山口雅史 YAMAGUCHI Masahito

研究者番号	20273261
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2011年度 – 2012年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2010年度 – 2011年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 2007年度 – 2009年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教授 … もっと見る 2004年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 2002年度 – 2004年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 2001年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 1998年度 – 2001年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助手 1995年度 – 1996年度: 名古屋大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ材料・ナノバイオサイエンス研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / マイクロ・ナノデバイス / エネルギー学
キーワード	研究代表者 GaAs / 無触媒 / ナノワイヤ / VLS / MBE / ファセット / 分子線エピタキシー法 / ポテンシャル変調 / 電子線露光装置 / Weiss振動 … もっと見る / InGaAs / 双晶 / 液滴 / 拡散長 / フラックス量 / III比 / V / 架橋 / InAs / マイクロワイヤ / AlGaAs / ウィスパリング・ギャラリー・モード / (111)Si / 立体量子井戸構造 / 量子井戸 / 電子線露光法 / 表面拡散 / カソードルミネッセンス / 結合量子ディスク / フーリエスペクトル / 電流磁気特性 / 平面超格子 / リッジ成長 / 再成長 / シュブニコフ・ド・ハース振動 / 単一量子井戸 / ウェットケミカルエッチング / 平面超格子構造 / 表面プラズモン / 二次元電子ガス / ナノメートル / 磁気輸送特性 / フォトルミネッセンス / ライン&スペース構造 / フェムト秒レーザー / トンネル / ポンプ・プローブ法 / 三準位共鳴 / 光非線形 / 非対称三重量子井戸 … もっと見る研究代表者以外 GaN / フェムト秒分光 / トンネル効果 / InGaN / 結晶成長 / 選択成長 / PEDOT / GaAs / ホトルミネッセンス / LED / ナノワイヤ / 量子細線 / シリコン基板 / 光導波路 / 面間拡散 / 光デバイス / ファセット成長 / MOVPE / 窒化物半導体 / 光非線形性 / 結合量子井戸 / 光変調器 / 光変調 / 反交差現象 / 量子準位共鳴 / 二重量子井戸 / 電子波干渉 / Ionization Potential / Molecular Orientation / Surface Treatment / Conducting Polymer / Transparent Electrode / Surface State / Organic Lighy-Emitting Diodes / イオン化エネルギー / 無機電極 / 誘電性高分子 / イオン化ポテンシャル / 分子配向 / 表面処理 / 導電性高分子 / 透明電極 / 表面状態 / 有機EL / Quantum dot / HVPE / Surface diffusion / Growth on facets / Selective growth / Hetero-epitaxy / 異種基板 / 緩衝層 / 三族窒化物 / 伝導性制御 / ダブルヘテロ構造 / 量子ドット / HVPE法 / MOVPE法 / 表面拡散 / 選択成長法 / ヘテロエピタキシ / Quantum confined Stark effect / optical device / femto-second spectroscopy / optical nonlinearity / tunneling / coupled quantum wells / optical modulator / 準位共鳴 / 電子・正孔対 / ポンプ・プローブ法 / 非線形デバイス / イメージセンサ / field emitter / luminescence / off axis substrate / defects / quantum well / nano-structure / selective growth / III nitrides / 格子歪み / バンド端発光 / ナノメトール量子構造 / サブミクロン微細構造 / 励起子 / カソードルミネッセンス / TEM / フィールドエミッタ / ミネッセンス / 傾斜基板 / 格子欠陥 / 量子井戸 / 微細構造 / 内部量子効率 / 超格子 / PA MBE / 太陽電池 / 窒素ラジカル / PAMBE / 双晶 / STEM / フォトルミネッセンス / 半導体物性 / 半導体超微細化 / MBE / 熱力学 / 圧力印加MOVPE / 可視長波長LED / 量子効率 / 青色LED / 緑色LED / 加圧MOVPE / 圧力印加有機金属化合物気相成長法 / 可視長波長 LED / エピタキシャル成長 / 薄膜物性 / 電気電子材料 / エネルギー効率利用 / 電子線ホログラフィー / 界面構造 / Si基板 / 時間分解分光 / ナノヘテロ構造 / 不純物ドーピング / ナノへテロ構造 / p-i構造 / 多波光制御 / 量子閉込めシュタルク効果 / 光透過 / 光吸収 / キャリア寿命 / フェトム秒分光 / 光制御 / 光非線刑性 / 非対称結合量子井戸 / 波動関数の局在・非局在 / 界面凹凸散乱 / エネルギー緩和 / 電子格子相互作用隠す

Ｓｉ基板上ＧａＡｓ系三元混晶ナノワイヤの成長機構解明と欠陥抑制に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  名古屋大学
パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
MBE-VLS法によるシリコン基板上GaAs系ナノワイヤ構造の作製と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  名古屋大学
ナノ組織制御によるハイブリッドエネルギー材料の創生
- 研究代表者
  
  吉田隆
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(S)
- 研究分野
  
  エネルギー学
- 研究機関
  名古屋大学
加工シリコン基板上への窒化物半導体の選択再成長法によるナノヘテロ構造の創製
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
有機ELフィルムディスプレイ作成のためのネオテクノロジー開発
- 研究代表者
  
  森竜雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
結合多重量子井戸構造による多波光制御に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
電子線露光法による極微細平面・立体量子構造の作製とその評価に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
結合多重量子井戸構造による多波光制御に関する研究
- 研究代表者
  
  沢木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦 (沢木宣彦)
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
極短周期GaAs系平面超格子構造における量子輸送現象に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
電子線露光装置を用いた化合物半導体における平面超格子構造作製に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
GaN/AlGaN微細六角錐列の作製とその電子・光物性に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦 (澤木宜彦)
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
結合三重量子井戸構造を用いた並列光信号処理装置の開発に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦 (澤木宜彦)
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
二重量子井戸構造における電子波干渉効果
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
結合三重量子井戸構造における光非線形性研究代表者
- 研究代表者
  
  山口雅史
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
二重量子井戸構造における電子波干渉効果
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学

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すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開2013
- 著者名/発表者名
  福井孝志監修，7章：山口雅史
- 総ページ数
  241
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[雑誌論文] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Stacking 10 nm図 4:STEM 観察による InGaN ナノワイヤにおける双晶図 5 :InGaN ナノワイヤにおける双晶密度と積分 PL 強度の関係1011021034 1055 1056 1057 1058 105Integrated PL intensity (a.u.)Density of stacking faults (/cm)図 6:HOPG 基板上 GaN ナノワイヤ1μm faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Thermoelectric Power Measurement of Catalyst-free Si-doped GaAs Nanowires2012
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, J.H. Paek, and H. Amano
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings
  
  巻: 1439 ページ: 83-87
- DOI
  10.1557/opl.2012.1326
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[雑誌論文] Probability of twin formation on self-catalyzed GaAs nanowires on Si substrate2012
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, J.H. Paek, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Lett.
  
  巻: 7 号: 1
- DOI
  10.1186/1556-276x-7-558
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[雑誌論文] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 646-649
- DOI
  10.1002/pssc.201100446
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol
  
  巻: 9 ページ: 646-649
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGa N epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z.H.Wu, Y.Kawai, Y.-Y.Fang, C.Q.Chen, H.Kondo, M.Hori, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98 号: 14
- DOI
  10.1063/1.3574607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- URL
  http://dx.doi.org/10.1063/1.3574607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate2009
- 著者名/発表者名
  N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi and T. Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth Online 14 Jan. doi.10.1016
  
  ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長2009
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 他
- 雑誌名
  
  信学技法 109
  
  ページ: 49-52
- NAID
  110007230228
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[雑誌論文] Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. sta. sol.(c) 5
  
  ページ: 2966-2968
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] SUPERCONDUCTING PROPERTIES IN MAGNETIC FIELDS OF LTG-Sm_<1+x>Ba_<2-x>Cu_3Oy FILMS ON Ni-W TEXTURED SUBSTRATE2008
- 著者名/発表者名
  S. Yamaguchi, Y. Yoshida, Y. Ichino, Y. Takai, Y. Shiohara 他
- 雑誌名
  
  Physica C (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676005
[雑誌論文] SUPERCONDUCTING PROPERTIES IN MAGNETIC FIELDS OF LTG-Smi_<1+x>Ba_<2-x>Cu_3O_y FILMS ON Ni-W TEXTURED SUBSTRATE2008
- 著者名/発表者名
  S. Yamaguchi, Y. Yoshida, Y. Ichino, Y. Takai, Y. Shiohara, 他
- 雑誌名
  
  Physica C 468
  
  ページ: 1619-1622
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676005
[雑誌論文] Fabrication and properties of semi- polar (1-101) and (11-22)InGaN/GaN MQW light emitting diode on patterned Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. sta. sol.(c) 5
  
  ページ: 2234-2237
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長2008
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 白知鉉, 西脇達也
- 雑誌名
  
  信学技法 107
  
  ページ: 1-4
- NAID
  110006613698
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[雑誌論文] Growth of non-polar (11-20)GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, D.Rudolph, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 310
  
  ページ: 4999-5002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Al doping in (1-101)GaN films grownon patterned (001)Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki, J
- 雑誌名
  
  Appl. Phys 101.103513
  
  ページ: 1-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Series resistance of n-Si/AlGaN/GaN structure grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, S.Kato, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol 4
  
  ページ: 2740-2743
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN hetero- structures2007
- 著者名/発表者名
  X.X.Han, Y.Honda, T.Narita, M.Yamaguchi, and N.Sawaki, J
- 雑誌名
  
  Phys.: Condens. Matter 19, 046204
  
  ページ: 1-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 298
  
  ページ: 207-210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Cathodoluminescence Properties of InGaN codoped with Zn and Si2006
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, Y.Yanase, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3・6
  
  ページ: 1915-1918
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Carbon Incorporation on (1 101) Facet of A1GaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys. 45・10A
  
  ページ: 7655-7660
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] The surface diffusion of Ga on an A1GaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (b) 243・7
  
  ページ: 1665-1668
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat.sol 3
  
  ページ: 1425-1428
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Optical phonon-modes and electron-phonon interaction in a quantum dot2006
- 著者名/発表者名
  M.Ishidal, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Springer Proceedings in Physics Series 110
  
  ページ: 253-256
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure2006
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys. 45・5A
  
  ページ: 4015-4017
- NAID
  40007248571
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] p-type conduction in a C-doped (1-101) GaN grown on a 7-degree-off oriented (001) Si substrate by selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3・6
  
  ページ: 1425-1428
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet2005
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Stata Solidi 2
  
  ページ: 2349-2352
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet2005
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol 2
  
  ページ: 2349-2352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001) Si by selective MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, Y.Honda, N.Koide, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Series 184
  
  ページ: 251-254
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Incorporation of carbon on a (1-101)facet of GaN by MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 284
  
  ページ: 341-346
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE2005
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Stata Solidi 2
  
  ページ: 2125-2128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Sisubstrate2004
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 84
  
  ページ: 4717-4719
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長2013
- 著者名/発表者名
  水谷駿介，田畑拓也，中川慎太，山口雅史，天野浩，井村将隆，中山佳子，竹口雅樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Si 基板上 InGaN ナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] MBE-VLS成長による無触媒SiドープGaAsナノワイヤの熱電性能測定2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史，白　知鉉，天野　浩
- 学会等名
  第31 回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  静岡県伊豆市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] RF-MBE法によるガラス基板上InGaNナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 渕真悟, 竹田美和
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回　窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Si基板上InGaNナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Challenge for the growth of high-In-content InGaN2012
- 著者名/発表者名
  T. DOI:, T. Ohata, T. Tabata, S. Nakagawa, Y. Kawai, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  III-V and III-N-based High Efficiency Solar Cells for Future Energy Harvesting(Invited)
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2012-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Si基板上無触媒GaAsナノワイヤにおける双晶発生確率2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史，白　知鉉，天野　浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛県松山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] Si 基板上 III-V族化合物半導体ナノワイヤの成長と応用2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,中川慎太, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Probability of Twin Formation on Self-catalyzed GaAs Nanowires on Si Substrate2012
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, J.H. Paek, and H. Amano
- 学会等名
  International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices 2012
- 発表場所
  Drresden, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] Thermoelectric power measurement of catalyst-free Si-doped GaAs nanowires2012
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, J.H. Paek, and H. Amano
- 学会等名
  2012 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也、土井友博、大畑俊也、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE法によるグラファイト基板上GaNナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太，田畑拓也，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法によるグラファイト基板上 GaN ナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 高In組成InGaN実用化にむけて2012
- 著者名/発表者名
  天野浩、山口雅史、本田善央、谷川智之、坂倉誠也、大畑俊也、田畑拓也
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Si基板上III-V族化合物半導体ナノワイヤの成長と応用2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史，白　知鉉，田畑拓也，中川慎太，本田善央，天野　浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
- 発表場所
  早稲田大学（東京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] RF-MBE 法による各種基板上 GaN系ナノワイヤ成長2012
- 著者名/発表者名
  水谷駿介,田畑拓也,中川慎太,山口雅史,天野浩,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2012-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法によるガラス基板上 InGaN ナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史, 天野浩, 渕真悟 , 竹田美和
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN/GaN MQW構造のIn組成揺らぎの改善2011
- 著者名/発表者名
  大畑俊也, 坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  春日、福岡
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上への InGaN ナノワイヤの成長 II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, U.K.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上へのInGaN ナノワイヤの成長II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル（三重県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow (U.K.)
- 年月日
  2011-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 組成および井戸層厚を変調させたInGaN擬周期構造に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  信学会電子デバイス(ED)研究会
- 発表場所
  名古屋ベンチャービジネスラボラトリー（愛知県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Second- and third-generation nitride-based LEDs and challenge for future photovoltaic applications2011
- 著者名/発表者名
  T.Sano, T.Ohata, S.Sakakura, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, M.Mori, M.Iwaya, M.Imade, Y.Mori
- 学会等名
  EDIS2011
- 発表場所
  生命ホール、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] MBE 法による Si 基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,本田善央,天野浩
- 学会等名
  第15回名古屋大学 VBL シンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Effect of high-quality GaN substrates on the improvement of performance of group-III-nitride-based devices2011
- 著者名/発表者名
  H.Amano, T.Sugiyama, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, Y.Isobe, A.Mishima, T.Makino, M.Iwaya, M.Imade, Y.Kitaoka, Y.Mori
- 学会等名
  ECO-MATES2011
- 発表場所
  阪急ホテルエクスポパーク、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 石英基板上InGaN ナノワイヤの成長2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史，田畑拓也，白　知鉉，本田善央，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Thermoelectric power of catalyst-free GaAs nanowires grown by MBE-VLS method2011
- 著者名/発表者名
  J. H. Paek, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センター（愛知県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] MBE-VLS法によるSi基板上無触媒GaAs/InGaAs軸方向ヘテロ構造ナノワイヤ2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史，白　知鉉，天野　浩
- 学会等名
  第30 回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] MBE法によるSi基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史，白　知鉉，田畑拓也，本田善央，天野　浩
- 学会等名
  第15回名古屋大学VBLシンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学フロンティアプラザ（愛知県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23510148
[学会発表] 紫外～赤色LED究極効率を目指した窒化物半導体結晶成長技術2010
- 著者名/発表者名
  天野浩, 本田善央, 山口雅史
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] AlGaAsマイクロワイヤの中のウィスパリングギャラリーモード2010
- 著者名/発表者名
  白知鉱, 山口雅史
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市(東海大学湘南キャンパス)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いたInGaN結晶成長2010
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～&若手ポスター発表会」
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Catalyst Free MBE-VLS growth of compound semiconductor nanowires on(111)Si substrate2009
- 著者名/発表者名
  M.Yamaguchi
- 学会等名
  International Mini-Workshop on Plasma and Nanotechnology
- 発表場所
  Roskilde, Denmark
- 年月日
  2009-06-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Catalyst free MBE-VLS growth of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on(111)Si substrate2009
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 他
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀県守山市(ラフォーレ琵琶湖)
- 年月日
  2009-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長2009
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 他
- 学会等名
  信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  愛知県豊橋市(豊橋技科大サテライトオフィス)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Catalyst Free MBE-VLS growth of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on(111)Si substrate2009
- 著者名/発表者名
  M.Yamaguchi, et al.
- 学会等名
  E-MRS 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, and Yamaguchi
- 学会等名
  ISGN-2
- 発表場所
  Izu
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Growth mechanism of GaAs nanowire on (111)Si substrate2008
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 他
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  伊豆市
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] MBE-VLS growth mechanism of GaAs nanowire on (111)Si substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, et al.
- 学会等名
  The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2008)
- 発表場所
  Rust, Germany
- 年月日
  2008-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長2008
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 白知鉉, 西脇達也
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス(ED)研究会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2008-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長2008
- 著者名/発表者名
  山口雅史、白知鉱、西脇達也、吉田隆、澤木宣彦
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2008-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676005
[学会発表] MBE-VLS法によるSi基板上のGaAsナノワイヤの作製-II:サイズ制御2008
- 著者名/発表者名
  白知鉉, 山口雅史, 澤木宣彦
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉・船橋
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] MBE法を用いたGaAsナノワイヤの成長と評価2007
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 白知鉉, 西脇達也
- 学会等名
  第11回名古屋大学VBLシンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2007-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101)2007
- 著者名/発表者名
  EH.Kim, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 学会等名
  HCIS-15
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Energy relaxation process of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN2007
- 著者名/発表者名
  J.Saida, EH.Kim, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 学会等名
  ICNS-7
- 発表場所
  Las Vegas
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] 加工シリコン基板上への半極性GaNの選択成長と物性2007
- 著者名/発表者名
  彦坂年輝、谷川智之、本田善央、山口雅史、澤木宣彦
- 学会等名
  JSPS-162研究会
- 発表場所
  川口屋リバーサイドホテル
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] MBE-VLS growth of GaAs nanowire on (111)Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  西脇達也, 山口雅史, 白知鉉
- 学会等名
  第26回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] MBE Growth of GaAs Nanowires on a(111)Si Substrate2007
- 著者名/発表者名
  J. H. Paek, M. Yamaguchi
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2007)
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] SUPERCONDUCTING PROPERTIES IN MAGNETIC FIELDS OF LTG-Sm_<1+x>Ba_<2-x>Cu_3O_y FILMS ON Ni-W TEXTURED SUBSTRATE2007
- 著者名/発表者名
  S. Yamaguchi, Y. Yoshida, Y. Ichino, Y. Takai, Y. Shiohara 他
- 学会等名
  The 20th International Symposium on Superconductivity(ISS2007)
- 発表場所
  Epocal Tsukuba, Japan
- 年月日
  2007-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676005
[学会発表] MBE-VLS法によるSi基板上へのGaAsナノワイヤ成長形態2007
- 著者名/発表者名
  山口雅史, 白知鉉, 西脇達也
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19651051
[学会発表] Acceptor Level due to Carbon in a (1-101)AlGaN2006
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, and M.Yamaguchi
- 学会等名
  28th ICPS
- 発表場所
  Wien
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001

1. 澤木宣彦 (70023330)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 26件
2. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 61件
3. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 38件
4. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 安亨洙 (40303672)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 吉田隆 (20314049)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
7. 宮崎康次 (70315159)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 淡路智 (10222770)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 一野祐亮 (90377812)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 森竜雄 (40230073)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 水谷照吉 (70023249)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 舩木修平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 尾崎壽紀

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 鈴木孝昌

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 一野裕亮

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

山口 雅史 YAMAGUCHI Masahito

研究課題

研究成果

共同研究者

Ｓｉ基板上ＧａＡｓ系三元混晶ナノワイヤの成長機構解明と欠陥抑制に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

MBE-VLS法によるシリコン基板上GaAs系ナノワイヤ構造の作製と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子線露光法による極微細平面・立体量子構造の作製とその評価に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極短周期GaAs系平面超格子構造における量子輸送現象に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子線露光装置を用いた化合物半導体における平面超格子構造作製に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

山口雅史 YAMAGUCHI Masahito