山中淳二 YAMANAKA Junji

研究者番号	20293441
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2023年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 2015年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 2014年度 – 2015年度: 山梨大学, 総合研究部, 准教授 2012年度 – 2013年度: 山梨大学, 医学工学総合研究部, 准教授 2012年度: 山梨大学, 学工学総合研究部, 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2011年度: 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 2007年度: 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究科, 准教授 2006年度: 山梨大学, 大学院医学光学総合研究部, 助教授 2006年度: 山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性 / 物理化学
キーワード	研究代表者 STEMモアレ / Ni-Al-Ti合金 / SiGe / ナノビーム電子回折 / 透過電子顕微鏡研究代表者以外結晶欠陥 / 歪みシリコン / MOSFET / 電子デバイス / 欠陥密度 … もっと見る / 低速電子 / 水素原子 / 極低温 / シリコン・ゲルマニウム / 集積回路 / 高移動度トランジスタ / 界面準位 / シリコンゲルマニウム / 高移動度トランジスター / キャリア移動度 / 半導体結晶 / ヘテロ構造 / thin film transistor / Polycrystalline Si / microwave plasma / 多結晶シリコン・ゲルマニウム / 電界効界トランジスタ / 電界効果トランジスタ / 多結晶シリコン / マイクロ波加熱 / 水素ラジカル加熱 / Ge/Si基板ヘテロ構造 / Ge/Siヘテロ構造 / GeチャネルFET / ラジカル水素加熱 / GeSiヘテロ構造 / プラズマ / シリコン多結晶 / 電子材料 / 結晶成長 / 薄膜トランジスタ / 選択加熱 / プラズマ加熱 / 固相成長 / 半導体 / 低温 / トンネル現象 / DLC / トンネル / アモルファス / メタン / トネンル / 薄膜 / 電子衝撃 / 非晶質 / カーボン / 微結晶シリコン / 太陽電池 / ナノ材料 / 界面準位密度 / シリコン窒化膜 / アモルファスカーボン / 水素化アモルファスシリコン / 電子銃 / 飛行時間型質量分析計 / 放射線化学 / アモルファスシリコン / 電子線誘起反応 / トンネル反応隠す

構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布マルチスケール可視化新手法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山中淳二
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  山梨大学
(110)面を表面に有する歪みシリコン薄膜の酸化膜／半導体界面準位に関する研究
- 研究代表者
  
  有元圭介
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  山梨大学
イオン注入法による歪みSi/SiGe/Si(110)構造の欠陥と表面形状の制御
- 研究代表者
  
  有元圭介
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  山梨大学
転位形成の抑制による歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の超高移動度化
- 研究代表者
  
  有元圭介
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  山梨大学
水素ラジカルを用いた高品位Ge/Si基板ヘテロ構造形成技術の開発
- 研究代表者
  
  中川清和
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  山梨大学
マイクロ波プラズマ励起種を用いた選択加熱技術の開発
- 研究代表者
  
  中川清和
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山梨大学
極低温トンネル反応と低速電子線誘起反応を利用した炭素薄膜の合成
- 研究代表者
  
  佐藤哲也
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  山梨大学
シリコン半導体薄膜およびナノ構造材料の極低温合成に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  佐藤哲也
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物理化学
- 研究機関
  山梨大学
マイクロ波直接加熱による高移動度多結晶シリコン・ゲルマニウム薄膜作製技術の開発
- 研究代表者
  
  中川清和
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山梨大学

[雑誌論文] Evaluation of Lattice Spacing of Precipitates and Matrix in a Ni-Al-Ti alloy by NBD and Image Analysis using Two Condenser-Lens TEM2024
- 著者名/発表者名
  Joji Furuya, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Minoru Doi
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[雑誌論文] Crystallographic Orientations of Cracks Formed in SiGe/Ge/Si(111)2024
- 著者名/発表者名
  Kota Tajima, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Youya Wagatsuma, Kentarou Sawano
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[雑誌論文] Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates2023
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: 52 号: 8 ページ: 5121-5121
- DOI
  10.1007/s11664-023-10425-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[雑誌論文] Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle2023
- 著者名/発表者名
  Yamanaka Junji、Furuya Joji、Hara Kosuke O、Arimoto Keisuke
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: 29 号: Supplement_1 ページ: 325-327
- DOI
  10.1093/micmic/ozad067.152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[雑誌論文] Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures2023
- 著者名/発表者名
  Fujisawa Taisuke、Onogawa Atsushi、Horiuchi Miki、Sano Yuichi、Sakata Chihiro、Yamanaka Junji、Hara Kosuke O.、Sawano Kentarou、Nakagawa Kiyokazu、Arimoto Keisuke
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 161 ページ: 107476-107476
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.107476
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[雑誌論文] Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two-condenser-lens TEM2022
- 著者名/発表者名
  Yamanaka Junji、Oguni Takuya、Sano Yuichi、Ohshima Yusuke、Onogawa Atsushi、Hara Kosuke O、Arimoto Keisuke
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: 28 号: S1 ページ: 2812-2813
- DOI
  10.1017/s1431927622010601
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[雑誌論文] Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moire2021
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: 27 号: S1 ページ: 2326-2327
- DOI
  10.1017/s1431927621008369
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[雑誌論文] Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Shingo Saito, Yuichi Sano, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 113 ページ: 105042-105042
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si2020
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59
- NAID
  210000157909
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si2020
- 著者名/発表者名
  K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami and K. Nakagawa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 (5) ページ: 277-290
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements2020
- 著者名/発表者名
  Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Taisuke Fujisawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 113 ページ: 105052-105052
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110)2020
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto
- 雑誌名
  
  Microsc. Microanal.
  
  巻: 26 (Suppl 2) ページ: 286-286
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 93 号: 1 ページ: 79-80
- DOI
  10.1149/09301.0079ecst
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis2019
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka
- 雑誌名
  
  Microscopy and Microanalysis
  
  巻: 25 号: S2 ページ: 242-243
- DOI
  10.1017/s1431927619001946
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures2018
- 著者名/発表者名
  Arimoto Keisuke、Onogawa Atsushi、Saito Shingo、Yamada Takane、Sato Kei、Utsuyama Naoto、Sano Yuichi、Izumi Daisuke、Yamanaka Junji、Hara Kosuke O、Sawano Kentarou、Nakagawa Kiyokazu
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 33 号: 12 ページ: 124016-124016
- DOI
  10.1088/1361-6641/aaeb10
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[雑誌論文] Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth Surface2018
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Mai Shirakura, Chiaya Yamamoto, Naoto Utsuyama, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science and Chemical Engineering
  
  巻: 6 号: 01 ページ: 25-31
- DOI
  10.4236/msce.2018.61004
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] STEM Moire Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon2017
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science and Chemical Engineering
  
  巻: 5 号: 01 ページ: 102-108
- DOI
  10.4236/msce.2017.51014
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa, Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 11 ページ: 114002-114002
- DOI
  10.1088/1361-6641/aa8a87
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave Plasma Heating and Fabrication of High Hole Mobility MOSFETs on Ge Layers2017
- 著者名/発表者名
  Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Chiaya Yamamoto, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science and Chemical Engineering
  
  巻: 5 号: 01 ページ: 42-47
- DOI
  10.4236/msce.2017.51006
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation2017
- 著者名/発表者名
  M. Kato, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 477 ページ: 197-200
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.05.022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] 241Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE2017
- 著者名/発表者名
  K. Arimoto, S. Yagi, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami, K. Nakagawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growt
  
  巻: 印刷中ページ: 625-629
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.076
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[雑誌論文] Selective Heating of Transition Metal Usings Hydrogen Plasma and Its Application to Formation of Nickel Silicide Electrodes for Silicon Ultralarge-Scale Integration Devices2016
- 著者名/発表者名
  Tetsuji Arai, Hiroki Nakaie, Kazuki Kamimura, Hiroyuki Nakamura, Satoshi Ariizumi, Satoki Ashizawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science and Chemical Engineering
  
  巻: 4 号: 01 ページ: 29-33
- DOI
  10.4236/msce.2016.41006
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[雑誌論文] New Structure of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor with Germanium Layer in Source/Drain Regions for Low-Temperature Device Fabrication2008
- 著者名/発表者名
  M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 1547-1549
- NAID
  40015945438
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[雑誌論文] New Structure of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor with Germanium Layer in Source/Drain Regions for Low-Temperature Device Fabrication2008
- 著者名/発表者名
  M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 1547-1549
- NAID
  40015945438
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[雑誌論文] Formation of microcrystalline Silicon and SiNx filmisby electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature.2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, M.Mitsui, J.Yamanaka, K.Nakagawa, Y.Aoki, S.Sato, C.Miyata
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 61-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18550014
[雑誌論文] Formation of Microcrystalline Silicon and SiNx Films by Electron-Beam- Induced-Chemical Vapor Deposition at Ultra Low Temperature2006
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Mitsui, J. Yamanaka, K. Nakagawa, et.al
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 61-64
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18550014
[雑誌論文] Influence of Ge atoms on mobility and junction properties of thin-film transistors fabricated on solid-phase crystallized poly-SiGe2006
- 著者名/発表者名
  M.Mitsui, a_K.Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 192102-192102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] Crystallographic Orientations of Cracks Formed in SiGe/Ge/Si(111)2024
- 著者名/発表者名
  Kota Tajima, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Youya Wagatsuma, Kentarou Sawano
- 学会等名
  Microscopy and Microanalysis 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] Evaluation of Lattice Spacing of Precipitates and Matrix in a Ni-Al-Ti alloy by NBD and Image Analysis using Two Condenser-Lens TEM2024
- 著者名/発表者名
  Joji Furuya, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara and Minoru Doi
- 学会等名
  Microscopy and Microanalysis 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] NBD回折円盤を用いた面間隔評価方法の改良とNi-Al-Tiへの応用2024
- 著者名/発表者名
  古屋丞司,山中淳二,有元圭介,原康祐,土井稔
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第80回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] NBD回折円盤を用いたNi-Al-Ti合金中の析出物と母相の面間隔評価2023
- 著者名/発表者名
  古屋丞司、山中淳二、有元圭介、原康祐、土井稔
- 学会等名
  日本金属学会2023年秋期講演(第173回)大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] 歪みSi/SiGe/Si(110)MOS構造の界面準位密度の評価2023
- 著者名/発表者名
  青沼雄基、藤澤泰輔、堀内未希、吉川満希、山中淳二、原康祐、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] 歪み Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造への in-situ Sb ドーピングプロセスの検討2023
- 著者名/発表者名
  河村剛登、原康祐、山中淳二、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle2023
- 著者名/発表者名
  Yamanaka Junji、Furuya Joji、Hara Kosuke O、Arimoto Keisuke
- 学会等名
  Microscopy and Microanalysis 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] Feasibility study for the evaluation of SiGe/Si (110) domain tilt using X-raydiffraction reciprocal space mapping and conventional HR-TEM method2023
- 著者名/発表者名
  i Yamanaka, Chihiro Sakata, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto
- 学会等名
  IMC20 - The 20th International Microscopy Congress
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04599
[学会発表] 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSiGeと歪Siの面間隔評価2022
- 著者名/発表者名
  山中淳二,小國琢弥,佐野雄一,大島佑介,各川敦史,原康祐,有元圭介
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第78回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] NBD 回折円盤からの SiGe 面間隔測定における収束レンズ条件の影響2022
- 著者名/発表者名
  古屋丞司, 有元圭介, 小國琢弥, 原康祐, 山中淳二
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第 65 回シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Evaluation of Lattice-Spacing of Si and SiGe by NBD using conventional TEM2022
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates2022
- 著者名/発表者名
  Chihiro Sakata, Keisuke Arimoto, Kosuke O Hara, Junji Yamanaka
- 学会等名
  19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] 歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減2022
- 著者名/発表者名
  藤澤泰輔、各川敦史、堀内未希、坂田千尋、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究2021
- 著者名/発表者名
  堀内未希、斎藤慎吾、原康介、山中淳二、有元圭介
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究2021
- 著者名/発表者名
  吉川満希、浪内大地、陳北辰、堀内未希、藤澤泰輔、山中淳二、原康祐、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行2021
- 著者名/発表者名
  小國琢弥、佐野雄一、大島佑介、原康祐、有元圭介、山中淳二
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第64回シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSi面間隔評価の試行2021
- 著者名/発表者名
  小國琢弥，佐野雄一，原康祐，有元圭介，山中淳二
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第77回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  International Conference on Materials Science and Engineering (Materials Oceania)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moire2021
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto
- 学会等名
  Microscopy & Microanalysis 2021 Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価2021
- 著者名/発表者名
  坂田千尋、有元圭介、各川敦史、原康祐、山中淳二
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第64回シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] STEM-Moire Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes2021
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto
- 学会等名
  2nd Canada -Japan Microscopy Societies Symposium 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04900
[学会発表] Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET formed on SiGe/Si(110) on strained Si thickness and the channel direction2021
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si2020
- 著者名/発表者名
  K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami and K. Nakagawa
- 学会等名
  ECS PRiME 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110)2020
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto
- 学会等名
  Microscopy & Microanalysis 2020 Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性2020
- 著者名/発表者名
  藤澤泰輔、各川敦史、浪内大地、佐野雄一、泉大輔、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis2019
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka
- 学会等名
  Microscopy & Microanalysis 2019 Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Hole Mobility Enhancement Observed in (110)-Oriented Strained Si2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性2019
- 著者名/発表者名
  藤澤泰輔、各川敦史、浪内大地、斎藤慎吾、佐野雄一、泉大輔、山中淳二、原康祐、澤野憲太郎、中川清和、有元圭介
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Hole Mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) Hetero Structures Studied by Gated Hall Measurements2019
- 著者名/発表者名
  Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Keisuke Arimoto, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Critical Thickness of SiGe on Si(110) Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Shingo Saito, Yuichi Sano, Kosuke. O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価2019
- 著者名/発表者名
  浪内大地、澤野憲太郎、各川敦史、佐野雄一、泉大輔、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究2019
- 著者名/発表者名
  斎藤慎吾、佐野雄一、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Si(110)基板上に成長したSiGe混晶半導体の高分解能TEM観察2019
- 著者名/発表者名
  佐野雄一, 有元圭介, 斎藤慎吾, 各川敦史, 原康祐, 中川清和, 山中淳二
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第43回関東支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] (110)面歪みSi薄膜のラマン分光法による歪み評価2019
- 著者名/発表者名
  有元圭介、各川敦史、斎藤慎吾、原康祐、山中淳二、中川清和
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価2018
- 著者名/発表者名
  浪内大地、佐藤圭、澤野憲太郎、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Si(110)上に形成されたSiGeの格子歪みの熱的安定性2018
- 著者名/発表者名
  大島佑介、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、原康祐、中川清和
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] SiGe/Si(110)構造の表面形状形成過程に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  斎藤慎吾、佐野雄一、山田崇峰、原康祐、山中淳二、有元圭介、中川清和
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures2018
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Atsushi Onogawa, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  Joint ISTDM/ICSI 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] STEM Moiré Observation of the Compositionally Step-Graded SiGe Thin Film and its Image Analysis2018
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka
- 学会等名
  19th International Microscopy Congress (IMC19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] Feasibility Study to Evaluate Lattice-Space Changing of a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré2018
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Mai Shirakura, Chiaya Yamamoto, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, Kazuo Ishizuka
- 学会等名
  The 3rd Int'l Conference on Metal Materials and Engineering (MME 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] (110)面歪みSi薄膜の臨界膜厚2018
- 著者名/発表者名
  有元圭介、各川敦史、山田祟峰、原康祐、山中淳二、中川清和
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEM モアレ観察と面間隔評価2018
- 著者名/発表者名
  山中淳二、山本千綾、白倉麻依、佐藤圭、山田祟峰、原康祐、有元圭介、中川清和、石塚顕在、石塚和夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第74回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04229
[学会発表] 二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  大木健司、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave, Plasma Heating and Fabrication of High Hole, Mobility MOSFETs on Ge Layers2017
- 著者名/発表者名
  Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Chiaya Yamamoto, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu
- 学会等名
  The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Growth of Strained Silicon Film for High hole mobility Device2017
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  BIT’s 6th Annual World Congress of Advanced Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] STEM Moiré Observations of Si/SiGe/Si (110)2017
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  The 3rd East-Asia Microscopy Conference
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] STEM Moiré Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon2017
- 著者名/発表者名
  Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察2017
- 著者名/発表者名
  山中淳二，山本千綾，白倉麻依，佐藤圭，山田崇峰，原康祐，有元圭介，中川清和
- 学会等名
  第73回日本顕微鏡学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Growth of strained Si/SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa
- 学会等名
  The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Si-ULSI用の電極形成のための熱処理技術の開発2016
- 著者名/発表者名
  上村和貴、中家大希、荒井哲司、山本千綾、有元圭介、山中淳二、中川清和、高松利行
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] GaNパワートランジスタのためのゲート酸化膜堆積技術の開発2016
- 著者名/発表者名
  高木翔太、荒井哲司、有元圭介、山中淳二、中川清和、高松利行、上野勝典
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] The Influence of Stress-Induced Twins upon Surface Morphology of SiGe/Si(110)2016
- 著者名/発表者名
  J. Yamanaka, M. Shirakura, C. Yamamoto, N. Utsuyama, K. Sato, T. Yamada, K. Arimoto, K. Nakagawa
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果2016
- 著者名/発表者名
  加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造中のmicrotwinが表面モフォロジーに及ぼす影響2016
- 著者名/発表者名
  佐藤圭、宇津山直人、山田崇峰、有元圭介、山本千綾、山中淳二、原康祐、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究2016
- 著者名/発表者名
  山田崇峰、宇津山直人、佐藤圭、白倉麻衣、山本千綾、有元圭介、山中淳二、原康祐、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、中川清和
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Hole Mobility in Strained Si/SiGe/Vicinal Si(110) Grown by Gas Source MBE2016
- 著者名/発表者名
  K. Arimoto, S. Yagi, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami and K. Sawano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の表面モフォロジーに成長速度が及ぼす影響2016
- 著者名/発表者名
  佐藤圭、宇津山直人、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、原康祐、澤野憲太朗、宇佐美徳隆、中川清和
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性2016
- 著者名/発表者名
  宇津山直人、佐藤圭、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、中川清和、原康介、宇佐美徳隆、澤野憲太郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性2016
- 著者名/発表者名
  宇津山直人、佐藤圭、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、中川清和、原康祐、宇佐美徳隆、澤野憲太郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果2015
- 著者名/発表者名
  加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 水素ラジカルによるW、Niの選択加熱を用いたa-Siの固相成長法とTFTの作製2015
- 著者名/発表者名
  上村和貴、荒井哲司、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中家大希、中川清和、高松利行、澤野憲太郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果2015
- 著者名/発表者名
  加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04661
[学会発表] 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係2015
- 著者名/発表者名
  藤原幸亮、酒井翔一朗、小林昭太、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] マイクロ波励起プラズマを用いたWO3の形成と抵抗変化メモリへの応用2015
- 著者名/発表者名
  高木翔太、荒井哲司、有元圭介、山中淳二、中川清和、高松利行
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] [12p-P17-4] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の表面モフォロジーへの成長速度の影響2015
- 著者名/発表者名
  宇津山直人、佐藤圭、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] Ge/Siヘテロ構造の結晶性向上に向けた熱処理技術の開発2015
- 著者名/発表者名
  上村和貴、中家大希、荒井晢司、有元圭介、山中淳二、山本千綾、中川清和、高松利行
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用2014
- 著者名/発表者名
  中家大希，上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の微細構造および電気的特性への熱処理の影響2014
- 著者名/発表者名
  宇津山直人，有元圭介，山中淳二，中川清和，宇佐美徳隆，澤野憲太郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱とそのデバイス応用2014
- 著者名/発表者名
  上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用2014
- 著者名/発表者名
  高木翔太，池田礼隆，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，中川清和，高松利行
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 水素ラジカルを用いた遷移金属の選択加熱現象による薄膜トランジスタ用多結晶Si形成2013
- 著者名/発表者名
  中家大希，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎，白木靖寛
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390065
[学会発表] 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶 Si形成技術とデバイスへの応用2013
- 著者名/発表者名
  中家大希、荒井哲司、大平隆裕、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560007
[学会発表] 低速電子線誘起反応と低温トンネル反応によるa-SiCx : Hの極低温合成2012
- 著者名/発表者名
  山田竜太郎,小林直樹,胡雪冰,佐藤哲也,有元圭介,山中淳二,中川清和
- 学会等名
  2012春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560031
[学会発表] 高密度プラズマ形成技術とそのデバイス応用2012
- 著者名/発表者名
  荒井哲司、池田礼隆、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、高松利行、中川清和
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560007
[学会発表] 水素ラジカルによる選択過熱現象を利用した Si1-xGex 薄膜形成技術2012
- 著者名/発表者名
  荒井哲司、川口裕樹、中村浩之、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、高松利行、澤野憲太郎、星裕介、白木靖寛
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560007
[学会発表] Selective Heating Method forPoly-crystallization of Amorphous Si UsingHydrogen Microwave Plasma2011
- 著者名/発表者名
  T. Arai, H. Nakamura, S. Ariizumi, A.Ashizawa, T. Takamatsu, K. Arimoto, J.Yamanaka, T. Sato, K. Nakagawa, K. Sawano,Y. Shiraki
- 学会等名
  The 5th AsianConference on Crystal Growth and CrystalTechnology
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2011-06-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560007
[学会発表] 低速電子線照射により極低温合成したカーボン膜のESRによる構造欠陥評価2011
- 著者名/発表者名
  小林直樹,山田竜太郎,年森隆明,森田直樹,佐藤哲也,有元圭介,山中淳二,中川清和
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560031
[学会発表] 低速電子線誘起反応と低温トンネル反応により合成した炭素膜のTEM観察2010
- 著者名/発表者名
  森田直樹,伊東佑将,渡辺陵,荒井哲司,佐藤哲也,山本千綾,有元圭介,山中淳二,中川清和
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560031
[学会発表] 低速電子線誘起反応とトンネル反応により合成した炭素薄膜の表面分析2009
- 著者名/発表者名
  森田直樹,伊東佑将,胡雪氷,土屋新平,渡辺陵,佐藤哲也,山本千綾,有元圭介,山中淳二,中川清和
- 学会等名
  2009年度実用表面分析講演会(PSA-09)
- 発表場所
  山梨大学
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560031
[学会発表] マイクロ波プラズマ加熱による非晶質シリコンの結晶化における加熱機構2008
- 著者名/発表者名
  芦澤里樹, 有泉慧, 三井実, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 荒井哲司, 高松利行, 澤野憲太郎, 白木靖寛
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] Crystallization of Amorphous Silicon by Micro-wave Annealing2007
- 著者名/発表者名
  S. Ashizawa, M. Mitsui, T. Horie, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Arai, T. Takamatsu, K. Sawano, Y. Shiraki
- 学会等名
  54th Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Aoyama Gakuin University. Japan
- 年月日
  2007-03-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] Heating Mechanism of Microwave Plasma Annealing for Crystallization of Amorphous Silicon2007
- 著者名/発表者名
  S. Ashizawa, S. Ariizumi, M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Arai, T. Takamatsu, K. Sawano, Y. Shiraki
- 学会等名
  55th Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Nihon University, Japan
- 年月日
  2007-03-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] Atmosphere Dependence of Silicon Crystallization by Microwave Annealing2007
- 著者名/発表者名
  S. Ashizawa, M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Arai, T. Takamatsu, K. Sawano, Y. Shiraki
- 学会等名
  68th Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Hokkaido Insti tute of Technology, Japan
- 年月日
  2007-09-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] マイクロ波加熱による非晶質シリコンの結晶化2007
- 著者名/発表者名
  芦澤里樹、三井実、堀江忠司、有元圭介、山中淳二、中川清和、荒井哲司、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛第
- 学会等名
  54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] 非晶質シリコンのマイクロ波加熱による結晶化の雰囲気依存性2007
- 著者名/発表者名
  芦澤里樹、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、荒井哲司、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560007
[学会発表] 低速電子誘起成膜法によるSiNxの極低温合成と物性評価2007
- 著者名/発表者名
  小林憲明, 伊東佑将, 佐藤哲也, 三井実, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 佐藤昇司
- 学会等名
  第50回放射線化学討論会
- 発表場所
  京都大学, 宇治キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18550014

1. 有元圭介 (30345699)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 84件
2. 佐藤哲也 (60252011)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
3. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 35件
4. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 24件
5. 宮嶋尚哉 (20345698)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山中 淳二 YAMANAKA Junji

研究課題

研究成果

共同研究者

構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布マルチスケール可視化新手法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Evaluation of Lattice Spacing of Precipitates and Matrix in a Ni-Al-Ti alloy by NBD and Image Analysis using Two Condenser-Lens TEM2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystallographic Orientations of Cracks Formed in SiGe/Ge/Si(111)2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two-condenser-lens TEM2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moire2021

著者名/発表者名

山中淳二 YAMANAKA Junji

[雑誌論文] Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis2019