角谷正友 SUMIYA Masatomo

研究者番号	20293607
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所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主席研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主席研究員 2018年度 – 2023年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 2017年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 材料研究機構・機能性材料研究拠点, 主席研究員 2016年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2015年度: 物質・材料研究機構, ワイドギャップ機能材料グループ, 研究員 1998年度 – 2004年度: 静岡大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者無機工業化学研究代表者以外小区分26060:金属生産および資源生産関連 / 小区分19020:熱工学関連 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 無機工業化学
キーワード	研究代表者価電子帯制御 / ウルツ鉱型薄膜 / 硝酸溶液処理 / stereo-selective成長 / 光触媒効果 / 極性構造 / 窒化物半導体 / 基板窒化 / CAICISS / GaN … もっと見る / KOH エッチング / ab initio MD / 不純物 / 成長モード / 極性 / ウルツ鉱GaN / MOCVD … もっと見る研究代表者以外水素ラジカル / 太陽電池 / 熱炭素還元 / シリコン / MOCVD / ZnO / a-Si:H / phonon / thermal management / thermal dissipation / superlattices / GaN / 熱輸送 / 脱炭素 / 高周波誘導加熱 / 熱炭素還元プロセス / 炭素熱還元 / 熱力学計算 / ニッケル / フラックス / 結晶工学 / 結晶成長 / 格子欠陥 / 長周期InGaN/GaN超格子構造 / イオン注入 / 捕獲 / キャリア / 欠陥 / 光熱偏光分光法 / X線回折 / 陽電子 / 0次元欠陥 / 理論計算 / 室温PL発光寿命 / 超格子構造 / キャリア捕獲 / 結晶特異構造 / 電気的特性 / 光学特性 / 結晶欠陥 / 光熱偏向分光法 / 陽電子消滅シミュレーション / 陽電子消滅 / 空孔型欠陥 / 点欠陥 / 結晶 / ショットキーダイオード / 有機金属気相成長 / スイッチング特性 / デバイス･スイッチング特性 / 電流コラプス / MOCVD結晶成長 / デバイス・スイッチング特性 / 欠陥準位 / 炭素 / GaNバッファ層 / AlGaN/GaNヘテロ構造 / transmission electron microscopy / misoriented substrate / dislocation / gallium arsenic substrate / cross-hatched pattern / graded layer / indium gallium arsenic / TEM / 透過電子顕微鏡観察 / オフ基板 / 転位 / GaAs基板 / クロスハッチパターン / グレーデッド層 / InGaAs / High Quality / Dislocation Density / Organometallic Vapor Phase Epitax / Selective Growth / Nitride / Compound Semiconductor / 高品位化 / 高品位 / 転位密度 / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / 窒化物 / 化合物半導体 / precusor / laser ablation / photo degradation / KCN treatment / LD TOF-MS / アモルファスシリコン / 酸化亜鉛 / レーザー脱離飛行時間型質量分析器 / KCN処理a-Si:H / 飛来種 / レーザーアブレーション / 光劣化抑制 / KCN処理 / レーザー脱離飛行時間型質量分析隠す

脱炭素に向けた水素ラジカルを用いる新しいハイブリッドシリコン還元プロセス
- 研究代表者
  
  伊高健治
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26060:金属生産および資源生産関連
- 研究機関
  弘前大学
窒化物超格子フォノニック結晶による室温熱輸送制御
- 研究代表者
  
  SANG Liwen
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分19020:熱工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
太陽電池応用を目指した金属微量添加による新しいシリコン炭素熱還元プロセス
- 研究代表者
  
  伊高健治
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分26060:金属生産および資源生産関連
- 研究機関
  弘前大学
陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス・スイッチング特性の相関研究
- 研究代表者
  
  中野由崇
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  中部大学
エピタキシャル薄膜における極性構造の原子レベル理解と新機能探索研究代表者
- 研究代表者
  
  角谷正友
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  無機工業化学
- 研究機関
  静岡大学
自己組織化によるバァッファー層の転位分布の均質化
- 研究代表者
  
  高野泰
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  静岡大学
金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化
- 研究代表者
  
  福家俊郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
コンビナトリアル合成MOCVD法による高格子不整合半導体薄膜の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  角谷正友
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  無機工業化学
- 研究機関
  静岡大学
非晶質材料の光誘起構造変化とレーザーアブレーション測定による評価
- 研究代表者
  
  鯉沼秀臣
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機工業化学
- 研究機関
  東京工業大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] High‐pressure MOCVD growth of InGaN thick films toward the photovoltaic applications2023
- 著者名/発表者名
  Sang Liwen、Liao Meiyong、Sumiya Masatomo、Yang Xuelin、Shen Bo
- 雑誌名
  
  Fundamental Research
  
  巻: 3 号: 3 ページ: 403-408
- DOI
  10.1016/j.fmre.2021.11.024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26054
[雑誌論文] Influence of thin MOCVD-grown GaN layer on underlying AlN template2020
- 著者名/発表者名
  Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Yasiro Shuhei、Honda Tohru
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 532 ページ: 125376-125376
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Growth of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure on AlN Template/Sapphire2020
- 著者名/発表者名
  Sumiya Masatomo、Kindole Dickson、Fukuda Kiyotaka、Yashiro Shuhei、Takehana Kanji、Honda Tohru、Imanaka Yasutaka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 4 ページ: 1900524-1900524
- DOI
  10.1002/pssb.201900524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Dynamic observation and theoretical analysis of initial O2 molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN2020
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, M. Sumita, Y. Asai, R. Tamura, A. Uedono, A. Yoshigoe
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 124 号: 46 ページ: 25282-25290
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.0c07151
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05338, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template2019
- 著者名/発表者名
  Matsuura Haruka、Onuma Takeyoshi、Sumiya Masatomo、Yamaguchi Tomohiro、Ren Bing、Liao Meiyong、Honda Tohru、Sang Liwen
- 雑誌名
  
  Applied Sciences
  
  巻: 9 号: 9 ページ: 1746-1746
- DOI
  10.3390/app9091746
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K14141, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Sumiya M.、Fukuda K.、Takashima S.、Ueda S.、Onuma T.、Yamaguchi T.、Honda T.、Uedono A.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 511 ページ: 15-18
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.01.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Terahertz Cyclotron Resonance in AlGaN/GaN Heterostructures2019
- 著者名/発表者名
  Kindole Dickson、Imanaka Yasutaka、Takehana Kanji、Sang Liwen、Sumiya Masatomo
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society
  
  巻: 74 号: 2 ページ: 159-163
- DOI
  10.3938/jkps.74.159
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-18K14141
[雑誌論文] Growth of InGaN films on hardness-controlled bulk GaN substrates2019
- 著者名/発表者名
  Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Fujikura Hajime、Konno Taichiro、Suzuki Takayuki、Fujimoto Tetsuji、Yoshida Takehiro、Ueda Shigenori、Watanabe Kenji、Ohnishi Tsuyoshi、Honda Tohru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 17 ページ: 172102-172102
- DOI
  10.1063/1.5110224
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Determination of the transition point from electron accumulation to depletion at the surface of In x Ga1－ x N films2018
- 著者名/発表者名
  X. Sun, X. Wang, S. Liu, P. Wang, D. Wang, X. Zheng, L. Sang, M. Sumiya, S. Ueda, M. Li, J. Zhang, W. Ge and B. Shen
- 雑誌名
  
  APEX
  
  巻: 11 号: 2 ページ: 021001-021001
- DOI
  10.7567/apex.11.021001
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and InxGa1－xN films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, S. Ueda, K. Fukuda, Y. Asai, Y. Cho, L. Sang, A. Uedono, T. Sekiguchi, T. Onuma, and T. Honda
- 雑誌名
  
  APEX
  
  巻: 11 号: 2 ページ: 021002-021002
- DOI
  10.7567/apex.11.021002
- NAID
  210000136099
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Structural evaluation of ions-implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Iwai Hideo、Yamaguchi Tomohiro、Onuma Takeyoshi、Honda Tohru
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 11 ページ: 115225-115225
- DOI
  10.1063/1.5052493
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Al2O3/GaN structure probed by monoenergetic positron beams2018
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Nabatame Toshihide、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Sumiya Masatomo、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 15 ページ: 155302-155302
- DOI
  10.1063/1.5026831
- NAID
  120007133778
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Imanishi Masayuki、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo、Mori Yusuke
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 475 ページ: 261-265
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.06.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Electron capture by vacancy-type defects in carbon-doped GaN studied using monoenergetic positron beams2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Tanaka Taketoshi、Ito Norikazu、Nakahara Ken、Egger Werner、Hugenschmidt Christoph、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 639 ページ: 78-83
- DOI
  10.1016/j.tsf.2017.08.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Deep-level defects and turn-on capacitance recovery characteristics in AlGaN/GaN heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakanoa, Yoshihiro Irokawa and Masatomo Sumiya
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 95 号: 6 ページ: 333-339
- DOI
  10.1080/09500839.2015.1062154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286, KAKENHI-PROJECT-25420300
[雑誌論文] Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2014
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1635 ページ: 1-6
- DOI
  10.1557/opl.2014.102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[雑誌論文] Effect of treatments of sapphire substrate on growth of GaN film2005
- 著者名/発表者名
  M.Sumiya, S.Fuke
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14703024
[雑誌論文] 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上バッファの層の機能2005
- 著者名/発表者名
  角谷正友, 福家俊郎
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 (accepted)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14703024
[産業財産権] サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法及び窒化物薄膜装置2005
- 発明者名
  角谷正友, 福家俊郎
- 権利者名
  科学技術振興機構, 静岡大学
- 産業財産権番号
  2005-084264
- 出願年月日
  2005-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14703024
[学会発表] Growth of AlxGa1-xN/InyGa1-yN hetero structure on AlN/sapphire templates2021
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, Y. Takahara, A. Alghamdi, G. Andersson, A. Uedono, and Y. Imanaka
- 学会等名
  8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] InGaN/GaNヘテロ構造成長におけるAlNテンプレートの変化2020
- 著者名/発表者名
  角谷正友，高原悠希，矢代秀平，本田徹，Dickerson Kindole1，竹端寛治，今中康貴，上殿明良
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] AlNテンプレート上AlGaN/InxGa1-xNヘテロ構造の成長2020
- 著者名/発表者名
  角谷正友，高原悠希，今中康貴，Alghamdi Amira，Gunther Andersson，竹端寛治，上殿明良
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] InGaN 二次元電子系の有効質量の評価2019
- 著者名/発表者名
  今中康貴、Dickerson Kindole、竹端寛治、角谷正友
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価2019
- 著者名/発表者名
  角谷正友
- 学会等名
  第24回結晶工学セミナー工学院大学新宿キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Open spaces in Al2O3 film deposited on widegap semiconductors probed by monoenergetic positron beams2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, M. Sumiya, and S. Ishibashi
- 学会等名
  American Vacuum Society Int. Sym. Ohio
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 放射光光電子分光によるIII-V族窒化物半導体の価電子帯構造と表面酸化プロセスの評価2019
- 著者名/発表者名
  角谷正友, 上田茂典, 吉越章隆, 隅田真人
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] サイクロトロン共鳴に向けたAlNテンプレート上 AlGaN/InGaNヘテロ構造の成長2019
- 著者名/発表者名
  角谷正友、福田清貴、矢代秀平、本田徹、D. Kindole、竹端寛治、今中康貴
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Electron transport at the interface of AlGaN/InGaN fabricated on AlN template2019
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, K. Takehana, T. Honda, and Y. Imanaka
- 学会等名
  日本MRS創立30周年記念シンポジウム
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] AlNテンプレート上に成長したGaN薄膜の光熱偏向分光法による評価2019
- 著者名/発表者名
  矢代秀平、本田徹、角谷正友
- 学会等名
  第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価2019
- 著者名/発表者名
  福田清貴, 矢代秀平, 藤倉序章, 今野泰一郎, 鈴木貴征, 藤本哲爾, 吉田丈洋, 尾沼猛儀, 山口智広,本田徹, 角谷正友
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価2019
- 著者名/発表者名
  角谷正友
- 学会等名
  レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Direct Growth of AlGaN/InGaN/GaN Structure on AlN Template for Measurement of Effective Mass in InGaN Layer2019
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, T. Honda, and Y. Imanaka
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅による窒化物半導体中0次元特異構造（点欠陥）のキャリア捕獲の評価2018
- 著者名/発表者名
  上殿明良，石橋章司，角谷正友
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Carrier trapping by vacancy-type defects in group-III nitrides studied by means of positron annihilation2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Sumiya, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Third DAE-BRNS Trombay Positron Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Study of the dependence of GaN surface oxidation on the crystalline plane by in-situ XPS during O2 molecular beam irradiation2018
- 著者名/発表者名
  Y. Asai, A. Yoshigoe, M. Sumita, A. Uedono, and M. Sumiya
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] PDS measurement for III-V nitride samples; InxGa1-xN, ion-implanted GaN and MOS structure2018
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda and M.Sumiya
- 学会等名
  第37回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by Photothermal Deflection Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, K. Fukuda, Y. Nakano, S. Ueda, L. Sang, H. Iwai, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
- 学会等名
  7th International Symposium of Nitride Semiconductor
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacancy-Type Defects and Their Carrier Trapping Properties in GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, T. Tanaka, N. Ito, K. Nakahara, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and M. Sumiya
- 学会等名
  Electro Chemical Soc. and Americas Int. Meeting Electrochem. Solis state Science
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal election spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, K. Fukuda, S. Takashima, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda, and A. Uedono
- 学会等名
  19TH Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018
- 著者名/発表者名
  角谷正友，福田清貴，上田茂典，浅井祐哉，Cho Yujin，関口隆史，上殿明良，尾沼猛儀，Sang Liwen，山口智広，本田徹
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Evaluation of Al2O3/n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, Y. Asai, L. Sang, A. Yoshigoe, A. Uedono, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Sumiya
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 分子線酸素ビーム照射下その場観察XPS によるGaN 表面酸化の面方位依存性2018
- 著者名/発表者名
  浅井祐哉，関慶祐，吉越章隆，隅田真人，石垣隆正，上殿明良，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価2018
- 著者名/発表者名
  福田清貴，高島信也，尾沼猛儀，山口智広，本田徹，上殿明良，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018
- 著者名/発表者名
  角谷正友, 福田清貴，上田茂典, 浅井祐哉, Cho Yujin, 関口隆史, 上殿明良, 尾沼猛儀, Sang Liwen, 本田徹
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価2018
- 著者名/発表者名
  福田清貴，尾沼猛儀, 山口智広、本田徹, 岩井秀夫、Sang Liwen,角谷正友
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価2018
- 著者名/発表者名
  福田清貴，浅井祐哉，関慶祐，Sang Liwen，吉越章隆，上殿明良，石垣隆正，尾沼猛儀，山口智広，本田徹，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価2017
- 著者名/発表者名
  福田清貴、尾沼猛儀、Sang Liwen、山口智広、本田徹、角谷正友
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] InGaN系太陽電池の欠陥制御と高効率化2016
- 著者名/発表者名
  角谷正友、Liwen Sang
- 学会等名
  2016年真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場(愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-12-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nakano, Y. Irokawa, M. Sumiya, S. Yagi, H. Kawai
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  Beijing
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性2014
- 著者名/発表者名
  中野由崇，色川芳宏，角谷正友, 住田行常，八木修一, 河合弘治
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures Containing Various Carbon Concentrations2013
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center (Boston)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] C-t法によるAlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性評価
- 著者名/発表者名
  中野由崇, 色川芳宏, 角谷正友, 八木修一, 河合弘治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学 (北海道・札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier-Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 学会等名
  7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)
- 発表場所
  名古屋大学 (愛知県・名古屋市)
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300

1. 福家俊郎 (00022236)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 高野泰 (00197120)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 伊高健治 (40422399)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 鯉沼秀臣 (70011187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 中野由崇 (60394722)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
6. 色川芳宏 (90394832)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
7. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
8. 大島永康 (00391889)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 石橋章司 (30356448)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
10. 奥村宏典 (80756750)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. SANG Liwen (90598038)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 松田彰久

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 河合弘治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
14. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

角谷 正友 SUMIYA Masatomo

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

エピタキシャル薄膜における極性構造の原子レベル理解と新機能探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

コンビナトリアル合成MOCVD法による高格子不整合半導体薄膜の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] High‐pressure MOCVD growth of InGaN thick films toward the photovoltaic applications2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of thin MOCVD-grown GaN layer on underlying AlN template2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure on AlN Template/Sapphire2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dynamic observation and theoretical analysis of initial O2 molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

角谷正友 SUMIYA Masatomo