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大野 秀樹  Ohno Hideki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20300543
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京工業高等専門学校, 一般教育科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度 – 2001年度: 東京工業高等専門学校, 一般科目, 助教授
2000年度: 東京工業高専, 助教授
1999年度: 東京工業高等専門学校, 一般物理, 助教授
1998年度: 東京工業高等専門学校, 一般物理, 講師
1997年度: 東京工業高等専門学校, 一般科目, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者
表面界面物性
研究代表者以外
構造・機能材料 / 電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者以外
low temperature crystal growth / スパッタリング / 電子ビーム蒸着 / 光学材料 / イオンアシスト / ドライプロセス / ヘテロエピタキシー / 化合物半導体薄膜 / 低温結晶成長 / silicon substrate … もっと見る / electronic phenomena / optical property / Fan der Waals epitaxy / electron beam deposition / RF sputtering / layered compound semiconductor / 硫化カリウム / セレン化ガリウム / テルル化ガリウム / ファンデルワールス結合 / ファンデルワールスエピタキシー / 電子物性 / 光学的性質 / シリコン基板 / RFスパッタリング / 層状化合物半導体 / sputtering / electron beem deposition / optical material / ion assist / dry process / heteroepitaxy / compound semiconductor / 機能性材料 / 薄膜成長機構 / 電子ビーム / 化合物半導体 / イオンプレーティング / ヘテロエピタキシャル / 光センサー材料 / ヘチロエピタキシー / 低温成長 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  直接接触法による環境半導体(β-FsSi_2)薄膜の作成技術の確立研究代表者

    • 研究代表者
      大野 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2000
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京工業高等専門学校
  •  シリコン基板上の化合物半導体低温ヘテロエピタキシー成長

    • 研究代表者
      大山 昌憲
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      東京工業高等専門学校
  •  低温成長技術を用いたガラス基板上の大面積化合物半導体結晶薄膜の作製

    • 研究代表者
      大山 昌憲
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業高等専門学校
  • 1.  大山 昌憲 (50042685)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  藤田 安彦 (70099357)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  伊藤 浩 (40313043)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  松田 正平
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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