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安藤 靜敏  ANDOU SHIZUTOSHI

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

安藤 静敏  ANDO Shizutoshi

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研究者番号 20251712
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 東京理科大学, 工学部電気工学科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度 – 2002年度: 東京理科大学, 工学部, 講師
1999年度: 東京理科大学, 理学部, 嘱託助手
1999年度: 東京理科大学, 理学部・応用物理学科, 助手
1999年度: 東京理科大学, 理学部応用物理学科, 助手
1998年度: 東京理科大学, 理学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
塗布熱分解法 / 薄膜太陽電池 / CuInSe_2 / ナフテン酸金属塩 / 太陽電池 / 薄膜 / カルコパイライト型化合物
研究代表者以外
FeRAM / chemical solution deposition / electron beam drawing … もっと見る / micropatterning / ferroelectric / FT-IR / 電子線誘起反応 / 不揮発性メモリー / 酸化物 / 化学溶液堆積法 / 電子線描画 / 微細加工 / 強誘電体 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  塗布熱分解法によるCuInSe_2系/Si系のタンデム構造型薄膜太陽電池の検討研究代表者

    • 研究代表者
      安藤 静敏
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  塗布熱分解法によるCuInSe_2薄膜の作製及びその大面積化と太陽電池への応用研究代表者

    • 研究代表者
      安藤 静敏
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  電子線誘起反応を利用した複合酸化物の微細加工法に関する研究

    • 研究代表者
      岡村 総一郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  • 1.  岡村 総一郎 (60224060)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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