岡田達也 okada tatuya

研究者番号	20281165
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 2017年度 – 2021年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 2016年度: 徳島大学, 大学院理工学研究部, 教授 2015年度: 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 2011年度 – 2015年度: 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 … もっと見る 2010年度 – 2011年度: 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 2007年度: 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 2006年度: 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 助教授 2004年度 – 2005年度: 徳島大学, 工学部, 助教授 2001年度: 徳島大学, 工学部, 助教授 1998年度 – 2000年度: 徳島大学, 工学部, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者材料加工・処理 / 小区分18010:材料力学および機械材料関連 / 小区分26030:複合材料および界面関連 / 複合材料・表界面工学 / 応用物性・結晶工学 / 機械材料・材料力学研究代表者以外機械材料・材料力学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者単結晶 / 再結晶 / ダイヤモンド / フェムト秒レーザー / シリコンカーバイド / フェムト秒レーザ / 結晶欠陥 / 変形帯 / 引張変形 / 拡散 … もっと見る / 結晶粒界 / 三重結晶 / 表面改質 / ２次イオン質量分析 / ホウ素イオン注入 / レーザー照射誘起改質 / 透過電子顕微鏡 / ダイヤモンド単結晶 / イオン注入 / リップル / 双晶化 / 相互拡散 / SiC / 電極 / amorphization / ripple structure / femto second laser / crystallographic defect / transmission electron microscopy (TEM) / surface defect / homoepitaxial growth / silicon carbaide (SiC) / 特性X線分析 / 透過型電子顕微鏡 / 内部欠陥 / エピ成長 / 4H-SiC / ジルコニア粒子 / リップ構造 / アモルファス化 / リップル構造 / 透過電子顕微鏡(TEM) / 表面欠陥 / ホモエピタキシャル成長 / シリコンカーバイド(SiC) / 残留応力測定 / 塑性変形 / 残留応力 / 粒界移動 / 組織制御 / 変形 / Fe-Si合金 / <110>回転メカニズム / 再結晶粒核形成 / 回復・再結晶 / ステンレス鋼 / すべり変形 / 集合組織 … もっと見る研究代表者以外金属電極 / レーザーアニール / 窒化物半導体 / オーミック電極 / 界面合金化 / レーザー合金化 / ダイアモンド / ワイドバンドギャップ半導体 / 窒化ガリウム / シリコンカーバイド / レーザー加工・改質 / フェムト秒レーザー / 合金化 / SiC / モニタリング / 変形拘束 / 双結晶変形 / 3重結晶 / アルミニウム / 単結晶応力測定 / X線応力測定 / 中性子応力測定 / 放射光応力測定 / 微視的残留応力 / 結晶粒界 / アルミニウム3重結晶 / 銅双結晶隠す

低Σ値粒界で構成された銅合金三重結晶における拡散と高温粒界破壊研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分18010:材料力学および機械材料関連
- 研究機関
  徳島大学
ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザー照射改質導入によるイオン注入容易化研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分26030:複合材料および界面関連
- 研究機関
  徳島大学
フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化
- 研究代表者
  
  富田卓朗
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  機械材料・材料力学
- 研究機関
  徳島大学
フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  複合材料・表界面工学
- 研究機関
  徳島大学
SiC/金属界面レーザーアニールプロセスの動的モニタリング
- 研究代表者
  
  富田卓朗
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  徳島大学
単結晶応力測定を基盤とする変形・再結晶の新しい理解研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機械材料・材料力学
- 研究機関
  徳島大学
ミクロな視点から覗く結晶界面の変形拘束
- 研究代表者
  
  英崇夫
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機械材料・材料力学
- 研究機関
  徳島大学
シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  徳島大学
ミクロ組織解析から構築した珪素鋼の集合組織形成機構の基礎的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  徳島大学
リサイクル性の良い単純な成分構成をもつステンレス鋼の組織制御に関する基礎的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田達也
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  徳島大学

[雑誌論文] Local melting of Au/Ni thin films irradiated by femtosecond laser through GaN2019
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Hiroyuki Katayama, Yuki Fuchikami, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics. A, Materials Science & Processing
  
  巻: 125 号: 10
- DOI
  10.1007/s00339-019-2982-1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[雑誌論文] Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface2018
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Hiroki Kawakami, Yuki Fuchikami, Hiromu Hisazawa, and Yasuhiro Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 0165021-4
- DOI
  10.7567/apex.11.016502
- NAID
  210000136095
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05340, KAKENHI-PROJECT-17H03147, KAKENHI-PROJECT-15K06466
[雑誌論文] Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface2018
- 著者名/発表者名
  Okada Tatsuya、Tomita Takuro、Ueki Tomoyuki、Hashimoto Takuya、Fuchikami Yuki、Katayama Hiroyuki、Hisazawa Hiromu、Tanaka Yasuhiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 11 ページ: 116501-116501
- DOI
  10.7567/jjap.57.116501
- NAID
  210000149768
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05340, KAKENHI-PROJECT-17H03147
[雑誌論文] Femtosecond-laser-induced modifications on the surface of a single-crystalline diamond2017
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando, and Yasuhiro Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 11 ページ: 1127011-5
- DOI
  10.7567/jjap.56.112701
- NAID
  210000148429
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05340, KAKENHI-PROJECT-17H03147, KAKENHI-PROJECT-15K06466
[雑誌論文] Femtosecond laser-induced modification at aluminum/diamond interface2017
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando, Yasuhiro Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 2 ページ: 0266011-5
- DOI
  10.7567/jjap.56.026601
- NAID
  120006380970
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420707, KAKENHI-PROJECT-15K06466
[雑誌論文] Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada
- 雑誌名
  
  Journal of Laser Micro/Nanoengineering
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 214-219
- DOI
  10.2961/jlmn.2015.03.0014
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[雑誌論文] Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface2015
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 2 ページ: 026503-026503
- DOI
  10.7567/apex.8.026503
- NAID
  210000137409
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[雑誌論文] 不均一変形した銅単結晶における初期段階の再結晶粒方位2013
- 著者名/発表者名
  加藤慎也,大坪啓視,植木智之,岡田達也
- 雑誌名
  
  日本金属学会誌
  
  巻: 77巻ページ: 101-106
- NAID
  10031155992
- URL
  https://www.jstage.jst.go.jp/article/jinstmet/77/3/77_101/_pdf
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560088
[雑誌論文] Internal Residual Stress Measurements of Tensile-Deformed Aluminum Single Crystals Using Synchrotron Radiation2013
- 著者名/発表者名
  Ayumi Shiro, Tatsuya Okada and Takahisa Shobu
- 雑誌名
  
  JSMME
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 79-91
- DOI
  10.1299/jmmp.7.79
- NAID
  130003366847
- ISSN
  1880-9871
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560088
[雑誌論文] Residual Stress Measurement around the Interface of Copper Bicrystal Deformed by Uniaxial Extension2010
- 著者名/発表者名
  Takao Hanabusa, Ayumi Shiro, Tatsuya Okada
- 雑誌名
  
  Advances in Science and Technology
  
  巻: Vol.64 ページ: 125-134
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560095
[雑誌論文] Measurement of Micro Residual Stress Near The Grain Boundary in Copper Bycrystal2010
- 著者名/発表者名
  Ayumi Shiro, Takao Hanabusa, Tatsuya Okada, Masayuki Nishida, Kazuya Kusaka, Osami Sakata
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: Vols. 89-91 ページ: 515-520
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560095
[雑誌論文] Cross-sectional TEM analysis of laser-induced ripple structures on the4H-SiC single-crystal surface2008
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics A (in printing)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Cross-sectional TEM analysis of laser-induced ripple structures on the 4H-SiC single-crystal surface2008
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics A (印刷中)
- NAID
  40016767507
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Source of Surface Morphological Defects Formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45
  
  ページ: 7625-7631
- NAID
  40007462473
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Origin of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol. 527-529
  
  ページ: 339-342
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Origin of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol.527-529
  
  ページ: 399-402
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Source of Surface Morphological Defects formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T.Okada et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45 No.10A
  
  ページ: 7625-7631
- NAID
  40007462473
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Source of Surface Morphological Defects Formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45
  
  ページ: 7625-7631
- NAID
  40007462473
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Origin of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films2006
- 著者名/発表者名
  T.Okada et al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol.527-529
  
  ページ: 399-402
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films2004
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol.457-460
  
  ページ: 521-524
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Defect Formation in (0001)- and (1120)-Oriented 4H-SiC Crystals P^+-Implanted at Room Temperature2004
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.43
  
  ページ: 6884-6889
- NAID
  10013744919
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Defect Formation in(0001)-and(1120) -Oriented 4H-SiC Crystals P^+ -Implanted at Room Temperature2004
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 43
  
  ページ: 6884-6889
- NAID
  10013744919
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films2004
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol. 457-460
  
  ページ: 521-524
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[雑誌論文] Defect Formation in (0001)- and (1120)-Oriented 4H-SiC Crystals Pt-Implanted at Room Temperature2004
- 著者名/発表者名
  T.Okada, Y.Negoro, T.Kimoto, K.Okamoto, N.Kujime, N.Tanaka, H.Matsunami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 6884-6889
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] Modifications induced by femtosecond laser irradiation on (001) surface of diamond crystal2021
- 著者名/発表者名
  Kenya Bando, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa, Takuro Tomita, Tatsuya Okada and Makoto Yamaguchi
- 学会等名
  The 22nd International Symposium on Laser Precision Microfabrication
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05033
[学会発表] フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド表面へのホウ素イオン注入2020
- 著者名/発表者名
  坂東賢哉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 小林幸雄, 伊藤元雄
- 学会等名
  2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05033
[学会発表] ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質とTiの反応2019
- 著者名/発表者名
  内田健介, 今垣諒彌, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第59回講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] Formation of Ohmic Contact at Ni/SiC Interface with the Assistance of Femtosecond-Laser-Induced Modifications2019
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Yuki Fuchikami, Yusaku Mizuo, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] SiC単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi電極の作製2019
- 著者名/発表者名
  水尾優作, 渕上裕暉, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第59回講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザー照射による結晶改質がp-GaNへのオーミックコンタクトに与える影響2019
- 著者名/発表者名
  片山裕之, 直井美貴, 岡田達也, 田中康弘, 富田卓朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における電極形成2019
- 著者名/発表者名
  水尾優作, 渕上裕暉, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] 走査型電子顕微鏡を用いたフェムト秒レーザー加工過程のパルス分解観察2019
- 著者名/発表者名
  渕上裕暉, 薮内麻由, 宮本美佑, 二村大, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射誘起改質を導入したSiC単結晶上Ni電極の特性評価2019
- 著者名/発表者名
  水尾優作, 渕上裕暉, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也
- 学会等名
  2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] p-GaN上オーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討2018
- 著者名/発表者名
  片山裕之, 川上博貴, 今垣諒彌, 橋本拓哉, 山口誠, 田中康弘, 直井美貴, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散2018
- 著者名/発表者名
  渕上裕暉，橋本拓哉，川上博貴，植木智之，富田卓朗，岡田達也，田中康弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06466
[学会発表] Study of ohmic contact electrode on p-GaN using moderate crystal damage effect induced by femtosecond laser irradiation technique2018
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Katayama, Yoshiki Naoi, Tatsuya Okada, Yasuhiro Tanaka and Takuro Tomita
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散2018
- 著者名/発表者名
  渕上裕暉, 橋本拓哉, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] 4H-SiC表面へのフェムト秒レーザ照射改質導入によるNi/SiC界面反応の促進2018
- 著者名/発表者名
  渕上裕暉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射改質の導入によるNi/SiC界面のNiシリサイド形成2018
- 著者名/発表者名
  渕上裕暉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] 表面局在した格子振動に由来するSiCのラマンスペクトル2018
- 著者名/発表者名
  富田卓朗, 竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也
- 学会等名
  日本物理学会2018年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] サブミクロン厚4H-SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性2018
- 著者名/発表者名
  竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射改質を導入したダイヤモンド表面へのTi蒸着2018
- 著者名/発表者名
  今垣諒彌, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザ照射改質の導入によるTi/ダイヤモンド界面反応2018
- 著者名/発表者名
  今垣諒彌, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質2017
- 著者名/発表者名
  二村大, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射による改質導入2017
- 著者名/発表者名
  二村大, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘
- 学会等名
  日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] サブミクロン厚SiCにおける極性面に依存したラマンスペクトル2017
- 著者名/発表者名
  竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] フェムト秒レーザ照射によるダイヤモンド単結晶表面への改質導入とアニールに伴う変化2017
- 著者名/発表者名
  二村大，川上博貴，植木智之，富田卓朗，岡田達也，田中康弘
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06466
[学会発表] SiCのサブミクロン厚領域におけるラマンスペクトルの数値計算2017
- 著者名/発表者名
  竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  第28回光物性研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03147
[学会発表] Al/ダイヤモンド単結晶界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質2016
- 著者名/発表者名
  政井勇輝，植木智之，田中康弘，富田卓朗，岡田達也
- 学会等名
  2016年＜第77回＞応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06466
[学会発表] レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散2015
- 著者名/発表者名
  滝谷悠介, 近藤健太, 直井美貴, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回講演会
- 発表場所
  大阪国際交流センター (大阪府大阪市)
- 年月日
  2015-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成2015
- 著者名/発表者名
  滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  日本金属学会2015年秋期講演大会
- 発表場所
  九州大学伊都キャンパス (福岡県福岡市)
- 年月日
  2015-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散2015
- 著者名/発表者名
  滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第55回講演大会
- 発表場所
  広島工業大学　（広島県広島市）
- 年月日
  2015-08-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール2015
- 著者名/発表者名
  滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場　(愛知県名古屋市)
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール2014
- 著者名/発表者名
  森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  日本金属学会2014年秋期講演大会
- 発表場所
  名古屋大学　(愛知・名古屋)
- 年月日
  2014-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進2014
- 著者名/発表者名
  森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
- 発表場所
  北海道大学　(北海道・札幌)
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化2014
- 著者名/発表者名
  森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部講演予稿集
- 発表場所
  島根大学 (島根・松江)
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] sレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散2014
- 著者名/発表者名
  森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也
- 学会等名
  日本金属学会中国四国支部第54回講演大会講演概要集
- 発表場所
  徳島大学 (徳島・徳島)
- 年月日
  2014-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析2014
- 著者名/発表者名
  近藤健太, 柳田栄造, 板東洋太, 出来真斗, 岡田達也, 富田卓朗
- 学会等名
  第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
- 発表場所
  北海道大学　(北海道・札幌)
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132
[学会発表] アルミニウム単結晶における塑性変形中その場格子ひずみ測定2013
- 著者名/発表者名
  城鮎美，菖蒲敬久，岡田達也，河野智哉，文屋宏友
- 学会等名
  第47回X線材料強度に関するシンポジウム
- 発表場所
  国立オリンピック記念青少年総合センター（東京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560088
[学会発表] In-Situ Observation of Recrystallization Process for Aluminum Single Crystals using Synchrotron Radiation2013
- 著者名/発表者名
  Ayumi Shiro, Takahisa Shobu and Tatsuya Okada
- 学会等名
  MECA SENS 2013
- 発表場所
  Crowne Plaza Hotel (Sydney, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560088
[学会発表] フェムト秒レーザ照射により誘起された4H-SiC表面周期構造の断面TEM観察2008
- 著者名/発表者名
  岡田達也, ほか
- 学会等名
  日本金属学会第142回大会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] Cross-sectional TEM analysis of 4H-SiC surface periodic structures induced by irradiation of femtosecond laser pulses2008
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 学会等名
  142nd Spring Meeting, The Japan Institute of Metals
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] TEM Observation of Structural Changes under 4H-SiC Single Crystal Surface Irradiated by Femtosecond Laser Pulses2007
- 著者名/発表者名
  T. Okada, et. al.
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Laser Precision Microfabrication(LPM2007)
- 発表場所
  Vienna
- 年月日
  2007-04-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] SiCエピ欠陥のTEM解析2005
- 著者名/発表者名
  岡田達也, ほか
- 学会等名
  第52回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  さいたま市
- 年月日
  2005-03-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] TEM analysis of epitaxial defects in SiC2005
- 著者名/発表者名
  T, Okada, et. al.
- 学会等名
  52nd Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Saitama, Japan
- 年月日
  2005-03-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560009
[学会発表] Low-temperature diffusion at Ni/SiC interface with the aid of femtosecond laser-induced strain
- 著者名/発表者名
  Y. Takidani, K. Morimoto, T. Ueki, T. Tomita, Y. Tanaka, T. Okada
- 学会等名
  The 16th International Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM2015)
- 発表場所
  Kitakyushu International Conference Center (Fukuoka・Kitakyushu)
- 年月日
  2015-05-26 – 2015-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630132

1. 富田卓朗 (90359547)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 39件
2. 英崇夫 (20035637)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
3. 城鮎美 (60707446)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
4. 山口誠 (90329863)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
5. 文屋宏友

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
6. 河野智哉

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
7. 西田真之 (80332047)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 日下一也 (70274256)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 直井美貴 (90253228)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
10. 加藤慎也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 田中康弘

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

岡田 達也 okada tatuya

研究課題

研究成果

共同研究者

低Σ値粒界で構成された銅合金三重結晶における拡散と高温粒界破壊研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザー照射改質導入によるイオン注入容易化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiC/金属界面レーザーアニールプロセスの動的モニタリング

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶応力測定を基盤とする変形・再結晶の新しい理解研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ミクロな視点から覗く結晶界面の変形拘束

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ミクロ組織解析から構築した珪素鋼の集合組織形成機構の基礎的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リサイクル性の良い単純な成分構成をもつステンレス鋼の組織制御に関する基礎的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Local melting of Au/Ni thin films irradiated by femtosecond laser through GaN2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

岡田達也 okada tatuya