Imaizumi, Y. Kawai, H. Fukidome, Y. Enta, M. Suemitsu, M. Kotsugi, T. Ohkochi, Y. Watanabe, T. Kinoshita
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2010-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360017
[学会発表] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si2p core-level photoemission2009
- 著者名/発表者名
  Y.Enta
- 学会等名
  International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces
- 発表場所
  Hotel Taikansou (宮城県)
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321
[学会発表] Chemical Composition of Ge(Si)Islands on Si(100)substrate capped with Si2009
- 著者名/発表者名
  A.Arnold, Y.Enta, M.Suemitsu, M.Kotsugi, T.Ohkochi, T.Kinoshita, Y.Watanabe
- 学会等名
  IWES2009
- 発表場所
  松島
- 年月日
  2009-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656007
[学会発表] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2009
- 著者名/発表者名
  Y. Enta
- 学会等名
  International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces
- 発表場所
  宮城県松島町ホテル大観荘
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560321

1. 庭野道夫 (20134075)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 6件
3. 宮本信雄 (00006222)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 岡本浩 (00513342)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 吹留博一 (10342841)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
6. 匂坂康男 (80108977)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 鎌倉望 (50323118)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 木村康男 (40312673)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 三村秀典 (90144055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 朝岡秀人 (40370340)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 加藤博雄 (20152738)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 手塚泰久 (20236970)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 高桑雄二 (20154768)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 庄子大生 (30312672)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 伊高健治 (40422399)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

遠田 義晴 Enta Yoshiharu

遠田 義春 ENTA Yoshiharu

研究課題

研究成果

共同研究者

複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

外部電子エネルギー注入による埋もれた界面への量子ドット構造形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

真空熱分解法によるシリコンナノ構造形成と反応制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リアルタイム観測によるナノオーダー極薄シリコン絶縁膜の形成機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リアルタイム光電子分光法によるシリコン熱酸化過程の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

リアルタイム光電子分光による半導体表面準位の新解析法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光電子分光強度の振動測定による単原子層精度結晶成長のその場観察研究代表者

遠田義晴 Enta Yoshiharu

遠田義春 ENTA Yoshiharu