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高塚 登志子  Takatsuka Toshiko

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

奥井 登志子  オクイ トシコ

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研究者番号 20398895
その他のID
所属 (現在) 2020年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2005年度 – 2006年度: 武蔵工業大学, 総合研究所, ポストドクター
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
電子・電気材料 / 半導体物性 / ヘテロ構造 / 走査プロープ顕微鏡 / 走査プローブ顕微鏡
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (1件)
  •  走査型トンネル顕微鏡によるSiGe系微細ヘテロ構造のポテンシャル解析研究代表者

    • 研究代表者
      奥井 登志子
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      武蔵工業大学

すべて 2007

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Surface treatments of SiGe for scanning tunneling microscopy/spectroscopy and characterization of SiGe p-n junction2007

    • 著者名/発表者名
      奥井登志子
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B Vol. 25, No. 1

      ページ: 29-32

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760257

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