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岩田 博之  Iwata Hiroyuki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20261034
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 愛知工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2023年度: 愛知工業大学, 工学部, 教授
2012年度: 愛知工業大学, 工学部, 准教授
2008年度: 愛知工業大学, 工学部, 講師
2005年度 – 2008年度: 愛知工業大学, 工学部・電気学科, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分26050:材料加工および組織制御関連 / 薄膜・表面界面物性
研究代表者以外
小区分28020:ナノ構造物理関連 / 小区分26010:金属材料物性関連 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
結晶欠陥 / 透過型電子顕微鏡 / レーザ集光 / レーザ加工 / レーザー損傷 / TEM / ステルスダイシング / 集光 / ボイド / レーザ損傷 … もっと見る / 透過電子顕微鏡 / 転位 / ナノデバイス / 格子欠陥 / RBS / ブリスタリング / スマートカット / 水素イオン注入 … もっと見る
研究代表者以外
量子ドット / SiCドット / CVD / SiC/BN積層 / BN / SiC / 雰囲気 / シリコン / レーザ照射 / プラズマ / Si / ボイド / レーザ / FTIR評価 / TEM観察 / PL / TEM / 疑似格子整合 / MOVPE成長 / シリコンホトニクス / 遠赤外吸収スペクトル / 透過電子顕微鏡観察 / シリコン基板 / 不純物ドーピング / 格子欠陥 / 有機金属気相成長 / 窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (53件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  照射損傷とレーザ局所加熱の相乗効果を用いた結晶欠陥の瞬時構造変成の基礎過程解明研究代表者

    • 研究代表者
      岩田 博之
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分26050:材料加工および組織制御関連
    • 研究機関
      愛知工業大学
  •  レーザによるボイド生成の機構の解明

    • 研究代表者
      坂 公恭
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分26010:金属材料物性関連
    • 研究機関
      愛知工業大学
  •  多層SiC量子ドット形成とその物性評価

    • 研究代表者
      竹内 和歌奈
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分28020:ナノ構造物理関連
    • 研究機関
      愛知工業大学
  •  Si基板上半極性GaNの高品質化に関する研究

    • 研究代表者
      澤木 宣彦
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      愛知工業大学
  •  半導体表面のブリスタリングの動的特性解明とナノ加工への応用研究代表者

    • 研究代表者
      岩田 博之
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      愛知工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2013 2012 2011 2008 2007 2006 2005

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] 透過性赤外線レーザ注入によるSi中のボイドと亀裂の発生機構に関する電子顕微鏡観察2024

    • 著者名/発表者名
      岩田 博之, 坂 公恭
    • 雑誌名

      日本金属学会誌

      巻: 88 号: 4 ページ: 69-80

    • DOI

      10.2320/jinstmet.J2023032

    • ISSN
      0021-4876, 1880-6880, 2433-7501
    • 年月日
      2024-04-01
    • 言語
      日本語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066, KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [雑誌論文] Whereabouts of msiing atoms in a laser-injected Si ( Part IV)2024

    • 著者名/発表者名
      Hiroyasu Saka, Hiriyuki Iwata
    • 雑誌名

      Philosophical Magazine

      巻: 104 号: 1 ページ: 55-67

    • DOI

      10.1080/14786435.2023.2283115

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066, KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [雑誌論文] Electron microscopy on mechanism of voidage and caracking in Si bu onjection of a permeable infra^red laser2024

    • 著者名/発表者名
      Hiriyuki Iwata,Hiroyasu Saka,
    • 雑誌名

      Materials Transaction

      巻: 65

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] Whereabouts of msiing atoms in a laser-injected Si ( Part III)2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroyasu Saka, Hiriyuki Iwata, Makoto Tekagi
    • 雑誌名

      Philosophial Magazine

      巻: 103 号: 14 ページ: 1345-1359

    • DOI

      10.1080/14786435.2023.2211808

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] 機械研磨したGaN表面の格子欠陥評価2023

    • 著者名/発表者名
      澤木 宣彦, 岩田 博之, 梅村 樹, 隅田 憲吾
    • 雑誌名

      愛知工業大学総合技術研究所報告

      巻: 25 ページ: 81-82

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [雑誌論文] 多元ナノ構造解析システムの構築と手法開発2023

    • 著者名/発表者名
      岩田 博之, 高木 誠, 澤木 宣彦, 坂 公恭
    • 雑誌名

      愛知工業大学総合技術研究所報告

      巻: 25 ページ: 73-75

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [雑誌論文] Degradation of photoluminescence intensity induced by mechanical polish in aGaN epitaxial layer2022

    • 著者名/発表者名
      Itsuki Umemura, Kengo Sumita, Masahiko Demachi, Kentaro Osakabe,Hiroyuki Iwata, Nobuhiko Sawaki
    • 雑誌名

      Proceeding of ISPlasma2023/IC-PLANTS2023

      巻: -

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [雑誌論文] パルスレーザ集光により生ずるサファイヤ結晶欠陥の性状と加工効率”2021

    • 著者名/発表者名
      岩田博之、河口大祐、坂公恭
    • 雑誌名

      愛知工業大学総合技術研究所の研究報告

      巻: 23 ページ: 64-65

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] Whereabouts of missing atoms in a laser-injected Si (Part Ⅱ) Precision mass measurement of a laser-injected Si wafer and re-examination by transmission electron microscopy2021

    • 著者名/発表者名
      H.Saka, H.Iwata
    • 雑誌名

      名古屋大学電子光学研究のあゆみ

      巻: 32 ページ: 18-26

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] 内部集光型レーザダイシングを用いたTEM試料作製の前処理手法2021

    • 著者名/発表者名
      岩田博之,高木誠,坂公恭
    • 雑誌名

      顕微鏡

      巻: 56 号: 3 ページ: 139-142

    • DOI

      10.11410/kenbikyo.56.3_139

    • NAID

      130008137912

    • ISSN
      1349-0958, 2434-2386
    • 年月日
      2021-12-30
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] Si単結晶のマイクロトライボロジーに及ぼす雰囲気と温度の影響2020

    • 著者名/発表者名
      高木誠、長江昂亮、木内亮介、岩田博之、坂公恭
    • 雑誌名

      日本金属学会誌

      巻: 84 号: 9 ページ: 304-309

    • DOI

      10.2320/jinstmet.J2020014

    • NAID

      130007890406

    • ISSN
      0021-4876, 1880-6880, 2433-7501
    • 年月日
      2020-09-01
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05066
  • [雑誌論文] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N.Sawaki, S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 雑誌名

      Proc. SPIE

      巻: 8625 ページ: 6-6

    • DOI

      10.1117/12.2002738

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009, KAKENHI-PROJECT-24656019
  • [雑誌論文] TEM and HRTEM Observations of Microstructural Change of Silicon Single Crystal Scratched under Very Small Loading Forces by AFM2008

    • 著者名/発表者名
      Makoto Takagi, Kenji Onodera, Akihito Matsumuro, Hiroyuki Iwata, Katsuhiro Sasaki, Hiroyasu Saka
    • 雑誌名

      Materials Transactions 49

      ページ: 1298-1302

    • NAID

      10021147448

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Impurity Co-implantation on Hydrogen Surface Blistering2008

    • 著者名/発表者名
      H.Iwata, M.Takagi, Y.Tokuda
    • 雑誌名

      International Journal of Advanced Microscopy and TheoreticalCalculations 1

      ページ: 1262-263

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Impurity Co-implantation on Hydrogen Surface Blistering2008

    • 著者名/発表者名
      H. Iwata, M. Takagi, Y. Tokuda
    • 雑誌名

      International Journal of Advanced Microscopy and Theoretical Calculations 1

      ページ: 262-263

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] TEM and HRTEM Observations of Microstructural Change of Silicon Single Crystal Scratched under Very Small Loading Forces by AFM Materials Transactions2008

    • 著者名/発表者名
      Makoto Takagi, Kenji Onodera, Akihito Matsumuro, Hiroyuki Iwata, Katsuhiro Sasaki and Hiroyasu Saka
    • 雑誌名

      49

      ページ: 1298-1302

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Impurity Co-implantation on Hydrogen Surface Exfoliation2008

    • 著者名/発表者名
      H.Iwata, M.Takagi, Y.Tokuda
    • 雑誌名

      JAEA Takasaki Annual Report 2006 JAEA-Review 2007-060

      ページ: 150-150

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] 水素ブリスタリングにおけるフッ素注入援用効果2008

    • 著者名/発表者名
      岩田博之、徳田豊、高木誠, 井村徹
    • 雑誌名

      日本顕微鏡学会第61回学術講演会要旨集, 顕微鏡 Vol.40 Supplement 1

      ページ: 462-462

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Impurity Co-implantation on Hydrogen Surface Exfoliation2007

    • 著者名/発表者名
      H. Iwata, M. Takagi, Y. Tokuda
    • 雑誌名

      JAEA-Review 060

      ページ: 150-150

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] SPMを用いたSi単結晶のナノ加工と表面の構造変化2007

    • 著者名/発表者名
      吉田浩也, 松室昭仁, 岩田博之, 高木誠
    • 雑誌名

      精密工学会誌 73

      ページ: 1149-1153

    • NAID

      110006403576

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] 極微小電流計測型ナノプローブその場観察システムの開発2007

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 奥田東
    • 雑誌名

      愛知工業大学総合技術研究所研究報告 9

      ページ: 47-52

    • NAID

      110007163232

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] SPMによる引掻試験でシリコン単結晶に生じた微構造変化のTEM観察2006

    • 著者名/発表者名
      高木誠, 小野寺健司, 岩田博之, 井村徹, 佐々木勝寛, 松公恭;
    • 雑誌名

      総合技術研究所総合報告 8

      ページ: 39-41

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Boron Co-implantation on Hydrogen induced Exfoliation;2006

    • 著者名/発表者名
      H.Iwata, Y.Tojuda, M.Takagi, T.Imura
    • 雑誌名

      Proceedings of 16^th International Microscopy Congress 3

      ページ: 1352-1352

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価2006

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 清水孝延, 横井久人, 石神龍哉, 伊藤慶文, 徳田豊, 高木誠
    • 雑誌名

      総合技術研究所総合報告 8

      ページ: 77-80

    • NAID

      110004812523

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] カーボンナノチューブ短針を用いた高アスペクト比なのスケール穴加工法の開発2006

    • 著者名/発表者名
      松室昭仁, 高木誠, 岩田博之, 松本章宏, 野間日出男, 井村徹;
    • 雑誌名

      総合技術研究所総合報告 8

      ページ: 33-37

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価2006

    • 著者名/発表者名
      岩田博之、清水孝延、横井久人、石神龍哉、伊藤慶文、徳田豊、高木誠
    • 雑誌名

      総合技術研究所総合報告 8

      ページ: 77-80

    • NAID

      110004812523

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Effect of Boron Co-implantation on Hydrogen induced Exfoliation2006

    • 著者名/発表者名
      H.Iwata, Y.Tokuda, M.Takagi, T.Imura
    • 雑誌名

      Proceedings of 16^<th> International Microscopy Congress 3

      ページ: 1352-1352

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Impact toughness of an ingot hypereutectic Al-23 mass% Si alloy improved by rotary-die equal-channel angular pressing2005

    • 著者名/発表者名
      Aibin Ma, Kazutaka Suzuki, Naobumi Saito, Yoshinori Nishida, Makoto Takagi, Ichinose Shigematsu, Hiroyuki Iwata
    • 雑誌名

      Material Science and Engineering A399

      ページ: 181-189

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] TEM Observation of Microstructural Change of Silicon Single Crystal Caused by Scratching Tests Using SPM,2005

    • 著者名/発表者名
      M.Takagi, K.Onodera, H.Iwata, T.Imura, K.Sasaki, H.Saka
    • 雑誌名

      Materials Research Society Sympo.Proc.

      ページ: 247-252

    • NAID

      110004812516

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Tensile property of an Al-11 mass%Si alloy at elevated temperatures processed by rotary-die equal-channel angular pressing2005

    • 著者名/発表者名
      Aibin Ma, Makoto Takagi, Naobumi Saito, Hiroyuki Iwata, Yoshinori Nishida, Kazutaka Suzuki, Ichinori Shigematsu
    • 雑誌名

      Material Science and Engineering A408

      ページ: 147-153

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Impact toughness of an ingot hypereutectic Al-23 mass% Si alloy improved by rotary-die equal-channel angular pressing,2005

    • 著者名/発表者名
      Aibin Ma, Kazutaka Suzuki, Naobumi Saito, Yoshinori Nishida, Makoto Takagi, Ichinose Shigematsu, Hiroyuki Iwata
    • 雑誌名

      Material Science and Engineering, A399

      ページ: 181-189

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] 水素ブリスタリングにおけるフッ素注入援用効果,日本顕微鏡学会第61回学術講演会要旨集2005

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 徳田豊, 高木誠, 井村徹
    • 雑誌名

      顕微鏡 Vol.40 Supplement 1

      ページ: 462-462

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [雑誌論文] Tensile property of an Al-11 mass%Si alloy at elevated temperatures processed by rotary-die equal-channel angular pressing,2005

    • 著者名/発表者名
      Aibin Ma, Makoto Takagi, Naobumi Saito, Hiroyuki Iwata, Yoshinori Nishida, Kazutaka Suzuki, Ichinori Shigematsu
    • 雑誌名

      Material Science and Engineering, A408

      ページ: 147-153

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] 内部集光レーザダイシングによるボイド形成と消滅の赤外光顕・BF-STEM観察2023

    • 著者名/発表者名
      岩田博之,高木誠、坂公恭
    • 学会等名
      顕微鏡学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [学会発表] Modified Layers and Crack Formation Caused by Internal Focusing Pulse Laser Processing for Semiconductor and Ultra-Hard Materials2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Iwata, Makoto Takagi and Hiroyasu Saka
    • 学会等名
      International Micrscopy Congress (IMC20)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [学会発表] 内部集光レーザダイシングによるサファイヤ内部欠陥の観察2022

    • 著者名/発表者名
      岩田博之,坂公恭
    • 学会等名
      顕微鏡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04783
  • [学会発表] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N.Sawaki, T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2013
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] TEM analyses of GaN grown with AlInN intermediate layer on Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, N.Sawakui, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      ISPlasma 2012
    • 発表場所
      Nagoya (Japan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] Defect structure in a (1-101)GaN grown on a patterned (001)Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      ISPlasma 2013
    • 発表場所
      Nagoya (Japan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] TEM analyses of GaN grown with AlInN intermediate layer on Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      ISPlasam 2013
    • 発表場所
      Nagoya.
    • 年月日
      2013-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N.Sawaki, S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2013, Feb. 4
    • 発表場所
      San Francisco (USA).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] nda, M.Yamaguchi, and H.Amano, "Defect structure in a (1-101)GaN grown on a patterned (001)Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, Y.Ho
    • 学会等名
      ISPlasma 2013
    • 発表場所
      Nagoya.
    • 年月日
      2013-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] TEM analyses of GaN grown on (111)Si substrate via an AlInN intermediate layer2012

    • 著者名/発表者名
      S.Kawakita, H.Iwata, T.Nakagita, S.Ito, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo (Japan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] TEM analyses of GaN grown on (111)Si substrate via an AlInN intermediate layer2012

    • 著者名/発表者名
      S.Kawakita, H.Iwata, T.Nakagita, S.Ito, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      International Workshop on NitrideSemiconductors
    • 発表場所
      Sapporo.
    • 年月日
      2012-10-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] HRTEM analyses of GaN/AlInN/(111)Si grown by MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      S.Kawakita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      ISPlasam 2012
    • 発表場所
      Kasugai.
    • 年月日
      2012-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] TEM analyses of high-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kawakita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      ISPlasma
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] High-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kawakita, H.Iwata, D.Kato, T.Tachibana, Y.Tani, T.Nakajima, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
    • 発表場所
      Toba.
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360009
  • [学会発表] Effect of Impurity Co-implantation on Hydrogen Surface Blistering2008

    • 著者名/発表者名
      H. Iwata, M. Takagi, Y. Tokuda
    • 学会等名
      The 1^<st> International Symposium Advanced Microscopy and Theoretical Calculations
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] SiC水素ブリスタリングの注入温度依存性2008

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 高木誠, 徳田豊
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第64回学術講演会
    • 発表場所
      京都国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] Sic水素ブリスタリングの注入温度依存性2008

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 高木誠, 徳田豊
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第64回学術講演会
    • 発表場所
      京都国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] 低温イオン注入を用いた半導体材料の結晶欠陥評価とデバイス作製への応用2008

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 高木誠, 徳田豊
    • 学会等名
      平成20年原子力機構施設利用一般共同研究成果報告会
    • 発表場所
      茨城県東海村リコッティ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] 光顕その場加熱観察によるSiC水素ブリスタリングの動的挙動2007

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 高木誠, 徳田豊
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第64回学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • [学会発表] 光顕その場加熱観察によるSiC水素ブリスタリングの動的挙動2007

    • 著者名/発表者名
      岩田博之, 高木誠, 徳田豊
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第64回学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560025
  • 1.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  本田 善央 (60362274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 3.  竹内 和歌奈 (90569386)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  坂 公恭 (90023267)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 5.  五島 敬史郎 (00550146)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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