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長汐 晃輔  Nagashio Kosuke

研究者番号 20373441
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0003-1181-8644
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2015年度 – 2019年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授
2017年度: 東京大学, 大学院工学研究科, 教授
2012年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2012年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 … もっと見る
2007年度 – 2010年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師
2009年度: 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助手
2006年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助手
2005年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部宇宙環境利用学研究系, 助手
2005年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系, 助手
2004年度 – 2005年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部・宇宙環境利用科学研究系, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 材料加工・処理 / 大区分D / 金属・資源生産工学 / 電子デバイス・電子機器 / 理工系 / 金属生産工学 / マイクロ・ナノデバイス
研究代表者以外
材料加工・処理 … もっと見る / 学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 / 理工系 / 金属物性 / ナノ材料化学 隠す
キーワード
研究代表者
2次元材料 / グラフェン / トンネルFET / 超低消費電力 / h-BN / トンネルトランジスタ / 超低消費電力デバイス / ALD / 層状物質 / 電界効果トランジスタ … もっと見る / コンタクト抵抗 / CVD / 移動度 / ゲート絶縁膜 / トランジスタ / 急速凝固 / 置換型ドーピング / 超低消費電力動作 / ドーピング / WSe2 / MoS2 / 2Dヘテロ界面 / 低消費電力 / ヘテロ界面 / 2次元層状材料 / トンネル現象 / 圧電 / 強誘電特性 / 2次元強誘電体 / SnS / 圧電・強誘電 / 環境発電 / CVD成長 / ヘテロ構造 / 直接成長 / ファンでアワールスヘテロ / ゲートスタック / 2次元層状半導体 / 絶縁破壊 / high-k絶縁膜 / 高誘電率 / 複合化 / 2D材料 / high-kゲート / 絶縁膜堆積 / 2次元層状材料 / Y2O3 / ホットエレクトロン / バッファー層 / ホットエレクトロントランジスタ / トップゲート / 複層界面相互作用 / 結晶成長 / トランスポート / 服装界面相互作用 / 複層化技術 / 散乱機構 / 原子層膜 / 結晶評価 / 結晶育成 / 複層化 / 原子層 / 輸送特性 / 物理吸着 / 化学結合 / コンタクト / 状態密度 / MICA / Cu / 高移動度 / 単結晶 / 電界効果 / グラフェン電界効果トランジスタ / ナノ電子デバイス / 熱伝達係数 / 冷却基板 / 赤外カメラ / シリコン / メルトスピン / ベロブスカイト構造 / 準安定相 / ペロブスカイト構造 / 酸化物 / 過冷却 … もっと見る
研究代表者以外
グラフェン / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 原子層物質 / 無容器プロセス / 2.5次元物質 / インターカレーション / 二層グラフェン / Nd-Fe-B / 複合原子層 / 遷移金属カルコゲナイド / 過冷融液 / シリコン / 相変態 / 過冷凝固 / ドロップチューブ / ドロップチューブ法 / 準安定相 / 2D Materials / Wafer-scale / epitaxy growth / MoS2 / sapphire / mono-orientation / 2D semiconductors / single-crystallinity / Symmetry / エネルギーデバイス / 光デバイス / 電子デバイス / 界面・空間 / 層間ナノ空間 / ファンデルワールス相互作用 / モアレ超格子 / ファンデルワールス相互小夜 / 二次元ヘテロ構造 / 社会変革 / 二次元ナノ空間 / ファンデルワールス制御 / 転写法 / 転写技術 / トランジスタ / 転写プロセス / CVD成長 / 電界効果トランジスタ / CVD / 単層グラフェン / マイクロ・ナノテバイス / 触媒・化学プロセス / 結晶成長 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ材料 / 原子層分子 / SIC / 電極材料 / 量子ホール状態 / モアレ構造 / ナノシート / h-BN / バレートロニクス / THz分光 / 有機合成 / 角度分解光電子分光 / THz分光 / 強磁場施設 / h-BN 資料提供 / 六方窒化ホウ素 / 2次元物理 / electromagnetic levitation / diffusion / density / germanium / silicon / Wiedemann-Franz law / thermal conductivity / undercooled melt / 静磁場 / 対流 / 熱物性 / 電磁浮遊 / 半導体融液 / 過冷却 / 電磁浮遊法 / 拡散 / 密度 / ゲルマニウム / Wiedemann-Franz則 / 熱伝導率 / Phase transformation / Near-net shape casting / Metastable phase / Undercooling / Containerless processing / ニアネットシェイプ キャスティング / ニアネットシェイプキャスティング / 遷移金属カルコゲン物質 / 原子層 / 中間報告書 / 気相化学合成 / NT15 / 複合原子層物質 / CNT25 / A3シンポジウム / 量子デバイス / グラフェンフラッグシップ / 原子層超伝導 / 物性実験 / 磁性 / 過冷却液 / 金属物性 / 電子・磁気物性 / 静電浮遊炉 / セミソリッド / 球状結晶 / AIP / 溶解度積 / AlP / semi-solidプロセス / 球状Si結晶 / Nd-Fe-B合金 / Nd-Fe-B合 / ナノコンポジット 隠す
  • 研究課題

    (25件)
  • 研究成果

    (505件)
  • 共同研究者

    (49人)
  •  Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides with continuous single crystallinity and ultralow defect density

    • 研究代表者
      トン ヴィンセント
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  集積化可能な2次元トンネルFET構造の提案とその超低消費電力動作の実証研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      東京大学
  •  2.5次元物質科学の総括

    • 研究代表者
      吾郷 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2025
    • 研究種目
      学術変革領域研究(A)
    • 審査区分
      学術変革領域研究区分(Ⅱ)
    • 研究機関
      九州大学
  •  2.5次元構造体の電子・光・エネルギー応用への展開

    • 研究代表者
      上野 貢生
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2025
    • 研究種目
      学術変革領域研究(A)
    • 審査区分
      学術変革領域研究区分(Ⅱ)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノ発電素子実現のための革新的層状圧電材料の特性実証研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  グラフェンのテーラーメイド合成とその展開

    • 研究代表者
      吾郷 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  2次元原子層チャネルにユニバーサルなゲートスタック技術の構築研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  触媒金属蒸気を利用したh-BN上へのグラフェンのCVD直接成長研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      金属・資源生産工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子層物質の国際的提供と共同研究の推進

    • 研究代表者
      齋藤 理一郎
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
  •  AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用

    • 研究代表者
      吾郷 浩樹
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料化学
    • 研究機関
      九州大学
  •  グラフェンをベースとしたホットエレクトロントランジスタの電流利得向上研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子層科学の推進

    • 研究代表者
      齋藤 理一郎
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2017
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
  •  複合原子層の界面特性理解と原子層デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2017
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  触媒金属のクロライド化除去によるCVDグラフェンの高移動度化研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2013
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      金属生産工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  状態密度の大きく異なるグラフェン・金属界面での電流注入の理解と制御研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  外部電場バンドギャップエンジニアリングによる2層グラフェンの電気的オフの実現研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      東京大学
  •  Cо系過冷融液の磁気特性

    • 研究代表者
      稲富 裕光
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  赤外線カメラを用いたメルトスピンによる急速凝固過程の解明研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      東京大学
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  ソーラーセル用完全軸対称シリコンティアドロップ結晶の製造

    • 研究代表者
      栗林 一彦
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  準安定相の生成・分解を利用したNd-Fe-Bナノコンポジット磁石の創成

    • 研究代表者
      栗林 一彦
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  大過冷を利用した新しい非線形光学材料創成プロセスの提案研究代表者

    • 研究代表者
      長汐 晃輔
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  ゲルマニウムおよびシリコン過冷却融液における熱・物質の輸送特性

    • 研究代表者
      稲富 裕光
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
  •  過冷メルトからの希土類系磁石のニアネットシェイプキャスティング

    • 研究代表者
      栗林 一彦
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向2023

    • 著者名/発表者名
      宮田 耕充、吾郷 浩樹、松田 一成、長汐 晃輔、他
    • 総ページ数
      326
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • ISBN
      9784781317588
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [図書] 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向2023

    • 著者名/発表者名
      宮田耕充、吾郷浩樹、松田一成、長汐晃輔
    • 総ページ数
      120
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • ISBN
      9784781317588
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [図書] 固体物理2023

    • 著者名/発表者名
      越野幹人,松田一成,岩佐義宏,谷口尚,町田友樹,長汐晃輔,末永和知,佐藤宇史,中野匡規,花栗哲郎,島崎佑也,笹川崇男,山本倫久,斎藤優
    • 総ページ数
      204
    • 出版者
      アグネ技術センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [図書] 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向2023

    • 著者名/発表者名
      宮田耕充, 吾郷浩樹, 松田一成, 長汐晃輔
    • 総ページ数
      324
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • ISBN
      9784781317588
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [図書] 固体物理2023

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 総ページ数
      206
    • 出版者
      アグネ技術センター
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [図書] 2 次元層状 SnS の面内強誘電性の実証2021

    • 著者名/発表者名
      東垂水直樹,長汐晃輔
    • 総ページ数
      4
    • 出版者
      セラミックス,2021, 56, 447-450.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] "MoS2 FETにおけるゲート容量の理解", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京, 2020, pp. 183-191.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [図書] "2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御",2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      8
    • 出版者
      応用物理, 2020, 89, 139-146.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] "完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京, 2020, pp. 33-41, ISBN:9784860436636
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] "2次元層状トンネルFET", ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京,2020, pp. 251-260.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] "2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御",2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      8
    • 出版者
      応用物理, 2020, 89, 139-146.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [図書] "2次元層状トンネルFET", ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京,2020, pp. 251-260.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [図書] "完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京, 2020, pp. 33-41
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [図書] "MoS2 FETにおけるゲート容量の理解", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス, 東京, 2020, pp. 183-191. ISBN:9784860436636
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] ”hBNの絶縁性破壊強さの異方性とその起源”2019

    • 著者名/発表者名
      服部吉晃,長汐晃輔,
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      NEW DIAMOND,2019, 35
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [図書] ”hBNの絶縁性破壊強さの異方性とその起源”2019

    • 著者名/発表者名
      服部吉晃,長汐晃輔,
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      NEW DIAMOND,2019, 35
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [図書] 「グラフェンの伝導特性とエネルギーギャップ形成」, 二次元物質の科学 グラフェンなどの分子シートが生み出す新世界, 61-67,2017,日本化学会編 p61-67.2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 総ページ数
      7
    • 出版者
      化学同人
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [図書] "2次元層状チャネルFETの電子輸送特性"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 総ページ数
      6
    • 出版者
      応用電子物性分科会誌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [図書] "グラフェンの伝導特性とエネルギーギャップ形成", 二次元物質の科学, CSJカレントレビュー, 第26号,2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 出版者
      日本化学会編 化学同人
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [図書] "2次元層状チャネルFETの電子輸送特性"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 出版者
      応用電子物性分科会誌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [図書] "グラフェンの伝導特性とエネルギーギャップ形成", 二次元物質の科学, CSJカレントレビュー, 第26号, 日本化学会編2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 総ページ数
      7
    • 出版者
      化学同人
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [図書] 2D materials for nanoelectronics2016

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Nagashio
    • 出版者
      CRC Press
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [図書] 「電界効果トランジスタにおけるゲートスタック形成と評価」カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線2016

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [図書] 「Metal contacts to Graphene」 2D materials for nanoelectronics, edited by M.Houssa, A. Dimoulas, A. Molle2016

    • 著者名/発表者名
      Akira Toriumi, Koske Nagashio
    • 出版者
      CRC Press
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [図書] "電界効果トランジスタにおけるゲートスタック形成と評価", カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線2016

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [図書] , "電界効果トランジスタにおけるゲートスタック形成と評価", カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線2016

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [図書] 2D materials for nanoelectronics2016

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Nagashio
    • 出版者
      CRC Press
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [図書] 「Graphene/metal contact」 in Frontiers of graphene and carbon nanotubes-Devices and applications2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, A. Toriumi
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [図書] Frontiers of graphene and carbon nanotubes2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, A. Toriumi
    • 総ページ数
      25
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [図書] Frontiers of graphene and carbon nanotubes2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, A. Toriumi
    • 総ページ数
      25
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [図書] グラフェンの最先端技術と拡がる応用2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 出版者
      フロンティア出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [図書] グラフェンの機能と応用展望II2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 出版者
      フロンティア出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [図書] グラフェン・イノベーション2011

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 総ページ数
      13
    • 出版者
      日経BP社,東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [図書] Crystal growth of spherical Si, Crystal growth of Si forsolar cells(ed. by T. Fukuda)(in press)

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Single-Gate MoS2 Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction2024

    • 著者名/発表者名
      Fukui Tomohiro、Nishimura Tomonori、Miyata Yasumitsu、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials and Interfaces

      巻: 16 号: 7 ページ: 8993-9001

    • DOI

      10.1021/acsami.3c15535

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05234, KAKENHI-PUBLICLY-22H05445, KAKENHI-PROJECT-22H00283
  • [雑誌論文] Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics2023

    • 著者名/発表者名
      Ogura Hiroto、Kawasaki Seiya、Liu Zheng、Endo Takahiko、Maruyama Mina、Gao Yanlin、Nakanishi Yusuke、Lim Hong En、Yanagi Kazuhiro、Irisawa Toshifumi、Ueno Keiji、Okada Susumu、Nagashio Kosuke、Miyata Yasumitsu
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 17 号: 7 ページ: 6545-6554

    • DOI

      10.1021/acsnano.2c11927

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K14484, KAKENHI-PLANNED-21H05234, KAKENHI-PUBLICLY-22H05445, KAKENHI-PROJECT-20H02080, KAKENHI-PROJECT-20H02572, KAKENHI-PROJECT-20H02605, KAKENHI-PROJECT-22KJ2554, KAKENHI-PROJECT-21K14498, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PUBLICLY-22H05469, KAKENHI-PROJECT-22H04957, KAKENHI-PROJECT-23K26500
  • [雑誌論文] Shift‐Current Photovoltaics Based on a Non‐Centrosymmetric Phase in In‐Plane Ferroelectric SnS2023

    • 著者名/発表者名
      Chang Yih‐Ren、Nanae Ryo、Kitamura Satsuki、Nishimura Tomonori、Wang Haonan、Xiang Yubei、Shinokita Keisuke、Matsuda Kazunari、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Materials

      巻: 35 号: 29 ページ: 2301172-2301172

    • DOI

      10.1002/adma.202301172

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K18986, KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05235, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-20H05664, KAKENHI-PROJECT-22H04957, KAKENHI-PROJECT-21H01012
  • [雑誌論文] p-Type Conversion of WS2 and WSe2 by Position-Selective Oxidation Doping and Its Application in Top Gate Transistors2023

    • 著者名/発表者名
      Kato Ryoichi、Uchiyama Haruki、Nishimura Tomonori、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Chen Edward、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials and Interfaces

      巻: 15 号: 22 ページ: 26977-26984

    • DOI

      10.1021/acsami.3c04052

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PUBLICLY-22H05445, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Resonant exciton transfer in mixed-dimensional heterostructures for overcoming dimensional restrictions in optical processes2023

    • 著者名/発表者名
      Fang N.、Chang Y. R.、Yamashita D.、Fujii S.、Maruyama M.、Gao Y.、Fong C. F.、Otsuka K.、Nagashio K.、Okada S.、Kato Y. K.
    • 雑誌名

      Nature Communications

      巻: 14 号: 1 ページ: 8152-8159

    • DOI

      10.1038/s41467-023-43928-2

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K14623, KAKENHI-PROJECT-22KF0407, KAKENHI-PROJECT-22K14624, KAKENHI-PROJECT-22K14625, KAKENHI-PROJECT-20H02558, KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Experimental verification of SO2 and S desorption contributing to defect formation in MoS2 by thermal desorption spectroscopy2023

    • 著者名/発表者名
      Li Shuhong、Nishimura Tomonori、Maruyama Mina、Okada Susumu、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Nanoscale Advances

      巻: 5 号: 2 ページ: 405-411

    • DOI

      10.1039/d2na00636g

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K14484, KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] From h‐BN to Graphene: Characterizations of Hybrid Carbon‐Doped h‐BN for Applications in Electronic and Optoelectronic Devices2023

    • 著者名/発表者名
      Ngamprapawat Supawan、Kawase Jimpei、Nishimura Tomonori、Watanabe Kenji、Taniguchi Takashi、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Electronic Materials

      巻: 9 号: 8 ページ: 2300083-2300083

    • DOI

      10.1002/aelm.202300083

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KJ0416, KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Work Function Modulation of Bi/Au Bilayer System toward p-Type WSe2 FET2023

    • 著者名/発表者名
      Nakajima Ryuichi、Nishimura Tomonori、Ueno Keiji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 6 号: 1 ページ: 144-149

    • DOI

      10.1021/acsaelm.3c01091

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PUBLICLY-22H05445
  • [雑誌論文] 2次元圧電/強誘電物質2023

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 雑誌名

      固体物理

      巻: 58 ページ: 49-56

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [雑誌論文] A Monolayer MoS2 FET with an EOT of 1.1 nm Achieved by the Direct Formation of a High-k Er2O3 Insulator Through Thermal Evaporation2023

    • 著者名/発表者名
      Uchiyama Haruki、Maruyama Kohei、Chen Edward、Nishimura Tomonori、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Small

      巻: 19 号: 15 ページ: 2207394-2207394

    • DOI

      10.1002/smll.202207394

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Is band gap of bulk PdSe2 located really in far infrared region? Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Adv. Photonics Res.

      巻: 3 号: 11 ページ: 231-232

    • DOI

      10.1002/adpr.202200231

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05445, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN2022

    • 著者名/発表者名
      T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      ACS Appl. Mater. Interfaces

      巻: 14 号: 22 ページ: 25659-25669

    • DOI

      10.1021/acsami.2c03198

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05445, KAKENHI-PROJECT-20H00354, KAKENHI-PLANNED-21H05233, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Wavelength dependence of polarization-resolved second harmonic generation from ferroelectric SnS few layers2022

    • 著者名/発表者名
      Moqbel Redhwan、Chang Yih-Ren、Li Zi-Yi、Kung Sheng-Hsun、Cheng Hao-Yu、Lee Chi-Cheng、Nagashio Kosuke、Lin Kung-Hsuan
    • 雑誌名

      2D Materials

      巻: 10 号: 1 ページ: 015022-015022

    • DOI

      10.1088/2053-1583/acab74

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Current Injection into Single-Crystalline Carbon-Dope h-BN toward Electronic and Optoelectronic Applications2022

    • 著者名/発表者名
      Ngamprapawat Supawan、Nishimura Tomonori、Watanabe Kenji、Taniguchi Takashi、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials and Interfaces

      巻: 14 号: 22 ページ: 25731-25740

    • DOI

      10.1021/acsami.2c04544

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00354, KAKENHI-PLANNED-21H05233, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Quantization of Mode Shifts in Nanocavities Integrated with Atomically Thin Sheets2022

    • 著者名/発表者名
      Fang Nan、Yamashita Daiki、Fujii Shun、Otsuka Keigo、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke、Kato Yuichiro K.
    • 雑誌名

      Advanced Optical Materials

      巻: 10 号: 19 ページ: 2200538-2200538

    • DOI

      10.1002/adom.202200538

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PROJECT-22K14624, KAKENHI-PLANNED-21H05233, KAKENHI-PROJECT-22H04957, KAKENHI-PROJECT-20H02558, KAKENHI-PROJECT-20J00817
  • [雑誌論文] Performance Enhancement of SnS/{\it h}-BN Heterostructure p-Type FET via the Thermodynamically Predicted Surface Oxide Conversion Method2022

    • 著者名/発表者名
      Chang Yih-Ren、Nishimura Tomonori、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 14 号: 17 ページ: 19928-19937

    • DOI

      10.1021/acsami.2c05534

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05233, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation2022

    • 著者名/発表者名
      Ago Hiroki、Okada Susumu、Miyata Yasumitsu、Matsuda Kazunari、Koshino Mikito、Ueno Kosei、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Science and Technology of Advanced Materials

      巻: - 号: 1 ページ: 275-299

    • DOI

      10.1080/14686996.2022.2062576

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232, KAKENHI-PLANNED-21H05235, KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-18H03864, KAKENHI-PROJECT-21K18878, KAKENHI-PLANNED-21H05234, KAKENHI-PLANNED-21H05236, KAKENHI-PROJECT-20H01840, KAKENHI-PROJECT-18H05205, KAKENHI-PLANNED-21H05233, KAKENHI-PROJECT-20H05664, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Thermodynamic Perspective on the Oxidation of Layered Materials and Surface Oxide Amelioration in 2D Devices2021

    • 著者名/発表者名
      Chang Yih-Ren、Nishimura Tomonori、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 13 号: 36 ページ: 43282-43289

    • DOI

      10.1021/acsami.1c13279

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [雑誌論文] Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface2021

    • 著者名/発表者名
      Umeda Masaya、Higashitarumizu Naoki、Kitaura Ryo、Nishimura Tomonori、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 12 ページ: 125002-125002

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac3d1f

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-20H02566, KAKENHI-PROJECT-21K18930
  • [雑誌論文] Quantitative determination of contradictory bandgap values of bulk PdSe2 from electrical transport properties2021

    • 著者名/発表者名
      Nishiyama Wataru、Nishimura Tomonori、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Functional Materials

      巻: 32 号: 9 ページ: 2108061-2108061

    • DOI

      10.1002/adfm.202108061

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237, KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [雑誌論文] Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS and SnSe: Exploration of n+‐Source for 2D Tunnel FETs2021

    • 著者名/発表者名
      Sato Yuichiro、Nishimura Tomonori、Duanfei Dong、Ueno Keiji、Shinokita Keisuke、Matsuda Kazunari、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Electronic Materials

      巻: 7 号: 12 ページ: 2100292-2100292

    • DOI

      10.1002/aelm.202100292

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22142, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-20H05664
  • [雑誌論文] Material and Device Structure Designs for 2D Memory Devices Based on the Floating Gate Voltage Trajectory2021

    • 著者名/発表者名
      Sasaki Taro、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nishimura Tomonori、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 15 号: 4 ページ: 6658-6668

    • DOI

      10.1021/acsnano.0c10005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [雑誌論文] Thickness-dependent Raman active modes of SnS thin films2021

    • 著者名/発表者名
      Yonemori Itsuki、Dutta Sudipta、Nagashio Kosuke、Wakabayashi Katsunori
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 11 号: 9 ページ: 095106-095106

    • DOI

      10.1063/5.0062857

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-21H01019
  • [雑誌論文] Quantum-mechanical effect in atomically thin MoS 2 FET2020

    • 著者名/発表者名
      Fang Nan、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      2D Materials

      巻: 7 号: 1 ページ: 014001-014001

    • DOI

      10.1088/2053-1583/ab42c0

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Purely in-plane ferroelectricity in monolayer SnS at room temperature2020

    • 著者名/発表者名
      Higashitarumizu Naoki、Kawamoto Hayami、Lee Chien-Ju、Lin Bo-Han、Chu Fu-Hsien、Yonemori Itsuki、Nishimura Tomonori、Wakabayashi Katsunori、Chang Wen-Hao、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Nature Communications

      巻: 11 号: 1 ページ: 1-5

    • DOI

      10.1038/s41467-020-16291-9

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-18H01154, KAKENHI-PROJECT-19J13579, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene2020

    • 著者名/発表者名
      Solis-Fernandez Pablo、Terao Yuri、Kawahara Kenji、Nishiyama Wataru、Uwanno Teerayut、Lin Yung-Chang、Yamamoto Keisuke、Nakashima Hiroshi、Nagashio Kosuke、Hibino Hiroki、Suenaga Kazu、Ago Hiroki
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 14 号: 6 ページ: 6834-6844

    • DOI

      10.1021/acsnano.0c00645

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14119, KAKENHI-PROJECT-16H06333, KAKENHI-PROJECT-18H03864, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-19K22113
  • [雑誌論文] Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS22020

    • 著者名/発表者名
      Maruyama Mina、Nagashio Kosuke、Okada Susumu
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 2 号: 5 ページ: 1352-1357

    • DOI

      10.1021/acsaelm.0c00139

    • NAID

      120007127633

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01069, KAKENHI-PROJECT-20K05253, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Carrier Distribution Control in van der Waals Heterostructures of MoS2 and WS2 by Field-Induced Band-Edge Engineering2020

    • 著者名/発表者名
      Maruyama Mina、Nagashio Kosuke、Okada Susumu
    • 雑誌名

      Physical Review Applied

      巻: 14 号: 4 ページ: 044028-044028

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.14.044028

    • NAID

      120007132502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05253, KAKENHI-PROJECT-20H05664, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Micrometer-scale monolayer SnS growth by physical vapor deposition2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamoto H.、Higashitarumizu N.、Nagamura N.、Nakamura M.、Shimamura K.、Ohashi N.、Nagashio K.
    • 雑誌名

      Nanoscale

      巻: 12 号: 45 ページ: 23274-23281

    • DOI

      10.1039/d0nr06022d

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19J13579, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] All 2D Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality2020

    • 著者名/発表者名
      Nakamura Keigo、Nagamura Naoka、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 12 号: 46 ページ: 51598-51606

    • DOI

      10.1021/acsami.0c13233

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs2020

    • 著者名/発表者名
      Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 35 号: 10 ページ: 103003-103003

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aba287

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage2020

    • 著者名/発表者名
      Sasaki Taro、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nishimura Tomonori、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Small

      巻: 16 号: 47 ページ: 2004907-2004907

    • DOI

      10.1002/smll.202004907

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [雑誌論文] Hexagonal Boron Nitride As an Ideal Substrate for Carbon Nanotube Photonics2020

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Otsuka, A. Ishii, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, and Y. K. Kato
    • 雑誌名

      ACS Photonics

      巻: 7 号: 7 ページ: 1773-1779

    • DOI

      10.1021/acsphotonics.0c00406

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K15120, KAKENHI-PROJECT-20K15137, KAKENHI-PROJECT-19K23593, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-20H00354, KAKENHI-PROJECT-19J00894, KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-16H05962
  • [雑誌論文] Detection of both optical polarization and coherence transfers to excitonic valley states in CVD-grown monolayer MoS22019

    • 著者名/発表者名
      Asakura Eito、Suzuki Masaki、Karube Shutaro、Nitta Junsaku、Nagashio Kosuke、Kohda Makoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 6 ページ: 063005-063005

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab21a8

    • NAID

      210000156025

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PLANNED-15H05854, KAKENHI-PROJECT-15H02099, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-15H05699
  • [雑誌論文] Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors2019

    • 著者名/発表者名
      Nagamura Naoka、Fukidome Hirokazu、Nagashio Kosuke、Horiba Koji、Ide Takayuki、Funakubo Kazutoshi、Tashima Keiichiro、Toriumi Akira、Suemitsu Maki、Horn Karsten、Oshima Masaharu
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 152 ページ: 680-687

    • DOI

      10.1016/j.carbon.2019.06.038

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-16H06361, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PROJECT-18K19011, KAKENHI-PROJECT-19H02590
  • [雑誌論文] Uniform and ultrathin high-κ gate dielectrics for two-dimensional electronic devices2019

    • 著者名/発表者名
      Li Weisheng、Zhou Jian、Cai Songhua、Yu Zhihao、Zhang Jialin、Fang Nan、Li Taotao、Wu Yun、Chen Tangsheng、Xie Xiaoyu、Ma Haibo、Yan Ke、Dai Ningxuan、Wu Xiangjin、Zhao Huijuan、Wang Zixuan、He Daowei、Pan Lijia、Shi Yi、Wang Peng、Chen Wei、Nagashio Kosuke、Duan Xiangfeng、Wang Xinran
    • 雑誌名

      Nature Electronics

      巻: 2 号: 12 ページ: 563-571

    • DOI

      10.1038/s41928-019-0334-y

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [雑誌論文] Full Energy Spectra of Interface State Densities for n ‐ and p ‐type MoS 2 Field‐Effect Transistors2019

    • 著者名/発表者名
      Fang Nan、Toyoda Satoshi、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Functional Materials

      巻: 29 号: 49 ページ: 1904465-1904465

    • DOI

      10.1002/adfm.201904465

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [雑誌論文] Pinpoint pick-up and bubble-free assembly of 2D materials using PDMS/PMMA polymers with lens shapes2019

    • 著者名/発表者名
      Toyoda Satoshi、Uwanno Teerayut、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 5 ページ: 055008-055008

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab176b

    • NAID

      210000155715

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [雑誌論文] Self-passivated ultra-thin SnS layers via mechanical exfoliation and post-oxidation2018

    • 著者名/発表者名
      Higashitarumizu Naoki、Kawamoto Hayami、Nakamura Masaru、Shimamura Kiyoshi、Ohashi Naoki、Ueno Keiji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Nanoscale

      巻: 10 号: 47 ページ: 22474-22483

    • DOI

      10.1039/c8nr06390g

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Expansion of the Graphdiyne Family: A Triphenylene-Cored Analogue2018

    • 著者名/発表者名
      Matsuoka Ryota、Toyoda Ryojun、Shiotsuki Ryo、Fukui Naoya、Wada Keisuke、Maeda Hiroaki、Sakamoto Ryota、Sasaki Sono、Masunaga Hiroyasu、Nagashio Kosuke、Nishihara Hiroshi
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 10 号: 3 ページ: 2730-2733

    • DOI

      10.1021/acsami.8b00743

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26708005, KAKENHI-PUBLICLY-16H00900, KAKENHI-PROJECT-19K21956, KAKENHI-PROJECT-19H00755, KAKENHI-PUBLICLY-17H05354, KAKENHI-PROJECT-26220801, KAKENHI-PROJECT-17H03028
  • [雑誌論文] Hydrogen-assisted epitaxial growth of monolayer tungsten disulfide and seamless grain stitching2018

    • 著者名/発表者名
      Ji Hyun Goo、Lin Yung-Chang、Nagashio Kosuke、Maruyama Mina、Sol?s-Fern?ndez Pablo、Sukma Aji Adha、Panchal Vishal、Okada Susumu、Suenaga Kazu、Ago Hiroki
    • 雑誌名

      Chemistry of Materials

      巻: 30 号: 2 ページ: 403-411

    • DOI

      10.1021/acs.chemmater.7b04149

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19036, KAKENHI-PUBLICLY-16H00917, KAKENHI-PROJECT-15H03530, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Band tail interface states and quantum capacitance in a monolayer molybdenum disulfide field-effect-transistor2018

    • 著者名/発表者名
      Fang Nan、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 51 号: 6 ページ: 065110-065119

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aaa58c

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17J09690, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Electrically Inert h-BN/Bilayer Graphene Interface in All-Two-Dimensional Heterostructure Field Effect Transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Uwanno Teerayut、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 10 号: 34 ページ: 28780-28788

    • DOI

      10.1021/acsami.8b08959

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Type-II HfS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub> Heterojunction Transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Netsu Seiko、Kanazawa Toru、Uwanno Teerayut、Amemiya Tomohiro、Nagashio Kosuke、Miyamoto Yasuyuki
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E101.C 号: 5 ページ: 338-342

    • DOI

      10.1587/transele.E101.C.338

    • NAID

      130006729710

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2018-05-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H00905, KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-16H06082
  • [雑誌論文] Direct observation of electron capture and emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET2018

    • 著者名/発表者名
      Taniguchi Koki、Fang Nan、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 13 ページ: 133505-133505

    • DOI

      10.1063/1.5048099

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application2018

    • 著者名/発表者名
      Higashitarumizu Naoki、Kawamoto Hayami、Ueno Keiji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: 3 号: 45-46 ページ: 2809-2814

    • DOI

      10.1557/adv.2018.404

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Accumulation-Mode Two-Dimensional Field-Effect Transistor: Operation Mechanism and Thickness Scaling Rule2018

    • 著者名/発表者名
      Fang Nan、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 10 号: 38 ページ: 32355-32364

    • DOI

      10.1021/acsami.8b10687

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-17J09690
  • [雑誌論文] Impact ionization and transport properties of hexagonal boron nitride in a constant-voltage measurement2018

    • 著者名/発表者名
      Hattori Yoshiaki、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 97 号: 4

    • DOI

      10.1103/physrevb.97.045425

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14656, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] 2D Tunnel Field Effect Transistors (FETs) with a Stable Charge-Transfer-Type p+-WSe2 Source2018

    • 著者名/発表者名
      He Junyang、Fang Nan、Nakamura Keigo、Ueno Keiji、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      Advanced Electronic Materials

      巻: 4 号: 7 ページ: 1800207-1800207

    • DOI

      10.1002/aelm.201800207

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Determination of Carrier Polarity in Fowler-Nordheim Tunneling and Evidence of Fermi Level Pinning at the Hexagonal Boron Nitride/Metal Interface2018

    • 著者名/発表者名
      Hattori Yoshiaki、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 10 号: 14 ページ: 11732-11738

    • DOI

      10.1021/acsami.7b18454

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K14656, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance2017

    • 著者名/発表者名
      Nagashio Kosuke
    • 雑誌名

      J. Mater. Res

      巻: 32 号: 1 ページ: 64-72

    • DOI

      10.1557/jmr.2016.366

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] "Experimental detection of active defects in few layers MoS2 through random telegraphic signals analysis observed in its FET characteristics"2017

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      2D Materials

      巻: 4 号: 1 ページ: 015035-015035

    • DOI

      10.1088/2053-1583/aa50c4

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941, KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16K14446, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Crystalline Graphdiyne Nanosheets Produced at a Gas/Liquid or Liquid/Liquid Interface2017

    • 著者名/発表者名
      Ryota Matsuoka, *Ryota Sakamoto, Ken Hoshiko, Sono Sasaki, Hiroyasu Masunaga, Kosuke Nagashio, *Hiroshi Nishihara
    • 雑誌名

      J. Am. Chem. Soc.

      巻: 139 号: 8 ページ: 3145-3152

    • DOI

      10.1021/jacs.6b12776

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220801, KAKENHI-PROJECT-14J09288, KAKENHI-PROJECT-26620039, KAKENHI-PUBLICLY-15H00862, KAKENHI-PROJECT-26708005, KAKENHI-PUBLICLY-16H00957, KAKENHI-PROJECT-16K14446, KAKENHI-PUBLICLY-16H00900, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Transport properties of the top and bottom surfaces in monolayer MoS2 grown by chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kurabayashi, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Nanoscale

      巻: 9 号: 35 ページ: 13264-13264

    • DOI

      10.1039/c7nr05385a

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16K14446, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Graphene field-effect transistor application -Electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance-",2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 雑誌名

      J. Mater. Res.

      巻: 32 ページ: 64-64

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [雑誌論文] (Invited) Electrical Integrity and Anisotropy in Dielectric Breakdown of Layered h -BN Insulator2017

    • 著者名/発表者名
      Nagashio Kosuke、Hattori Yoshiaki、Takahashi Nobuaki、Taniguchi Takashi、Watanabe Kenji、Bao Jianfeng、Norimatsu Wataru、Kusunoki Michiko
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 79 号: 1 ページ: 91-97

    • DOI

      10.1149/07901.0091ecst

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Electrical Integrity and Anisotropy in Dielectric Breakdown of Layered h-BN Insulator2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, Y. Hattori, N. Takahashi, T. Taniguchi, K. Watanabe, J. Bao
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 79 ページ: 91-97

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [雑誌論文] Molecularly-thin Anatase field-effect transistors fabricated through the solid state transformation of titania nanosheets2017

    • 著者名/発表者名
      S. Sekizaki, M. Osada, K. Nagashio
    • 雑誌名

      Nanoscale, 9, 6471

      巻: 9 号: 19 ページ: 6471-6471

    • DOI

      10.1039/c7nr01305a

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-17H03395, KAKENHI-PROJECT-16K14446, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Buffer Layer Engineering on Graphene via Various Oxidation Methods for Atomic Layer Deposition2016

    • 著者名/発表者名
      N. Takahashi and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 9 号: 12 ページ: 125101-125101

    • DOI

      10.7567/apex.9.125101

    • NAID

      210000138125

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [雑誌論文] Anisotropic breakdown strength of single crystal hexagonal Boron Nitride2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      ACS appl. mater. interfaces

      巻: 8 号: 41 ページ: 27877-27877

    • DOI

      10.1021/acsami.6b06425

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [雑誌論文] Comparison of device structures for the dielectric breakdown measurement of hexagonal boron nitride2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 109 号: 25 ページ: 253111-253111

    • DOI

      10.1063/1.4972555

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [雑誌論文] "Subthreshold transport in mono- and multilayered MoS2 FETs"2015

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 6 ページ: 065203-065203

    • DOI

      10.7567/apex.8.065203

    • NAID

      210000137562

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941, KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Atomic layer deposition of Y2O3 on h-BN for a gate stack in graphene FETs2015

    • 著者名/発表者名
      N. Takahashi, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 26(17) 号: 17 ページ: 175708-175708

    • DOI

      10.1088/0957-4484/26/17/175708

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Gap state analysis in electric-field-induced band gap for bilayer graphene2015

    • 著者名/発表者名
      K. Kanayama, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      Sci. Rep.

      巻: 5 号: 1 ページ: 041002-041002

    • DOI

      10.1038/srep15789

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Fully dry PMMA transfer of graphene on h-BN using a heating/cooling system2015

    • 著者名/発表者名
      T. Uwanno, Y. Hattori, T Taniguchi, K Watanabe and K Nagashio
    • 雑誌名

      2D mater.

      巻: 2 号: 4 ページ: 041002-041002

    • DOI

      10.1088/2053-1583/2/4/041002

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [雑誌論文] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal boron nitride2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, and K. Nagashio
    • 雑誌名

      ACS nano

      巻: 9 号: 1 ページ: 916-921

    • DOI

      10.1021/nn506645q

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26886003, KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Quantum capacitance measurement of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 61 号: 3 ページ: 75-75

    • DOI

      10.1149/06103.0075ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Crystal orientation and macroscopic surface roughness in hetero-epitaxially grown graphene on Cu/mica2014

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 25 号: 18 ページ: 185602-185602

    • DOI

      10.1088/0957-4484/25/18/185602

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Large Fermi level modulation in graphene transistors with high-pressure O2-annealed Y2O3 topgate insulators2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kanayama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 104 号: 8 ページ: 083519-083519

    • DOI

      10.1063/1.4867202

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] The crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in heteroepitaxial graphene grown on Cu/mica2014

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 25 ページ: 185602-185602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [雑誌論文] Crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in hetero-epitaxially grown graphene on Cu/mica2014

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      nanotechnology

      巻: na

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [雑誌論文] グラフェン/金属コンタクト形成に対する理解と制御2013

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,鳥海明
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会シリコンテクノロジー

      巻: 158 ページ: 18-21

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devices2013

    • 著者名/発表者名
      Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 24 ページ: 241604-241604

    • DOI

      10.1063/1.4808083

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] The density of states of graphene underneath a metal electrode and its correlation with the contact resistivity2013

    • 著者名/発表者名
      R.Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 103 号: 3 ページ: 33514-33514

    • DOI

      10.1063/1.4815990

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Carrier response in band gap and multiband transport in bilayer graphene under the ultra-high displacement2013

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Dig.

      巻: na ページ: 503-503

    • DOI

      10.1109/iedm.2013.6724661

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Estimation of residual carrier density near the Dirac point in graphene through quantum capacitance measurement2013

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102 号: 17 ページ: 173507-173507

    • DOI

      10.1063/1.4804430

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] Carrier density modulation in graphene underneath the Ni electrode2013

    • 著者名/発表者名
      T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: 114 号: 2 ページ: 24503-24503

    • DOI

      10.1063/1.4813216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] 本質的なグラフェン/金属界面特性2013

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,井福亮太,森山喬史,西村知紀,鳥海明
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会シリコンテクノロジー

      巻: 154 ページ: 15-18

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] Intrinsic graphene/metal contact2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, R. Ifuku, T. Moriyama, I. Nishimura and A Toriumi
    • 雑誌名

      IEDM Tech. Dig.

      ページ: 68-71

    • NAID

      110009728053

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] グラフェン/Si02基板相互作用に対する理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 33 号: 10 ページ: 552-556

    • DOI

      10.1380/jsssj.33.552

    • NAID

      130004486705

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] グラフェンFETの界面に対する理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: 95 ページ: 284-284

    • NAID

      110009437459

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] グラフェントランジスタの接合/界面に対する理解と制御2011

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 雑誌名

      グラフェン・イノベーション,日経BP社

      ページ: 66-79

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて-素子シュミレーションと素子作成・物性評価-2010

    • 著者名/発表者名
      相馬聡文, 小川真人, 山本貴博, 渡辺一之, 長汐晃輔
    • 雑誌名

      固体物理 45

      ページ: 63-63

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Impact of graphene/SiO_2 interaction on FET mobility and Raman spectra in mechanically exfoliated graphene films2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Yamashita, J.Fujita, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) Tech.Dig.

      ページ: 564-567

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Systematic investigation of intrinsic channel properties and contact resistance on mono- and multilayered graphene FET2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて-素子シュミレーションと素子作成・物性評価-2010

    • 著者名/発表者名
      相馬聡文, 小川真人, 山本貴博, 渡辺一之, 長汐晃輔
    • 雑誌名

      固体物理

      巻: 45 ページ: 63-76

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Contact resistivity and current flow path at metal/graphene contact2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 97

      ページ: 143514-143514

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Systematic investigation of intrinsic channel properties and contact resistance on mono-and multilayered graphene FET2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

      ページ: 51304-51304

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Impact of graphene/SiO_2 interaction on FET mobility and Raman spectra in mechanically exfoliated graphene films2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Yamashita, J.Fujita, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      IEEE Int.Electron Device Meeting, Tech.Dig.

      巻: 1 ページ: 564-567

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Contact resistivity and current flow path at metal/graphene contact2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 97 ページ: 143514-143514

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Metal/Graphene Contact as a Performance Killer of Ultra-high Mobility Graphene - Analysis of Intrinsic Mobility and Contact Resistance -2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) Tech.Dig.

      ページ: 565-568

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Spherical crystallization of Si during free fall in drop-tube2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio and M. Tajima
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 722-726

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Spherical crystallization of Si during free fall in drop-tube2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio, M. Tajima
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 722-726

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] グラファイトからグラフェンへ-バンドオーバーラップ減少に伴う電子輸送特性の連続的変化-2009

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 雑誌名

      応用電子物性分科会誌 15

      ページ: 120-125

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Mobility Variations in Mono-and Multi-Layer Graphene Films Appl.2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Phys.Express 2

      ページ: 25003-25003

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Solidification behavior of intermetallic compound with strong crystallographic anisotropy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      J. Jpn Soc. Microgravity Appl 25

      ページ: 583-586

    • NAID

      10024269052

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Metastable phase formation from undercooled melt of REFeO_3 (RE : Rareearth Element)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio, K. Niwata, M. S. V. Kumar, T. Hibiya
    • 雑誌名

      Review of Advanced Materials Science 18

      ページ: 444-447

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] 低コスト・省資源を実現する太陽電池用Si球状結晶の育成2008

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 安藤等, 山崎智裕, 栗林一彦, 田島道夫
    • 雑誌名

      まてりあ 47

      ページ: 147-153

    • NAID

      10021148978

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Orientation analysis of hexagonal dendrite formed from an undercooled melt of α-Fe_2Si_52008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transactions A 39

      ページ: 135-141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] In-situ observation of solidification behaviour from undercooled α -Fe_2Si_5 melt using an electromagnetic levitator2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Review of Advanced Materials Science 18

      ページ: 439-443

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Microstructure formation and in situ phase identification from undercooled Co-61. 8 at. % Si melts solidified on an electromagnetic levitator and an electrostatic levitator2008

    • 著者名/発表者名
      M. Li, K. Nagashio, T. Ishikawa, A. Mizuno, M. Adachi, M. Watanabe, S. Yoda, K. Kuribayashi, Y. K atayama
    • 雑誌名

      Acta Materialia 56

      ページ: 2514-2525

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Formation of hexagonal metastable phases from an undercooled LuFeO_3 melt in an atmosphere with low oxygen partial pressure2008

    • 著者名/発表者名
      M. S. Vijaya Kumar, K. Nagashio, T. Hibiya, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Journal of the American Ceramic Society 91

      ページ: 806-812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Formation of Hexagonal Metastable phase from an undercooled LuFeO_3 melt in an atmosphere with low oxygen partial pressure2008

    • 著者名/発表者名
      M. S. Vijaya Kumar, K. Nagashio. T. Hibiya, and K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 91

      ページ: 806-812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Orientation analysis of hexagonal dendrite formed from undercooled melt of □-FeSi_22008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, and K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Metal. Mater. Trans. A 39A

      ページ: 135-141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] 低コスト・省資源を実現する太陽電池用Si球状結晶の育成2008

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 安藤等, 山崎智裕, 栗林一彦, 神保至, 田島道夫
    • 雑誌名

      まてりあ : 日本金属学会会報 47

      ページ: 147-153

    • NAID

      10021148978

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Nucleation of cubic phase in deeply undercooled melt of anisotropic material2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Transaction of the Materials Research Society of Japan 33

      ページ: 385-388

    • NAID

      130007809441

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] In-situ observation of solidification behavior from undercooled α-Fe_2Si_5 melt using an electromagnetic levitator2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nozaki, K. Nagashio, K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Review of Advanced Materials Science 18

      ページ: 439-443

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] 低コスト・省資源を実現する太陽電池用Si球状結晶の育成2008

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔, 安藤 等, 山崎 智裕, 栗林 一彦, 神保 至, 田島 道夫
    • 雑誌名

      まてりあ 47

      ページ: 147-153

    • NAID

      10021148978

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Spreading and solidification of a highly undercooled Y_3Al_5O_<12> droplet impinging on a substrate2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kodaira, K. Kuribayashi, T. Motegi
    • 雑誌名

      International Journal of Heat and Mass Transfer 51

      ページ: 2455-2461

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Fragmentation of facet dendrites in solidification of undercooled B-doped Si melt2007

    • 著者名/発表者名
      H.Okamoto, K.Nagashio, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      J. Jpn. Soc. Microgravity Appl. 24

      ページ: 3-8

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] In-situ observation of formation of metastable rare-earth iron garnet by splat quenching2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, O.Yamaguchi, T.Hibiya
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 90

      ページ: 238-243

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled melt2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio, K. Niwata, M.S.V. Kumar, T. Hibiya
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering A 448-451

      ページ: 675-679

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Density and thermal conductivity measurements for silicon melt by electromagnetic levitation under static magnetic field2007

    • 著者名/発表者名
      F. Onishi, Y. Inatomi, K. Nagashio, and K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Int. J. Thermophysics 28

      ページ: 44-59

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Direct observation of the melt/substrate interface in melt spinning2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 1033-1035

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] In-situ observation of formation of metastable rare-earth iron garnet by splat2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, O.Yamaguchi, T.Hibiya
    • 雑誌名

      J.Am.Ceram.Soc. 90

      ページ: 238-243

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Direct observation of the melt/substrate interface in melt spinning2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 1033-1035

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Direct observation of the melt/substrate interface in melt spinning2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mater.Sci.Eng.A 449/451

      ページ: 1033-1035

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Dynamic process of dendrite fragmentation in solidification from undercooled Si melt using time-resolved x-ray diffraction2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Nozaki, K. Kuribayashi, Y. Katayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled melt2007

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi, K.Nagashio, K.Niwata, M.S.Vijaya Kumar, T.Hibiya
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 675-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] In-situ observation of formation of metastable rare-earth iron garnet by splat quenching2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, O.Yamaguchi, T.Hibiya
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 90

      ページ: 238-243

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Rapid X-ray diffractometry on the metastable phase during solidification from the undercooled YFeO_3 melt2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kuribayashi, M. S. Vijaya Kumar, K. Niwata, T. Hibiya, A. Mizuno, M. Watanabe, Y. Katayama
    • 雑誌名

      Proceedings of the 5th Decennial international conference on solidification processing 2007

      ページ: 326-330

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled melt2007

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi, K.Nagashio, K.Niwata, M.S.Vijaya Kumar, T.Hibiya
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 675-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Dynamic process ofdendrite fragmentation in solidification from undercooled Simelt using time-resolved x-ray diffi-action2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.nozaki & K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Microtexture formation of Ni_<99>B_1 alloys solidified on an ESL and an EML-a study based on the EBSP technique2007

    • 著者名/発表者名
      M. Li, T. Ishikawa, K. Nagashio, K. Kuribayashi, S. Yoda
    • 雑誌名

      Mater Sci. Eng. A 449-451

      ページ: 684-688

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Direct observation of the melt/substrate interface in melt spinning2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio and K. Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mater Sci. Eng. A 449-451

      ページ: 1033-1035

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Fragmentation of facet dendrites in solidification of undercooled B-doped Si melt2007

    • 著者名/発表者名
      H.Okamoto, K.Nagashio, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      J.Jpn.Soc.Microgravity Appl. 24

      ページ: 3-8

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Microtexture formation of Ni_<99>Bi_1 alloys solidified on an ESL and an EML-a study based on the EBSP technique2007

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 684-688

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled melt2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio. K. Niwata, M. S. Vijaya Kumar, and T. Hibiya
    • 雑誌名

      Mater Sci. Eng. A 449-451

      ページ: 675-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Fragmentation of facet dendrites in solidification of undercooled B-doped Si melt2007

    • 著者名/発表者名
      H.Okamoto, K.Nagashio, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      J. Jpn. Soc. Microgravity Appl. 24

      ページ: 3-8

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Microtexture formation of Ni_<99>B_1 alloys solidified on an ESL and an EML-a study based on the EBSP technique2007

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Eng. A 449/451

      ページ: 684-688

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Orientation analysis of hexagonal dendrite formed from an undercooled melt ofa-Fe_2Si_52007

    • 著者名/発表者名
      K.Nozaki, K.Nagashio & K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transactions A 39

      ページ: 135-141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Microtexture formation of Ni_<99>B_1 alloys solidified on an ESL and an EML-a study based onthe EBSP technique2007

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Mater.Sci.Eng.A 449/451

      ページ: 684-688

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] 金属間化合物のデンドライト成長メカニズム-結晶構造の異方性がもたらす多様性-2007

    • 著者名/発表者名
      野崎潔, 長汐晃輔, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 34

      ページ: 29-36

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] The dynamic process of dendrite fragmentation in solidification from undercooled Si melt using time-resolved X-ray diffraction2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio. K. Nozaki, K. Kuribayashi, and Y. Katayama
    • 雑誌名

      Int. J. Thermophysics 91

      ページ: 61916-61916

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] In-situ observation of formation of metastable rare-earth iron garnet by splat quenching2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kuribayashi, O. Yamaguchi, and T. Hibiya
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 90

      ページ: 238-243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled me2007

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi, K.Nagashio, K.Niwata, M.S.Vijaya Kumar, T.Hibiya
    • 雑誌名

      Mater.Sci.Eng.A 449/451

      ページ: 675-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] High-speed imaging of quenched interface of an undercooled droplet impinging on a silicon wafer2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio. K. Kodaira, K. Kuribayashi and T. Motegi
    • 雑誌名

      Proceedings of the 5th Decennial international conference on solidification processing 2007

      ページ: 297-300

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Seeing is believing -急冷凝固過程の可視化を目指して-2006

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 雑誌名

      まてりあ 45

      ページ: 294-297

    • NAID

      10017413740

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] A comparative EBSP study of microstructure and microtexture formation from undercooled Ni_<99>B_1 melts solidified on an electrostatic levitator ad an electromagnetic levitator2006

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 3791-3799

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Seeing is believing -急冷凝固過程の可視化を目指して-2006

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 雑誌名

      まてりあ 45

      ページ: 294-297

    • NAID

      10017413740

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Real time X-ray observation of solidification from undercooled Si melt2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, M.Adachi, K.Higuchi, A.Mizuno, M.Watanabe, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 100

      ページ: 33524-33524

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 2353-2360

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] A comparative EBSP study of microstructure and microtexture formation from undercooled Ni_<99>B_1 melts solidified on an electrostatic levitator and an electromagnetic levitator2006

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 3791-3799

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 2353-2360

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Seeing is believing -急冷凝固過程の可視化を目指して-2006

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 雑誌名

      まてりあ 45

      ページ: 294-297

    • NAID

      10017413740

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] In-situ identification of the metastable phase during solidification from the undercooled YFeO_3 melt by fast X-ray diffractometry at 250 Hz2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, M.S.Vijaya Kumar, K.Niwata, T.Hibiya, A.Mizuno, M.Watanabe, Y.Katayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 89

      ページ: 241923-241923

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Spherical Si crystal formed by semisolid process in drop tube2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Okamoto, H.Ando, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Structural change in silicon from undercooled liquid state to crystalline state during crystallization2006

    • 著者名/発表者名
      M.Watanabe, K.Higuchi, A.Mizuno, K.Nagashio, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 294

      ページ: 16-21

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Correlation of the electrical and optical properties of CdGeAs_22006

    • 著者名/発表者名
      L.Bai, C.Xu, N.C.Giles, K.Nagashio, R.S.Feigelson
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 99

      ページ: 13512-13515

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] 重畳磁場電磁浮遊法を用いたシリコン浮遊融液の密度測定2006

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本マイクログラビティ応用学会誌 23巻・1号

      ページ: 26-29

    • NAID

      10017253810

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360320
  • [雑誌論文] Spherical Si crystal formed by semisolid process in drop tube2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Okamoto, H.Ando, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K, Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia 54

      ページ: 2353-2360

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] 重畳磁場電磁浮遊法を用いたシリコン浮遊液滴の密度測定2006

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本マイクログラビティ応用学会誌 23

      ページ: 26-29

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] In-situ identification of the metastable phase during solidification from the undercooled YFeO_3 melt by fast X-ray diffractometry at 250 Hz2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, M.S.Vijaya Kumar, K.Niwata, T.Hibiya, A.Mizuno, M.Watanabe, Y.Katayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 241923-241923

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] In-situ identification of the metastable phase during solidification from the undercooled YFeO_3 melt by fast X-ray diffractometry at 250 Hz2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi, M.S.Vijaya Kumar, K.Niwata, T.Hibiya, A.Mizuno, M.Watanabe, Y.Katayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 241923-241923

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 2353-2360

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Correlation of the electrical and optical properties of CdGeAs_22006

    • 著者名/発表者名
      L.Bai, C.Xu, N.C.Giles, K.Nagashio, R.S.Feigelson
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 99

      ページ: 13512-5

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Structural change in silicon from undercooled liquid state to crystalline state during crystallization2006

    • 著者名/発表者名
      M.Watanabe, K.Higuchi, A.Mizuno, K.Nagashio, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 294

      ページ: 16-21

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] 重畳磁場電磁浮遊法を用いたシリコン浮遊液滴の密度測定2006

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本マイクログラビティ応用学会誌 23

      ページ: 26-29

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Spherical silicon crystal formed by semisolid process in drop tube2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, H. Okamoto, H. Ando, K. Kuribayashi, I. Jimbo
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 45

    • NAID

      10017653177

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Spherical Si crystal formed by semisolid process in drop tube2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Okamoto, H.Ando, K.Kuribayashi, I.Jimbo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta Materialia 54

      ページ: 2353-2360

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Formation of metastable rare-earth iron garnet by splat quenching2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, O.Yamaguchi, T.Hibiya, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 89

      ページ: 1504-1509

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Real time X-ray observation of solidification from undercooled Si melt2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, M.Adachi, K.Higuchi, A.Mizuno, M.Watanabe, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 100

      ページ: 33524-33524

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] A comparative EBSP study of microstructure and microtexture formation from undercooled Ni_<99>Bi_1 melts solidified on an electrostatic levitator and an electromagnetic levitator2006

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Acta mater. 54

      ページ: 3791-3799

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Correlation of the electrical and optical properties of CdGeAs_22006

    • 著者名/発表者名
      L.Bai, C.Xu, N.C.Giles, K.Nagashio, R.S.Feigelson
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 99

      ページ: 13512-13515

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Measuring equipment for thermopysical properties of droplet electromagnetically-levitated under axial static magnetic field2006

    • 著者名/発表者名
      Fumitomo Onishi, Kosuke Nagashio, Yuko Inatomi, Kazuhiko Kuribayashi
    • 雑誌名

      56th International Astronautical Congress Final Program

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360320
  • [雑誌論文] Formation of metastable rare-rarth iron garnet by splat quenching2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, O.Yamaguchi, T.Hibiya, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      J.Am.Ceram.Soc. 89

      ページ: 1504-1509

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Structural change in silicon from undercooled liquid state to crystalline state during crystallization2006

    • 著者名/発表者名
      M.Watanabe, K.Higuchi, A.Mizuno, K.Nagashio, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 294

      ページ: 16-21

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Real time X-ray observation of solidification from undercooled Si melt2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, M.Adachi, K.Higuchi, A.Mizuno, M.Watanabe, K.Kuribayashi, Y.Katayama
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 100

      ページ: 33524-33524

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [雑誌論文] Formation of metastable rare-earth iron garnet by splat quenching2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, O.Yamaguchi, T.Hibiya, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      J. Am. Ceram. Soc. 89

      ページ: 1504-1509

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Fragmentation of faceted dendrite in solidification of undercooled B-doped Si melts2005

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Okamoto, K.Kuribayashi, I.Jimbo.
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transaction A 36

      ページ: 3407-3413

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Growth mechanism of twin-related and twin-free facet Si dendrites2005

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Acta mater. 53

      ページ: 3021-3029

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Fragmentation of facet dendrites in solidification of undercooled B-doped Si melt2005

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., Okamoto, H., Kuribayashi, K., Jinbo, I.
    • 雑誌名

      Metall.Mater.Trans.A. 36A

      ページ: 3407-3413

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Experimental evidence of crystal fragmentation from highly undercooled Ni_<99>Bl Melts Processed on an Electrostatic Levitator2005

    • 著者名/発表者名
      Li, M., Ishikawa, T., Nagashio, K., Kuribayashi, K.Yoda, S.
    • 雑誌名

      Metall.Mater.Trans.A. 36A

      ページ: 3254-3257

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Microtexture and macrotexture formation in the containerless solidification of undercooled Ni-18.7 at% Sn eutectic melts2005

    • 著者名/発表者名
      Li, M., Nagashio, K., Ishikawa, T., Yoda, S., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Acta mater. 53

      ページ: 731-741

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] 静磁場におけるSi浮遊融液の熱膨張率と熱伝導率の測定2005

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本金属学会講演概要

      ページ: 269-269

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360320
  • [雑誌論文] Growth mechanism of twin-related and twin-free facet Si dendrites2005

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia 53

      ページ: 3021-3029

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Growth mechanism of twin-related and twin-free facet Si dendrites2005

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia 53

      ページ: 3021-3029

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] 過冷融液からのファセットSiのデンドライト成長-球状単結晶育成へ向けて-2005

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 23

      ページ: 314-324

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Microtexture and macrotexture formation in the containerless solidification of undercooled Ni-18.7 at% Sn eutectic melts2005

    • 著者名/発表者名
      Li, M., Nagashio, K., Ishikawa, T., Yoda, S., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Acta mater. 53

      ページ: 731-741

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Growth mechanism of twin-related and twin-free facet Si dendrites2005

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Acta mater. 53

      ページ: 3021-3029

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Fragmentation of facet dendrites in solidification of undercooled B-doped Si melt2005

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., Okamoto, H., Kuribayashi, K., Jinbo, I.
    • 雑誌名

      Metall.Mater.Trans.A. 36A

      ページ: 3407-3413

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] Fragmentation of faceted dendrite in solidification of undercooled B-doped Si melts2005

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Okamoto, K.Kuribayashi, I.Jimbo.
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transaction A 36

      ページ: 3407-3413

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] シリコン浮遊融液の熱伝導率測定2005

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本熱物性シンポジウム講演論文集

      ページ: 475-477

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360320
  • [雑誌論文] Experimental evidence of crystal fragmentation from highly undercooled Ni_99B_1 Melts Processed on an Electrostatic Levitator2005

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transaction A 36A

      ページ: 3254-3257

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Experimental evidence of crystal fragmentation from highly undercooled Ni_<99>B_1 Melts Processed on an Electrostatic Levitator2005

    • 著者名/発表者名
      M.Li, T.Ishikawa, K.Nagashio, K.Kuribayashi, S.Yoda
    • 雑誌名

      Metallurgical and Materials Transaction A 36A

      ページ: 3254-3257

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Microtexture and macrotexture formation in the containerless solidification of undercooled Ni-18.7 at% Sn eutectic melts2005

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K Nagashio, T.Ishikawa, S.Yoda, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta Materialia 53

      ページ: 731-741

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Experimental evidence of crystal fragmentation from highly undercooled Ni_<99>B1 Melts Processed on an Electrostatic Levitator2005

    • 著者名/発表者名
      Li, M., Ishikawa, T., Nagashio, K., Kuribayashi, K.Yoda, S.
    • 雑誌名

      Metall.Mater.Trans.A. 36A

      ページ: 3254-3257

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [雑誌論文] 過冷融液からのファセットSiのデンドライト成長-球状単結晶育成へ向けて-2005

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 栗林一彦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 23

      ページ: 314-324

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Spreading and solidification behavior of molten Si droplets impinging on substrates2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H.Murata, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta Materialia 52

      ページ: 5295-5301

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Spreading and solidification behavior of molten Si droplets impinging on substrates2004

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., Murata, H., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Acta Mater. 52

      ページ: 5295-5301

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Phase selection in undercooled Y_3Al_5O_<12> melt2004

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K.Sasaki, J., Kuribayashi, K.
    • 雑誌名

      Mater.Trans. 45

      ページ: 2723-2727

    • NAID

      10013474735

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] 静磁場における電磁浮遊融液のその場観察2004

    • 著者名/発表者名
      大西史倫, 長汐晃輔, 稲富裕光, 栗林一彦
    • 雑誌名

      第25回日本熱物性シンポジウム講演論文集

      ページ: 186-188

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360320
  • [雑誌論文] Correlation between dislocation etch pits and optical absorption in CdGeAs_22004

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 269

      ページ: 195-206

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Phase selection in undercooled Y_3AI_5O_12 melt2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, J.Sasaki, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Materials Transaction 45

      ページ: 2723-2727

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Containerless solidification of undercooled oxide and metallic eutectic melts2004

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering A 373-377

      ページ: 528-533

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Fiber growth of near stoichiometric LiNbO_3 single crystal by laser heated pedestal growth method2004

    • 著者名/発表者名
      Nagashio, K., et al.
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 265

      ページ: 190-197

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [雑誌論文] Containerless solidification of undercooled oxide and metallic eutectic melt2004

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Eng.A 375-377

      ページ: 528-533

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Spreading and solidification behavior of molten Si droplets impinging on substrates2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, H, Murata, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia 52

      ページ: 5295-5301

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Phase selection in undercooled Y_3Al_50_<12> melt2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, J.Sasaki, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Materials Transactions 45

      ページ: 2723-2727

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Containerless solidification of undercooled oxide and metallic eutectic melt2004

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Eng. A 375-377

      ページ: 528-533

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Phase selection in undercooled Y_3Al_5O_<12> melt2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashioa J.Sasaki, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Materials Transaction 45

      ページ: 2723-2727

    • NAID

      10013474735

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Containerless solidification of highly undercooled Al_20_3-ZrO_2 eutectic melts on an aero-acoustic levitator2003

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Crystal Growth 249

      ページ: 625-633

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Containerless solidification and net shaping by splat quenching of undercooled Nd_2Fe_14B melts2003

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, M.Li, K.Kuribayashi.
    • 雑誌名

      Materials Transaction 44

      ページ: 853-860

    • NAID

      10011911588

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Nucleation behaviour and anomalous eutectic formation in highly undercooled Fe_2O_3-La_2O_3 eutectic melts2003

    • 著者名/発表者名
      M.Li, K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Philosophical Magazine 83

      ページ: 1095-1109

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Containerless solidification and net shaping by splat quenching of undercooled Nd_2Fe_<14>B melts2003

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, M.Li, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Materials Transactions 44

      ページ: 853-860

    • NAID

      10011911588

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt spinning

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Formation of Metastable Rare-Earth Iron Garnet by Splat Quenching

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, O.Yamaguchi, T.Hibiya, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Journal of American Ceramic Society (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Experimental verification of ribbon formation process in chill-block melt Spinning

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Acta materialia (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation of metastable phase from undercooled melt

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi, K.Nagashio, K.Niwata, M.S.Vijaya Kumar, T.Hibiya
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Eng.A (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] DOS-limited contact resistance in graphene FETs

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. in press.

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [雑誌論文] Formation of Metastable Rare-Earth Iron Garnet by Splat Quenching

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, O.Yamaguchi, T.Hibiya, K.Kuribayashi
    • 雑誌名

      Journal of American Ceramic Society (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [雑誌論文] Novel criterion for formation ofmetastable phase from undercooled melt

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi, K.Nagashio, K.Niwata, M.S.Vijaya Kumar, T.Hibiya
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Eng. A (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [産業財産権] 球状シリコン単結晶の製造方法及び装置2008

    • 発明者名
      長汐晃輔, 栗林一彦, 岡本英樹
    • 権利者名
      独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
    • 取得年月日
      2008-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [産業財産権] 球状シリコン結晶の製造方法2008

    • 発明者名
      栗林一彦, 長汐晃輔, 安藤等
    • 権利者名
      独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
    • 産業財産権番号
      2008-021319
    • 出願年月日
      2008-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [産業財産権] 球状シリコン単結晶の製造方法及び装置2005

    • 発明者名
      長汐 晃輔, 栗林 一彦, 岡本 英樹
    • 権利者名
      宇宙航空研究開発機構
    • 産業財産権番号
      2005-293807
    • 出願年月日
      2005-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656241
  • [産業財産権] 球状シリコン単結晶の 製造方法及び装置2005

    • 発明者名
      長汐晃輔, 栗林一彦, 岡本英樹
    • 権利者名
      宇宙航空研究開発機構
    • 産業財産権番号
      2005-293807
    • 出願年月日
      2005-10-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [産業財産権] ガーネット組成物の製造方法2005

    • 発明者名
      長汐 晃輔, 栗林 一彦, 日比谷 孟俊, 山口 沖枝
    • 権利者名
      独立行政法人宇宙航空研究開発機構
    • 産業財産権番号
      2005-090733
    • 出願年月日
      2005-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656231
  • [産業財産権] 球状シリコン単結晶の製造方法及び装置2005

    • 発明者名
      長汐 晃輔, 栗林 一彦, 岡本 英樹
    • 権利者名
      宇宙航空研究開発機構
    • 産業財産権番号
      2005-293807
    • 出願年月日
      2005-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206081
  • [学会発表] " 2次元層状強誘電SnSにおけるバルク光起電力効果",2024

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] " 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー",2024

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本学術振興会 R031 ハイブリッド量子ナノ技術委員会第14回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 2次元層状強誘電SnSにおけるバルク光起電力効果2024

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー2024

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本学術振興会 R031 ハイブリッド量子ナノ技術委員会第14回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年2023

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第2回 NanoHubシンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced Spiral Growth for Energy Harvesting2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] “2D layered semiconductors: Challenge & Perspective”2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS2023

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023(ICMaSS)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] “Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced Spiral Growth for Energy Harvesting”2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 2D layered semiconductors: Challenge & Perspective2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge &amp; Perspective2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] 2D layered semiconductors: Challenge &amp; Perspective2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced Spiral Growth for Energy Harvesting2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] 二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望2023

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2023年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] “Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS”2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023(ICMaSS)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective2023

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] MoS2FETから10年:何が解決して何が未解決なのか?2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2D メモリデバイス超高速動作の物理的起源(講演奨励賞受賞講演)2022

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎、上野 啓司、谷口 尚、渡邉 賢司、西村 知紀、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 1-nm EOTの実現に向けた高誘電率絶縁膜Er2O3を用いたトップゲート型2次元材料電界効果トランジスタの創製(注目講演)2022

    • 著者名/発表者名
      内山 晴貴、西村 知紀、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Ultrafast memory operation in 2D heterostructured non-volatile memory device2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      The 22nd Int. Conf. on Sci & Appl. of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT22)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] “Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics”,2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] WSe2の p型動作に向けた Au/Bi薄膜の仕事関数変調効果2022

    • 著者名/発表者名
      中島 隆一、西村 知紀、上野 啓司、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] “50 Ns Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device”2022

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      241st ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 2次元層状物質の新機能デバイスへの展開2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      光電相互変換第125委員会第260回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2次元層状物質の新機能デバイスへの展開2022

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Characterization of single-crystalline carbon-doped h-BN/metal contact for current injection2022

    • 著者名/発表者名
      Supawan Ngamprapawat、Tomonori Nishimura、Kenji Watanabe、Takashi Taniguchi、Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 金属/Si界面のフェルミレベルピンニング機構の理解に向けた残渣フリーの大面積グラフェン転写2022

    • 著者名/発表者名
      西村 知紀、中島 隆一、張 益仁、内山 晴貴、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 光電流測定によるバルクPdSe2のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察2022

    • 著者名/発表者名
      西山 航、西村 知紀、西岡 政雄、上野 啓司、岩本 敏、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2次元層状物質の新機能デバイスへの展開2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      光電相互変換第125委員会第260回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 2次元層状SnSの強誘電特性と自発起電力発電への展開2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] ステップ端誘起スパイラル成長による空間反転対称性の破れたバルクSnS形成2022

    • 著者名/発表者名
      張 益仁、名苗 遼、篠北 啓介、松田 一成、長汐 晃輔
    • 学会等名
      2022年第170回日本金属学会講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] 2次元層状SnSの強誘電特性と自発起電力発電への展開2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] MoS2 FETから10年:何が解決して何が未解決なのか?2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] グラフェン&2Dデバイスの現状と将来展望2022

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔
    • 学会等名
      システムデバイスロードマップ委員会2021年度第5回BC, MtM合同委員会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] 超高速 2D フラッシュメモリーの実証2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第86回半導体・集積回路技術シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 50 Ns ultrafast memory operation in 2D heterostructured non-volatile memory device2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      241st ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] Consider the S vacancy formation in MoS22022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      A3 Foresight International Symposium 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] “Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device”,2022

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      The 22nd Int. Conf. on Sci & Appl. of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT22)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] 超高速 2Dフラッシュメモリーの実証2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第86回半導体・集積回路技術シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] MoS2 FETから10年:何が解決して何が未解決なのか?2022

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] Consider the S vacancy formation in MoS22022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      A3 Foresight International Symposium 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-21H05232
  • [学会発表] High temperature stability of MoS2 probed by combining thermal desorption spectroscopy and atomic layer deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Li Shuhong、Tomonori Nishimura、Mina, Maruyama、Susumu Okada、Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-21H05237
  • [学会発表] “Consider the S vacancy formation in MoS2”,2022

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      A3 Foresight International Symposium 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H04957
  • [学会発表] "All 2D Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors"2021

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing conference 2021 (EDTM), (April, 9, 2021, Chengdu, China, Online). "
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "次元層状物質の新機能デバイスへの展開”2021

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      グラフェンコンソーシアム第26回研究講演会,(2021年8月3日, オンライン開催).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Two-dimensional tunnel FET"2021

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS),(Nov. 5th, Online, 2021).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2D layered semiconductors: Challenge & Perspective"2021

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2021 International Symposium n VLSI Technology, System and Applications (VLSI-TSA), (April, 21, Hsinchu,Taiwan, Online).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] " Atomic-Step-Induced Screw-Dislocation-Driven Spiral Growth of PVD SnS”2021

    • 著者名/発表者名
      Yih-Ren Chang, Chien-Ju Lee, Tomonori Nishimura, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio "
    • 学会等名
      2021 virtual Materials Research Society (MRS) spring meeting, (April, 19, 2021, online).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "High performance SnS/h-BN heterostructure p-FET via Ti contact reaction"2021

    • 著者名/発表者名
      Yih-Ren Chang, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio "
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "50 ns Ultrafast P/E Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device"2021

    • 著者名/発表者名
      Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura,Kosuke Nagashio "
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Qualitative Judgement of Inconsistent Band Gap Values for Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties"2021

    • 著者名/発表者名
      Wataru Nishiyama, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "MoS2 同一結晶面内ヘテロを利用した単一ゲート TFET の動作実証"2021

    • 著者名/発表者名
      福井 智博, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐晃輔
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Current injection into single-crystalline carbon-doped h-BN",2021

    • 著者名/発表者名
      "Supawan Ngamprapawat, Takashi Taniguchi,Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月12日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "巨大シュタルク効果による2次元材料電界効果トランジスタの移動度変調"2021

    • 著者名/発表者名
      "内山 晴貴, 丸山 実那, 岡田 晋, 西村 知紀, 長汐晃輔 "
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Thermodynamics perspective to surface oxide amelioration in 2D devices",2021

    • 著者名/発表者名
      YihRen Chang, Tomonori Nishimura,Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作"2021

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邉 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催). "
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] ”2次元層状物質のデバイス応用の現状と将来展望”2021

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      化学工学会エレクトロニクス部会 先端技術シンポジウム,(2021年12月7日, オンライン開催).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] Room temperature in-plane ferroelectricity in SnS2021

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021),(Oct. 27th, Online, 2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] Polarity transition from n-type to p-type WS2 FET by controlling Schottky barrier2021

    • 著者名/発表者名
      R. Kato, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "バルクPdSe2 のバンドギャップ値に対する電気伝導特性からの定量的評価",2021

    • 著者名/発表者名
      西山 航, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔
    • 学会等名
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月11日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] ”2次元電子デバイス”,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 学会等名
      応用物理学会東海支部55周年記念講演,東海ニューフロンティアリサーチワークショップ,(2020年12月-1月,online on-demand).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "YSZ極薄膜の高温インピーダンス解析",2020

    • 著者名/発表者名
      西村 知紀, 小島 俊哉, 長汐 晃輔, 丹羽 正昭,
    • 学会等名
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月15日, 上智大学(東京都千代田区)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Carrier Density of Apparently Degenerated PtS2 Determined by Hall Measurement",2020

    • 著者名/発表者名
      Yuichiro Sato, Keiji Ueno, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2020, All-VIRTUAL conference).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D laVirtual MRS Syered semiconductors",2020

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2020 pring/Fall meeting, (Nov./Dec. 2020, online, USA).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] Atomic step induced spiral growth in PVD SnS,2020

    • 著者名/発表者名
      YihRen Chang, Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月10日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Screw dislocation driven spiral growth in SnS initiated by atomic graphene steps",2020

    • 著者名/発表者名
      Yih-Ren Chang, Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Fu-Hsien Chu, Chien-Ju Lee, Tomonori Nishimura, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 28, 2020, All-VIRTUAL conference).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage",2020

    • 著者名/発表者名
      Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and ypMaterials (SSDM), (September. 30, 2020, All-VIRTUAL conference).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] 浮遊ゲート電位(VFG)のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解,2020

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] CVD-2層グラフェンのh-BNヘテロFET動作解析による結晶性評価,2020

    • 著者名/発表者名
      西山 航, Solis-Fernandez Pablo, 寺尾 友里, 河原 憲治, 吾郷 浩樹, 西村 知紀, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月9日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "p+-MoS2/n-MoS2 2D-TFETにおける60 mV/dec以下のS.S.実現",2020

    • 著者名/発表者名
      中村 圭吾, 永村 直佳, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月13日, 上智大学(東京都千代田区)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Experimental Demonstration of In-Plane Ferroelectricity in SnS Down to Monolayer",2020

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, C.-J. Lee, B.-H. Lin, F.-H. Chu, I. Yonemori, T. Nishimura, K. Wakabayashi, W.-H. Chang, K. Nagashio,t.
    • 学会等名
      2020 Virtual MRS Spring/Fall meeting, (Nov./Dec. 2020, online, USA).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] ”2次元電子デバイス”,2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 学会等名
      応用物理学会東海支部55周年記念講演,東海ニューフロンティアリサーチワークショップ,(2020年12月-1月,online on-demand).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Understanding the device operation of ambipolar channel based 2D memory devices by trajectory of floating gate voltage",2020

    • 著者名/発表者名
      T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio,
    • 学会等名
      78th Device Research Conference, (June 23, 2020, Online).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "浮遊ゲート電位の測定による2Dメモリデバイス動作の理解",2020

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月12日, 上智大学(東京都千代田区)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2次元材料の電子デバイス応用",2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 学会等名
      FNTG学会リレーウェビナー, (2020年6月30日, zoom webinar).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET",2020

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 30, 2020, All-VIRTUAL conference).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "PVD growth of AA stacking SnS through screw dislocation induced by substrate edge steps",2020

    • 著者名/発表者名
      YihRen Chang, Hayami Kawamoto, Naoki Higashitarumizu, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio,
    • 学会等名
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月15日, 上智大学(東京都千代田区))
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] 完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現,2020

    • 著者名/発表者名
      中村 圭吾, 永村 直佳, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解,2020

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] 完全AB積層した二層グラフェンのCVD成長2020

    • 著者名/発表者名
      P. Solis-Fernandez, 寺尾友里, 河原憲治,長汐晃輔, Y.-C. Lin, 山本圭介, 中島寛, 日比野浩樹, 末永和知, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03864
  • [学会発表] Isothermal growth and stacking evolution of highly uniform AB-stacked bilayer graphene2020

    • 著者名/発表者名
      P. Solis-Fernandez, Y. Terao, K. Kawahara, W. Nishiyama, T. Uwanno, Y.-C. Lin, K. Yamamoto,H. Nakashima, K. Nagashio, H. Hibino, K. Suenaga, H. Ago
    • 学会等名
      第59回FNTG総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03864
  • [学会発表] "層状マイカ基板上の 2 次元ピエゾ材料を用いたナノ発電素子",2020

    • 著者名/発表者名
      東垂水 直樹, 川元 颯巳, 梅田 雅也, 北浦 良, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      [講演奨励賞受賞記念講演] 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月12日, 上智大学(東京都千代田区)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D layered semiconductors",2020

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2020 Virtual MRS Spring/Fall meeting, (Nov./Dec. 2020, online, USA).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2次元材料の電子デバイス応用",2020

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔,
    • 学会等名
      FNTG学会リレーウェビナー, (2020年6月30日, zoom webinar).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Ferroelectricity in monolayer SnS",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      JSPS/EPSRC C2C meeting, (Nov. 22, 2019, Tohoku univ., Sendai)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Full energy spectra of interface states density for n- and p-type MoS2 field effect transistors2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October10, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "How to understand interface properties in 2D heterostructure FETs",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits, (June 19-14, 2019, RIHGA Royal Hotel, Kyoto, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] Synthesis of AB-stacked bilayer graphene on Cu-Ni films2019

    • 著者名/発表者名
      P. Solis-Fernandez, Y. Terao, Y. Takesaki, K. Kawahara, K. Suenaga, K. Yamamoto, H. Nakashima, K. Nagashio, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      九大2D物質研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03864
  • [学会発表] "2次元層状トランジスタの界面の理解と制御",2019

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2019年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 ,(2019年10月7日, 機械振興会館 (東京)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "All solid-state 2D tunnel FET",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Compound semiconductor week 2019 (CSW2019), (May 19-23, 2019, Kasugano International Forum, Nara, Japan).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs"2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 Int. Workshop on Dielectric thin films for future electron devices -science and technology -, (Nov. 19, 2019, Tokyo Tech. Tokyo, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs"2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 Int. Workshop on Dielectric thin films for future electron devices -science and technology -, (Nov. 19, 2019, Tokyo Tech. Tokyo, Japan)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Full energy spectra of interface states density for n and p-type MoS2 field effect transistors",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October10, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "Electromechanical Response of Few-to-monolayer SnS PVD-grown on Flexible Mica",2019

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 MRS Spring Meeting, (April, 26, 2019, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] ”2次元層状SnSの室温強誘電特性",2019

    • 著者名/発表者名
      東垂水 直樹, 川元 颯巳, 西村 知紀, 張 文豪, 長汐 晃輔",
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,(2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2D layered semiconductors",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      7th International symposium on organic and inorganic electronic materials and related nanotechnology, (June 19-22, 2019, Shinshu Univ. Nagano, Japan)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "2D layered semiconductors",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      7th International symposium on organic and inorganic electronic materials and related nanotechnology, (June 19-22, 2019, Shinshu Univ. Nagano, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "中心対称性の破れた2次元層状物質の圧電特性",2019

    • 著者名/発表者名
      東垂水 直樹, 川元 颯巳, 梅田 雅也, 北浦 良, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,(2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "How to understand interface properties in 2D heterostructure FETs",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits, (June 19-14, 2019, RIHGA Royal Hotel, Kyoto, Japan)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "2次元層状SnSの圧電・強誘電特性",2019

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔,
    • 学会等名
      第23回VBLシンポジウム ,(2019年10月6日, 名古屋大学 (愛知)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2D heterostructure FETs",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      PKU-UTokyo Nanocarbon summer camp, (Aug. 2, 2019, UTokyo, Tokyo).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "2次元層状SnSの圧電・強誘電特性",2019

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔,
    • 学会等名
      第23回VBLシンポジウム ,(2019年10月6日, 名古屋大学 (愛知)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”,2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Taniguchi, and N. Fang,
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2019, (Dec. 13, 2019, Yokohama Symposia, Yokohama).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "PVD growth of monolayer SnS under S-rich condition toward piezoelectric application",2019

    • 著者名/発表者名
      H. Kawamoto, N. Higashitarumizu, M. Nakamura, I. Yonemori, K. Wakabayashi, K. Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 4, 2019, Nagoya University, Nagoya).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2D heterostructure FETs",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      PKU-UTokyo Nanocarbon summer camp, (Aug. 2, 2019, UTokyo, Tokyo).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor",2019

    • 著者名/発表者名
      Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio,
    • 学会等名
      2019 MRS Spring Meeting, (April, 26, 2019, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Demonstration of Electromechanical Device Based on 2D Piezoelectric Materials for Nanogenerator Applications",2019

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "2次元層状トランジスタの界面の理解と制御",2019

    • 著者名/発表者名
      長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2019年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 ,(2019年10月7日, 機械振興会館 (東京)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21956
  • [学会発表] "MoS2/h-BN/Graphite積層構造による不揮発性メモリデバイスの動作解析",2019

    • 著者名/発表者名
      佐々木 太郎, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,(2019年9月20日, 北海道大学(札幌市)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”,2019

    • 著者名/発表者名
      T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio,
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2019, (Dec. 13, 2019, Yokohama Symposia, Yokohama
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "388 K High Temperature Retention Study of 2D Hetero-stack Based Non- Volatile Memory",2019

    • 著者名/発表者名
      T. Sasaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "PtS2/WSe2によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測",2019

    • 著者名/発表者名
      佐藤 雄一朗,中村 圭吾,上野 啓司,長汐 晃輔,
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,(2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] "Band Alignment in Charge- Transfer-Type p+-WSe2/MoS2 Tunnel FET",2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 4, 2019, Nagoya University, Nagoya).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00755
  • [学会発表] Selective growth of AB-stacked bilayer graphene2018

    • 著者名/発表者名
      寺尾友里,河原憲治, 末永健志朗, 山本圭介, 中島寛, 長汐晃輔, 日比野浩樹, 吾郷浩樹
    • 学会等名
      第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03530
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D layered semiconductors"2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at NUT 2018, (Dec. 12-13, 2018, NTU, Taiwan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Interface engineering for 2D layered semiconductors2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      UMRS-ICEM2018, (August, 23, 2018, Daejeon, Korea).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "High-k Er2O3 top gate deposition on 2D channel at room temperature by PO2 controlled thermal evaporation",2018

    • 著者名/発表者名
      K. Maruyama, K. Nagashio.
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Interface Traps“Extrinsically” Deliver MIT in Monolayer MoS2 FET",2018

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 12, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Electrically inert interface in 2D heterostructure FETs"2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      3rd Japan-EU flagship workshop on graphene and related 2D materials, (2018, Nov. 19, Sendai, Japan.)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Electrically Inert Interface in 2D Heterostructure FETs"2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Workshop on innovative nanoscale devices and systems (WINDS2018), (Nov. 28, 2018, The Westin Hapuna Beach Resort, Kohala, Hawaii, USA).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Understanding of layered heterointerfaces in 2D semiconductors"2018

    • 著者名/発表者名
      [Invited] K. Nagashio
    • 学会等名
      10th anniversary international symposium on advanced Plasma science (ISPlamsa2018)、 (March, 5, 2018, Meijyo univ., Nagoya).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Purely AB-stacked bilayer graphene grown on Cu-Ni films2018

    • 著者名/発表者名
      P. Solis-Fernandez, Y. Terao, K. Kawahara, K. Suenaga, K. Yamamoto, H. Nakashima, K. Nagashio, H. Hibino, H. Ago
    • 学会等名
      9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03864
  • [学会発表] "Interface engineerign for 2D electronics",2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Core to core program, (April, 16-17, 2018, Cambridge university, UK).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Fabrication and Surface Engineering of Two-dimensional SnS toward Piezoelectric Nanogenerator Application"2018

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno, K. Nagashio,
    • 学会等名
      2018 MRS Spring Meeting, (April, 4, 2018, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D layered semiconductors"2018

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio,
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at NUT 2018, (Dec. 12-13, 2018, NTU, Taiwan).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Pinpoint pick up and bubble free transfer in 2D heterostructure fabrication"2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      JSPS/EPSRC C2C meeting, (Oct. 30, 2018, Tohoku univ., Sendai).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Electrically inert interface in 2D heterostructure FETs2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      AWAD2018, (July, 3, 2018, Kitakyusyu, Japan).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Study on origin for Dit through SS in monolayer MoS2/h-BN/graphite FET"2018

    • 著者名/発表者名
      S. Toyoda, T. Taniguchi, K.Watanabe, K. Nagashio.
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Strongp-type SnS FETs: From Bulk to Monolayer",2018

    • 著者名/発表者名
      N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Maruyama, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno, K. Nagashio,
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D electonics"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2017 NEA Symposium of Emerging Materials Innovation, Lotte hotel, Soul, Korea
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] 2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2017真空・表面科学合同講演会 (2017年8月17日,横浜市立大,(横浜市))
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Interface engineering for 2D electonics2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Nippon-Taiwan Workshop
    • 発表場所
      Kwansei Gakuin Univ. Sanda, Hyogo
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] [Invited] "Gap engineering and reliability study for 2Delectronics"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      6th Int. Conf. on Semiconductor Technology for ULSI & TFT,(May. 23, 2017, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] "Gap engineering and reliability study for 2Delectronics"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      6th Int. Conf. on Semiconductor Technology for ULSI & TFT, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Gap engineering and reliability study for 2Delectronics2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      6th Int. Conf. on Semiconductor Technology for ULSI & TFT,(May. 23, 2017, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] "2次元層状チャネルFETの電子輸送特性及び界面特性"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会, 東工大,目黒区
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Interface engineering for 2D electronics2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Nippon-Taiwan Workshop, (Feb. 18, 2017, Kwansei Gakuin Univ. Sanda, Hyogo)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] "Interface engineering for 2D layered semiconductors"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2017 PKU-UTokyo nano-carbon summer camp, Hongo, UTokyo
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] [12][招待講演] "2次元層状チャネルFETの電子輸送特性及び界面特性"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会, (2017年10月19日,東工大,(東京都目黒区)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] 2次元層状チャネルFETの電子輸送特性及び界面特性2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会 (2017年10月19日,東工大,(東京都目黒区))
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] グラフェンの伝導特性2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本化学会第97春季年会「特別企画」二次元物質の科学
    • 発表場所
      慶応大学, 神奈川
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Interface engineering for 2D layered semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2017 PKU-UTokyo nano-carbon summer camp, (July, 27, 2017, Hongo, UTokyo (Tokyo))
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] "2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      [招待講演] 2017真空・表面科学合同講演会, (2017年8月17日,横浜市立大,(横浜市)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] 2次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム, (2017年11月9日,長浜ロイヤルホテル,(滋賀県長浜市)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] グラフェンの伝導特性2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本化学会第97春季年会「特別企画」二次元物質の科学, (2017年3月16日, 慶応大学, 日吉, (神奈川)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] [Invited] "Interface engineering for 2D electonics"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2017 NEA Symposium of Emerging Materials Innovation, (October, 18, 2017, Lotte hotel, Soul, Korea).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Understanding of layered heterointerfaces in 2D semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      10th anniversary international symposium on advanced Plasma science (ISPlamsa2018), (March, 5, 2018, Meijyo univ., Nagoya).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] 2次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム,長浜ロイヤルホテル
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] グラフェンの伝導特性2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本化学会第97春季年会「特別企画」二次元物質の科学
    • 発表場所
      慶応大学, 日吉, 神奈川
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] "2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      2017真空・表面科学合同講演会, 横浜市立大,横浜市
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] [Invited]"Interface engineering for 2D electonics".2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      Nippon-Taiwan Workshop, (Feb. 18, 2017, Kwansei Gakuin Univ. Sanda, Hyogo)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] [招待講演] "グラフェンの伝導特性"2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本化学会第97春季年会「特別企画」二次元物質の科学, (2017年3月16日, 慶応大学, 日吉, ( 神奈川)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Interface engineering for 2D electronics2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      2017 NEA Symposium of Emerging Materials Innovation, (October, 18, 2017, Lotte hotel, Soul, Korea).
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] [招待講演]2次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御,2017

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム, (2017年11月9日,長浜ロイヤルホテル,(滋賀県長浜市)).
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Interface engineering for 2D electonics2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Nippon-Taiwan Workshop
    • 発表場所
      Kwansei Gakuin Univ. Sanda, Hyogo
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] [Invited] "Interface engineering for 2D layered semiconductors"2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio,
    • 学会等名
      2017 PKU-UTokyo nano-carbon summer camp, (July, 27, 2017, Hongo, UTokyo (Tokyo))
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Gap state analysis and reliability study on 2D electronics2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Core to core program
    • 発表場所
      Cambridge university, UK
    • 年月日
      2016-07-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Reliability study on layered 2D insulator2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      230th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Reliability study on layered 2D insulator2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      230th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Dielectric breakdown of hexiagonal boronitride2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at NUT 2016
    • 発表場所
      NTU, Taiwan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Reliability study on layered 2D insulator2016

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      230th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, Hawaii
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Gap state analysis and reliability study on 2D electronics2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Core to core program
    • 発表場所
      Cambridge university,UK
    • 年月日
      2016-07-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Gap engineering & reliability study for 2D electronics2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Graphene week
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2016-06-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2016

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      GM-2016Graphene and related Materials: Properties and Applications
    • 発表場所
      Paestum, Italy
    • 年月日
      2016-05-23
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Graphene transistor application2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Core to core program
    • 発表場所
      Tohoku university, Sendai
    • 年月日
      2016-11-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      International conference on graphene and related materials: properties and applications
    • 発表場所
      Paestum, Italy
    • 年月日
      2016-05-23
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Gap engineering & reliability study for 2D electronics2016

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      Graphene week
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2016-06-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      International conference on graphene and related materials: properties and applications
    • 発表場所
      Paestum, Italy
    • 年月日
      2016-05-23
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] prograGraphene transistor applicationm2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Core to core
    • 発表場所
      Tohoku university, Sendai
    • 年月日
      2016-11-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14446
  • [学会発表] Dielectric breakdown of hexiagonal boronitride2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at NUT 2016
    • 発表場所
      NTU, Taiwan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Gap engineering & reliability study for 2D electronics2016

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Graphene week
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2016-06-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [学会発表] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      11th Topical workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      Hida Hotel Plaza,Takayama, Gifu
    • 年月日
      2015-08-26
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      11th Topical workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      Hida Hotel Plaza, Takayama, Japan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] グラフェンの電子デバイス応用へ向けた基礎知識 ~デバイス作製・電子輸送特性・ゲート絶縁膜・コンタクト抵抗~2015

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      サイエンス&テクノロジーセミナー
    • 発表場所
      きゅりあん(東京都品川区)
    • 年月日
      2015-04-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Bilayer graphene field-effect transistors2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      US/Japan Workshop on 2D Materials
    • 発表場所
      Institute Technology, Ookayama, Tokyo
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] トランジスタを作る!グラフェン電界効果トランジスタ2015

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第5回CSJ化学フェスタ
    • 発表場所
      タワーホール船堀(東京都江戸川区)
    • 年月日
      2015-10-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Graphene field effect transistor application2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      1st Japan-EU workshop on graphene and related 2D materials
    • 発表場所
      Sapia tower, Tokyo, Japan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Graphene field effect transistor2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at UTokyo 2015
    • 発表場所
      Tokyo univ, Tokyo, Japan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] FET応用の可能性2015

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      ナノカーボンの技術開発動向に係るワークショップ
    • 発表場所
      NEDO本部(神奈川県川崎市)
    • 年月日
      2015-06-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Graphene field effect transistor application2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      1st Japan-EU workshop on graphene and related 2D materials
    • 発表場所
      Sapia tower, Tokyo, Chiyoda
    • 年月日
      2015-11-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Bilayer graphene field-effect transistors2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      US/Japan Workshop on 2D Materials
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2015-03-23
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Graphene field effect transistors2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      UTokyo-NTU joint conference at UTokyo
    • 発表場所
      Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Meguro
    • 年月日
      2015-12-09
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride2015

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Nagashio
    • 学会等名
      NanoCarbon workshop of PKU-UTokyo
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] グラフェンの電子デバイス応用 -グラフェン・金属接合の理解と制御-2015

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第112回マイクロ接合研究委員会
    • 発表場所
      阪大東京ブランチ(東京都中央区)
    • 年月日
      2015-11-13
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      IEEE INEC2014
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2014-07-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] 2層グラフェンの外部電界印加によるギャップ形成とギャップ内準位の評価2014

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      学振専門委員会
    • 発表場所
      東京大学(東京都文京区)
    • 年月日
      2014-06-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] グラフェンFETの実現へ向けて –コンダクタンス法によるギャップ内準位解析-2014

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第9回ATI合同研究会
    • 発表場所
      東北大学東京分室(東京都千代田区)
    • 年月日
      2014-11-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Energy gap formation and gap states analysis in bilayer graphene under the ultra-high displacement2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Technology
    • 発表場所
      国際会議場,北海道札幌市
    • 年月日
      2014-09-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      Bahia Resort Hotel, SaDiego,USA
    • 年月日
      2014-12-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      IEEE INEC2014
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      2014-07-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Quantum capacitance measurement of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      225rd ECS meeting
    • 発表場所
      Orlando,USA
    • 年月日
      2014-05-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] 2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高キャリア密度下でのサブバンド散乱2014

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      日本表面科学会 第82回表面科学研究会
    • 発表場所
      東工大(東京都目黒区)
    • 年月日
      2014-07-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2014-12-10
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Energy gap formation and gap states analysis in bilayer graphene under the ultra-high displacement2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Technology
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Energy gap formation & gap states analysis in bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      Indo-Japan program on Graphene and related materials
    • 発表場所
      JNCASR, Bangalore, India
    • 年月日
      2014-11-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] 電界印加による2層グラフェンのギャップ形成2014

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      第78回半導体・集積回路技術シンポジウム
    • 発表場所
      東京理科大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2014-07-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      Bahia Resort Hotel, SaDiego
    • 年月日
      2014-12-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Quantum capacitance measurement of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      225rd ECS meeting
    • 発表場所
      Orlando
    • 年月日
      2014-05-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630121
  • [学会発表] Semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      IEEE INEC2014
    • 発表場所
      北海道大学,北海道札幌市
    • 年月日
      2014-07-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] Quantum capacitance measurement of bilayer graphene2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      225rd ECS meeting
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 年月日
      2014-05-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [学会発表] CH_4-CVD単層グラフェン成長におけるH_2流量効果2013

    • 著者名/発表者名
      斉鈞雷, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科
    • 年月日
      2013-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [学会発表] レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェンの金属界面の理解2013

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀 鳥海明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木市・神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Metal/Graphene contact2013

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio
    • 学会等名
      4th A3 symp. on emerging materials
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research2013

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio, W. Liu, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [学会発表] 金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明2013

    • 著者名/発表者名
      井福亮太, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木市・神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Intrinsic graphene/metal contact2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, R. Ifuku, T. Morivama T Nishimura and A
    • 学会等名
      EEE International Electron Device Meeting
    • 発表場所
      米国・サンフランシスコ(招待講演)
    • 年月日
      2012-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] 金属電極直下のグラフェンは本当にグラフェンか?2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      筑波大学プレ戦略イニシアティブ講演会
    • 発表場所
      つくば市・筑波大学(招待講演)
    • 年月日
      2012-08-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] グラフェンデバイスにおける界面の理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会シンポジウム講演
    • 発表場所
      仙台市・東北大学(招待講演)
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Estimation of Metal-graphene Interaction Strength Through Quanium Capacitance Extraction of Graphene in Contact with Metal2012

    • 著者名/発表者名
      T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都市・国際会議場
    • 年月日
      2012-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Electrical transport properties of graphene in contact with Ni2012

    • 著者名/発表者名
      T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A Toriumi
    • 学会等名
      MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      米国・サンフランシスコ
    • 年月日
      2012-04-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Estimaon of Metal-graphene Interaction Strength Through Quantum Capacitance Extraction of Graphene in Contact with Metal2012

    • 著者名/発表者名
      R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura and A Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都市・国際会議場
    • 年月日
      2012-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] グラフェン/SiO_2基板相互作用に対する理解と制御2011

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第58回応用物理学会,神奈川(中止)
    • 発表場所
      神奈川工科大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラフェンFETの接合/界面に対する理解と制御2011

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      電子情報通信学会,電子デバイス研究会特別ワークショップ
    • 発表場所
      東京,首都大学東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラフェンFETの接合/界面に対する理解と制御2011

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      電子情報通信学会,電子デバイス研究会特別ワークショップ
    • 発表場所
      大阪,阪大
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Graphene devices2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      International Mircoprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Kokura, Japan
    • 年月日
      2010-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Graphene/metal contact for graphene FET2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      International symposium on Graphene Devices (ISGD 2010)
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Current crowding at metal contacts in graphene FETs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      MRS spring meeting
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2010-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Graphene/metal contact for graphene FET2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      International symposium on Graphene Devices
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2010-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラフェン/金属界面での電荷移動2010

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第57回応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川,東海大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] DOS bottleneck for contact resistance in Graphene FETs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] 金属/グラフェンコンタクトの基礎特性2010

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      真空・表面科学会合同講演会
    • 発表場所
      大阪,阪大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラフェンデバイス-実験技術の観点から-2010

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      International Mircoprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010)
    • 発表場所
      Fukuoka, Kokura
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] DOS bottleneck for contact resistance in Graphene FETs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Importance of graphene/metal contact for high-performance graphene FET2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio. T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      International microprocesses and nanotechnology conference
    • 発表場所
      Hokkaido, JAPAN
    • 年月日
      2009-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラファイトからグラフェンへ-バンドオーバーラップ減少に伴う電子輸送特性の連続的変化-2009

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会応用電子物性分科会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Study of metal/graphene contact with different electrode geometry2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf.on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai, JAPAN
    • 年月日
      2009-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Metal/Graphene Contact as a Performance Killer of Ultra-high Mobility Graphene-Analysis of Intrinsic Mobility and Contact Resistance-2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Device Meeting
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Metal dependent contact properties for graphene-based FET2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio. T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2009-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Graphene/Cr間のコンタクト抵抗の数桁に及ぶバラツキ2009

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山,富山大
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] グラファイトから単層グラフェンまでの系統的な電子輸送特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      日本学術振興会,ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
    • 発表場所
      静岡,熱海
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21710136
  • [学会発表] Spherical crystallization of Si during free fall in drop-tube2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio, M. Tajima
    • 学会等名
      The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-4
    • 発表場所
      Sendai, Japan.(invited presentation)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [学会発表] Spherical crystallization of Si during free fall in drop-tube (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio, M. Tajima
    • 学会等名
      The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-4
    • 発表場所
      Tohoku University, Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [学会発表] High-speed IR imaging of a quenched interface of an undercooled droplet impinging on a silicon wafer2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kodaira, K. Kuribayashi, and T. Motegi
    • 学会等名
      5th Decennial international conference on solidification processing, 2007
    • 発表場所
      Sheffield, UK
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [学会発表] High-speed IR imaging of a quenched interface of an undercooled droplet impinging on a silicon wafer2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kodaira, K. Kuribayashi, T. Motegi
    • 学会等名
      SP^<07> Proceedings of the 5th Decennial International Conference on Solidification Processing
    • 発表場所
      Sheffield
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [学会発表] 基板上に落下させたY_3Al_5O_<12>液滴の扁平化及び凝固挙動のその場観察2007

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 小平和弘, 栗林一彦, 茂木哲一
    • 学会等名
      85回溶射協会全国講演大会
    • 発表場所
      大阪・大阪市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [学会発表] Rapid X-Ray diffractometry of a metastable phase during solidification from the undercooled YFeO_3 melt2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kuribayashi, M. S. Vijaya Kumar, K. Niwata, T. Hibiya, A. Mizuno, M. Watanabe, and Y. Katayama
    • 学会等名
      5th Decennial international conference on solidification processing, 2007
    • 発表場所
      Sheffield, UK
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [学会発表] Y_3Al_5O_<12>過冷却液滴の扁平化挙動への粘性の影響2007

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔, 小平和弘, 栗林一彦, 茂木徹一
    • 学会等名
      141回金属学会秋季大会
    • 発表場所
      岐阜,岐阜大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17686063
  • [学会発表] Growth Morphology of Si in Rapid Crystallization into Undercooled Melt2007

    • 著者名/発表者名
      K.Kuribayashi & K.Nagashio
    • 学会等名
      Third International Symposium on Physical Sciences in Space(3rd lSPS 2007)
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • 年月日
      2007-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [学会発表] Metastable phase formation from undercooled melt in containerless processing2006

    • 著者名/発表者名
      K. Kuribayashi, K. Nagashio
    • 学会等名
      19^<th> General Meeting of the International Mineralogical Association, IMA2006
    • 発表場所
      Kobe, Japan(invited presentation)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206077
  • [学会発表] グラフェン/金属コンタクトの理解と制御

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      グラフェンコンソーシアム第2回研究講演会
    • 発表場所
      秋葉原,東京
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Carrier response in band gap and multiband transport in bilayer graphene under the ultra-high displacement

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Washington, D.C., USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Estimation of DOS in graphene in contact with metals by quantum capacitance measurment

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      The 40th Int. Symp. on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kove convention center, Hyogo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] DOS estimation of graphene in the contact structre by quantum capacitance measurment

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 学会等名
      RPGR2013
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front, Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio, W. Liu, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International conference on solid state devices and materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [学会発表] CH4-CVD単層グラフェン成長におけるH2流量効果

    • 著者名/発表者名
      斉均雷,長汐晃輔,西村知紀,鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656456
  • [学会発表] Quantum capacitance measurements in monolayer & bilayer graphene

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [学会発表] Si集積化の限界を超える –グラフェンFET実現へ向けて-

    • 著者名/発表者名
      長汐晃輔
    • 学会等名
      SEMI FORUM
    • 発表場所
      グランキューブ大阪,大阪
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686039
  • 1.  栗林 一彦 (70092195)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 88件
  • 2.  吾郷 浩樹 (10356355)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 9件
  • 3.  上野 啓司 (40223482)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 2件
  • 4.  町田 友樹 (00376633)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  塚越 一仁 (50322665)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  越野 幹人 (60361797)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 1件
  • 7.  稲富 裕光 (50249934)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  齋藤 理一郎 (00178518)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  長田 俊人 (00192526)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  依光 英樹 (00372566)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  楠 美智子 (10134818)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  若林 克法 (50325156)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  上野 貢生 (00431346)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 14.  大野 雄高 (10324451)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  宮田 耕充 (80547555)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 4件
  • 16.  野崎 潔 (40415899)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 17.  樋口 健介 (10462897)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  渡邊 賢司 (20343840)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 19.  山田 貴壽 (30306500)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  日比野 浩樹 (60393740)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 21.  小澤 俊平 (80404937)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  長谷川 雅考 (20357776)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  坂本 良太 (80453843)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 24.  水野 清義 (60229705)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  櫻井 英博 (00262147)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  西堀 英治 (10293672)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 27.  松田 一成 (40311435)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 28.  岡田 晋 (70302388)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 29.  高村 由起子 (90344720)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  蒲 江 (00805765)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  松尾 吉晃 (20275308)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  トン ヴィンセント (50971628)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  仁科 勇太
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  柳 和宏
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  河野 行雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  広沢 哲
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  末光 哲也
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 38.  吹留 博一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 39.  谷口 尚
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 40.  丸山 実那
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 41.  鳥海 明
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 42.  西原 寛
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 43.  末光 眞希
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 44.  Lin YungChang
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 45.  稲富 祐光
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 5件
  • 46.  Fong CheeFai
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 47.  NGAMPRAPAWAT SUPAWAN
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 48.  服部 吉晃
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 3件
  • 49.  Fang Nan
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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