田中保宣 Tanaka Yasunori

研究者番号	20357453
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究センター長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度 – 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究センター長 2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長 2017年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 総括研究主幹 2014年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 2011年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 2008年度: 産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 主任研究員 2006年度 – 2007年度: 産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外電力工学・電力変換・電気機器 / 大区分C / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電力工学・電気機器工学
キーワード	研究代表者以外 SiC / ワイドバンドギャップ / パワーデバイス / 耐放射線 / CMOS集積回路 / ワイドバンドギャップ半導体 / パワーエレクトロニクス / 静電誘導トランジスタ / 高温 / 高温動作集積回路 … もっと見る / 耐放射線集積回路 / 電子デバイス / 耐放射線デバイス / 高温動作 / シリコンカーバイド半導体 / 極限環境エレクトロニクス / 高速半導体スイッチ / パルスパワー / 電力工学 / 炭化硅素 / 省エネルギー / 炭化珪素 / シリコンカーバイド隠す

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  広島大学
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  広島大学
超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  山梨大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2017 2014 2013 2012 2011 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023
- 著者名/発表者名
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 44 号: 1 ページ: 100-103
- DOI
  10.1109/led.2022.3226494
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 244503-244503
- DOI
  10.1063/5.0095841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 10 ページ: 1713-1716
- DOI
  10.1109/led.2022.3200124
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014
- 著者名/発表者名
  A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 899-902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Tanaka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, M.Okamoto, and K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, M.Okamoto, A.Tanaka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 227-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors(BG-SITs)2007
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Fukuda, K. Arai
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 170-171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits2022
- 著者名/発表者名
  Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之, 目黒達也, 武山昭憲, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之、目黒達也、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022
- 著者名/発表者名
  武山昭憲, 牧野高紘, 田中保宣, 黒木伸一郎, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥、児島一聡、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Pixel Device for Radiation Hardend CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Operating Characteristics of 4H-SiC 3T/4T- Active Pixel Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohsima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS SRAM のノイズマージン評価2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥, 児島一聡, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Coverage Enhancement of Si-SOI/4H-SiC Wafer Direct Bonding by SiO2 insertion2022
- 著者名/発表者名
  Kazuya Kawamura, Tatsuya Meguro, Masayuki Tsutsumi, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Noise Margins and BTI Characteristics of 4H-SiC CMOS Circuits in High-Temperature Environment2022
- 著者名/発表者名
  Takuma Shima, Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, 西垣内健汰, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 19 回研究会　「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] エピタキシャル成長による n/p ウェル構造を用いた 4H-SiC CMOS インバータの特性評価2021
- 著者名/発表者名
  志摩拓真, 甲斐陶弥, 児島一聡, 田中保宣, 大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- 著者名/発表者名
  大島武, 武山昭憲、牧野高紘、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成2021
- 著者名/発表者名
  甲斐　陶弥 , 児島一聡, 志摩　拓真, 大島武, 田中保宣, 黒木　伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第19回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド（SiC）極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から医療応用まで2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  文部科学省共同利用・共同研究拠点生体医歯工学共同研究拠点　令和2年度成果報告会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾, 牧野高紘, 山崎雄一, 大島武, 黒木伸一郎, 田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素プロセス2020
- 著者名/発表者名
  目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET2017
- 著者名/発表者名
  N. Kikuchi, T. Ishikawa, Y. Tanaka, K. Yano
- 学会等名
  Proceedings of International conference on Eeectrical machines and systems (ICEMS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13927
[学会発表] SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性2014
- 著者名/発表者名
  望月雄貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] 3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計2014
- 著者名/発表者名
  飯塚大臣、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善2013
- 著者名/発表者名
  勝俣公貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究台22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善2012
- 著者名/発表者名
  中嶋　竜基、矢野　浩司、田中　保宣、八尾　勉、高塚　章夫
- 学会等名
  SIC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２１回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂（大阪府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会(本大会は東日本震災のため中止になりましたが、予稿集は震災前に公表されています)
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters2008
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] AraiShort circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, and K.
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Short circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, K. Arai
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters, European Silicon Carbide and Related Matterials2008
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, A.Takatsuka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 学会等名
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] 3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
- 著者名/発表者名
  Yasunori TANAKA , Akio TAKATSUKA, Koji YANO, Norio MATSUMOTO, Tsutomu YATSUO
- 学会等名
  European Conference Silicon Carbide & Related Materials
- 発表場所
  Grenoble,France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327

1. 八尾勉 (10399503)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
2. 矢野浩司 (90252014)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 19件
3. 山本真幸 (00511320)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
4. 黒木伸一郎 (70400281)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 24件
5. 児島一聡 (40371041)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
6. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
7. 武山昭憲 (50370424)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
8. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件

田中 保宣 Tanaka Yasunori

研究課題

研究成果

共同研究者

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009

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[雑誌論文] Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009

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[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

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[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)2007

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[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors(BG-SITs)2007

田中保宣 Tanaka Yasunori

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022