熊谷義直 KUMAGAI Yoshinao

研究者番号	20313306
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 卓越教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 卓越教授 2017年度 – 2020年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 卓越教授 2013年度 – 2016年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2013年度: 東京農工大学, 大学院工学研究院, 教授 2012年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 … もっと見る 2010年度 – 2012年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 准教授 2007年度 – 2009年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 准教授 2006年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 助教授 2005年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 助教授 2001年度 – 2002年度: 東京農工大学, 工学部, 講師 2000年度: 東京農工大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 理工系 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者窒化アルミニウム / 不純物 / HVPE法 / エピタキシャル成長 / 分解メカニズム / 拡張熱力学解析 / 相整合混晶 / 相混在面 / 反応解析 / 相混在 … もっと見る / バンドエンジニアリング / 格子引き込み / 混晶成長 / 発現相制御 / 非熱平衡 / 熱平衡 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体 / ハライド気相成長法 / ミスト化学気相堆積法 / 非熱平衡成長 / 熱平衡成長 / 準安定相 / 安定相 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体結晶 / PVT法 / 導電性制御 / バルク結晶 / 結晶工学 / エッチピット / 転位 / Siドーピング / ショットキーバリアダイオード / ドーピング / n形導電性 / 点欠陥 / 深紫外発光ダイオード / 昇華法 / MOVPE法 / 深紫外線LED / 深紫外光透過性 / 転位密度 / サファイア / 無極性 / 自発分離 / ヘテロ界面 / サファイア基板 / 自立基板 / 分解 / 面極性 / 基板 / HVPE / AlN / シリコン基板 / 熱力学解析 / ジクロルシラン / 塩化鉄 / 気相エピタキシー / 鉄シリサイド / 環境半導体 … もっと見る研究代表者以外 Web / 気相成長 / HVPE / 窒化物半導体 / Internet / Thermodynamic analysis / 計算機能を有するデータベース / 化合物半導体 / MOVPE / インターネット / 熱力学解析 / 窒化物 / HVPE成長 / 自立基板結晶 / ハライド気相成長 / III族セスキ酸化物 / バッファ層 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高移動度半導体 / 酸化インジウム / ハライド気相成長法 / Compound Semiconductor / Vapor Phase Epitaxy / Data base using calculation system / 電子デバイス / 光デバイス / データーベース / 気相エピタキシャル成長 / Vapor phase epitaxy / Vapor-solid relation / Nitrides / VPE / MBE / III族窒化物 / ネットワーク / 固相組成 / 気相-固相関係 / 原料分子制御 / バルク結晶 / THVPE / エピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / 結晶工学 / エピタキシャル / 結晶成長 / A1GaN / A1N / A1系窒化物 / AIGaN / AIN / AlGaN / AlN / HVPE成 / 原料分子制御法 / Al系窒化物 / 厚膜エピタキシー隠す

酸化インジウム固有の電子移動度解明のための低転位密度単結晶の創成
- 研究代表者
  
  後藤健
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東京農工大学
化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学
バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
窒化アルミニウム薄膜へテロ成長界面の分解メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学
その場重量測定による窒化アルミニウム基板表面反応メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
インターネットを利用する半導体気相エプタキシャル成長用熱力学解析システムの構築
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学

[図書] GaNパワーデバイスの技術展開(分担執筆)2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 総ページ数
  264
- 出版者
  サイエンス&テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth Hydride Vapor Epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, Y.Kumagai
- 総ページ数
  326
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] Springer Handbook of Crystal Growth2010
- 著者名/発表者名
  Carl Hemmingsson, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth Hydride Vapor Epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] 室化物基板および格子整合成長とデバイス特性(天野浩編集)・室化ガリウムのハイドライド気相成長2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯、熊谷義直
- 総ページ数
  225
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長第79巻,第11号2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 出版者
  金属
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0001) substrates2021
- 著者名/発表者名
  Hidetoshi Nakahata, Rie Togashi, Ken Goto, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 563 ページ: 1261111-6
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126111
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[雑誌論文] Thermodynamic and experimental studies of β-Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  Ken Goto, Kazutada Ikenaga, Nami Tanaka, Masato Ishikawa, Hideaki Machida, and Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 4 ページ: 0455051-8
- DOI
  10.35848/1347-4065/abec9d
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[雑誌論文] Temperature dependence of Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy on sapphire and β-Ga2O3 substrates2020
- 著者名/発表者名
  Ken Goto, Hidetoshi Nakahata, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 22 ページ: 2221011-5
- DOI
  10.1063/5.0031267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[雑誌論文] Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 492 ページ: 39-44
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.04.009
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] High rate growth of In2O3 at 1000℃ by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Numata, M. Hayashida, T. Suga, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202B3-1202B3
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202b3
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N2 or H22016
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, Y. Kisanuki, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202BE-1202BE
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202be
- NAID
  210000147274
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Yamamoto, R. Tanaka, Q.-T. Thieu, R. Togashi, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu, B. Monemar, Z. Sitar, Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 446 ページ: 33-38
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.04.030
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555, KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Yamamoto, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 6 ページ: 0610031-3
- DOI
  10.7567/apex.8.061003
- NAID
  210000137521
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[雑誌論文] Growth of Thick InGaN Layers by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- NAID
  210000143862
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] The role of the carbon-silicon complex in eliminating deep ultraviolet absorption in AlN2014
- 著者名/発表者名
  B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Kirste, Z. Sitar, R. Collazo, and D. L. Irving
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4878657
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Vacancy defects in UV-transparent HVPE-AlN2014
- 著者名/発表者名
  T. Kuittinen, F. Tuomisto, Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 11 号: 3-4 ページ: 405-407
- DOI
  10.1002/pssc.201300529
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, S. Mita, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 9 ページ: 092103-092103
- DOI
  10.7567/apex.6.092103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JB10-08JB10
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jb10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-24360006, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JD05-08JD05
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jd05
- NAID
  210000142640
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi, Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24656011, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Vacancy compensation and related donor-acceptor pair recombination in bulk AlN2013
- 著者名/発表者名
  B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, Z. Sitar, R. Collazo, and D. L. Irving
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 16
- DOI
  10.1063/1.4824731
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 413-416
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Toru Kinoshita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 12 ページ: 1221011-3
- DOI
  10.1143/apex.5.122101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Influence of growth temperature on the twin formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 677-680
- DOI
  10.1002/pssc.201100383
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H_2 and N_22012
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.350 号: 1 ページ: 60-65
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 12 ページ: 1255011-3
- DOI
  10.1143/apex.5.125501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals2012
- 著者名/発表者名
  Ram Collazo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 号: 19 ページ: 1919141-5
- DOI
  10.1063/1.4717623
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 0555041-3
- DOI
  10.1143/apex.5.055504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates2012
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima, Akira Hakomori, Takafumi Shimoda, Keiichiro Hironaka, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Kazuya Takada, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Hiroyuki Yanagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中) 号: 1 ページ: 75-79
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中) ページ: 197-200
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.10.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Improvements in Optical Properties of (0001) ZnO Layers Grown on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy Using Thick Buffer Layers2012
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Chih-Wei Hsu, Martin Eriksson, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Per-Olof Holtz
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 3R ページ: 031103-031103
- DOI
  10.1143/jjap.51.031103
- NAID
  210000140324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術-HVPE成長を中心にして-2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 雑誌名
  
  鉱山
  
  巻: 700 ページ: 25-34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Structural and optical properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas Jr., J.C.Culbertson, M.A.Mastro, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 479-482
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.10.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 441-445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: Vol.8No.7-8 号: 7-8 ページ: 2028-2030
- DOI
  10.1002/pssc.201000954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 441-445
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.079
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of ZnO studied by thermodynamic analysis and growth experiments2011
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 314 号: 1 ページ: 108-112
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1471-1474
- DOI
  10.1002/pssc.201000902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn., J.Appl.Phys. 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 479-482
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1577-1580
- DOI
  10.1002/pssc.201000867
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single-Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Kouikitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 12R ページ: 125503-125503
- DOI
  10.1143/jjap.50.125503
- NAID
  40019141129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2025-2027
- DOI
  10.1002/pssc.201000951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, C. Echizen, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50, No.5 号: 5R ページ: 055501-055501
- DOI
  10.1143/jjap.50.055501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2267-2269
- DOI
  10.1002/pssc.201000896
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2022-2024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of (0001) and (0001)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 651-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HYPE2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, Y.Enatsu, M.Ishizuki, Y.Kubota, J.Tajima, T.Nagashima, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlNlayers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, Y. Enatsu, M. Ishizuki, Y. Kubota, J. Tajima, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.312 号: 18 ページ: 2530-2536
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.04.008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[雑誌論文] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-influence of InN decomposition at the interface2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2019-2021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Uliana Panyukova, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2265-2267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Measurement of misorientation of AIN layer grown on (111)Si for freestanding substrate2009
- 著者名/発表者名
  K.Saito, J.Tajima, Y.Kumagai, M.Ishizuki, K.Takada, H.Morioka, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor-phase epitaxy at 1450℃2009
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2837-2839
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on(0001)and(000-1)surfaces by vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001)Si Face2009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016743032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity control and preparation of AlN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima, Keiichiro Hironaka, Masanari Ishizuki, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Kazuya Takada
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of(0001)and(000-1)GaN surfaces on hydride vap or-phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 312
  
  ページ: 651-6550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3103-3105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001}decomposition in N_2 and H_2 ambient2009
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, T.Kamoshita, H.Adachi, H. Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_32009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3110-3113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Controlled formation of voids at the AlN/sapphire interface by sapphire decomposition for self-separation of the AlN layer2009
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity control and preparation of AIN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, K. Hironaka, M. Ishizuki, Y. Kumagai, A. Koukitu, K. Takada
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4954-4958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thin protective AIN layers on sapphire substrates at 1065℃ for hydride vapor phase epitaxy of AIN above 1300 ℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1515-1517
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AlN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 3434-3437
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AlN Layer from a Sapphire Substrate via Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jumpei Tajima, Masanari Ishizuki, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- NAID
  210000013992
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition process of_GaN (0001) and (000-1) surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111) A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, J. Torii, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1602-1606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First principles study of the decomposition processes of AIN in ahydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 3042-3044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-temperature growth of thick AIN layers on sapphire (0001) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, T. Hiratsuka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4016-4019
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Experimental and ab-initio studies of temperature dependent InN decomposition in various ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1518-1521
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AIN Layer from a Sapphire Substratevia Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, M. Ishizuki, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Characterization of a freestanding AIN substrate prepared by hydride vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1512-1514
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Torii, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 387-389
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2419-2422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of AIN crystalline quality with high epitaxial growth ratc by hydridc vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, M. Harada, A. Hakomori, H, Yanagi, H. Fukuyama, Y. Kumagai, A. Koukitu, K. Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 355-359
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy at 1230 ℃ Using (111)Si as a Starting Substrate2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Nagashima, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46 No. 17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760007
[雑誌論文] Theoretical Analysis for Surface Reconstruction of AIN and InN in the Presence of Hydrogen2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5112-5115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Fumitaka Satoh, Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl_3 using In metal and Cl_22007
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 57-61
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-speed epitaxial growth AIN above 1200 ºC by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, M. Harada, H. yanagi, Y. kumagai, A. Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 42-44
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analys is of Fc Doping Mcchanism for Scomi-Inaulating CaN Crowth on GaAs Substrates2007
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, F. Sato, H. Murakami, J. Iihara, K. Yamaguchi, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 244
  
  ページ: 1862-1866
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Al- and N-polar AIN laters layers on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, H. Shimizu, R.Kajitami, K. Kawasaki, T.Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y.Kumagai, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S.F.Chichibue, Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 305
  
  ページ: 360-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ GraVimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN2007
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, T. Araki, H. Murakami, Y. kumagai, and A. koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2297-2300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H; Murakami, and A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-speed epitaxial growth of AlN above 1200℃ by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, M.Harada, H.Yanagi, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 42-44
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition proces of GaN (0001) and (000-1) surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGal-xN tcrnory alloy using ALCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Takayoshi Yamane, Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] MOVPE-like HVPE of AIN using solid aluminum trichloride source2007
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, H.Murakami, U.Panyukova, Y.Kumagai, S.Ohira, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 332-335
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AIN {0001} decomposition in flowing H22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Akiyama, R. Togashi, H. Murakami, M. Takeuchi, T. Kinoshita, K. Takada, Y. Aoyagi, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 366-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy at 1230℃ Using (111)Si as a Starting Substrate2007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick Al_xGa_<1-x>N ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 164-167
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick AlxGal-xN ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 164-167
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamics on hydride vapor phase epitaxy of AlN using AlCl_3 and NH_32006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Takemoto, J.Kikuchi, T.Hasegawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) Vol.243
  
  ページ: 1431-1435
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, F.Satoh, R.Togashi, H.Murakami, K.Takemoto, J.Iihara, K.Yamaguchi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.296
  
  ページ: 11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of various types of hydride vapor phase epitaxy systems for high-speed growth of InN2006
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45
- NAID
  10018632545
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, F.Satoh, R.Togashi, H.Murakami, K.Takemoto, J.Iihara, K.Yamaguchi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 296
  
  ページ: 11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760007
[雑誌論文] Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of Al_x Ga_<1-x>N2006
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Kikuchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.3
  
  ページ: 1457-1460
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates2005
- 著者名/発表者名
  K.Takemoto, Y.Kumagai, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44 No.50
- NAID
  10016920515
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760007
[雑誌論文] Polarity dependence of AlN {0 0 0 1} decomposition in flowing H_2
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Akiyama, R.Togashi, H.Murakami, M.Takeuchi, T.Kinoshita, K.Takada, Y.Aoyagi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760007
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN
- 著者名/発表者名
  K.Akiyama, T.Araki, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K Kawasaki, T.Kinoshita, K.Takada, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamics on hydride vapor phase epitaxy of AlN using AlCl_3 and NH_3
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Takemoto, J.Kikuchi, T.Hasegawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 印刷中
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760007
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analysis of Fe Doping Mechanism for Semi-Insulating GaN Growth on GaAs Substrates
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, F.Sato, H.Murakami, J.Iihara, K.Yamaguchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rate by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, M.Harada, A.Hakomori, H, Yanagi, H.Fukuyama, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] RF-MBE growth of 2H-AlN templates by using a mode change MEE on Si(111) for HVPE growth
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, H.Shimomura, N.Yamabe, T.Yamane, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H_2
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Akiyama, R.Togashi, H.Murakami, M.Takeuchi, T.Kinoshita, K.Takada, Y.Aoyagi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of Al_xGa_<1-x>N ternary alloy using AlCl_3 and GaCl
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas, Jr., J.G Tischler, J-H.Kim, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討2021
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，後藤健，富樫理恵，山口智広，村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic study of etching characteristics of HVPE-grown In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching2021
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Ryo Kasaba, Yuki Ooe, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Akihiko Kikuchi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of stable and/or metastable phases of Ga2O3 and In2O3 by halide vapor phase epitaxy and mist chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Hisashi Murakami
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of α-In2O3 films on α-Al2O3 substrates2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Yamaguchi, Takahiro Nagata, Subaru Takahashi, Takanori Kiguchi, Atsushi Sekiguchi, Takeyoshi Onuma, Tohru Honda, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic study of (AlxGa1-x)2O3 ternary alloy growth by metalorganic vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Nami Tanaka, Saori Matsugai, Sakiko Yamanobe, Nao Takekawa, Ken Goto, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of group-III sesquioxides2020
- 著者名/発表者名
  Saori Matsugai, Nami Tanaka, Sakiko Yamanobe, Nao Takekawa, Ken Goto, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，長井研太，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE)法による HVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  Sophia Open Research Weeks 2020半導体ナノフォトニクス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of Group-III Sesquioxides2020
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  2020 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性の熱力学的検討2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] In2O3及びGa2O3のHVPE成長におけるIII族原料の熱力学的比較2019
- 著者名/発表者名
  田中那実，税本雄也，長井研太，富樫理恵，竹川直，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of Single Crystalline c-In2O3(111) Layers on Off-Axis c-Plane Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Yuya Saimoto, Kenta Nagai, Hidetoshi Nakahata, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaCl-O2-N2系およびGaCl3-O2-N2系によるε-Ga2O3気相成長の比較2019
- 著者名/発表者名
  佐藤万由子，竹川直，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Study on halide vapor phase epitaxy growth of twin-free cubic-indium oxide and its carrier properties2019
- 著者名/発表者名
  Ken Goto, Kenta Nagai, Yuya Saimoto, Nami Tanaka, Nao Takekawa, Rie Togashi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaCl及びGaCl3をGa源とするGa2O3 HVPE成長の熱力学解析2019
- 著者名/発表者名
  加茂崇，三浦遼，竹川直，富樫理恵，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H22019
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法で成長したサファイア基板上In2O3単結晶薄膜の電気伝導特性2019
- 著者名/発表者名
  後藤健，長井研太，税本雄也，田中那実，竹川直，富樫理恵，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Influence of substrate constraint on the emergence of metastable α-Ga2O32019
- 著者名/発表者名
  Chika Ohashi, Takashi Kamo, Ryo Miura, Nao Takekawa, Rie Togashi, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Comparison of thermodynamics on growth of In2O3 and Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy using mono- and tri-halides2019
- 著者名/発表者名
  Nami Tanaka, Yuya Saimoto, Kenta Nagai, Rie Togashi, Nao Takekawa, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Investigation of Etching Characteristics of HVPE-Grown In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching2019
- 著者名/発表者名
  Ryo Kasaba, Yuki Ooe, Kenta Nagai, Ken Goto, Rie Togashi, Akihiko Kikuchi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga2O3成長2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，竹川直，後藤健，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響2019
- 著者名/発表者名
  長井研太，田中那実，税本雄也，富樫理恵，竹川直，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Ga源にGaCl3又はGaClを用いるGa2O3 HVPE成長の熱力学解析2019
- 著者名/発表者名
  加茂崇，三浦遼，竹川直，富樫理恵，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] トリハライド気相成長法によるε-Ga2O3成長のsapphire基板面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，竹川直，後藤健，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] THVPE法を用いたc面サファイア基板上酸化ガリウム成長における準安定相の相制御2019
- 著者名/発表者名
  竹川直，佐藤万由子，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic study on halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 using GaCl or GaCl3 as a group-III precursor2019
- 著者名/発表者名
  T. Kamo, R. Miura, N. Takekawa, R. Togashi, K. Goto, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic and experimental analyses of β-Ga2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  N. Ueda, Y. Sawada, K. Konishi, Y. Nakata, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] c面サファイアoff基板を用いたc-In2O3(111)単結晶のHVPE成長2018
- 著者名/発表者名
  長井研太，中畑秀利，小西敬太，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハライド気相成長法におけるサファイアoff基板上への単結晶c-In2O3成長2018
- 著者名/発表者名
  長井研太，中畑秀利，小西敬太，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法によるc面サファイア基板上ε-酸化ガリウム成長における酸素分圧及び成長温度の影響2018
- 著者名/発表者名
  竹川直，佐藤万由子，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamics on (AlxGa1-x)2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Natsuki Ueda, Yohei Sawada, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] MOVPE法によるGa2O3成長の熱力学解析2018
- 著者名/発表者名
  山野邉咲子，吉田健人，小西敬太，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE2018
- 著者名/発表者名
  Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 有機金属気相成長法を用いた酸化ガリウム結晶成長の熱力学解析2018
- 著者名/発表者名
  山野邉咲子，吉田健人，小西敬太，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法によるサファイアおよびGaNテンプレート上ε-Ga2O3膜の成長2018
- 著者名/発表者名
  佐藤万由子，竹川直，小西敬太，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic analysis on Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Sakiko Yamanobe, Kento Yoshida, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  長井研太，須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE2017
- 著者名/発表者名
  Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA ’17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] エッチピットを用いたMOVPE AlNテンプレートの貫通転位評価2017
- 著者名/発表者名
  樋口真里，三井太朗，永島徹，木下亨，山本玲緒，小西敬太，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Preparation of bulk AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] 分子線エピタキシー法を用いたGa2O3結晶成長の特異性2017
- 著者名/発表者名
  佐和田陽平，上田菜月，小西敬太，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method2017
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature2017
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] ハライド気相成長法による(0001)サファイア基板上準安定相α-Ga2O3成長の検討2017
- 著者名/発表者名
  下川道貴，佐和田陽平，小西敬太，村上尚，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Temperature-Dependent Growth of Ga2O3 on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  M. Shimokawa, Y. Sawada, K. Konishi, H. Murakami, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources2017
- 著者名/発表者名
  K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法を用いたc面サファイア基板上Ga2O3成長の温度依存性の調査2017
- 著者名/発表者名
  下川道貴，佐和田陽平，小西敬太，村上尚，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations2017
- 著者名/発表者名
  Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性2017
- 著者名/発表者名
  中畑秀利，須賀隆之，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thermodynamic analysis on molecular beam epitaxy of Ga2O32017
- 著者名/発表者名
  Yohei Sawada, Natsuki Ueda, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Characterization of threading dislocations in HVPE-grown AlN substrates by wet chemical etching2017
- 著者名/発表者名
  Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] 分子線エピタキシー法によるGa2O3結晶成長の熱力学解析2017
- 著者名/発表者名
  佐和田陽平，上田菜月，小西敬太，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価2017
- 著者名/発表者名
  樋口真里，三井太朗，永島徹，山本玲緒，小西敬太，Galia Pozina，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic2017
- 著者名/発表者名
  Mari Higuchi, Taro Mitsui, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Keita Konishi, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，後藤健，富樫理恵，村上尚，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハライド気相成長法によるc-In2O3の高温成長2016
- 著者名/発表者名
  沼田至優，富樫理恵，林田真由子，須賀隆之，後藤健，倉又朗人，山腰茂伸，Plamen Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学小金井キャンパス（東京都小金井市）
- 年月日
  2016-11-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy for opto-electronic devices2016
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, Z. Sitar
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center（愛知県名古屋市熱田区）
- 年月日
  2016-08-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討2016
- 著者名/発表者名
  佐藤圭介，寺尾真人，三井太朗，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学小金井キャンパス（東京都小金井市）
- 年月日
  2016-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, M. Higashiwaki
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center（愛知県名古屋市熱田区）
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法によるn形AlNバルク基板作製の検討2016
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，富樫理恵，山本玲緒，永島徹，木下亨，村上尚，Monemar Bo，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市千種区）
- 年月日
  2016-06-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Recent Progress in the Growth of AlN by HVPE on Native AlN Substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, R. Togashi, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, Y. Kumagai and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, FL, U.S.A.
- 年月日
  2016-10-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用2015
- 著者名/発表者名
  山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用2015
- 著者名/発表者名
  寺尾真人，山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，村上尚，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学学術交流会館（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE growth of AlN substrates for opto-electronic applications2015
- 著者名/発表者名
  Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Toshiyuki Obata, Shinya Takashima, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
- 学会等名
  The 2015 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
- 年月日
  2015-09-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Togashi, R. Yamamoto, B. Moody, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  2015 Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, California, U.S.A.
- 年月日
  2015-02-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  R. Yamamoto, T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Properties of point defects in AlN and high Al content AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Isaac Bryan, Joshua S. Harris, Kelsey J. Mirrielees, Brian D. Behrhorst, Jonathon N. Baker, Ronny Kirste, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, Douglas L. Irving
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Growth of Si-Doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] AlN高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System2014
- 著者名/発表者名
  N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  木下亨，小幡俊之，永島徹，柳裕之，Baxter Moody，三田清二，井上振一郎，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-18
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館（東京都豊島区）
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications2014
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Deep UV-LEDs Fabricated of on HVPE-AlN Substrates2014
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
- 年月日
  2014-05-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Predicted Properties of Point Defects and Complexes in AlN and AlGaN2014
- 著者名/発表者名
  B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar and D. L. Irving
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts, U.S.A.
- 年月日
  2014-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
- 年月日
  2014-05-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用2014
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，永島徹，木下亨，村上尚，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2014
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Characterizing The Role of Point Defects and Complexes in UV Absorption and Emission in AlN2014
- 著者名/発表者名
  B. E. Gaddy, Z. A. Bryan, I. S. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar and D. L. Irving
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] MOCVD growth of AlGaN alloy for DUV-LEDs2014
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
- 学会等名
  17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  EPFL, Lausanne, Switzerland
- 年月日
  2014-07-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE 法によるAlN 基板作製と260 nm 帯深紫外LED への応用2013
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  京都テルサ, 京都府
- 年月日
  2013-06-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AIN substrates prepared by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T, Kinoshita, K, Hironaka, T, Obata, T, Nagashima, R, F, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, S, Inoue, Y, Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  2013 Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco (米国)
- 年月日
  2013-02-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T.Kinoshita, T. bata, T.Nagashima, H.Yanagi, J.Xie, R.Collazo, S.Inoue, Y.Kumagai, A.Koukitu, and Z.Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2013-04-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN2013
- 著者名/発表者名
  Benjamin E.Gaddy, Zachary A.Bryan, Isaac S.Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, Ramon Collazo and Douglas L.Irving
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- 年月日
  2013-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T.Kinoshita, T.Obata, T.Nagashima, H.Yanagi, J.Xie, R.Collazo, S.Inoue, Y.Kumagai, A.Koukitu and Z.Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- 年月日
  2013-08-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE成長フリースタンディングAIN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価2012
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 佐藤崇信, 堤浩一, 鈴木道夫, 熊谷義直, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] PVT基板上に成長したCドープHVPE法AIN厚膜の光学特性と構造特性2012
- 著者名/発表者名
  永島徹, 久保田有紀, 木下亨, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Homoepitaxial growth of thick AIN layers by HYPE on bulk AIN substrates prepared by PVT2012
- 著者名/発表者名
  R, Sakamaki, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y、Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] バルクPVT基板上HVPE成長によるAIN自立基板の作製2012
- 著者名/発表者名
  坂巻龍之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AIN layers grown on PVT AIN substrates2012
- 著者名/発表者名
  T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y, Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 竹中佐江, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AIN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Y, Kumagai, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  2012 Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Doubletree by Hilton Orlandoat SeaWorld (米国)(招待講演)
- 年月日
  2012-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Prediction of point defect behavior in nitrides using hybrid exchange DFT: Applications to the deep-UV absorption band in AIN2012
- 著者名/発表者名
  Z, Sitar, B, E, Gaddy, R, Collazo, J, Xie, Z, Biyan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, D, L, Irving
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AINウェーハーの作製2012
- 著者名/発表者名
  坂巻鮨之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] On the origin of the 265 nm absorption band in AIN bulk crystals2012
- 著者名/発表者名
  R, Collazo, J, Xie, B, E, Gaddy, Z, Bryan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, D, L, Irving, Z, Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Predictive Calculations of Defect Properties using Hybrid Exchange DFT: Applications to Optically Active Impurities in AIN2012
- 著者名/発表者名
  B, E, Gaddy, R, Collazo, J, Xie, Z, Bryan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, Z, Sitar, D, L, Irving
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解およびAlN形成の熱力学的検討2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] その場重量測定法を用いたサファイア表面の反応メカニズムの解明2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  科学研究費補助金・特定領域研究・公開シンポジウム窒化物光半導体のフロンティア～材料潜在能力の極限発現～
- 発表場所
  東京ガーデンパレス
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 綴織明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas Jr., J.C.Culbertson, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長2011
- 著者名/発表者名
  村上尚, 富樫理恵, 稲葉克彦, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H_2 and N_22011
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, 他
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Wakayama, Japan
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Measurement of temperature dependent lattice constants of single crystal AlN and various starting substrates for the growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, M.Sakai, T.Nagashima, J.Tajima, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC (0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templates prepared by PA-MBE using AM-MEE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, Y.Yamamoto, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Possibility of InGaN HVPE growth with the high growth rate and the wide composition control2011
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, A.Hakomori, T.Shimoda, K.Hironaka, Y.Kubota, T.Kinoshita, R.Yamamoto, H.Yanagi, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates2011
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5)
- 発表場所
  Berlin-Kopenick, Berlin, Germany
- 年月日
  2011-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] GaAs(110)上半極性InN(10-13)成長における窒化及びバッファ層の効果2011
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110)by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, H.-C.Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECC, Glasgow, Scotland
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈a明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] サファイア結晶基板の製造技術開発競争2011
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本学術振興会結晶成長の科学と技術・第161委員会第72回研究会
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所(招待講演)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長2011
- 著者名/発表者名
  末松真友, 竹中佐江, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-4
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire (0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H2 and N22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-6
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響2011
- 著者名/発表者名
  竹中佐江, 末松真友, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Growth of AlN on homo- and hetero-substrates by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5)
- 発表場所
  Berlin, Germany(Invited)
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解および・AlN形成の熱力学的検討2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 阿部創平, 土屋正樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H_2 and N_22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計2011
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 趙賢哲, 富樫理恵, 稲葉克彦, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Influence of GaN substrate polarity on InN growth by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, A.Otake, Y.Higashikawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM) WeB3-3
- 発表場所
  Kagawa, Japan 口頭発表
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  村上尚, 趙賢哲, 末松真友, 富樫理恵, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surface2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Thermodynamic Analysis on HVPE Growth of InGaN Ternary Alloy2010
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
- 発表場所
  Beijing, China 基調講演
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による気相成長法におけるGaN(0001)へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 単結晶AlNの格子定数の温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] InGaN三元混晶のHVPE成長に関する熱力学的考察2010
- 著者名/発表者名
  花岡幸史, 田口悠嘉, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of nucleation behavior in the initial growth stage on the HVPE growth of InN on sapphire (0001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Higashikawa, A.Otake, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 永島徹, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(招待講演)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14) DK1
- 発表場所
  Beijing, China 招待講演
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO2010
- 著者名/発表者名
  関口修平, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010) A1.8
- 発表場所
  Tampa, FL, U.S.A. 口頭発表
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH_3供給分圧変調効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effects of growth temperature on the crystal orientation of InN on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaCl_3を用いたGaNのHVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  山根貴好, 花岡幸史, 近藤秀昭, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE Growth of Nitrides2010
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 学会等名
  Growth of Bulk Nitrides
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-01-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of Hydrogen Gas on the Growth of Semi-polar InN2010
- 著者名/発表者名
  Hyunchol Cho, Mayu Suematsu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による窒化物表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] First-principle Study on the Effect of Surface Hydrogen Coverage on the Adsorption Process of Ammonia on the InN(0001) Surfaces2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of Semi-Polar InN Layer on GaAs(110) Surface by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl_32010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of AlN on homo-and hetero-substrates by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai
- 学会等名
  5th International Workshop on Crystal Growth Technology
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 窒化物半導体のHVPE成長-表面反応解析から結晶成長へ-2010
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)(基調講演)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長における成長初期核制御の効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気における高温熱処理がc面sapphire基板表面に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Lattice constants of AlN in the range 25-1600℃ investigated by using a quasi-bulk crystal grown by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Miki Sakai, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Hitoshi Morioka, Tsutomu Yamauchi, Keisuke Saito, Kazuya Takada Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(基調講演)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Koshi Hanaoka, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of High NH_3 Input Partial Pressure on HVPE of InN on (0001) Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Carrier Gas Dependence of a-Plane AlN Layer Growth on r-Plane Sapphire Substrates at Initial Stage by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Temperature dependence of the lattice constants of single crystal AlN2010
- 著者名/発表者名
  M.Sakai, J.Tajima, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN-HVPE成長のための原料探索-熱力学解析-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 江夏悠貴, 石附正成, 富樫理恵, 田島純平, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] XPSを用いたGaN結晶の表面改質評価2009
- 著者名/発表者名
  野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphke(0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire(0001)界面ボイドの拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Spontaneous polarization effects in XPS spectra of GaN2009
- 著者名/発表者名
  野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体の結晶成長技術-高度環境・エネルギー社会に向けて-
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 熱力学解析によるAlN-HVPE成長のための原料探索-Si汚染の低減を目指して-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 足立裕和大竹斐, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-Influence of InN decomposition at the interface-2009
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] XPS spectra of(0001)and(000-1)GaN surfaces2009
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Noguchi, Tadashi Nozaki, Naoyuki Sakai, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Tohru Honda
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphire(0001)基板上HVPE AlN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, 他
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] Two step growth of InN layer on SiO_2 patterned GaAs(111)B2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semi-conductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Iznota, Mikolajki, Ruciane Nida, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009
[学会発表] 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of 2H-AlN films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, K.Ohkusa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Preparation of a crack-free AIN template layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy at 1450℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Ab Initio Calculation for an Initial Growth Process of GaN on (0001) and (000-1) Surfaces by Vapor Phase2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Controlled Formation of Voids at the AIN and Sapphire Interface by the Sapphire Decomposition for Self-Separation of AIN Layers2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N_2 and H_2 Ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 20089
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AIN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, Y Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_<3>2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, Y. Ishii, H. Murakami, Y., Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(ooo1)c面サファイア表面反応メカニズム2008
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  千葉県、日本大学
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AlN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008) We2b-C1
- 発表場所
  Montreux Music and Convention Center, Montreux, Switzerland 招待講演
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Characterization of a Freestanding AIN Substrate Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Hisashi Murakami. Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor phase epitaxy of Al_xGa<1_x>N layers on GaN substrates2007
- 著者名/発表者名
  Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] in situ グラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)c面サファイア分解速度の測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] High temperature growth of AIN by solid source HVPE with local heating system2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Ken-ichi Eriguchi, Takako Hiratsuka, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukutu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AlN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity Control of 2H-AIN templates on Si (111) grown by RF-MBE using a mode change MEE for HVPE growth2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi, H. Shimomura, N. Yamabe, K. Oride, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Groth of thin Protective AIN Layers on Sapphire Substrates at 1065℃ for Hydride Vapor Phase Epitaxy of AIN above 1300℃2007
- 著者名/発表者名
  Junpei Tajima, Yuki Kubota, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of hydrogen inputpartial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Jun-ichi TORII, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] si(111)基板を初期基板に用いたHvPE法によるAIN自立基板の作製2007
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 永嶋徹, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 様々な雰囲気下におけるN極性lnN分解の温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 鴨下朋樹, 西澤雄樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] N-polar AIN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AIN substrates2007
- 著者名/発表者名
  Misaichi Takeuchi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitsu, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるsapphire基板上AIN高温成長における中間層導入の効果2007
- 著者名/発表者名
  田島純平, 久保田有紀, 永嶋徹, 樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] NH_3雰囲気下(0001)c面サファイア表面反応過程のグラヴィメトリック法によるその場測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] High Temperature Growth of High-Quality AIN by Sohd-Source HVPE2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Eriguchi, Hisashi Murakami, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Shigeo Ohira, Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Experimental and Ab-Initio Studies of Temperature Dependent InN Decomposition in Various Ambient2007
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Tomoki Kamoshita, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire Monitored by in situ Gravimetric Monitoring Method for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるGaN基板上高品質Al_XGa_<1-x>N成長2007
- 著者名/発表者名
  村上尚, 佐藤史隆, 秋山和博, 武藤弘, 柴田克幸, 山下宗修, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (000-1) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, His ashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of the decomposition of AIN in a hydrogen atmospher2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity-dependent growth of InN on Ga-and N-polar GaN surfaces byhydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of hydrogen partial pressure on the growth of InN layers on GaAs (111)A surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Hyun-Chol CH0, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県、ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN{0001}基板を用いたInNHVPE成長における極性制御2007
- 著者名/発表者名
  鴨下朋樹, 西澤雄樹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE growth of AIN and AIGaN2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 固体AICI_3を用いた光加熱HVPEによるAINの高温成長2007
- 著者名/発表者名
  江里口健一, 平塚貴子, 村上尚, 熊谷義直, 大平重男, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるSi-doped AlN成長の検討2007
- 著者名/発表者名
  久保田有紀, 田島純平, 永嶋徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AIN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 原料分子制御HVPE法によるAIN,AIGaNおよびlnN成長2007
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '13
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Performance of DUV-LEDs fabricated on HVPE-AlN substrates
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, Z. Sitar
- 学会等名
  2014 Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, U.S.A.
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Vacancy Defects in UV-Transparent HVPE-AlN
- 著者名/発表者名
  T. Kuittinen, F. Tuomisto, Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo and Z. Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化
- 著者名/発表者名
  坂巻龍之介，額賀俊成，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，久保田有紀，永島徹，木下亨，R. Dalmau，R. Schlesser，B. Moody，J. Xie，村上尚，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法によるAlN基板作製と260 nm帯深紫外LEDへの応用
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス　～実用デバイスへの展開～」
- 発表場所
  京都テルサ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討
- 著者名/発表者名
  額賀俊成，坂巻龍之介，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '13
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長
- 著者名/発表者名
  額賀俊成，坂巻龍之介，久保田有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，J. Xie，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN
- 著者名/発表者名
  B. E. Gaddy, Z. A. Bryan, I. S. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, Z. Sitar, R. Collazo and D. L. Irving
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006

1. 村上尚 (90401455)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 278件
2. 纐纈明伯 (10111626)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 248件
3. 富樫理恵 (50444112)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 71件
4. 萩原洋一 (40218392)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 後藤健 (50572856)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 29件
6. SITAR Zlatko

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 60件
7. 関壽 (70015022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
9. 小西敬太 (50805257)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
10. 永島徹

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 44件
11. 木下亨

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
12. Tuomisto Filip

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

熊谷 義直 KUMAGAI Yoshinao

研究課題

研究成果

共同研究者

酸化インジウム固有の電子移動度解明のための低転位密度単結晶の創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化アルミニウム薄膜へテロ成長界面の分解メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

その場重量測定による窒化アルミニウム基板表面反応メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

インターネットを利用する半導体気相エプタキシャル成長用熱力学解析システムの構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] GaNパワーデバイスの技術展開(分担執筆)2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth Hydride Vapor Epitaxy of GaN2010

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

熊谷義直 KUMAGAI Yoshinao

[図書] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長第79巻,第11号2009