大井暁彦 Ohi Akihiko

研究者番号	20370364
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 主任エンジニア
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2023年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 主任エンジニア
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者以外 Al2O3 / ZrO2 / 電気特性 / 積層膜 / 複合酸化物 / キャパシタ / 巨大誘電率 / 酸素欠損 / ナノラミネート複合機能膜 / 誘電率 … もっと見る / MIMキャパシタ / (HfO2)/(ZrO2)膜 / ナノラミネート膜 / GaNパワーデバイス / HfZrOx膜 / HfAlOx膜 / 高誘電率 / 機能性複合酸化物膜 / ナノラミネート構造 / 原子層堆積法隠す

原子レベルで酸素欠損制御したナノラミネート複合機能膜と巨大誘電率の発現メカニズム
- 研究代表者
  
  生田目俊秀
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構

すべて 2021 2020

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing2021
- 著者名/発表者名
  Hirose Masafumi、Nabatame Toshihide、Irokawa Yoshihiro、Maeda Erika、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Sang Liwen、Koide Yasuo、Kiyono Hajime
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science &Technology A
  
  巻: 39 号: 1 ページ: 012401-012401
- DOI
  10.1116/6.0000626
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[雑誌論文] Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress2021
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Riku、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Nagata Takahiro、Tsukagoshi Kazuhito、Ogura Atsushi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SC ページ: SCCM01-SCCM01
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe685
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18J22998, KAKENHI-PROJECT-20H02189
[雑誌論文] Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O32021
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Riku、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Nagata Takahiro、Tsukagoshi Kazuhito、Ogura Atsushi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 3 ページ: 030903-030903
- DOI
  10.35848/1347-4065/abde54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18J22998, KAKENHI-PROJECT-20H02189
[雑誌論文] Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition2021
- 著者名/発表者名
  Nabatame Toshihide、Maeda Erika、Inoue Mari、Hirose Masafumi、Irokawa Yoshihiro、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Onaya Takashi、Shiozaki Koji、Ochi Ryota、Hashizume Tamotsu、Koide Yasuo
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science &Technology A
  
  巻: 39 号: 6 ページ: 062405-062405
- DOI
  10.1116/6.0001334
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189, KAKENHI-PROJECT-21J01667
[雑誌論文] Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures2021
- 著者名/発表者名
  Sawada Tomomi、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Inoue Mari、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Tsukagoshi Kazuhito
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 104 号: 4 ページ: 121-128
- DOI
  10.1149/10404.0121ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189, KAKENHI-PROJECT-21J01667
[学会発表] Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1－xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique2021
- 著者名/発表者名
  Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura
- 学会等名
  MANA International Symposium 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor2021
- 著者名/発表者名
  Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi, Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura
- 学会等名
  AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas2021
- 著者名/発表者名
  Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Erika Maeda, Takashi Onaya, Masashi Hirose, Riku Kobayashi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi
- 学会等名
  21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] mportance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures2021
- 著者名/発表者名
  Sawada Tomomi、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Inoue Mari、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Tsukagoshi Kazuhito
- 学会等名
  240th ECS Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性2020
- 著者名/発表者名
  小林陸, 生田目俊秀, 女屋崇, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 塚越一仁, 小椋厚志
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較2020
- 著者名/発表者名
  前田瑛里香, 生田目俊秀, 廣瀨雅史, 井上万里, 大井暁彦, 池田直樹, 塩崎宏司, 橋詰保, 清野肇
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] Characteristic of flexible ReRAM with Al2O3/TiO2 active layer by ALD and PDA process at low temperature2020
- 著者名/発表者名
  Toshihide Nabatame, Tomoji Oishi, Mari Inoue, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Naoki Ikeda, Akihiko Ohi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189
[学会発表] nfluence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel2020
- 著者名/発表者名
  Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takahsi Onaya, Akihiko Ohi,Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsusi Ogura
- 学会等名
  33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02189

1. 生田目俊秀 (10551343)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 池田直樹 (10415771)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
3. 塚越一仁 (50322665)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件

大井 暁彦 Ohi Akihiko

研究課題

研究成果

共同研究者

原子レベルで酸素欠損制御したナノラミネート複合機能膜と巨大誘電率の発現メカニズム

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O32021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1－xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] mportance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Characteristic of flexible ReRAM with Al2O3/TiO2 active layer by ALD and PDA process at low temperature2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] nfluence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

大井暁彦 Ohi Akihiko