酒井朗 Sakai Akira

研究者番号	20314031
その他のID
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2024年度: 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 2012年度 – 2021年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 2008年度 – 2009年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 2007年度 – 2009年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 2008年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 … もっと見る 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教授 2000年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 2004年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 1999年度 – 2002年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電気電子工学およびその関連分野 / 理工系 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る薄膜・表面界面物性 / 理工系 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 理工系 / 表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学隠す
キーワード	研究代表者メモリスタ / 酸素空孔 / シナプス / 透過電子顕微鏡 / 転位 / 走査透過電子顕微鏡 / 連合学習 / クロスバーアレイ / ドーパント / 多ビット信号 … もっと見る / パブロフ型条件付け / コンダクタンス / ニューラルネットワーク / 有限要素法シミュレーション / ドリフト・拡散 / 電子顕微鏡 / シリコン / FIB / 抵抗変化 / 集束イオンビーム加工 / フォーミング / 還元 / 金属酸化物 / ヒステリシス / 金属酸化物結晶 / 抵抗スイッチング / TEM / 多端子クロスバー / エッジAI / 極限環境 / 電子線リソグラフィ / 有限要素法 / 人工シナプス / 介在ニューロン / パルスレーザー蒸着法 / 抑制性介在ニューロン / 興奮性主ニューロン / コンダクタンス変調 / 4端子平面型素子 / ニューロモルフィック / 多端子クロスバーアレイ / ゲートチューニング / 4端子クロスバー構造 / パブロフ型条件付け連合学習 / クロスバー構造 / 高温動作 / 4端子 / ヘテロシナプス / 酸化物結晶 / レーザー蒸着 / 薄膜 / 酸化物 / パルスレーザー蒸着 / エピタキシャル薄膜 / 先端機能デバイス / 結晶場分裂 / 不可逆領域 / ゲート効果 / 増強／抑圧特性 / 電気着色現象 / トポロジー / 酸素空孔分布 / シナプス素子 / X線ナノビーム回折 / ポンプ＆プローブ法 / 時間分解 / 圧電応答走査プローブ顕微鏡 / 放射光 / 時間分解ポンプ＆プローブ法 / 圧電応答特性 / ナノボイド / Ptワイヤプロファイラー / 圧電応答 / 3次元 / 結晶性断層マッピング解析 / トモグラフィックマッピング / ３次元 / Ptワイヤプロファイラ / 結晶性断層マッピング / AlGaN/GaN HEMT / ポンプ＆プローブ計測 / 時分割パルス放射光回折 / 時分割ポンプ－プローブ法 / 逆圧電効果 / 漏れ電流 / 深さ分解結晶評価 / トモグラフィックマッピング解析 / 3次元逆格子マッピング / ナノビームX線回折 / Strain structure / Germanium / Silicon / Electron microscopy / Semiconductor property / Lattice defect / Crystal growth / Crystal engineering / 高分解能X線回析2次元逆格子マッピング / X線回折 / 欠陥 / ヘテロエピタキシャル / 歪み / 歪構造 / ゲルマニウム / 半導体物性 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 結晶工学 / sample holder / degradation / electric field stress / PZT / ferroelectric film / in situ obervation / 電極 / 電圧ストレス / 試料ホルダー / 劣化 / 電界ストレス / PZT薄膜 / 強誘電体 / その場観察 / 電流‐電圧特性 / 直接接合基板 / 電子線リソグラフィー / フィラメント / ４端子 / 単結晶 / メムリスタ / バーガースベクトル / 抵抗遷移 / 電子エネルギー損失分光 / 欠陥準位 / 空間電荷制限電流 / 電気伝導 / 電流検出型原子間力顕微鏡 / 界面固相反応 / 熱的負荷プロセス / 層状積層プロセス / PLD / High-k / ゲート絶縁膜 … もっと見る研究代表者以外シリサイド / 格子欠陥 / 走査トンネル顕微鏡 / シリコンゲルマニウム / Silicide / ニッケル / GaN / 電流検出型原子間力顕微鏡 / ゲート絶縁膜 / 結晶工学 / 半導体物性 / ボロン / 透過電子顕微鏡 / 転位 / 低転位 / 気相成長 / 低抵抗 / PNダイオード / OVPE / 先端機能デバイス / 電子・電気材料 / 特異構造 / Scanning Tunneling Microscope / Contact / Surface / Interface / Nickel / Carbon / Silicon / 表面物件 / 界面物件 / コンタクト / 表面物性 / 界面物性 / カーボン / シリコン / Dielectric breakdown / Stress induced leakage current / Gate SiO_2 Films / Metal-oxide-Semiconductor(MOS) / Conductive atomic force microscopy / Scanning tunneling spectroscopy(STS) / Scanning tunneling microscopy(STM) / 電気伝導特性 / HfO_2 / 走査プローブ顕微鏡 / ストレス誘起リーク電流 / 高誘電率材料 / 金属酸化膜 / ストレス誘起欠陥 / 電流スポット / La_2O_3-Al_2O_3複合膜 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / ゲートSiO_2膜 / MOSキャパシタ / 絶縁破壊 / Metal-oxide-Semiconductor / 電荷トラップ / 極薄シリコン酸化膜 / 走査トンネル分光 / 走査型トンネル顕微鏡 / Drain / Source / Germanosilicide / Titanium / Rapid thermal annealing / Silicon germanium / modulated interface / Ultra low resistance contact / 急速加熱化学気相成長法 / 超抵抗コンタクト / ドレイン / ソース / ジャーマノシリサイド / チタン / 急速加熱処理 / 界面組成変調層 / 超低抵抗コンタクト / 研磨 / GaN基板 / 積層欠陥 / サファイア基板 / HVPE / MOVPE / 半極性面 / 次世代半導体デバイス / 劣化機構 / ナノ領域 / 構造ゆらぎ / 半導体デバイス / MOSFET / キャリアセパレーション / C-AFM / IV族半導体 / 半導体工学 / ひずみ / 酸化現象 / エピタキシャル成長 / 表面・界面物理 / 水素 / 錫 / ゲルマニウム / 歪ゲルマニウム / ゲートスタック構造 / ポストスケーリング / 表面・界面物性 / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス / 半導体超微細化 / ハイドープ / 低温エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ法 / 水素サーファクタント成長 / 固相エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ / 歪成長 / スパッタ粒子のエネルギーの低減 / スパッタ法のMCシミュレーション / 界面層 / 歪緩和バッファ層 / シリコンゲルマニウムカーボン / Bの高濃度ドープ / 2次元逆格子マッピングX線回折法 / B高濃度ドーピング / 熱電効果 / バッファ層 / 歪緩和 / シリコンゲルマニウムカーボンバッファ層隠す

極限環境下エッジAIに向けた高機能クロスバーアレイメモリスタの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
多ビット信号の連合学習機能を備えたニューラルハードウェアの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
介在ニューロン機能を有する人工シナプスクロスバーアレイメモリスタの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
- 研究代表者
  
  森勇介
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
酸素空孔分布のトポロジー制御を機能原理とするヘテロシナプスプラットフォームの創生研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
酸素空孔分布トポロジーの制御に基づく多元シナプス素子創製研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
高配向２次元転位網メモリスタによる高機能シナプティックプラットフォームの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
総括班
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
結晶特異構造およびその挙動のマルチスケール構造解析評価研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製
- 研究代表者
  
  只友一行
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
4端子メムリスタを用いた信号伝達相関型シナプス素子の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
貼り合せ金属酸化物における高配向転位フィラメント伝導の機構・機能探索研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発
- 研究代表者
  
  坂下満男
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
- 研究代表者
  
  近藤博基, 安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発
- 研究代表者
  
  安田幸夫
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学

[雑誌論文] Interface engineering of amorphous gallium oxide crossbar array memristors for neuromorphic computing2023
- 著者名/発表者名
  Masaoka Naoki、Hayashi Yusuke、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1035-SC1035
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248, KAKENHI-PROJECT-21K18723
[雑誌論文] Gate-tunable plasticity in artificial synaptic devices based on four-terminal amorphous gallium oxide memristors2023
- 著者名/発表者名
  Ikeuchi Taishi、Hayashi Yusuke、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 015509-015509
- DOI
  10.35848/1882-0786/acb0ae
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248, KAKENHI-PROJECT-21K18723
[雑誌論文] High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600?K2023
- 著者名/発表者名
  Sato Kento、Hayashi Yusuke、Masaoka Naoki、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 13 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-023-28075-4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248, KAKENHI-PROJECT-21K18723
[雑誌論文] Versatile Functionality of Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing2022
- 著者名/発表者名
  Ryotaro Miyake, Zenya Nagata, Kenta Adachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 雑誌名
  
  ACS Applied Electronic Materials
  
  巻: - 号: 5 ページ: 2326-2336
- DOI
  10.1021/acsaelm.2c00161
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04468, KAKENHI-PROJECT-19K05525, KAKENHI-PROJECT-20H00248, KAKENHI-PROJECT-21K18723
[雑誌論文] Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates2021
- 著者名/発表者名
  T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 129 号: 22 ページ: 225701-225701
- DOI
  10.1063/5.0053766
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00352, KAKENHI-PROJECT-20J10170
[雑誌論文] Fabrication of GaOx based crossbar array memristive devices and their resistive switching properties2020
- 著者名/発表者名
  M. Joko, Y. Hayashi, T. Tohei, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMC03-SMMC03
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab8be6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04468, KAKENHI-PROJECT-20H00248
[雑誌論文] Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals2020
- 著者名/発表者名
  Ueda A.、Hamachi T.、Okazaki A.、Takeuchi S.、Tohei T.、Imanishi M.、Imade M.、Mori Y.、Sakai A.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 128 号: 12 ページ: 125110-125110
- DOI
  10.1063/5.0018336
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method2019
- 著者名/発表者名
  Hamachi Takeaki、Tohei Tetsuya、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCB23-SCCB23
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1392
- NAID
  210000156139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction2019
- 著者名/発表者名
  Shida Kazuki、Yamamoto Nozomi、Tohei Tetsuya、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Sumitani Kazushi、Imai Yasuhiko、Kimura Shigeru、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCB16-SCCB16
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d05
- NAID
  210000155953
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PROJECT-18J10700
[雑誌論文] Demonstrative operation of four-terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals2019
- 著者名/発表者名
  Takeuchi Shotaro、Shimizu Takuma、Isaka Tsuyoshi、Tohei Tetsuya、Ikarashi Nobuyuki、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-018-38347-z
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236, KAKENHI-PROJECT-17K18881
[雑誌論文] Gate Tuning of Synaptic Functions Based on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2－x Memristive Devices2019
- 著者名/発表者名
  Z. Nagata, T. Shimizu, T. Isaka, T. Tohei*, N. Ikarashi, A. Sakai*
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-019-46192-x
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04468, KAKENHI-PROJECT-17H03236
[雑誌論文] Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method2019
- 著者名/発表者名
  Hamachi Takeaki、Tohei Tetsuya、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 5 ページ: 050918-050918
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab14f9
- NAID
  210000155665
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Hamachi T.、Takeuchi S.、Tohei T.、Imanishi M.、Imade M.、Mori Y.、Sakai A.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161417-161417
- DOI
  10.1063/1.5011345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PLANNED-25106003
[雑誌論文] Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction2018
- 著者名/発表者名
  Shida K.、Takeuchi S.、Tohei T.、Miyake H.、Hiramatsu K.、Sumitani K.、Imai Y.、Kimura S.、Sakai A.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161563-161563
- DOI
  10.1063/1.5011291
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PLANNED-25106003, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Facile Synthesis Route of Au-Ag Nanostructures Soaked in PEG2018
- 著者名/発表者名
  Fodjo Essy Kouadio、Canlier Ali、Kong Cong、Yurtsever Ayhan、Guillaume Pohan Lemeyonouin Aliou、Patrice Fato Tano、Abe Masayuki、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Advances in Nanoparticles
  
  巻: 07 号: 02 ページ: 37-45
- DOI
  10.4236/anp.2018.72004
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] 半導体結晶中特異構造の３次元微細構造解2018
- 著者名/発表者名
  酒井朗，鎌田祥平，志田和己，竹内正太郎，今井康彦，木村滋
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 45
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2-x four-terminal memristive device2018
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Kengo、Takeuchi Shotaro、Tohei Tetsuya、Ikarashi Nobuyuki、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6S3 ページ: 06KB02-06KB02
- DOI
  10.7567/jjap.57.06kb02
- NAID
  210000149225
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236, KAKENHI-PROJECT-17K18881
[雑誌論文] Depth-resolved analysis of lattice distortions in high-Ge-content SiGe/compositionally graded SiGe films using nanobeam x-ray diffraction2018
- 著者名/発表者名
  Shida Kazuki、Takeuchi Shotaro、Tohei Tetsuya、Imai Yasuhiko、Kimura Shigeru、Schulze Andreas、Caymax Matty、Sakai Akira
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 33 号: 12 ページ: 124005-124005
- DOI
  10.1088/1361-6641/aae6d9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PROJECT-18J10700
[雑誌論文] Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals2017
- 著者名/発表者名
  Takeuchi S.、Mizuta Y.、Imanishi M.、Imade M.、Mori Y.、Sumitani K.、Imai Y.、Kimura S.、Sakai A.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 122 号: 10 ページ: 105303-105303
- DOI
  10.1063/1.4989647
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Tomographic mapping analysis in the depth direction of high-Ge-content SiGe layers with compositionally graded buffers using nanobeam X-ray diffraction2017
- 著者名/発表者名
  K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Schulze, M. Caymax, A. Sakai
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 9 号: 15 ページ: 13726-13732
- DOI
  10.1021/acsami.7b01309
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[雑誌論文] Microstructural analysis of an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique2016
- 著者名/発表者名
  S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 11 ページ: 111001-111001
- DOI
  10.7567/apex.9.111001
- NAID
  210000138078
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FA07-05FA07
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa07
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Thickness and Growth Condition Dependence of Crystallinity in Semipolar (20-21) GaN Films Grown on (22-43) Patterned Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, T. Uchiyama, T. Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1142-1148
- DOI
  10.1002/pssb.201451562
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction2015
- 著者名/発表者名
  T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1149-1154
- DOI
  10.1002/pssb.201451564
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] 貼り合わせ直接接合SrtiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特製評価2012
- 著者名/発表者名
  浅田遼大, Pham Phu Than Son, Kokate Nishad Vasant, 吉川純, 竹内政太郎, 中村芳明, 酒井朗
- 雑誌名
  
  信学技報(IEICE Tschnical Report)
  
  巻: 112 ページ: 7-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360017
[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 96
  
  ページ: 12105-12105
- NAID
  120002414452
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Low temperature growth of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers for tensile-strained Ge layers2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimura, N.Tsutsui, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing2010
- 著者名/発表者名
  T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518(6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Low temperature growth of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers for tensile-strained Ge layers2010
- 著者名/発表者名
  Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518(6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, S.Sakurai, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- NAID
  120002414452
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Microstructures in directly bonded Sisubstrates2009
- 著者名/発表者名
  Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53
  
  ページ: 837-840
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si_<1-x>Ge_x Structures on Si(001) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53(11)
  
  ページ: 1198-1201
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  210000066523
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, K.Furumai, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers2009
- 著者名/発表者名
  Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)
  
  ページ: 2402-2406
- NAID
  10022551560
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates2008
- 著者名/発表者名
  E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 323-326
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge (001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci 254(19)
  
  ページ: 6048-60651
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 80-83
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2402-2406
- NAID
  10022551560
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, and A.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S.Zaima, O.Nakatsuka, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 80-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 159-162
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa and S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価2007
- 著者名/発表者名
  鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 251-256
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Comparison Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes2007
- 著者名/発表者名
  D.Ikeno, K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46 (4B)
  
  ページ: 1865-1869
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrode2007
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. phys. 46(4B)
  
  ページ: 1865-1869
- NAID
  10022545673
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers grown on various types of substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol. 22(1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 197-202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 277-282
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_1-xSn_x buffer layers grown on various types of substrates2007
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, K.Yamamoto, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 22 (1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
- 雑誌名
  
  ECS Trans 3(7)
  
  ページ: 1197-1203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction2006
- 著者名/発表者名
  S.Mochizuki, A.Sakai, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508 (1-2)
  
  ページ: 128-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Engineering of strain and dislocations at group IV semiconductor thin-film interfaces for next-generation silicon ULSI2006
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  OYO BUTSURI 75 (4)
  
  ページ: 426-434
- NAID
  10017540920
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価2006
- 著者名/発表者名
  酒井朗, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  応用物理 75 (4)
  
  ページ: 426-434
- NAID
  10017540920
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates2006
- 著者名/発表者名
  N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508 (1-2)
  
  ページ: 147-151
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 82 (3-4)
  
  ページ: 479-484
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Surface Science Reports 59(7-8)
  
  ページ: 153-207
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2005
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8 (1-3)
  
  ページ: 5-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations2005
- 著者名/発表者名
  N.Taoka, A.Sakai, T.Egawa, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8 (1-3)
  
  ページ: 131-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations2005
- 著者名/発表者名
  N.Taoka, A.Sakai, T.Egawa, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8(1-3)
  
  ページ: 131-135
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Dislocation and strain engineering for SiGe buffer layers on Si2005
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, S.Mochizuki, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Crystalline Defects and Contamination : Their Impact and Control in Device Manufacturing IV, DECON 2005, Proceedings of the Satellite Symposium to 35th European Solid-State Device Research Conference 2005 2005-10
  
  ページ: 16-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si2005
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004)
  
  ページ: 293-298
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Control of strain and dislocation structures of Si_<1-x>,Ge_x buffer layers2005
- 著者名/発表者名
  N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Journal of the Japanese Association of Crystal Growth 32
  
  ページ: 89-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 82(3-4)
  
  ページ: 479-484
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Si_<1-x>Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御2005
- 著者名/発表者名
  田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 32
  
  ページ: 89-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2005
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8
  
  ページ: 5-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems2005
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
- NAID
  120000979691
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si2005
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004) 293
  
  ページ: 293-298
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Surface Science Reports 59
  
  ページ: 153-207
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 82
  
  ページ: 479-484
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Surface Science Reports 59 (7-8)
  
  ページ: 153-207
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties2005
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Surface Science Reports 59 (7-8)
  
  ページ: 153-207
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] SiおよびSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成2004
- 著者名/発表者名
  中塚理, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  電気学会研究会資料(電子材料研究会) EFM-04
  
  ページ: 25-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Si及びSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成2004
- 著者名/発表者名
  中塚理, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  電気学会研究会資料(電子材料研究会) EFM-04
  
  ページ: 25-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects In Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y2004
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Reports of DENKI GAKKAI KENKYUUKAI (DENSHI ZAIRYOU KENKYUUKAI) EFM-04
  
  ページ: 25-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 237(1-4)
  
  ページ: 150-155
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004
- 著者名/発表者名
  Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.4B
  
  ページ: 1843-1847
- NAID
  10012948668
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leadage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4683-4686
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Akiyoshi Seko, Yukihiko Watanabe, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B
  
  ページ: 4683-4686
- NAID
  10013431909
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(2A)
- NAID
  10012038848
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Dislocation engineering for high-quality SiGe epitaxial films on Si substrates2004
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  
  ページ: 245-250
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004
- 著者名/発表者名
  Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(4B)
  
  ページ: 1843-1847
- NAID
  10012948668
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2004
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Materials Science and Semiconductor Processing 8(1-3)
  
  ページ: 5-9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B
  
  ページ: 4679-4682
- NAID
  10013431900
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
  
  ページ: 4683-4686
- NAID
  10013431909
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 237 (1-4)
  
  ページ: 150-155
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 237
  
  ページ: 150-155
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] 電流注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2004
- 著者名/発表者名
  世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  信学論 J87-C (8)
  
  ページ: 616-624
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2003
- 著者名/発表者名
  世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
- 雑誌名
  
  Technical report of IEICE(信学技報) 103
  
  ページ: 1-6
- NAID
  110003202684
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Local Leakage Current of HfO_2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy2003
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, T.Goto, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 42(4B)
  
  ページ: 1949-1953
- NAID
  10010800794
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2002
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronics Journal 33(5-6)
  
  ページ: 429-436
- NAID
  10012038848
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Growth processes and electrical characteristics of silicon nitride films formed on Si(100) by radical nitrogen.2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2463-2467
- NAID
  10015752767
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Structural and electrical characteristics of HfO_2 films fabricated by pulsed laser deposition2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, S.Goto, K.Honda, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2476-2479
- NAID
  110003310815
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronics Journal 33(5-6)
  
  ページ: 429-436
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)
  
  ページ: 2463-2467
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-2x1 surfaces using scanning tunneling microscopy2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 329-330
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Real-time observation of initial oxdation on highly B-doped Si(100)-2xl surfaces using scanning tunneling microscopy2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 329-330
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Microscopic Observation of X-ray Irradiation Damages in Ultra-Thin SiO_2 Films2001
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, T.Goto, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 40(4)
  
  ページ: 2823-2826
- NAID
  10017197998
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Characterization of deffect traps in SiO_2 thin films2001
- 著者名/発表者名
  J.-Y.Rosaye, P.Mialhe, J.-P.Charles, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Active and Passive Elec.Comp. 24
  
  ページ: 169-175
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Local electrical characteristics of ultra-thin SiO_2 films formed on Si(100) surfaces2001
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, N.Kurumado, K.Ohmori, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Surface Science 493
  
  ページ: 653-658
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13305005
[雑誌論文] Control of Ni/Si interfacial reaction and NiSi technology for ULSI applications
- 著者名/発表者名
  S.Zaima, O.Nakatsuka, A.Sakai, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of IUMRS International Conference in Asia 2004 (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si
- 著者名/発表者名
  O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206004
[雑誌論文] Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, S.Mochizuki, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[産業財産権] メモリスタ、それを備えた半導体素子およびメモリスタを備えたアレイシステム2020
- 発明者名
  林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 権利者名
  林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2020-214807
- 出願年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[産業財産権] メモリスタおよびそれを備えたアレイシステム2019
- 発明者名
  林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[産業財産権] 多層膜構造体の形成方法2008
- 発明者名
  中塚理、酒井朗、小川正毅, (他4名)
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2008-122891
- 出願年月日
  2008
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体2007
- 発明者名
  竹内正太郎, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 出願年月日
  2007-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体2007
- 発明者名
  竹内正太郎, 酒井朗, 中塚理、ほか2名
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2007-132189
- 出願年月日
  2007-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 多層膜構造体の形成方法2007
- 発明者名
  中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明、近藤博基、湯川勝規、水谷卓也
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 出願年月日
  2007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体2005
- 発明者名
  酒井朗,他4名
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2005-355102
- 出願年月日
  2005-12-08
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[産業財産権] 歪緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体2005
- 発明者名
  酒井朗, 湯川勝規, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2005-355102
- 出願年月日
  2005-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[産業財産権] エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体2004
- 発明者名
  酒井朗, 田岡紀之, 他3名
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2004-207782
- 出願年月日
  2004-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[産業財産権] エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体2004
- 発明者名
  酒井朗,他4名
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2004-207782
- 出願年月日
  2004-07-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360005
[学会発表] 4端子平面型TiO2-xメモリスタの微細化とパブロフ型条件付け次元拡張2024
- 著者名/発表者名
  山本遼平、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Implementation of Operant Conditioning in Four-Terminal Planar TiO2-x Memristive Devices2024
- 著者名/発表者名
  Zijie Meng, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] アモルファスGaOxを用いた4端子クロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性2024
- 著者名/発表者名
  山下真矢、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] その場TEMによる単結晶TiO2-xメモリスタ素子における剪断面形成機構の解析2023
- 著者名/発表者名
  高田玲、藤平哲也、林侑介、酒井朗
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第79回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Implementation of Pavlovian Conditioning with TiO2-x Miniaturized Four-Terminal Planar Memristors2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Yamamoto, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Finite Element Analysis of Oxygen Vacancy Behavior in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices2023
- 著者名/発表者名
  Yuki Koizumi, Ryotaro Miyake, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Analysis of Shear Plane Formation Mechanism in Single Crystal TiO2-x Memristor by Using In-Situ TEM Observation2023
- 著者名/発表者名
  Rei Takada, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Akira Sakai
- 学会等名
  International Workshop on Advanced and In-Situ Microscopies of Functional Nanomaterials and Devices (IAMNano) 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] ルチル型TiO2中の剪断面構造及び酸素空孔挙動に関する第一原理計算2023
- 著者名/発表者名
  二宮雅輝、藤平哲也、林侑介、酒井朗
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] 4端子平面型TiO2-xメモリスタにおける酸素空孔挙動の有限要素法解析2023
- 著者名/発表者名
  小泉優紀、三宅亮太郎、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Amorphous GaOx Crossbar Array Memristors for Artificial Synaptic Devices2022
- 著者名/発表者名
  Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid-State Devices and Materials
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18723
[学会発表] 平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察2022
- 著者名/発表者名
  谷口奈穂，林侑介, 藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] First-Principles Analysis of Oxygen Vacancy Behavior in Rutile TiO2 under External Electric Fields2022
- 著者名/発表者名
  Masaki Ninomiya, Yusuke Hayashi, Akira Sakai, Tetsuya Tohei
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] アモルファスGaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの抵抗変化特性2022
- 著者名/発表者名
  正岡直樹, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] GaOxメモリスタの抵抗スイッチング特性評価2022
- 著者名/発表者名
  佐藤健人，林侑介, 藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] 酸素空孔分布制御型メモリスタを用いた多機能人工シナプス2022
- 著者名/発表者名
  酒井朗、林侑介、藤平哲也
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18723
[学会発表] 第一原理計算によるルチル型TiO2中の剪断面構造及び酸素空孔挙動の解析2022
- 著者名/発表者名
  二宮雅輝、藤平哲也、林侑介、酒井朗
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] 酸素空孔分布制御型メモリスタを用いた多機能人工シナプス2022
- 著者名/発表者名
  酒井朗，藤平哲也，林侑介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Amorphous GaOx Crossbar Array Memristors for Artificial Synaptic Devices2022
- 著者名/発表者名
  Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid-State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析2021
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤平哲也、林侑介、宇佐美茂佳、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 第一原理計算手法に基づく外部電場下におけるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動の解析2021
- 著者名/発表者名
  二宮雅輝、藤平哲也、林侑介、酒井朗
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18723
[学会発表] Habituation and sensitization properties mimicked in four-terminal TiO2-x memristive devices2021
- 著者名/発表者名
  K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tohei, A. Sakai
- 学会等名
  MEMRISYS 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18723
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測2021
- 著者名/発表者名
  塩見春奈、嶋田章宏、藤平哲也、林侑介、金木奨太、橋詰保、今井康彦、隅谷和嗣、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Operando analysis of local strain induced by inverse piezoelectric effect in AlGaN/GaN HEMT using synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  A. Sakai
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021, OE107, Gallium Nitride Materials and Devices XVI
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Structural analysis of Na-flux GaN by nanobeam X-ray diffraction: Local lattice constant variation depending on the growth sector2021
- 著者名/発表者名
  Z. D. Wu, K. Shida, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Depth-resolved three-dimensional characterization of semiconductor materials using nanobeam X-ray diffraction combined with differential-aperture technique2021
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Sumitani, S. Kimura, T. Hamachi, K. Shida, T. Tohei, H. Miyake, and A. Sakai
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Advanced analysis of singularity structures in semiconductor materials and devices by synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Imai, Y. Hayasahi, and T. Tohei
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Pavlovian conditioning implemented in four-terminal TiO2-x memristive devices2021
- 著者名/発表者名
  R. Miyake, K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tetsuya, A. Sakai
- 学会等名
  4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Sputtered and annealed AlN templates for photonic and electronic devices2021
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, R. Chaudhuri, Y. Cho, H. G. Xing, D. Jena, H. Miyake, T. Tohei, and A. Sakai
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Heterosynaptic Property Demonstrated with Planer Four-Terminal Amorphous GaOx Memristive Devices2021
- 著者名/発表者名
  Taishi Ikeuchi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid-State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Space- and time-revolved synchrotron X-ray diffraction for analysis of singularity structures in semiconductor materials2021
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Hayashi, T. Tohei, and Y. Imai
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Analysis of stress and impurity evolution related to growth sector in Na-flux GaN by nanobeam X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  Z. D. Wu, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 4端子平面型アモルファスGaOxメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価2021
- 著者名/発表者名
  池内太志、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] 第一原理計算手法に基づく外部電場下におけるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動の解析2021
- 著者名/発表者名
  二宮雅輝，藤平哲也，林侑介，酒井朗
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価第2021
- 著者名/発表者名
  山本望、林侑介、濱地威明、中西悠太、藤平哲也、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、正直花奈子、三宅秀人、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Pavlovian conditioning implemented in four-terminal TiO2-x memristive devices2021
- 著者名/発表者名
  R. Miyake, K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tohei, A. Sakai
- 学会等名
  MEMRISYS 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18723
[学会発表] ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析2021
- 著者名/発表者名
  栗谷淳、藤平哲也、濱地威明、林侑介、滝野淳一、隅智亮、宇佐美茂佳、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調2021
- 著者名/発表者名
  安達健太、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Habituation and sensitization properties mimicked in four-terminal TiO2-x memristive devices2021
- 著者名/発表者名
  K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tohei, A. Sakai
- 学会等名
  4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Temperature-Dependent Resistive Switching Properties of GaOx Memristors up to 600 K2021
- 著者名/発表者名
  Kento Sato, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES ─ Science and Technology ─
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] Nano-patterned sapphire substrate上のスパッタ堆積アニールAlNテンプレートを用いたAlN厚膜の欠陥構造解析2020
- 著者名/発表者名
  山本望、濱地威明、林侑介、藤平哲也、三宅秀人、酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2019年第3回支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Systematical analysis in local lattice constant variation depending on stress and impurity evolution in Na-flux GaN2020
- 著者名/発表者名
  Z. D. Wu, K. Shida, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
- 学会等名
  第3回結晶工学×ISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係2020
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、五十嵐信行、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] OVPE法で成長した GaN バルク単結晶の微細構造解析2020
- 著者名/発表者名
  栗谷淳、藤平哲也、濱地威明、林侑介、滝野淳一、隅智亮、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 高Ge添加NaフラックスGaN結晶の特異構造解析2020
- 著者名/発表者名
  古賀一朗、林侑介、藤平哲也、佐藤隆、三好直哉、村上明繁、皿山正二、今井康彦、隅谷和嗣、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2019年第3回支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 4端子平面型 TiO2-xメモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装2020
- 著者名/発表者名
  安達健太、三宅亮太郎、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] スパッタ法と高温アニールで作製した－c/+c AlN薄膜の電子線回折による極性判定2020
- 著者名/発表者名
  林侑介、野本健斗、濱地威明、藤平哲也、三宅秀人、五十嵐信行、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析2020
- 著者名/発表者名
  山本望、濱地威明、林侑介、藤平哲也、三宅秀人、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe／組成傾斜SiGe／Si積層構造の深さ分解結晶性トモグラフィック評価2020
- 著者名/発表者名
  志田和己、藤平哲也、林侑介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 高温熱処理したスパッタAlN膜の熱歪解析2020
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Oxide-Vapor-Phase-Epitaxy法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析2020
- 著者名/発表者名
  栗谷淳、藤平哲也、志田和己、濱地威明、林侑介、滝野淳一、隅智亮、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2019年第3回支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Structural analysis of Na-flux GaN by nanobeam X-ray diffraction2020
- 著者名/発表者名
  Z. D. Wu, K. Shida, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Structural analysis of Na flux GaN by nanobeam X ray diffraction: Local lattice constant variation depending on the growth mode2020
- 著者名/発表者名
  Z. D. Wu, K. Shida, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析2020
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価2020
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] アモルファス酸化ガリウムを用いたメモリスタの抵抗変化特性およびシナプス特性2020
- 著者名/発表者名
  上甲守治、池内太志、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00248
[学会発表] 放射光ナノビームX線回折による窒化物半導体HEMTデバイスにおける圧電応答局所格子変形ダイナミクスの観測2019
- 著者名/発表者名
  植田瑛、藤平哲也、安藤祐也、橋詰保、今井康彦、隅谷和嗣、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 放射光ナノビームX線回折を用いた半導体材料・デバイスの構造解析2019
- 著者名/発表者名
  酒井朗，志田和己，植田瑛，藤平哲也，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会,結晶工学×放射光シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション2019
- 著者名/発表者名
  永田善也，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価2019
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤元聖人、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Multilateral investigation of electrical and microstructural properties of threading dislocations in Na-flux-grown GaN crystals2019
- 著者名/発表者名
  Hamachi T、Tohei T、Imanishi M、Mori Y、Sakai A
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] NaフラックスGaNバルク単結晶における貫通転位の結晶構造と漏れ電流の関連性2019
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤平哲也、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Microstructure analysis of FFC-GaN crystal2019
- 著者名/発表者名
  Wu Zhendong、Shida Kazuki、Hamachi Takeaki、Tohei Tetsuya、Hayashi Yusuke、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Sumitani Kazushi、Imai Yasuhiko、Kimura Shigeru、Sakai Akira
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2019年第2回支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響2019
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤元聖人、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション2019
- 著者名/発表者名
  永田善也，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] 4端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装2019
- 著者名/発表者名
  三宅亮太郎、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性2019
- 著者名/発表者名
  三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Atomic and electronic structure analysis of resistive switching regions in rutile TiO2-x based four-terminal memristive devices2019
- 著者名/発表者名
  Isaka Tsuyoshi、Tohei Tetsuya、Shimizu Takuma、Takeuchi Shotaro、Ikarashi Nobuyuki、Sakai Akira
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019（ICMaSS 2019）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析2019
- 著者名/発表者名
  濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製2019
- 著者名/発表者名
  林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、片山竜二、酒井朗、三宅秀人
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Depth-resolved three-dimensional characterization of semiconductors using nanobeam X-ray diffraction combined with a differential-aperture technique2019
- 著者名/発表者名
  Imai Y、Sumitani K、Kimura S、Shida K、Tohei T、Sakai A
- 学会等名
  The 8th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] HVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の構造と漏れ電流の関連性2019
- 著者名/発表者名
  濱地威明、藤元聖人、藤平哲也、林侑介、今西正幸、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第3回電子材料若手交流会（ISYSE）研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるパブロフ型条件付けの実装2019
- 著者名/発表者名
  三宅亮太郎、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Fabrication of +c/-c AlN Structure toward IR Wavelength Conversion2019
- 著者名/発表者名
  Hayashi Y、Uesugi K、Shojiki K、Katayama R、 Sakai A、Miyake H
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] GaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性2019
- 著者名/発表者名
  上甲守治、林侑介、藤平哲也、酒井朗
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価2019
- 著者名/発表者名
  真鍋海希，藤平哲也 , 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Operando analysis of local piezoelectric lattice distortion in AlGaN/GaN HEMT devices using synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction2019
- 著者名/発表者名
  Ueda A、Shiomi H、Tohei T、Ando Y、Hashizume T、Imai Y、Sumitani K、Kimura S、Sakai A
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性2019
- 著者名/発表者名
  三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] Oxygen vacancy distribution control for resistive switching of epitaxial TiO2-x thin films in four-terminal memristive devices2019
- 著者名/発表者名
  Miyake Ryotaro、Nagata Zenya、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM2019）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Fabrication of GaOx Based Crossbar Array Memristive Devices and Their Resistive Switching Properties2019
- 著者名/発表者名
  Joko Mamoru、Hayashi Yusuke、Tohei Tetsuya、Sakai Akira
- 学会等名
  2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for future electron devices -science and technology-（IWDTF 2019）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] 放射光ナノビームX線回折による窒化物半導体HEMTデバイスにおける圧電応答局所格子変形の直接観測2019
- 著者名/発表者名
  植田瑛，藤平哲也，安藤祐也，橋詰保，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋，酒井朗
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 組成傾斜層を有するSi基板上高Ge組成SiGe膜の深さ分解ナノビームX線回折評価2019
- 著者名/発表者名
  志田和己、藤平哲也、林侑介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Defect structure analysis of OVPE grown homoepitaxial GaN thick film2019
- 著者名/発表者名
  Tohei T、Manabe M、Takino J、Sumi T、Imanishi M、Mori Y、Sakai A
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 窒化物半導体中の格子欠陥が生み出す特異構造の3次元解析2018
- 著者名/発表者名
  酒井朗，志田和己，竹内正太郎，藤平哲也，今井康彦，木村滋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 圧電応答顕微鏡法によるNaフラックス成長GaN単結晶の局所圧電物性解析圧電応答顕微鏡法によるNaフラックス成長GaN単結晶の局所圧電物性解析2018
- 著者名/発表者名
  植田瑛, 竹内正太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  平成30年度応用物理学会第2回関西支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Nanobeam X-ray Diffraction Analysis of Local Lattice Distortions in the Growth Direction of a Modified Na-Flux GaN Bulk Crystal2018
- 著者名/発表者名
  Shida K, Takeuchi S, Tohei T, Imanishi M, Mori Y, Sumitani K, Imai Y, Kimura S, Sakai A
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Defect characterization in nitride semiconductor bulk materials2018
- 著者名/発表者名
  Sakai A
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Gate-tuning of synaptic functions based on the oxygen vacancy distribution control in four-terminal TiO2-x memristive devices2018
- 著者名/発表者名
  Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Dislocation Properties in Bulk GaN Substrates2018
- 著者名/発表者名
  Sakai A
- 学会等名
  IDGN-4
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価2018
- 著者名/発表者名
  真鍋海希，藤平哲也，滝野淳一，隅智亮，今西正幸，森勇介，酒井朗
- 学会等名
  平成30年度応用物理学会第2回関西支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Leakage current analysis for individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal2018
- 著者名/発表者名
  Hamachi T, Takeuchi S, Tohei T, Imanishi M, Mori Y, Sakai A
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Demonstrative operation of four-terminal memristive devices by controlling oxygen vacancy distribution in TiO2-x single crystals2018
- 著者名/発表者名
  Akira Sakai, Takuma Shimizu, Masato Shimotani, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei
- 学会等名
  2018 MRS Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Gate-Tuning of Synaptic Function Based on the Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices2018
- 著者名/発表者名
  Nagata Z, Shimizu T, Isaka T, Tohei T, Sakai A
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] 酸素空孔分布制御型4 端子メモリスタ素子の抵抗変化特性精密制御2018
- 著者名/発表者名
  清水拓磨，永田善也，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] ゲート制御型4端子TiO2-xメモリスタによる可変シナプス機能の実装2018
- 著者名/発表者名
  永田善也，清水琢磨，井坂健，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  平成30年度応用物理学会第2回関西支部講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] ナノビームX線回折を用いた組成傾斜層を有する高Ge組成SiGe膜の結晶深さ方向格子面微細構造トモグラフィック解析2018
- 著者名/発表者名
  志田和己，竹内正太郎，藤平哲也，今井康彦，木村滋，Schluze Andreas，Caymax Matty，酒井朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 改良型Na フラックスGaN 単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価2018
- 著者名/発表者名
  濱地威明，竹内正太郎，藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション2018
- 著者名/発表者名
  永田善也，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] Three-dimensional Analysis of Defect-related Singularity Structures in Semiconductor Materials2018
- 著者名/発表者名
  Sakai A, Takeuchi S, Shida K, Kamada S, Tohei T, Imai Y, Kimura S, Miyake H, Hiramatsu K
- 学会等名
  OIST-Singularity Project Joint Workshop
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Tomographic mapping analysis of lattice distortions in the depth direction of high-Ge-content SiGe films with compositionally graded buffer layers using nanobeam X-ray diffraction2018
- 著者名/発表者名
  Shida K，Takeuchi S, Tohei T, Imai Y, Kimura S, Schulze A, Caymax M, Sakai A
- 学会等名
  1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ方向結晶構造解析2018
- 著者名/発表者名
  志田和己，山本望，藤平哲也，今西正幸，森勇介，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，酒井朗
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] FIBおよびイオンミリング試料作製法による酸化チタン単結晶メモリスタの微細構造解析2018
- 著者名/発表者名
  藤平哲也，山口賢吾，村上弘弥，竹内正太郎，酒井朗
- 学会等名
  大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点微細構造解析プラットフォーム地域セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Sakai A, Shimizu T, Shimotani M, Takeuchi S, Tohei T Demonstrative operation of four-terminal memristive devices by controlling oxygen vacancy distribution in TiO2-x single crystals2018
- 著者名/発表者名
  Sakai A, Shimizu T, Shimotani M, Takeuchi S, Tohei T
- 学会等名
  2018 MRS Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] Three-dimensional structural and defect analysis by nanobeam X-ray diffraction for semiconductor materials2018
- 著者名/発表者名
  Sakai A
- 学会等名
  THERMEC'2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction2018
- 著者名/発表者名
  Shida K, Tohei T, Imanishi M, Mori Y, Sumitani K, Imai Y, Kimura S, Sakai A
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析2018
- 著者名/発表者名
  濱地威明，藤平哲也，今西正幸，森勇介，酒井朗
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Local electrical and structural analysis for threading dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystals2018
- 著者名/発表者名
  Hamachi T, Tohei T, Imanishi M, Mori Y, Sakai A
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 圧電応答顕微鏡法によるNa フラックスGaN 単結晶の局所圧電物性解析2017
- 著者名/発表者名
  植田瑛, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices2017
- 著者名/発表者名
  Shimizu Takuma, Takeuchi Shotaro, Tohei Tetsuya, Sakai Akira
- 学会等名
  2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価2017
- 著者名/発表者名
  濱地威明, 竹内正太郎, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶メモリスタ微細素子における抵抗変化領域の結晶構造解析2017
- 著者名/発表者名
  村上弘弥，山口賢吾，清水拓磨，竹内正太郎，酒井朗
- 学会等名
  日本電子顕微鏡学会第73回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶メモリスタ素子の抵抗変化領域における価電子状態解析2017
- 著者名/発表者名
  山口賢吾、竹内正太郎、五十嵐信行、酒井朗
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Characterization of local piezoelectric property in Na-flux GaN bulk single crystals2017
- 著者名/発表者名
  Ueda A, Takeuchi S, Tohei T, Imanishi M, Imade M, Mori Y, Sakai A
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布による抵抗変化の繰返し特性2017
- 著者名/発表者名
  清水拓磨、竹内正太郎、酒井朗
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe／組成傾斜SiGeの結晶深さ方向断層マッピング解析2017
- 著者名/発表者名
  志田和己，竹内正太郎，今井康彦，木村滋，Andreas Schulze，Matty Caymax，酒井朗
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Analysis of Ti valence state in resistive switching region of rutile TiO2-x four-terminal memristive device2017
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Kengo, Takeucni Shotaro, Tohei Tetsuya, Ikarashi Nobuyuki, Sakai Akira
- 学会等名
  2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Valence state analysis of Ti in resistive switching region of rutile TiO2-x single crystals memristor2017
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Kengo, Takeuchi Shotaro, Shimizu Takuma, Tohei Tetsuya, Ikarasi Nobuyuki, Sakai Akira
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] In depth microstructural analysis of heteroepitaxial AlN thick films grown on trench-patterned templates by nanobeam X-ray diffraction2017
- 著者名/発表者名
  Shida K, Takeuchi S, Tohei T, Miyake H, Hiramatsu K, Sumitani K, Imai Y, Kimura S, Sakai A
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ナノビームX線回折法による周期溝加工基板上AlN厚膜の結晶深さ方向構造解析2017
- 著者名/発表者名
  志田和己，竹内正太郎，三宅秀人，平松和政，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，酒井朗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Nano beam X-ray diffraction analysis of Na flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode2017
- 著者名/発表者名
  Takeuchi S, Mizuta Y, Imanishi M, Imade M, Mori Y, Imai Y, Kimura S, Sakai A
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Control of dislocation propagation behaviors in Na-flux GaN bulk crystals2017
- 著者名/発表者名
  Takeuchi S, Mizuta Y, Imanishi M, Imade M, Imai Y, Kimura S, Mori Y, Sakai A
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] 4端子TiO2単結晶メモリスタの抵抗変化特性2017
- 著者名/発表者名
  清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18881
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶メモリスタ微細素子における抵抗変化領域の結晶構造解析2017
- 著者名/発表者名
  山口賢吾，村上弘弥，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] TEM Microstructure Analysis of Resistive Switching Regions in Rutile TiO2 Single Crystal Memristors2017
- 著者名/発表者名
  Tohei Tetsuya, Murakami Hiroya, Yamaguchi Kengo, Shimizu Takuma, Takeuchi Shotaro, Sakai Akira
- 学会等名
  The 3rd East-Asia Microscopy Conference (EAMC3)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03236
[学会発表] Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy2017
- 著者名/発表者名
  Hamachi T, Takeuchi S, Tohei T, Imanishi M, Imade M, Mori Y, Sakai A
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Nano beam X-ray diffraction analysis of microstructures in Na-flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode2016
- 著者名/発表者名
  Y. Mizuta, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Imai, S. Kimura, Y. Mori, A. Sakai
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii (USA)
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Three-dimensional reciprocal space mapping analysis for localized structures and defects in nitride semiconductor materials2016
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, T. Takeuchi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2016-10-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Lattice plane microstructure analysis of Na-flux GaN bulk crystals by nanobeam X-ray diffraction2016
- 著者名/発表者名
  Y. Mizuta, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Imai, S. Kimura, Y. Mori, A. Sakai
- 学会等名
  The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium
- 発表場所
  Knowledge Capital Congres Convention Center (Osaka・Osaka)
- 年月日
  2016-12-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性2016
- 著者名/発表者名
  下谷将人、竹内正太郎、酒井朗
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600098
[学会発表] X線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御NaフラックスGaNの微視的結晶構造解析2016
- 著者名/発表者名
  水田祐貴、竹内正太郎、今西正幸、今出完、今井康彦、木村滋、森勇介、酒井朗
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Demonstration of reversible resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile TiO2-x single crystals2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, A. Sakai
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii (USA)
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性2016
- 著者名/発表者名
  清水拓磨、竹内正太郎、酒井朗
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Reversible resistive switching by the voltage-driven control of oxygen vacancy distribution in four terminal planar TiO2-x-based devices2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, A. Sakai
- 学会等名
  The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium
- 発表場所
  Knowledge Capital Congres Convention Center (Osaka・Osaka)
- 年月日
  2016-12-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Nanobeam X-ray diffraction for tomographic mapping analysis of high Ge content Si1-yGey/compositionally graded Si1-xGex stacked structure2016
- 著者名/発表者名
  K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, A. Sakai
- 学会等名
  The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium
- 発表場所
  Knowledge Capital Congres Convention Center (Osaka・Osaka)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] Tomographic mapping analysis of high Ge composition SiGe layers with compositionally graded buffers by Nanobeam X-ray diffraction2016
- 著者名/発表者名
  K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, A. Sakai
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii (USA)
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06423
[学会発表] X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価2015
- 著者名/発表者名
  内山星郎，竹内正太郎，荒内琢士，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，今井康彦，木村滋，只友一行，酒井朗
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] ルチル型TiO2単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化2015
- 著者名/発表者名
  下谷将人、村上弘弥、竹内正太郎、酒井朗
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600098
[学会発表] 貼り合わせ直接接合SrT103(001)基板の抵抗スイッチング特性評価2012
- 著者名/発表者名
  浅田遼太、Pham Phu Than Son、Kokate Nishad Vasant、吉川純、竹内正太郎、中村芳明、酒井朗
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  名古屋大学VBL(愛知県)
- 年月日
  2012-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360017
[学会発表] Potential of Ge_<1-x>Sn_x alloys as high mobility channel materials and stressors2010
- 著者名/発表者名
  Invited: S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
- 学会等名
  5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge_<1-X>Sn_x buffer layers2009
- 著者名/発表者名
  S.Zaima, O.Nakatsuka, Y.Shimura, N.Tsutsui, A.Sakai
- 学会等名
  The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles, USA((招待講演))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge_<1-x>Sn_x buffer layers2009
- 著者名/発表者名
  Invited: S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai
- 学会等名
  The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Low Temperature Growth of Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers2009
- 著者名/発表者名
  Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
- 学会等名
  The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing2009
- 著者名/発表者名
  T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata
- 学会等名
  The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x on Ge(001) substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Microstructures in Directly Bonded Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Characterization and analyses of interface structures in directly bonded Si(011)/Si(001) substrates2008
- 著者名/発表者名
  Invited: E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, S. Zaima
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Metalorganic Chemical Vapor Deposition of High-Dielectric-Constant Praseodymium Oxide Films using a Liquid Cyclopentadienyl Precursor2008
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, S. Sakurai, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers2008
- 著者名/発表者名
  Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation2007
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, M. Fujita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2007
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第12回研究会)
- 発表場所
  三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
- 学会等名
  Materials Research Society 2007 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge_<1-x>Sn_x/Ge/Si Heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  Invited: A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第6回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2007-04-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] canning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Growth and Characterization of Tensile- Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers2007
- 著者名/発表者名
  Invited: O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  Invited: A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  Materials Research Society 2007 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価2006
- 著者名/発表者名
  若園恭伸, 山崎理弘, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrodes2006
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers on virtual Ge(001) substrates2006
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  The Third International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Princeton, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2006
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
- 学会等名
  210th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Electrical conduction characteristics of single crystal and directly-bonded Nb-doped SrTiO3
- 著者名/発表者名
  R. Asada, S. Kondo, S. Takeuchi, Y. Sugi, Y. Nakamura, A. Sakai
- 学会等名
  The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)
- 発表場所
  Fukuoka University, Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360017

1. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 112件
2. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 73件
3. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 22件
4. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 29件
5. 池田浩也 (00262882)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 11件
6. 坂下満男 (30225792)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 15件
7. 小川正毅 (10377773)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 49件
8. 渡部平司 (90379115)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 中村芳明 (60345105)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
10. 吉川純 (20435754)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 只友一行 (10379927)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 山田陽一 (00251033)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 岡田成仁 (70510684)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
14. 竹内正太郎 (70569384)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
15. 藤岡洋 (50282570)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
17. 畑朋延 (50019767)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 山根啓輔 (80610815)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
19. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 今井康彦 (30416375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 47件
24. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 津坂佳幸 (20270473)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 河村貴宏 (80581511)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 藤平哲也

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

酒井 朗 Sakai Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

極限環境下エッジAIに向けた高機能クロスバーアレイメモリスタの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

多ビット信号の連合学習機能を備えたニューラルハードウェアの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

介在ニューロン機能を有する人工シナプスクロスバーアレイメモリスタの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸素空孔分布のトポロジー制御を機能原理とするヘテロシナプスプラットフォームの創生研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸素空孔分布トポロジーの制御に基づく多元シナプス素子創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高配向２次元転位網メモリスタによる高機能シナプティックプラットフォームの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

結晶特異構造およびその挙動のマルチスケール構造解析評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

4端子メムリスタを用いた信号伝達相関型シナプス素子の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

貼り合せ金属酸化物における高配向転位フィラメント伝導の機構・機能探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

酒井朗 Sakai Akira