• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

Niraula Madan  NIRAULA Madan

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

Niraula Madan  ニラウラ マダン

ニラウラ マダン  NIRAULA Madan

NIRAULA Madan  ニラウラ マダン

MADAN Niraula  マダン ニラウラ

隠す
研究者番号 20345945
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2020年度 – 2022年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2015年度: 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
2012年度 – 2015年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2007年度 – 2012年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 … もっと見る
2009年度 – 2010年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授
2005年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授
2004年度 – 2005年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授
2003年度 – 2004年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分80040:量子ビーム科学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 社会システム工学・安全システム / 応用物理学一般
研究代表者以外
医用システム / 医用システム
キーワード
研究代表者
放射線検出器 / 暗電流 / エピタキシャル成長層 / エネルギー識別 / ヘテロ接合ダイオード / 画像検出器 / metal contacts / interface engineering / gamma ray detector / perovskite crystal … もっと見る / X線、ガンマ線 / 安定性 / 検出器特性 / 放射線画像検出器 / CdTe 厚膜成長層 / 熱処理 / 転位密度低減 / CdTe厚膜成長層 / 転位密度 / CdTe / 医療診断 / 電極形成技術 / ヘテロ接合ダイオー / エピタキシャル成長 / アニール効果 / テルル化カドミウム / 安全・セキュリティ / CdTe バルク結晶 / エマシマレーザープロセシング / 表面漏れ電流 / 電極構造 / エネルギー分解能 / CdTeバルク結晶 … もっと見る
研究代表者以外
放射線検出器 / CdTe / 電子デバイス / エピタキシャル成長 / テルル化カドミウム / Imaging detector / Metalorganic Vapor Phase Epitaxy / Cadmium Telluride / Radiation detector / CdZnTe / MOVPE / γ線検出器 / X線検出器 / 画像検出器 / 有機金属気相成長 / 医療診断 / 結晶成長 / 放射線・X線 / 診断システム / 検査 / 自己補償機構 / ヨウ素ドーピング / 厚膜層成長 / 検出器アレイ / 成長前処理 / 放射線画画像検出器 / エネルギー弁別機能 / 有機金属気相成長法 / ヘテロ接合ダイオード / カドミウムテルル 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 研究成果

    (146件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  Development of highly efficient and stable photon-counting type X-ray detectors using single crystal metal halide perovskite semiconductors研究代表者

    • 研究代表者
      Niraula Madan
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分80040:量子ビーム科学関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  Si基板上のCdTe成長層を用いたX線画像検出器の性能と信頼性向上に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      Niraula Madan
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  Si基板上のCdTe成長層を用いた医療用高性能大面積X線ビデオカメラの開発

    • 研究代表者
      安田 和人
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  高性能大面積X線エネルギー識別画像検出器の開発

    • 研究代表者
      安田 和人
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  半導体放射線検出器の高性能化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      ニラウラ マダン (NIRAULA Madan)
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      社会システム工学・安全システム
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  エネルギー識別能力をもつ医療用大面積X線画像検出器の開発

    • 研究代表者
      安田 和人
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発研究代表者

    • 研究代表者
      NIRAULA Madan (ニラウラ マダン)
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    • 研究代表者
      安田 和人
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      名古屋工業大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 1998 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Dislocation Density Reduction in MOVPE-Grown (211)CdTe/Si by Post-Growth Pattering and Annealing2023

    • 著者名/発表者名
      B. S. Chaudhari, M. Niraula, Y. Takagi, R. Okumura, K. P. Sharma, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 52 号: 5 ページ: 3431-3435

    • DOI

      10.1007/s11664-023-10318-9

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [雑誌論文] Analysis of dislocations and their correlation with dark currents in CdTe/Si heterojunction diode-type x-ray detectors2021

    • 著者名/発表者名
      Chaudhari B. S.、Goto H.、Niraula M.、Yasuda K.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 130 号: 5 ページ: 055302-055302

    • DOI

      10.1063/5.0058504

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [雑誌論文] Surface processing of CdTe detectors using hydrogen bromide-based etching solution2015

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, N.Takai, M.Matsumoto, Y.Suzuki, Y.Tsukamoto, Y.Ito, S.Sugimoto, S.Kouno, D.Yamazaki, Y.Agata
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 16 号: 8 ページ: 856-858

    • DOI

      10.1109/led.2015.2450835

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Development of nuclear-radiation detectros using thick single-crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE2014

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Wajima et al.
    • 雑誌名

      J. Electron. Materials

      巻: 43 号: 8 ページ: 2860-2863

    • DOI

      10.1007/s11664-014-3132-3

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Development of large-area imaging arrays using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2014

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, H.Yamashita et al.
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nucl. Sci.

      巻: 61 号: 5 ページ: 2555-2558

    • DOI

      10.1109/tns.2014.2347374

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for X-ray and gamma-ray spectroscopic detector development2014

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, H.Yamashita et al.
    • 雑誌名

      Phys. Status Solid

      巻: C11 号: 7-8 ページ: 1333-1336

    • DOI

      10.1002/pssc.201300559

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Charge transport properties of p-CdTe/n-CdTe/n+-Si diode-type nuclear radiation detectors based on metalorganic vapor-phase epitaxy-grown epilayers2013

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, Y.Wajima
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 114 号: 16 ページ: 164510-164515

    • DOI

      10.1063/1.4828479

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Post growth annaling of CdTe layers grown on Si substartes by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, S.Namba, et al.
    • 雑誌名

      J. Electron. Mater.

      巻: 42 号: 11 ページ: 3125-3128

    • DOI

      10.1007/s11664-013-2680-2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization ofX-ray spectroscopic imaging array basedon thick single crystal CdTe epitaxiallayers2012

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K. Yasuda, S. Namba
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 59(12) 号: 12 ページ: 3450-3455

    • DOI

      10.1109/ted.2012.2222413

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Fabrication of radiation imagingdetector arrays using MOVPE grownthick single crystal CdTe layers on Sisubstrates2012

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M. Niraula, T. Tachi
    • 雑誌名

      Phys. Status. Solidi

      巻: C9(8-9) 号: 8-9 ページ: 1848-1851

    • DOI

      10.1002/pssc.201100517

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] MOVPE growth of thick single crystal CdZnTe epitaxial layers on Si substrate for Nuclear Radiation Detector development2012

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al.
    • 雑誌名

      Proc.IEEE 19th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors

      巻: N/A

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Dark-current characteristics ofradiation detector arrays developedusing MOVPE grown thick CdTe layers onSi substrates2012

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M. Niraula, N. Fujimura
    • 雑誌名

      J. Electron. Mater.

      巻: 41(10) 号: 10 ページ: 2754-2758

    • DOI

      10.1007/s11664-012-2121-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Development of Spectroscopic ImagingArrays Using Epitaxially Grown ThickSingle Crystal CdTe Layers on SiSubstrate2012

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K. Yasuda, N. Fujimura
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nucl. Sci

      巻: 59(6) 号: 6 ページ: 3201-3204

    • DOI

      10.1109/tns.2012.2215628

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発2012

    • 著者名/発表者名
      安田和人、ニラウラマダン
    • 雑誌名

      光アライアンス

      巻: 23(6) ページ: 33-36

    • NAID

      40019331899

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Post growth annaling of CdTe layers grown on Si substartes by metalorganic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al.
    • 雑誌名

      Ext. Abstracts 2012 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials (2012, Seattle)

      巻: N/A ページ: 131-134

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epiLaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 雑誌名

      SPIE Proceedings vol.7995

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al
    • 雑誌名

      18th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors(RTSD) (2011, Valencia, Spain)

      巻: (CD-ROM)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 雑誌名

      SPIE Proceedings

      巻: 7995

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線検出アレイの開発2011

    • 著者名/発表者名
      舘忠裕、安田和人、ニラウラマダン
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技報

      巻: ED2011-26 ページ: 131-134

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Dark-current characteristics of radiation`detector arrays developed using MOVPE grown thick CdTe layers on Si substartes2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 雑誌名

      Ext.Abstracts, 2011 US Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials (2011, Chicago)

      ページ: 163-166

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Development of radiation imagingdevices with energy discriminationcapability using thick CdTe layersgrown on Si substrates by metal organicvapor phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M. Niraula, Y. Agata
    • 雑誌名

      Proc. SPIE

      巻: 7995 ページ: 79952T-79952T

    • DOI

      10.1117/12.888229

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2010

    • 著者名/発表者名
      安田和人、ニラウラ マダン, 他7名
    • 雑誌名

      放射線 vol.36, no.2

      ページ: 41-48

    • NAID

      10026604059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究2010

    • 著者名/発表者名
      後藤達彦、安田和人、ニラウラマダン
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技報

      巻: ED2010-29 ページ: 65-68

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Layers on Si Substrates Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, 他
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 39 ページ: 1118-1123

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究-Si基板上の厚膜CdTe層高岨質化の検討2010

    • 著者名/発表者名
      後藤達彦、ニラウラ マダン、安田和人, 他8名
    • 雑誌名

      電気情報通信学会信学技報 ED2010-29,CPM2010-19, SDM2010-29

      ページ: 65-68

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula, 他7名, 1番目
    • 雑誌名

      J. Electron. Mater. 39(in-press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2010

    • 著者名/発表者名
      安田和人、ニラウラマダン、岡 寛樹
    • 雑誌名

      放射線

      ページ: 41-48

    • NAID

      10026604059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] Electricalproperties of halogen-dopedCdTe layers on Si substrates grown bymetalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M. Niraula, H. Oka
    • 雑誌名

      J.Electron. Mater

      巻: 39(7) 号: 7 ページ: 1118-1123

    • DOI

      10.1007/s11664-010-1241-1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [雑誌論文] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2010

    • 著者名/発表者名
      安田和人、ニラウラマダン, 他
    • 雑誌名

      放射線

      巻: 36 ページ: 41-48

    • NAID

      10026604059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Layers on Si Substrates Grown by Mctalorganic Vapor-Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, 他7名
    • 雑誌名

      J.Electron.Materials vol.39, no.7

      ページ: 1118-1123

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al.
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nuclear Science 56(3)

      ページ: 836-840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al.
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1164

      ページ: 35-44

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nuclear Science 56(3)

      ページ: 836-540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al.
    • 雑誌名

      IEEE Trans, Nuclear Science 56(4)

      ページ: 1731-1735

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 56

      ページ: 1731-1735

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, 他11名
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. vol.1164

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, 他11名
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nucl.Sci. Vol.56, no.4

      ページ: 1731-1735

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, 他11名
    • 雑誌名

      IFEE Trans.Nucl.Sci. vol.56, no.3

      ページ: 836-840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nuclear Science 56(4)

      ページ: 1731-1735

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1164

      ページ: 35-44

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 56

      ページ: 836-840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceeding 1164

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, 他11名
    • 雑誌名

      IEEE2008 Intl.Workshop on Room-Temp.Semicond.X-, Gamma- Ray Detectors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula
    • 雑誌名

      IEEE 16th Intern. Workshop on RoomTemperature Semiconductor X-and gamma-Ray Detectors (RTSD) (2008, Dresden) Conference Record

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula
    • 雑誌名

      IEEE 2008-16^<th> Intern Workshop on Room-Temp Semiconductor x-and Gamma-Ray Detectors

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [雑誌論文] Excimer Laser Etching Process of CdTe Crystals for Formation of Deep Vertical Trenches2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula, 他7名, 1番目
    • 雑誌名

      J. Electron. Mater. 36(8)

      ページ: 837-840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Imaging Detectors2007

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他9名, 2番目
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nuclear Science 54(4)

      ページ: 817-820

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [雑誌論文] Development of Large Area Radiation Imaging Detectors Using Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula et al.
    • 雑誌名

      Ionizing Radiation (invited)(in Japanese) 32(1)

      ページ: 3-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] 有機金属気相成長法によるCdTe厚膜を用いた大面積放射線画像検出器の研究2006

    • 著者名/発表者名
      安田和人, ニラウラマダン他5名
    • 雑誌名

      放射線 32(1)

      ページ: 3-9

    • NAID

      10017263893

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging2006

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      J.Electron.Materials (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging2006

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他5名
    • 雑誌名

      J. Electron. Materials (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他5名
    • 雑誌名

      Ext. Abstract 2005 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials (2005, Boston),

      ページ: 73-76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula他6名
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nuclear Science 52(5)

      ページ: 1951-1955

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Control of Zn Composition (0<x<1) in Cdl-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Grown by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, N.Niraula 他5名
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nuclear Science 52(5)

      ページ: 1951-1955

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Resolution Capability Based on CdTe/n^<+->GaAs Heterojunction Diodes2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett 26(1)

      ページ: 8-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda他5名
    • 雑誌名

      Ext.Abstract 2005 US Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials (2005, Boston), J.Electron.Mater. (in-press)

      ページ: 73-76

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula 他6名
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nuclear Science 52(5)

      ページ: 1951-1955

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula 他6名
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nuclear Science (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Control of Zn Composition (0<x<1) in Cd1-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Grown by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, N.Niraula他5名
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244

      ページ: 347-350

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxally Grown Thick CdTe Layers on n+^-GaAs Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      J.Electron.Materials 34(6)

      ページ: 815-819

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Control of Zn Composition (0<x<1) in Cd1^-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Grown by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244

      ページ: 347-350

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Resolution Capability Based on CdTe/n^+-GaAs Heterojunction Diodes2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他5名
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett 26(1)

      ページ: 8-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Control of Zn Composition (0<x<1) in Cd1-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Grown by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula 他5名
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244

      ページ: 347-350

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxally Grown Thick CdTe Layers on n+-GaAs Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda他6名
    • 雑誌名

      J.Electron.Materials 34(6)

      ページ: 815-819

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor-phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda他5名
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 284

      ページ: 15-19

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxally Grown Thick CdTe Layers on n+-GaAs Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他6名
    • 雑誌名

      J Electron. Materials 34(6)

      ページ: 815-819

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      Ext.Abstract 2005 US Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials, (2005, Boston)

      ページ: 73-76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 284

      ページ: 15-19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Direct Growth of High-quality CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor-phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他5名
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 284

      ページ: 15-19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] MOVPE growth of Thick CdTe Heteroepitaxial Layers for X-ray Imaging Detectors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他4名
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. (C) 1(4)

      ページ: 1075-1078

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on n^+-GaAs Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他6名
    • 雑誌名

      Extend.Abst.2004 US Workshop on Phys.Chem.II-VI Materials (2004, Chicago)

      ページ: 99-102

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula 他6名
    • 雑誌名

      IEEE 2004 14^<th> Intern. Workshop on R-T. Semicon. X- and Gamma Ray Detectors (RTSD) Conference Record (Invited)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxy Grown Thick CdTe Layers on n^<+->GaAs Substrades2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      Extend.Abst.2004 US Workshop on Phys.Chem.II-VI Materials, (2004, Chicago)

      ページ: 99-102

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n^+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-Ray Imaging Detector2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他5名
    • 雑誌名

      J. Electronic Materials 33(6)

      ページ: 645-650

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] MOVPE growth of Thick CdTe Heteroepitaxial Layers for X-ray Imaging Detectors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他4名
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.C 1(4)

      ページ: 1075-1078

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Study of Multi-Electrodes Structure in CdTe Nuclear Radiation Detectors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, Y.Agata, K.Yasuda
    • 雑誌名

      IEEE 2004- 14^<th> International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors Conference Record

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760038
  • [雑誌論文] MOVPE growth of Thick CdTe Heteroepitaxial Layers for X-ray Imaging Detectors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(C) 1(4)

      ページ: 1075-1078

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n^<+->GaAs Heterojunction Diodes for an X-Ray Imaging Detector2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda et al.
    • 雑誌名

      J.Electronic Materials 33(6)

      ページ: 645-650

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on n^+-GaAs Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda 他6名
    • 雑誌名

      Extend. Abst. 2004 US Workshop on Phys. Chem. II-VI Materials (2004, Chicago)

      ページ: 99-102

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [雑誌論文] Development of Nuclear Radiation Detectors Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula et al.
    • 雑誌名

      IEEE 2004 14^<th> Intern. Workshop on R-T.Semicon.X- and Gamma Ray Detectors (RTSD), Conference Record (Invited) R1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [産業財産権] 放射線検出器の製造方法2011

    • 発明者名
      安田和人,ニラウラマダン
    • 権利者名
      名古屋工業大学
    • 産業財産権番号
      2011-109374
    • 出願年月日
      2011-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [産業財産権] 放射線検出器の製造方法2011

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      名古屋工業大学
    • 産業財産権番号
      2011-109374
    • 出願年月日
      2011-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [産業財産権] Method for manufacturing asemiconductor radiation detector2011

    • 発明者名
      安田和人,ニラウラマダン
    • 権利者名
      中部TLO
    • 取得年月日
      2011-07-06
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [産業財産権] 半導体放射線検出器の製造方法2008

    • 発明者名
      安田和人, M. ニラウラ
    • 権利者名
      中部TLO
    • 取得年月日
      2008-04-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [産業財産権] PCT出願「半導体放射線検出器」2004

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      (財)名古屋産業科学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-397978
    • 出願年月日
      2004-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [産業財産権] PCT出願 半導体放射線検出器2004

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      (財)名古屋産業科学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-397978
    • 出願年月日
      2004-11-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [産業財産権] 半導体放射線検出器及びその製造方法(Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same)2004

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      中部TLO
    • 出願年月日
      2004-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [産業財産権] 半導体放射線検出器2003

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      中部TLO
    • 出願年月日
      2003-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [産業財産権] 半導体放射線検出器の製造方法2003

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      中部TLO
    • 出願年月日
      2003-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [産業財産権] 半導体放射線検出器1998

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      (財)名古屋産業科学研究所
    • 産業財産権番号
      2003-397978
    • 出願年月日
      1998-11-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15300181
  • [学会発表] Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique2022

    • 著者名/発表者名
      Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula
    • 学会等名
      2022年 第83回応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [学会発表] Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance2021

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, Y. Takagi, and S. Fuji
    • 学会等名
      IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [学会発表] MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討2021

    • 著者名/発表者名
      松原敏樹, 小林竜大, 後藤颯汰, 藤井成弥, 中島幸寛, 平野颯涼, ニラウラ マダン, 安田和人
    • 学会等名
      2021年 第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [学会発表] Evaluation of dislocation densities and their distribution in epitaxial (211)CdTe/Si2021

    • 著者名/発表者名
      Bal Singh Chaudhari, Hayata Goto, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda
    • 学会等名
      2021年 第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [学会発表] Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis2020

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, B. S. Chaudhari, H. Goto, T. Kobayashi, S. Fujii,
    • 学会等名
      IEEE-2020 The 27th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04619
  • [学会発表] MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性2016

    • 著者名/発表者名
      小島 將弘、伊藤 祐葵、神野 悟史、杉本 宗一郎、山崎 大輔、北川 翔三、坪田眞太郎、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則
    • 学会等名
      2016第63回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東工大(東京)
    • 年月日
      2016-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のエッチピット評価2016

    • 著者名/発表者名
      坪田眞太郎、杉本 宗一郎、伊藤 祐葵、山崎 大輔、神野 悟史、小島 將弘、北川 翔三、、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則
    • 学会等名
      2016第63回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東工大(東京)
    • 年月日
      2016-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] MOVPE法による(211)及び(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性2016

    • 著者名/発表者名
      北川 翔三、神野 悟史、伊藤 祐葵、杉本 宗一郎、山崎 大輔、小島 將弘、坪田眞太郎、、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人
    • 学会等名
      2016第63回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東工大(東京)
    • 年月日
      2016-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] Study of CdTe surface processed with hydrogen bromide based etching solution2015

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, Y,Ito, D.Yamazaki, S.Sugimoto, S.Kouno, S.Kitagawa, K.Kojima, Y.Agata
    • 学会等名
      IEEE 2015 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma Ray Detectors
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2015-11-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] Chracterization of large-area spectroscopic imaging array fabricated using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, S.Kouno, S.Sugimoto, Y,Ito, D.Yamazaki, K.Kojima, S.Kitagawa, Y.Agata
    • 学会等名
      IEEE 2015 22nd International Workshop on Room-Temperature
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2015-11-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] Development of nuclear-radiation detectros using thick single-crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Wajima, et al.
    • 学会等名
      2013 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線γ線画像検出器に関する研究(XIII)2013

    • 著者名/発表者名
      山下隼、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2013春期第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Development oflarge‐area imaging arrays using epitaxTally grown thick single crystalCdTe layers on Si substrates2013

    • 著者名/発表者名
      Madan Nirau1,安田和人
    • 学会等名
      2013春期第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線γ線画像検出器に関する研究(XIII)-CdTe/Si成長層のアニール処理の検討一2013

    • 著者名/発表者名
      和嶋悠人、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2013春期第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for X-ray and gamma-ray spectroscopic detector development2013

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, H.Yamashita, et al.
    • 学会等名
      The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials
    • 発表場所
      Nagahama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] Development of large-area imaging arrays using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 安田和人, 他
    • 学会等名
      2013春期第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Development of large-area imaging arrays using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, H.Yamashita, et al.
    • 学会等名
      IEEE 2013 20th International Workshop on Room-Temperature
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力をもつX線・γ線画像検出器の開発(1)2012

    • 著者名/発表者名
      近藤嵩輝、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2012春期第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Post -growth annealing of CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula, S. Namba
    • 学会等名
      2012 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • 発表場所
      Seattle
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE growth of thick single crystal CdZnTe epitaxial layers on Si substrate for Nuclear Radiation Detector development2012

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al.
    • 学会等名
      IEEE 19th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors(RTSD)
    • 発表場所
      Anaheim, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI)~検出器アレイの暗電流特性(II)~2012

    • 著者名/発表者名
      館忠裕、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2012春期第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI)~検出器アレイの暗電流特性(1)~2012

    • 著者名/発表者名
      難波秀平、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2012春期第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE growth of thick single crystal CdZnTe epitaxial layers on Si substrate for Nuclear Radiation Detector development2012

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba
    • 学会等名
      19th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)
    • 発表場所
      Anaheim CA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] CdZnTe層成長と特性評価2012

    • 著者名/発表者名
      和嶋悠人、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2012秋期第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      2012-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Post growth annealing of CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al.
    • 学会等名
      2012 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • 発表場所
      Seattle, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力をもつX線・γ線画像検出器の開発(H)2012

    • 著者名/発表者名
      村松慎也、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2012春期第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, N. Fu j imura
    • 学会等名
      18th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors(RTSD)
    • 発表場所
      Valencia, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)2011

    • 著者名/発表者名
      館忠裕、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2011春期応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al
    • 学会等名
      IEEE 18th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors
    • 発表場所
      Valencia, Spain(Invited)
    • 年月日
      2011-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(IX)2011

    • 著者名/発表者名
      藤村直也、ニラウラマダン、安田和人
    • 学会等名
      2011春期応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Dark-current characteristics of radiation detector arrays developed using MOVPE grown thick CdTe layers on Si substartes2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 学会等名
      2011 us Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2011-10-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Fabrication of radiation imaging detector arrays using MOVPE grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 学会等名
      15-th International Conference on II-VI Compounds
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2011-08-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Dark-current characteristics of radiation detector arrays developed using MOVPE grown thick CdTe layers on Si substartes2011

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula
    • 学会等名
      2011 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on Thin Film Physics and Applications
    • 発表場所
      Tongi University Shanghai, China(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Hetero-epitaxial Growth and Doping Properties of CdTe Layers by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 学会等名
      The 2010 International Symposium on Optoelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Chicago, USA.(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Hetero-epitaxial Growth and Doping Properties of CdTe Layers by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 学会等名
      The 2010 International Symposium on Optoelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Chicago, USA(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, Y.Agata
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on Thin Film Physics and Applications
    • 発表場所
      Tongi University, Shanghai, China.(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • 学会等名
      2009 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2009

    • 著者名/発表者名
      安田和人, ニラウラマダン, 他
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、(シンポジウム)
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2009

    • 著者名/発表者名
      安田和人, ニラウラマダン, 他7名
    • 学会等名
      第70回応物物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      ニラウラマダン, 安田和人, et al.
    • 学会等名
      Mat.Res.Soc.Symp.(Invited)
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 学会等名
      Spring Meeting Mat. Research Society Symposium
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-04-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, 他
    • 学会等名
      The 2009 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago, USA.
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      安田和人, ニラウラマダン, et al
    • 学会等名
      US Workshop on the Phys. & Chem.of II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula
    • 学会等名
      2008 Symposium on Radiation Measurements and Applications (SORMA WEST 2008)
    • 発表場所
      Berkeley, UA
    • 年月日
      2009-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula, 他6名
    • 学会等名
      2009 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Fpitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 学会等名
      Mater.Res.Soc.Symp.(Spring Meeting)
    • 発表場所
      San Francisco, USA.(招待講演)
    • 年月日
      2009-04-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2008

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • 学会等名
      2008 Symposium on Radfiation Measurement and Applications (SORMA WEST 2008)
    • 発表場所
      Barkeley
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 学会等名
      IEEE 2008-16^<th> Intern Workshop on Room-Temp Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors
    • 発表場所
      Dresden, Germany.(招待講演)
    • 年月日
      2008-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • 学会等名
      IEEE 2008 16th Intern. Workshop on Room-Temperature Semiconductor X- and gamma-Ray Detectors (RTSD)
    • 発表場所
      Dresden(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2008

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, 他
    • 学会等名
      2008 Symposium on Radiation Measurements and Applications (SORMA WEST 2008)
    • 発表場所
      Berkeley, USA.
    • 年月日
      2008-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310095
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors2007

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula
    • 学会等名
      2007 US Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials
    • 発表場所
      Baltimore, U.S.A.
    • 年月日
      2007-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19200044
  • [学会発表] HBr系エッチング液によるCdTe検出器の表面処理の検討

    • 著者名/発表者名
      神野 悟史、ニラウラ マダン、安田 和人 他
    • 学会等名
      第62回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • [学会発表] Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metal organic vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuda, M. Niraula, Y. Agata
    • 学会等名
      7th International Conference on Thin Film Physics and Application
    • 発表場所
      Tongji Univ., Shanghai, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22240062
  • [学会発表] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究

    • 著者名/発表者名
      松本雅彦,ニラウラ マダン、安田 和人 他
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25242048
  • 1.  安田 和人 (60182333)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 117件
  • 2.  富田 康弘 (50394169)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  鈴木 和彦 (30226500)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi