永瀬雅夫 nagase masao

研究者番号	20393762
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 2019年度 – 2023年度: 徳島大学, ポストLEDフォトニクス研究所, 教授 2017年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 2016年度: 徳島大学, 大学院理工学研究部, 教授 2014年度 – 2015年度: 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 … もっと見る 2012年度: 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 2010年度 – 2012年度: 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 2010年度: 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス, 教授 2009年度: 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 2007年度 – 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ材料・ナノバイオサイエンス研究代表者以外小区分29010:応用物性関連 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者グラフェン / ナノ材料 / 計測工学 / マイクロ・ナノデバイス / 遠赤外線 / プラズモン / 負性微分抵抗 / SiC / 積層接合 / SiC基板 … もっと見る / テラヘルツ / 電子デバイス・機器 / ナノコンタクト / 異種機能集積化 / 電子デバイス / 環境制御チャンバー / 表面構造制御 / 赤外線加熱 / 集積化デバイス / ナノギャップ電極 / 低エネルギー電子顕微鏡 … もっと見る研究代表者以外グラフェン / エピタキシャル / バイオセンサ / 単結晶 / センサ / トランジスタ / 成長機構 / バンドギャップ / ホール素子 / インターカレーション / キャリア移動度 / 量子ホール効果 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 電気伝導特性 / シリコンカーバイド / ナノ構造物性 / マイクロ / ナノマシン / マイクロマシン / 新規デバイス / 集積回路 / 電子デバイス隠す

エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬雅夫
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  徳島大学
エピタキシャルグラフェンによる電荷移動型FETバイオセンサの開発
- 研究代表者
  
  大野恭秀
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29010:応用物性関連
- 研究機関
  徳島大学
機能化グラフェンアレイ構造を用いた高機能イメージバイオセンサの開発
- 研究代表者
  
  大野恭秀
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  徳島大学
異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬雅夫
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  徳島大学
数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬雅夫
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  徳島大学
ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製
- 研究代表者
  
  日比野浩樹
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
ナノ機械パラメトロン素子の研究
- 研究代表者
  
  山口浩司
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬雅夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

[図書] グラフェンが拓く材料の新領域 ∼物性・作製法から実用化まで∼2012
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 総ページ数
  233
- 出版者
  エヌティーエス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[図書] グラフェンが拓く材料の新領域-物性・作製法から実用化まで-2012
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、永瀬雅夫, 他
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 他
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン・ナノチューブ・グラフェンを中心に-2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 他
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 他
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[図書] ノカーボンの応用と実用化フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[図書] グラフェンの機能と応用展望、一部(第11章SiC上のグラフェン成長と電気特性)の執筆を分担2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 他、監修:斉木幸一朗、徳本洋志
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics2024
- 著者名/発表者名
  Murakami Hayate、Fukunaga Fumiya、Ohi Motoki、Kubo Kosuke、Nakagawa Takeru、Kageshima Hiroyuki、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 4 ページ: 04SP56-04SP56
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad364f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Resistive-switching behavior in stacked graphene diode2023
- 著者名/発表者名
  Ohi Motoki、Fukunaga Fumiya、Murakami Hayate、Kageshima Hiroyuki、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SG ページ: SG1031-SG1031
- DOI
  10.35848/1347-4065/acbbd4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Energy Harvesting of Deionized Water Droplet Flow over an Epitaxial Graphene Film on a SiC Substrate2023
- 著者名/発表者名
  Ohno Yasuhide、Shimmen Ayumi、Kinoshita Tomohiro、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  Materials
  
  巻: 16 号: 12 ページ: 4336-4336
- DOI
  10.3390/ma16124336
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測2022
- 著者名/発表者名
  片岡大治, 久原拓真, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  第14回「集積化MEMSシンボジウム」論文集
  
  巻: 14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Electron transfer characteristics of amino acid adsorption on epitaxial graphene FETs on SiC substrates2022
- 著者名/発表者名
  Yamasaki Sota、Nakai Hiroki、Murayama Keita、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 12 号: 10 ページ: 105310-105310
- DOI
  10.1063/5.0124084
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Graphene/AlGaN Schottky barrier photodiodes and its application for array devices2022
- 著者名/発表者名
  Nakagawa Yoshinori、Okauchi Shigeki、Sano Masahiko、Mukai Takashi、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SD ページ: SD1013-SD1013
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac6132
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection2022
- 著者名/発表者名
  Kataoka Taichi、Fukunaga Fumiya、Murakami Naruse、Sugiyama Yoshiki、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SD ページ: SD1019-SD1019
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5423
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移2022
- 著者名/発表者名
  福永郁也, 大井基暉, 村上隼瑛, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  第14回「集積化MEMSシンボジウム」論文集
  
  巻: 14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Thermal desorption of structured water layer on epitaxial graphene2021
- 著者名/発表者名
  Tomoki Minami, Shuta Ochi, Hiroki Nakai, Tomohiro Kinoshita, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 11 号: 12 ページ: 125012-125012
- DOI
  10.1063/5.0075191
- NAID
  120007178461
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582, KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Charge-independent protein adsorption characteristics of epitaxial graphene field-effect transistor on SiC substrate2021
- 著者名/発表者名
  Hiroki Nakai, Daiu Akiyama, Yoshiaki Taniguchi, Iori Kishinobu, Hiromichi Wariichi, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Takuya Ikeda, Atsushi Tabata, Hideaki Nagamune
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 130 号: 7 ページ: 074502-074502
- DOI
  10.1063/5.0054688
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582, KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Blackbody-like infrared radiation in stacked graphene P-N junction diode2021
- 著者名/発表者名
  Murakami N.、Sugiyama Y.、Ohno Y.、Nagase M.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SC ページ: SCCD01-SCCD01
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe208
- NAID
  120007192341
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[雑誌論文] (Invited) Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate2021
- 著者名/発表者名
  Nagase Masao
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 104 号: 4 ページ: 27-31
- DOI
  10.1149/10404.0027ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[雑誌論文] Suppression of protein adsorption on a graphene surface by phosphorylcholine functionalization2019
- 著者名/発表者名
  Taniguchi Yoshiaki、Miki Tsubasa、Ohno Yasuhide、Nagase Masao、Arakawa Yukihiro、Imada Yasushi、Minagawa Keiji、Yasuzawa Mikito
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 5 ページ: 055001-055001
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0b37
- NAID
  210000155648
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582, KAKENHI-PROJECT-19J11603
[雑誌論文] High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Kujime Takaya、Taniguchi Yoshiaki、Akiyama Daiu、Kawamura Yusuke、Kanai Yasushi、Matsumoto Kazuhiko、Ohno Yasuhide、Nagase Masao
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 2 ページ: 1900357-1900357
- DOI
  10.1002/pssb.201900357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[雑誌論文] Observation of the interaction between avidin and iminobiotin using a graphene FET on a SiC substrate2019
- 著者名/発表者名
  Taniguchi Yoshiaki、Miki Tsubasa、Ohno Yasuhide、Nagase Masao、Arakawa Yukihiro、Yasuzawa Mikito
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SD ページ: SDDD02-SDDD02
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0544
- NAID
  210000155918
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582, KAKENHI-PROJECT-19J11603
[雑誌論文] Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization2017
- 著者名/発表者名
  Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa, Mikito Yasuzawa
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 254 ページ: 1600524-1600524
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[雑誌論文] Ion sensitivity of large-area epitaxial graphene film on SiC substrate2017
- 著者名/発表者名
  Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 21 ページ: 213103-213103
- DOI
  10.1063/1.4994253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[雑誌論文] Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC2017
- 著者名/発表者名
  Makoto Kitaoka, Takuya Nagahama, Kota Nakamura, Takuya Aritsuki, Kazuya Takashima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 8 ページ: 085102-085102
- DOI
  10.7567/jjap.56.085102
- NAID
  120006489013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[雑誌論文] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates2016
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, Y.i Kanai, Y. Mori, M. Nagase, K. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146619
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[雑誌論文] Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles2016
- 著者名/発表者名
  H. Matsumura, S. Yanagiya, M. Nagase, H. Kishikawa and N. Goto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 6S1 ページ: 06GL05-06GL05
- DOI
  10.7567/jjap.55.06gl05
- NAID
  120006380969
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107, KAKENHI-PROJECT-15K04679
[雑誌論文] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates2016
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, Y. Kanai, Y. Mori, M. Nagase and K. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 6S1 ページ: 06GF09-06GF09
- DOI
  10.7567/jjap.55.06gf09
- NAID
  210000146619
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice2016
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, D. Yoshizumi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 9 号: 10 ページ: 105101-105101
- DOI
  10.7567/apex.9.105101
- NAID
  210000138070
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique2016
- 著者名/発表者名
  T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno, and M. Nagase
- 雑誌名
  
  10.7567/JJAP.55.Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55
- NAID
  120006365858
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene2015
- 著者名/発表者名
  R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 3 ページ: 036502-036502
- DOI
  10.7567/jjap.54.036502
- NAID
  120006365859
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide2015
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Keisuke, Tanabe Shinichi, Tao Takuto, Okumura Toshio, Nakashima Takeshi, Aritsuki Takuya, O Ryong-Sok and Masao Nagase
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 8 号: 3 ページ: 036602-036602
- DOI
  10.7567/apex.8.036602
- NAID
  120006365861
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014
- 著者名/発表者名
  関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 佐々木健一, 赤崎達志
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 42 ページ: 652-657
- NAID
  130007897554
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[雑誌論文] Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio2013
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Expres
  
  巻: 6 号: 5 ページ: 055101-055101
- DOI
  10.7567/apex.6.055101
- NAID
  10031174336
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文]2012
- 著者名/発表者名
  R. O, A. Iwamoto, Y. Nishi, Y. Funase, T. Yuasa, T. Tomita, M. Nagase, H. Hibino, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51 号: 6S ページ: 06FD06-06FD06
- DOI
  10.1143/jjap.51.06fd06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Theoretical study on epitaxial graphene growth by Si sublimation from SiC(0001) surface2011
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 9R ページ: 381-386
- DOI
  10.1143/jjap.50.095601
- NAID
  40019010403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistor2011
- 著者名/発表者名
  S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DN04-04DN04
- DOI
  10.1143/jjap.50.04dn04
- NAID
  210000070405
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Theoretical study on magnetoelectric and thermoelectric properties for graphene devices2011
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 7R ページ: 95601-95601
- DOI
  10.1143/jjap.50.070115
- NAID
  210000070798
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on Si2011
- 著者名/発表者名
  S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, H. Hibino
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc
  
  巻: 1283 ページ: 675-680
- DOI
  10.1557/opl.2011.675
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2011
- 著者名/発表者名
  S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings
  
  巻: 1283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001)2011
- 著者名/発表者名
  S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 94 号: 11 ページ: 115458-115458
- DOI
  10.1103/physrevb.84.115458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles2011
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 645-648 ページ: 597-602
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.597
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects2011
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1399 ページ: 755-756
- DOI
  10.1063/1.3666596
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2011
- 著者名/発表者名
  S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
- 雑誌名
  
  MRS Proc.
  
  巻: 1283
- URL
  http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.675
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027014343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
- 雑誌名
  
  J. Phys. D (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討2010
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 37 ページ: 190-195
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 3 号: 4 ページ: 045101-045101
- DOI
  10.1143/apex.3.045101
- NAID
  10027014343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices2010
- 著者名/発表者名
  S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10026495507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe2010
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase, et al.
- 雑誌名
  
  NTT Technical Rev.
  
  巻: 8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D : Applied Physics
  
  巻: 43
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] シリコンカーバイド上のグラフェン成長2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  NTT技術ジャーナル
  
  巻: 21(6) ページ: 18-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、影島博之、田邉真一、永瀬雅夫、水野清義
- 雑誌名
  
  固体物理
  
  巻: 45 ページ: 645-655
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] 炭素材料グラフェン(寄稿記事)2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  工業材料 58
  
  ページ: 44-45
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices2010
- 著者名/発表者名
  S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 3 号: 7 ページ: 075102-075102
- DOI
  10.1143/apex.3.075102
- NAID
  10026495507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 37 ページ: 190-195
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001) surfaces2010
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 3 号: 11 ページ: 115103-115103
- DOI
  10.1143/apex.3.115103
- NAID
  10027442141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006, KAKENHI-PROJECT-22310062
[雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles2010
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 597-602
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001)surfaces2010
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027442141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 3
  
  ページ: 45101-45101
- NAID
  10027014343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  Journal of the Vacuum Society of Japan 53
  
  ページ: 101-108
- NAID
  10026292473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles2010
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe2010
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, K. Tamaru, K. Nonaka, S. Warisawa, S. Ishihara, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  NTT Technical Rev
  
  巻: 8 ページ: 1-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Graphene growth on silicon carbide2010
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 雑誌名
  
  NTT Technical Review
  
  巻: 18(8) ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces2010
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y.Sekine, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 ページ: 115103-115103
- NAID
  10027442141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Hiroshi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 3
- NAID
  10027014343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹, 影島博之, 田邉真一, 永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  固体物理
  
  巻: 45 ページ: 645-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
- 雑誌名
  
  J. Phys. D : Appl. Phys.
  
  巻: 43
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles2010
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Kageshima, Hitoki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 597-602
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K. TAMARU, K. NONAKA, M. NAGASE, H. YAMAGUCHI, S. WARISAWA, S. ISHIHARA
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  210000066954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)2009
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, S. Mizuno, H. Kageshima, M. Nagase, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 80
  
  ページ: 85406-85406
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
  
  ページ: 445704-445704
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)Surfaces2009
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 2
- NAID
  10025086838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] グラフェンのミクロスコピックな物性の解明2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  セラミックス(日本セラミックス協会誌) 44
  
  ページ: 181-182
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)2009
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, S.Mizuno, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 80
  
  ページ: 85406-85406
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  Kojiro TAMARU, Keiichiro NONAKA, Masao NAGASE, Hiroshi YAMAGUCHI, Shinichi WARISAWA, Sunao ISHIHARA
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Direct actuation of GaAs membrane with the microprobe of scanning probe microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Tamaru, K.Nonaka, M.Nagase, H.Yamaguchi, S.Warisawa, S.Ishihara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] グラフェンのミクロスコピックな物性の解明(寄稿記事)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  セラミックス 44
  
  ページ: 181-182
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  信学技報ED2009-61 SDM2009-56
  
  ページ: 47-52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces2009
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
  
  ページ: 65502-65502
- NAID
  10025086838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] グラフェンのエレクトロニクスへの展開2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 雑誌名
  
  未来材料 9
  
  ページ: 38-45
- NAID
  40016569099
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 20 号: 44 ページ: 445704-445704
- DOI
  10.1088/0957-4484/20/44/445704
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[雑誌論文] evaluation of thermal mechanical vibration amplitude and mechanical properties of carbon nanopillars using scanning electron microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Nonaka, K.Tamaru, M.Nagase, H.Yamaguchi, S.Warisawa, S.Ishihara
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] Direct actuation of GaAs membrane with the microprobe of scanning probemicroscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Tamaru, K.Nonaka, M.Nagase, H.Yamaguchi, S.Warisawa, S.Ishihara.
- 雑誌名
  
  Jpn. J.Appl. Phys. 48
- NAID
  210000066954
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] evaluation of thermal mechanical vibration amplitude and mechanical properties of carbon nanopillars using scanning electron microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Nonaka, K.Tamaru, M.Nagase, H.Yamaguchi, S.Warisawa, S.Ishihara.
- 雑誌名
  
  Jpn. J.Appl. Phys. 48
- NAID
  210000066955
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC Using Low-Energy Electron Microscopy2008
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6
  
  ページ: 107-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
  
  ページ: 495701-495701
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
  
  ページ: 495701-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogapprobe2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
  
  ページ: 495701-495701
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Height Dependence of Young's Modulus for Carbon Nanopillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Depositio2008
- 著者名/発表者名
  K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 5116-5119
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] In-plane conductancemeasurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe2008
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi.
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
  
  ページ: 495701-495701
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[雑誌論文] Height Dependence of Young's Modulus for Carbon Nano-pillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition2008
- 著者名/発表者名
  K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 5116-5119
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  J. Phys: Conf. Series 100
  
  ページ: 52006-52006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi,
- 雑誌名
  
  J. Phys : Conf. Series 100
  
  ページ: 52006-52006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  信学技報 SDM2009-56
  
  ページ: 47-52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[産業財産権] グラフェンおよびその製造方法2013
- 発明者名
  永瀬雅夫
- 権利者名
  徳島大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-22
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[産業財産権] グラフェンおよびその製造方法2012
- 発明者名
  永瀬雅夫
- 権利者名
  徳島大学
- 産業財産権番号
  2012-038609
- 出願年月日
  2012-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2010
- 発明者名
  田邉真一、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明
- 権利者名
  日本電信電話株式会社
- 産業財産権番号
  2010-037004
- 出願年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2010
- 発明者名
  田邉真一、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明
- 権利者名
  日本電信電話株式会社
- 産業財産権番号
  2010-037004
- 出願年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[産業財産権] 抵抗可変電子素子2008
- 発明者名
  永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
- 権利者名
  日本電信電話株式会社
- 産業財産権番号
  2008-226923
- 出願年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[産業財産権] 抵抗可変電子素子2008
- 発明者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 権利者名
  日本電信電話(株)
- 産業財産権番号
  2008-226923
- 出願年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンFETのpH依存性2024
- 著者名/発表者名
  古川智和人, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] HisタグB-domainを用いたSiC上グラフェンへの抗体配向修飾法2024
- 著者名/発表者名
  松村大夢, 森優介, 髙嶋宙, 大野恭秀, 永瀬雅夫, Hoang Anh Tung, 田端厚之, 長宗秀明
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] SiC上グラフェンの液滴による電位差発生のイオン濃度依存性2024
- 著者名/発表者名
  竹下立晟, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上の液中フォースカーブ計測2024
- 著者名/発表者名
  湯川諒磨, 豊田蓮青, 濱本滉太, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Al2O3ナノ粒子を形成したSiC上グラフェンFETのpH依存性2023
- 著者名/発表者名
  岡田拓斗, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2023 年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Detection of antigens exceeding the Debye screening length using epitaxial graphene FET on SiC substrates2023
- 著者名/発表者名
  Murayama Keita, Yasuhide Ohno, Taira Kajisa and Masao Nagase
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Vertically Stacked Graphene Junction Diodes2023
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase
- 学会等名
  244th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] グラフェン遠赤外エミッタを用いた材料判別2023
- 著者名/発表者名
  久原拓真, 片岡大治, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Single-crystal graphene functional devices2023
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  令和四年度東北大学通信研究所　共同プロジェクト研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] 分子修飾によるSiC上グラフェンFETのドーピング制御2023
- 著者名/発表者名
  名渕公軌, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2023 年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] タングステンプローブを用いた白金ナノ電極の作製法の検討2023
- 著者名/発表者名
  佐藤優介, 橋本一輝, 倉科昌, 永瀬雅夫, 安澤幹人
- 学会等名
  2023年度日本化学会中国四国支部大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics2023
- 著者名/発表者名
  Murakami Hayate, Fumiya Fukunaga, Ohi Motoki, KUBO Kohsuke, Nakagawa Takeru, Kageshima Hiroyuki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] 高電圧印加によるグラフェン積層接合の抵抗変化2023
- 著者名/発表者名
  大井基暉, 村上隼瑛, 久保倖介, 中川剛瑠, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 影島博之
- 学会等名
  第15回「集積化MEMSシンボジウム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] SiC上グラフェンの液滴発電における異方性2022
- 著者名/発表者名
  新免歩, 木下智裕, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Amino acids adsorption characteristics of epitaxial graphene FETs on SiC substrates2022
- 著者名/発表者名
  S. Yamasaki, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] 層状物質応用イメージセンサ用受光素子の作製と特性評価2022
- 著者名/発表者名
  中河義典, 佐野雅彦, 岡内茂樹, 向井孝志, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上構造水層のトンネル電流解析2022
- 著者名/発表者名
  中野泰輔, 中村俊輔, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Demonstration of All-Optical Ultrafast Switching, Using High-Quality Graphene2022
- 著者名/発表者名
  T. Kusaka, A. Furube, T. Katayama, H. Kishikawa, Y. Ohno, M. Nagase and J. Fujikata
- 学会等名
  27th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測2022
- 著者名/発表者名
  片岡大治, 久原拓真, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第14回「集積化MEMSシンボジウム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Single-crystal graphene devices2022
- 著者名/発表者名
  M. Nagase
- 学会等名
  Int. Conf. on Physics and its Applications (Physics 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Resistive switching behavior in graphene-stacked junction2022
- 著者名/発表者名
  M. Ohi, F. Fukunaga, H. Murakami, H. Kageshima, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Blackbody-like far-infrared emission from electrically biased graphene on SiC2022
- 著者名/発表者名
  T. Kataoka, T. Kuhara, F. Fukunaga, M. Ohi, H. Murakami, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Functional devices fabricated using single crystal graphene on SiC substate2022
- 著者名/発表者名
  M. Nagase
- 学会等名
  3rd Int. Conf. on Nanomaterials and Advanced Composites (NAC 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上構造水層のトンネル電流解析2022
- 著者名/発表者名
  中野泰輔, 中村俊輔, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] His-tag 法を用いた SiC 上グラフェンへの抗体配向修飾技術2022
- 著者名/発表者名
  森優介, 松村大夢, 村山圭汰, 竹下凌哉, HOANG ANH TUNG, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 田端厚之, 長宗秀明
- 学会等名
  第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Ultrafast All-Optical Switching with High-Quality Graphene and its Polarization Effect2022
- 著者名/発表者名
  T. Kusaka, A. Furube, T. Katayama, H. Kishikawa, Y. Ohno, M. Nagase and J. Fujikata
- 学会等名
  15th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO Pacific Rim, CLEO-PR 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] 塩酸中におけるSiC上グラフェンFETのpH依存性2022
- 著者名/発表者名
  大前隆史, 大野恭秀, 安澤幹人, 永瀬雅夫
- 学会等名
  2022年度応用物理学・物理系中国四国支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移2022
- 著者名/発表者名
  福永郁也, 大井基暉, 村上隼瑛, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第14回「集積化MEMSシンボジウム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] グラフェン積層接合における電流スイッチング2022
- 著者名/発表者名
  福永郁也, 村上成汐, 大井基暉, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] グラフェン積層接合における電流スイッチング2022
- 著者名/発表者名
  福永郁也, 村上成汐, 大井基暉, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] SiC上グラフェンの液滴発電における異方性2022
- 著者名/発表者名
  新免歩, 木下智裕, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] 液滴による電位差発生現象におけるバッファ層の影響2021
- 著者名/発表者名
  木下智裕, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection2021
- 著者名/発表者名
  T. Kataoka, F. Fukunaga, N. Murakami, Y. Sugiyama, Y. Ohno, and M. Nagase
- 学会等名
  34rd International Microprocessors and Nanotechnology Conference (MNC2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] SiC 上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測2021
- 著者名/発表者名
  片岡大治, 杉山良輝, 村上成汐, 福永郁也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] SiC 上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測2021
- 著者名/発表者名
  片岡大治, 杉山良輝, 村上成汐, 福永郁也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate2021
- 著者名/発表者名
  M. Nagase
- 学会等名
  240th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Deep ultraviolet light detection by AlGaN/Gr hetero junction photodiode array2021
- 著者名/発表者名
  Y. Nakagawa, S. Okauchi, M. Sano, T. Mukai, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  34rd International Microprocessors and Nanotechnology Conference (MNC2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K20960
[学会発表] Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection2021
- 著者名/発表者名
  Kataoka Taichi, Fukunaga Fumiya, Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] 液浸ラマン分光法を用いた SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性評価2021
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] Blackbody-like infrared radiation in stacked graphene P-N junction diode2020
- 著者名/発表者名
  Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 学会等名
  33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] 溶液ゲートグラフェン FET における電気二重層の役割2020
- 著者名/発表者名
  大野恭秀, 川越悠斗, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上構造水層の電子輸送特性2020
- 著者名/発表者名
  中村俊輔, 都継瑶, 葛尾理樹, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] SiC上グラフェンの水脱離によるシート抵抗変化2020
- 著者名/発表者名
  南朋貴, 越智柊太, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] 積層グラフェン p-n 接合の赤外線放射特性2020
- 著者名/発表者名
  村上成汐, 杉山良輝, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] SiC 上グラフェン FET のタンパク質吸着特性とキャリア伝導2020
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] Protein detection by electron donor using epitaxial graphene film on SiC substrate2020
- 著者名/発表者名
  Nakai Hiroki, Akiyama Daiu, Taniguchi Yoshiaki, Kishinobu Iori, Ikeda Takuya, Atsushi Tabata, Hideaki Nagamune, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 学会等名
  33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] SiC上グラフェンの赤外線放射特性の観測2019
- 著者名/発表者名
  杉山良輝, 都継瑶, 久次米孝哉, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] High stability of the epitaxial graphene film on SiC substrate2019
- 著者名/発表者名
  Takaya Kujime, Yoshiaki Taniguchi, Daiu Akiyama, Yusuke Kawamura, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 学会等名
  The 46th International Symposium on Compound Semiconductor
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] ホール効果測定によるSiC上グラフェンのタンパク質吸着特性評価2019
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] 1-aminopyrene-modified epitaxial graphene device for pH sensors2019
- 著者名/発表者名
  Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, and Masao Nagase
- 学会等名
  The 46th International Symposium on Compound Semiconductor
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02582
[学会発表] SiC上グラフェンへの水ドーピング効果の評価2018
- 著者名/発表者名
  寺谷仁志、北岡誠、松井一史、田原雅章、大野恭秀、永瀬雅夫
- 学会等名
  第65回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] イミノビオチン修飾グラフェンによるアビジン吸着特性の pH 制御2018
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭、三木翼、大野恭秀、永瀬雅夫、荒川幸弘、今田泰嗣、南川慶二、安澤幹人
- 学会等名
  第65回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Vertically stacked graphene tunneling junction with insulative water layer2018
- 著者名/発表者名
  Du Jiyao、Yukinobu Kimura、Masaaki Tahara、Kazushi Matsui、Hitoshi Teratani、Yasuhide Ohno、Masao Nagase
- 学会等名
  第65回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] SiC上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化2017
- 著者名/発表者名
  北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会(応物 2017春)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Water adsorption and desorption for graphene on SiC2017
- 著者名/発表者名
  Makoto Kitaoka, Kota Nakamura, Hitoshi Teratani, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
- 学会等名
  International Symposium on Epitaxial Graphene 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] SiC グラフェンを用いた親水化処理における修飾分子依存性2017
- 著者名/発表者名
  杉岡賢人, 谷口嘉昭, 三木翼, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 南川慶二, 今田泰嗣, 安澤幹人
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Electrical characteristics of positively and negatively charged protein adsorption to epitaxial graphene film on SiC substrate2017
- 著者名/発表者名
  Yasuhide Ohno, Taniguchi Yoshiaki, Masao Nagase
- 学会等名
  2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] ホスホリルコリン修飾グラフェンのタンパク質吸着特性2017
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭、三木翼、大野恭秀、永瀬雅夫、荒川幸弘、今田泰嗣、南川慶二、安澤幹人
- 学会等名
  第9回集積化MEMSシンボジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のためのSub10nmパターンの作製2017
- 著者名/発表者名
  朴理博, 永瀬雅夫, 大野恭秀
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017 春)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のためのSub10nmパターンの作製2017
- 著者名/発表者名
  朴理博、永瀬雅夫、大野恭秀
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Intrinsic response of protein adsorption to graphene film on SiC substrate2017
- 著者名/発表者名
  Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa, Yasushi Imada, Keiji Minagawa, Mikito Yasuzawa
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 分子修飾機能化によるSiC上グラフェンの非特異吸着の抑制2017
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭、三木翼、光野琢仁、大野恭秀、永瀬雅夫、南川慶二、安澤幹人
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] SiC上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化2017
- 著者名/発表者名
  北岡誠、永濱拓也、中村晃大、有月琢哉、高嶋和也、大野恭秀、永瀬雅夫
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 分子修飾機能化によるSiC上グラフェンの非特異吸着の抑制2017
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭,三木翼,光野琢仁,大野恭秀,永瀬雅夫,南川慶二,安澤幹人
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] ケルビンフォース顕微鏡を用いた SiC 上グラフェン構造水層の観察2017
- 著者名/発表者名
  松井一史, 中村晃大, 北岡誠, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究2016
- 著者名/発表者名
  楊順涵, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC上グラフェンの水脱離による導電率変化2016
- 著者名/発表者名
  北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋)
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Carrier Doping Effect of Humidity for Single-Crystal Graphene on SiC2016
- 著者名/発表者名
  M. Kitaoka, T. Nagahama, K. Nakamura, T. Aritsuki, K. Takashima, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  29th International Microprocesses and Nanotechnology Conferen
- 発表場所
  ANA Crowne Plaza(京都府京都市)
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization2016
- 著者名/発表者名
  Y. Taniguchi, T. Miki, T. Mitsuno, Y. Ohno, M. Nagase, K. Minagawa and M. Yasuzawa
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2016-06-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine- modified graphene films on SiC substrate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Taniguchi, T. Miki, T. Mitsuno, Y. Ohno, M. Nagase, K. Minagawa and M. Yasuzaw
- 学会等名
  9th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016)
- 発表場所
  ANAクラウンプラザホテル京都（京都府京都市）
- 年月日
  2016-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] 走査プローブ顕微鏡を用いたSiC上グラフェンの実効ヤング率計測2016
- 著者名/発表者名
  山田祐輔、有月琢哉、高嶋和也、大野恭秀、永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing2016
- 著者名/発表者名
  M. Nagase
- 学会等名
  2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research(CC3DMR)
- 発表場所
  Songdo Convensia, Inchon, Korea
- 年月日
  2016-06-22
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistor2016
- 著者名/発表者名
  T. Mitsuno, Y. Taniguchi, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2016-06-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa, and Mikito Yasuzawa
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  富山国際会議場(富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC2016
- 著者名/発表者名
  M. Kitaoka, T. Nagahama, K. Nakamura, K. Takashima, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  9th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016)
- 発表場所
  ANAクラウンプラザホテル京都（京都府京都市）
- 年月日
  2016-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上の吸着水層2016
- 著者名/発表者名
  中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 永濱拓也, 北岡誠, 永瀬雅夫, 大野恭秀
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Characteristics on Bare and Phosphorylcholine-Modified Graphene Film on SiC Substrate2016
- 著者名/発表者名
  Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa, and Mikito Yasuzawa
- 学会等名
  29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  ANA Crowne Plaza(京都府京都市)
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] SiC上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性2016
- 著者名/発表者名
  北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第8回集積化MEMSシンボジウム
- 発表場所
  平戸文化センター（長崎県平戸市）
- 年月日
  2016-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC上グラフェンの水脱離による導電率変化2016
- 著者名/発表者名
  北岡誠、永濱拓也、中村晃大、有月琢哉、高嶋和也、大野恭秀、永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno, and Masao Nagase
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  富山国際会議場(富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果2016
- 著者名/発表者名
  松村尚知, 柳谷伸一郎, 古部昭広, 岸川博紀, 後藤信夫, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性 ~分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて~2016
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  サイエンスプラザ2016
- 発表場所
  NTT物性科学基礎研究所（神奈川県厚木市）
- 年月日
  2016-11-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] 顕微ラマン分光法によるSiC上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価2016
- 著者名/発表者名
  森本征士, 有月琢哉, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋)
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] 走査プローブ顕微鏡を用いたSiC上グラフェンの実効ヤング率計測2016
- 著者名/発表者名
  山田祐輔, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016 秋)
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] グラフェン本来のイオンセンシング特性2016
- 著者名/発表者名
  大野恭秀, 光野琢仁, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋)
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] グラフェン本来のイオンセンシング特性2016
- 著者名/発表者名
  大野恭秀、光野琢仁、谷口嘉昭、永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化2016
- 著者名/発表者名
  谷口嘉昭, 三木翼, 光野琢仁, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南川慶二, 安澤幹人
- 学会等名
  第8回集積化MEMSシンボジウム
- 発表場所
  平戸文化センター（長崎県平戸市）
- 年月日
  2016-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors2016
- 著者名/発表者名
  Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, and Masao Nagase
- 学会等名
  2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems
- 発表場所
  Hapuna Beach Prince Hotel(HI, USA)
- 年月日
  2016-12-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 顕微ラマン分光法によるSiC上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価2016
- 著者名/発表者名
  森本征士、有月琢哉、青木翔、大野恭秀、永瀬雅夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique2015
- 著者名/発表者名
  T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno and M. Nagase
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2015-11-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] HSQ 塗布による SiC 上グラフェンのキャリア濃度変化2015
- 著者名/発表者名
  小田達也, 小林慶祐, 有月琢哉, 青木翔, 永濵拓也, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会(応物2015春)
- 発表場所
  東海大学(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Top-Gated Graphene Field-Effect Transistors by Low-Temperature Synthesized SiNx Insulator on SiC Substrates2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, M. Nagase, K. Matsumoto
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  富山国際会議場(富山県富山市)
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製2015
- 著者名/発表者名
  大野恭秀, 永瀬雅夫, 松本和彦
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum2015
- 著者名/発表者名
  D. Yoshizumi, K. Nishiguchi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2015-11-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, M. Nagase and M. Kazuhiko
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2015-11-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC上グラフェンのナノ物性評価2015
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  JSM SPM分科会・RIIFセミナー-グリーンエレクトロニクス材料・デバイスのSPM解析技術-
- 発表場所
  NIMS(茨城県つくば市)
- 年月日
  2015-03-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Cat-CVD法によるSiNx絶縁膜を用いたSiCグラフェンFETの作製2015
- 著者名/発表者名
  大野恭秀、永瀬雅夫、松本和彦
- 学会等名
  第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03551
[学会発表] 雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化2015
- 著者名/発表者名
  永濱拓也, 小林慶祐, 有月琢哉, 高嶋和也, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調2014
- 著者名/発表者名
  有月琢哉, 奥村俊夫, 呉龍錫, 中島健志, 小林慶祐, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割,2014
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Epitaxial graphene grown by infrared rapid thermal annealing2014
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-07-28
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究2014
- 著者名/発表者名
  泰地耕作, 奥村俊夫, 中島健志, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Graphene on SiC substrate fabricated by infrared rapid thermal annealer2014
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase
- 学会等名
  India-Japan workshop on "Nanotechnology: Synthesis & Sensing Applications",
- 発表場所
  C-MET(Pune, India)
- 年月日
  2014-10-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Graphene on SiC substrates fabricated by an infrared rapid thermal annealer2014
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase
- 学会等名
  3rd International Conference on Nanotechnology (NANOCON 014)
- 発表場所
  Hotel Le Meredien (Pune, India)
- 年月日
  2014-10-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] Theoretical studies of graphene on SiC2014
- 著者名/発表者名
  Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-07-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出2014
- 著者名/発表者名
  青木翔, 呉龍錫, 井口宗明, 中島健志, 永瀬雅夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014
- 著者名/発表者名
  関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 赤崎達志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289107
[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価と応用技術について2012
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  第105回黒鉛化合物研究会
- 発表場所
  関西大学(大阪府)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] ナノプロセスと材料による新たなデバイスの創出2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市(招待講演)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] ラマン分光法による4H-SiC上エピタキシャルグラフェンの膜質評価2011
- 著者名/発表者名
  呉龍錫、岩本篤、西勇輝、船瀬雄也、湯浅貴浩、富田卓朗、永瀬雅夫、日比野浩樹、山口浩司
- 学会等名
  第58回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェンとその応用2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  学振・第133委員会第211回研究会
- 発表場所
  理科大(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001)surface2011
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, H.Yamaguchi, M.Nagase
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology(IWDTF-11)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェンの基礎と材料としての魅力2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 他
- 学会等名
  日本化学会講演会「グラフェンの魅力～基礎と応用の観点から」
- 発表場所
  日本化学会7階ホール(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001)surface2011
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- 年月日
  2011-01-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] エピタキシャルグラフェンのHall移動度評価2011
- 著者名/発表者名
  田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹
- 学会等名
  第58回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2011
- 著者名/発表者名
  関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  日本物理学会第66回年次大会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] 新規カーボン材料グラフェンの基礎物性と応用可能性について2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  日本セラミックス協会関西支部第14回若手フォーラム
- 発表場所
  関西大学セミナーハウス(奈良県)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] SiC(ooo1)面上でのSi脱離とグラフェン形成2011
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫
- 学会等名
  第58回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェンの物性とデバイス応用2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  応物九州支部オータムスクール
- 発表場所
  九州大学(鹿児島県)(招待講演)
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] 集積化ナノプローブによる表面物性評価2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  第40回薄膜・表面物理基礎講座
- 発表場所
  産業技術総合研究所臨海副都心センター(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Surface enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC2011
- 著者名/発表者名
  Y.Sekine, H.Hibino, K.Oguri, T.Akazaki, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- 年月日
  2011-01-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価技術2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  炭素材料学会10月セミナー
- 発表場所
  日本教育会館(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] 電子顕微鏡によるグラフェン観察2011
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  SCANTECH2011第20回記念講演会
- 発表場所
  東京都市大学(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2011-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測2010
- 著者名/発表者名
  田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹
- 学会等名
  第71回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Theoretical study on functions of graphene2010
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  International Workshop on in situ characterization of near surface processes 2010
- 発表場所
  Eisenerz, Austria
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学/平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動2010
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚、日本
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価2010
- 著者名/発表者名
  田邉真一, 関根佳明, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学/平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  第2回九州大学応用力学研究所グラフェン研究会「エピタキシャルグラフェンの形成と物性」(招待講演)
- 発表場所
  九州大学、福岡市
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2010
- 著者名/発表者名
  S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
- 学会等名
  2010 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2010-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹・山口浩司、永瀬雅夫
- 学会等名
  第71回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェン開発の現状と極限材料応用の可能性について(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  平成21年度第2回理工学研究所講演会(日本大学
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎, 東京都
- 年月日
  2010-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
- 学会等名
  International Workshop on in situ characterization of near surface processes 2010[invited]
- 発表場所
  Eisenerz, Austria
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Theoretical study on functions of graphene2010
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学/平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価2010
- 著者名/発表者名
  田邉真一、関根佳明、永瀬雅夫、日比野浩樹
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚、日本
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase, et al.
- 学会等名
  18th International Vacuum Congress (IVC- 18)/International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T 2010)/14th International Conference on Surfaces Science (ICSS-14)/Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-5)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚、日本
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェン材料開発の最前線2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  学振・将来加工技術第136委員会第11回研究会(合同)
- 発表場所
  東京都(招待講演)
- 年月日
  2010-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Observation of bandgap in SiC graphene field-effect transistors2010
- 著者名/発表者名
  S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] siC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討2010
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学/平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚、日本
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices: Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性について2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  CPC研究会
- 発表場所
  東京都(招待講演)
- 年月日
  2010-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate2010
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate2010
- 著者名/発表者名
  Masao Nagase, et al.
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010)
- 発表場所
  Sendai, Japan(Invited)
- 年月日
  2010-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  第2回九州大学応用力学研究所グラフェン研究会「エピタキシャルグラフェンの形成と物性」
- 発表場所
  神戸国際会議場/神戸
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate2010
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果2010
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明、山口浩司
- 学会等名
  日本物理学会平成22年度秋季大会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2010-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, S. Tanabe, H. Kageshima, and M. Nagase
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics, and Modeling(ISGD 2010)[invited]
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] 「グラフェン」物性,評価技術2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  MNC技術セミナー
- 発表場所
  北九州市(招待講演)
- 年月日
  2010-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] 炭素新材料グラフェン(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  第5回表面技術会議「環境対応の先端ナノ構造」
- 発表場所
  東京ビックサイト, 東京都
- 年月日
  2010-02-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算2009
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学, つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  Int.Symp.Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)[Invited]
- 発表場所
  Sheraton Maui Resort and Spa, Kaanapali, Hawaii, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase
- 学会等名
  2009 RIEC Cooperative Research Project on "Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation"
- 発表場所
  RIEC/Tohoku Univ. /Sendai/Japan
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹, 前田文彦, 影島博之, 永瀬雅夫, 広沢一郎, 渡辺義夫
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学/富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2009)
- 発表場所
  Sheraton Maui Resort and Spa, Kaanapali/Hawaii/USA(Invited)
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  Int.Symp.Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  有機デバイス研究会第77会研究会「グラフェンの最新技術動向と展望」
- 発表場所
  静岡大学浜松キャンパス/浜松市
- 年月日
  2009-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. Nanoscale Transport and Technol. (ISNTT2009)
- 発表場所
  NTT Atsugi R&D Center/Atsugi/Japan
- 年月日
  2009-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Dynamic characterization method of GaAs membrane resonator bydirect excitation using scanning probe microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Tamaru, K.Nonaka, M.Nagase, H.Yamaguchi, R.Kometani, S.Warisawa, S.Ishihara
- 学会等名
  MNE2009
- 発表場所
  Belgium
- 年月日
  2009-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山、日本
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-2009
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学/富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase
- 学会等名
  東北大学・電気通信研究所・共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」
- 発表場所
  仙台、日本
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上のグラフェジ-走査プローブ顕微鏡による評価技術-:(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  学振ナノプローブテクノロジー第167委員会・第53回研究会
- 発表場所
  キャンパスプラザ京都、京都市
- 年月日
  2009-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009)
- 発表場所
  Haeundae Grand Hotel/Busan/ Korea(Invited)
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase
- 学会等名
  2009 RIEC Cooperative Research Project on "Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation"
- 発表場所
  RIEC, Tohoku Univ., Sendai, Japan
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造2009
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学/つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
- 学会等名
  13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy2009
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
- 学会等名
  22nd International Microproesses and Nanotechnology Conference(MNC2009)[invited]
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene2009
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
- 学会等名
  7th Int. Symp. Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC'09)
- 発表場所
  The Westin Maui Resort & Spa/Maui/Hawaii/ USA(Invited)
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Dynamic characterization method of GaAs membrane resonator by direct excitation using scanning probe microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K.Tamaru, K.Nonaka, M.Nagase, H.Yamaguchi, R.Kometani, S.Warisawa, S,Ishihara
- 学会等名
  MNE2009
- 発表場所
  Belgium
- 年月日
  2009-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2009)[Invited]
- 発表場所
  Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山、日本
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi
- 学会等名
  2009 RCIQE Int. Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  Hokkaido Univ. /Sapporo/ Japan(Invited)
- 年月日
  2009-03-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase
- 学会等名
  22nd Int. Microproesses and Nanotechnology Conf. (MNC2009)
- 発表場所
  Sheraton Sapporo Hotel/Sapporo/Japan(Invited)
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase
- 学会等名
  13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2009)[invited]
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene2009
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
- 学会等名
  7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC' 09)[invited]
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] sic単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  神戸国際会議場/神戸
- 年月日
  2009-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学/つくば市
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  22nd Int.Microproesses and Nanotechnology Conf.(MNC2009)[Invited]
- 発表場所
  Sheraton Sapporo Hotel, Sapporo, Japan
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN2009)[invited]
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-」2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase
- 学会等名
  13th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM2009)
- 発表場所
  Nurnberg/ Germany(Invited)
- 年月日
  2009-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析2009
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. Nanoscale Transport and Technol. (ISNTT2009)
- 発表場所
  NTT Atsugi R&D Center, Atsugi, Japan
- 年月日
  2009-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 走査プローブによるGaAsメンブレンマイクロレゾネータの動的特性評価2009
- 著者名/発表者名
  田丸耕二郎, 野中啓一郎, 永瀬雅夫, 山口浩司, 米谷玲皇, 割澤伸一, 石原直
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山、日本
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  (社)宇宙エレベータ協会・第3回ワークショップ(招待講演)
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台キャンパス、東京都
- 年月日
  2009-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC" : [Invited]2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  2009 RCIQE Int. Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devil
- 発表場所
  Conference Hall Hokkaido Univ., Sapporo. Japan
- 年月日
  2009-03-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上のグラフェン-走査プローブ顕微鏡による評価技術-(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  学振ナノプローブテクノロジー第167委員会第53回研究会
- 発表場所
  キャンパスプラザ京都/京都市
- 年月日
  2009-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  17th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17
- 発表場所
  Atagawa-Height /Higashi-izu/Japan(Invited)
- 年月日
  2009-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算2009
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学/つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について"(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  (社)宇宙エレベータ協会第3回ワークショップ
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台キャンパス/東京都
- 年月日
  2009-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学, つくば市
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene2009
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  7th Int.Symp.Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC'09)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy2009
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  22nd Int.Microproesses and Nanotechnology Conf.(MNC2009)
- 発表場所
  札幌、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-」2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(招待講演)
- 発表場所
  神戸国際会議場、神戸市
- 年月日
  2009-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学/富山市
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  有機デバイス研究会・第77会研究会「グラフェンの最新技術動向と展望」(招待講演)
- 発表場所
  静岡大学浜松キャンパス・佐鳴会館、浜松市
- 年月日
  2009-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  17th Int.Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)[Invited]
- 発表場所
  Atagawa-Height, Higashi-izu, Japan
- 年月日
  2009-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] sic上グラフェン島の理論検討2009
- 著者名/発表者名
  影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  東京大学物性研究所短期研究会
- 発表場所
  東大物性研/柏市
- 年月日
  2009-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi
- 学会等名
  17th Int.Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)
- 発表場所
  伊豆、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene2009
- 著者名/発表者名
  H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase
- 学会等名
  7th Int.Symp.Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices(ALC'09)[Invited]
- 発表場所
  The Westin Maui Resort & Spa, Hawaii, USA
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles2009
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase
- 学会等名
  13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,(ICSCRM2009)[Invited]
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  日本物理学会2009年秋季大会
- 発表場所
  熊本、日本
- 年月日
  2009-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造2009
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学, つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  有機バイオSPM研究会・2009「先端材料をプローブ顕微鏡で観る・測る」(招待講演)
- 発表場所
  幕張メッセ国際展示場, 千葉市
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  物性研究所短期研究会"ディラック電子系の物性-グラフェンおよび関連物質の最近の研究"
- 発表場所
  神戸、日本
- 年月日
  2009-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  神戸、日本
- 年月日
  2009-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] "エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価"(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  有機バイオSPM研究会2009「先端材料をプローブ顕微鏡で観る・測る」
- 発表場所
  幕張メッセ国際展示場/千葉市
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  日本物理学会2009年秋季大会
- 発表場所
  熊本大学、熊本市
- 年月日
  2009-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
- 学会等名
  17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM17)[invited]
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2009-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246006
[学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討2009
- 著者名/発表者名
  影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司
- 学会等名
  東京大学物性研究所短期研究会
- 発表場所
  東大物性研、柏市
- 年月日
  2009-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices 2008 (NMDC2008)
- 発表場所
  Kyoto Univ. /Kyoto/Japan
- 年月日
  2008-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ, of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
- 年月日
  2008-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC : SPM and RAMAN spectroscopy studies2008
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ. of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
- 年月日
  2008-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ. of Aizu/ Aizuwakamatsu/ Japan
- 年月日
  2008-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響2008
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学, 春日井市
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響2008
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学/春日井市
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kagoshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Conf. Nanoscience and Technol. 2008 (ICN+T2008)
- 発表場所
  Keystone, CO, USA
- 年月日
  2008-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] 静的変位解放によるシリコンカンチレバーの振動特性評価2008
- 著者名/発表者名
  野中啓一郎, 田丸耕二郎, 永瀬雅夫, 山口浩司, 割澤伸一, 石原直
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学(春日井キャンパス)
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
- 学会等名
  International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ. of Aizu, Aizuwakamatsu, Japan
- 年月日
  2008-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Evaluation of Thermal-Mechanical Vibration Amplitude Using Scanning Electron Microscopy Image2008
- 著者名/発表者名
  K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara
- 学会等名
  MNC 2008
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2008-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] iC上のグラフェン成長と電気特性(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop (AHNW200)
- 発表場所
  Hapuna Beach Prince Hotel, Big Island of Hawaii, USA
- 年月日
  2008-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Actuation and Vibration Detection of GaAs Membrane Using AFM Probe2008
- 著者名/発表者名
  K. Tamaru, K. Nonaka, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara
- 学会等名
  MNC 2008
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2008-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC: SPM and RAMAN spectroscopy studies2008
- 著者名/発表者名
  H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ. of Aizu/Aizuwakamatsu/ Japan
- 年月日
  2008-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] SiC上グラフェン成長と電気特性[Invited]2008
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合会講演会薄膜・表面物理分科会企画シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス,船橋市
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices 2008 (NMDC2008)
- 発表場所
  Kyoto Univ., Kyoto, Japan
- 年月日
  2008-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Symp. on Graphene Devices 2008 (ISGD2008)
- 発表場所
  Univ. of Aizu/Aizuwakamatsu/ Japan
- 年月日
  2008-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  Int. Conf. Nanoscience and Technol. 2008 (ICN+T2008)
- 発表場所
  Keystone/CO/USA
- 年月日
  2008-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] GaAsメンブレンのマイクロプローブによる加振と振幅検出2008
- 著者名/発表者名
  田丸耕二郎, 野中啓一郎, 永瀬雅夫, 山口浩司, 割澤伸一, 石原直
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学(春日井キャンパス)
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246064
[学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi
- 学会等名
  13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop (AHNW2008)
- 発表場所
  Hapuna Beach Prince Hotel/Big Island of Hawaii/USA
- 年月日
  2008-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310085
[学会発表] グラフェンの基礎物性と応用技術
- 著者名/発表者名
  永瀬雅夫
- 学会等名
  Advance Metallization Conf. 2012
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086
[学会発表] Conductive carbon nanoprobe fabricated by focused ion beam assisted chemical vapor deposition
- 著者名/発表者名
  Nagase Masao
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience + Technology 2012
- 発表場所
  ソルボンヌ大(フランス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310086

1. 影島博之 (70374072)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 148件
2. 日比野浩樹 (60393740)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 150件
3. 大野恭秀 (90362623)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 107件
4. 関根佳明 (70393783)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 7件
5. 山口浩司 (60374071)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 86件
6. 岡本創 (20350465)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 山口徹 (30393763)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 47件
8. 金井康 (30721310)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
9. 前橋兼三 (40229323)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 山崎謙治 (40393764)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 小野満恒二 (30350466)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 蟹澤聖 (70393767)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 水野清義 (60229705)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

永瀬 雅夫 nagase masao

研究課題

研究成果

共同研究者

エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

エピタキシャルグラフェンによる電荷移動型FETバイオセンサの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

機能化グラフェンアレイ構造を用いた高機能イメージバイオセンサの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ機械パラメトロン素子の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] グラフェンが拓く材料の新領域 ∼物性・作製法から実用化まで∼2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] グラフェンが拓く材料の新領域-物性・作製法から実用化まで-2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-2011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン・ナノチューブ・グラフェンを中心に-2011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-2011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] ノカーボンの応用と実用化 フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に2011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] グラフェンの機能と応用展望、一部(第11章SiC上のグラフェン成長と電気特性)の執筆を分担2009

著者名/発表者名

出版者

永瀬雅夫 nagase masao

[図書] ノカーボンの応用と実用化フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に2011