石崎博基 Ishizaki Hiroki

研究者番号	20383507
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 総合研究院, 特任教授 2025年度: 東京科学大学, 科学技術創成研究院, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2012年度: 諏訪東京理科大学, システム工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外プラズマ成膜 / MIS構造 / 誘電体物性 / 原子層堆積 / MOS構造 / 酸化アルミニウム / 酸化ハフニウム / 原子層堆積法 / プラズマ酸化 / MOS 構造 / 超薄膜 / 表面・界面物性 / 誘電体薄膜

PA-ALD法による高誘電体薄膜の低温形成と欠陥・界面制御に関する基盤研究
- 研究代表者
  
  福田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  諏訪東京理科大学

すべて 2013 2012 2011 2010

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] SpontaneousformationofaluminumgermanateonGe(100)byatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,H.Okamoto,andH.Narita
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett
  
  巻: 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Thermal Improvement and Stability of Si_3N_4/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature2012
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,H.Okamoto,T.Iwasaki,K.Izumi,Y.Otani,H.Ishizaki,andT.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 9R ページ: 090204-090204
- DOI
  10.1143/jjap.51.090204
- NAID
  40019424880
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Formation of Al2O3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition2010
- 著者名/発表者名
  H. Ishizaki, Y. Otani, Y. Fukuda, T.Sato, T. Takamatsu, and T. Ono
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 33 ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, M.Iida, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Insituformationofaluminumgermanateinterlayerforhigh-k/Gemetal-oxide-semiconductorstructuresbyatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  T.Hanada,K.Yanachi,H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
- 学会等名
  the12thInternationalSymposiumonSputtering&PlasmaProcesses
- 発表場所
  Kyoto(Japan),tobepresented
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
- 学会等名
  the8thInternationalConferenceonSiliconEpitaxyandHeterostructures
- 発表場所
  Fukuoka(Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成2012
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、福田幸夫
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] 極薄TiOx層を挿入したAl/n-Ge(100)接触特性のPMA処理温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  和光賢司、花田毅広、石崎博基、王谷洋平、佐藤哲也、岡本浩、小野俊郎、福田幸夫
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] マイクロ波生成プラズマ支援ALD法によるSi基板上HfO_2薄膜の形成2011
- 著者名/発表者名
  飯田真正、石崎博樹、王谷洋平、森田直樹、佐藤哲也、岡本浩、小野俊郎、福田幸夫
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, M.Iida, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] FormationofAl2O3FilmonSiSubstratebyMicrowaveGeneratedRemotePlasmaAssistedAtomicLayerDepositionTechnique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki,YOtani,Y.Fukuda,T.Sato,T.Takamatsu,andT.Ono
- 学会等名
  218thElectrochemicalSocietyMeeting
- 発表場所
  LasVegas(USA)
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の形成2010
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、高松利行、小野俊郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307

1. 福田幸夫 (50367546)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
2. 王谷洋平 (40434485)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件

石崎 博基 Ishizaki Hiroki

研究課題

研究成果

共同研究者

PA-ALD法による高誘電体薄膜の低温形成と欠陥・界面制御に関する基盤研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] SpontaneousformationofaluminumgermanateonGe(100)byatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermal Improvement and Stability of Si_3N_4/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Formation of Al2O3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Insituformationofaluminumgermanateinterlayerforhigh-k/Gemetal-oxide-semiconductorstructuresbyatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 極薄TiOx層を挿入したAl/n-Ge(100)接触特性のPMA処理温度依存性2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] マイクロ波生成プラズマ支援ALD法によるSi基板上HfO_2薄膜の形成2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] FormationofAl2O3FilmonSiSubstratebyMicrowaveGeneratedRemotePlasmaAssistedAtomicLayerDepositionTechnique2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の形成2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

石崎博基 Ishizaki Hiroki