高塚登志子 Takatsuka Toshiko

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研究者番号	20398895
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所属 (現在)	2020年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度 – 2006年度: 武蔵工業大学, 総合研究所, ポストドクター
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者電子・電気材料 / 半導体物性 / ヘテロ構造 / 走査プロープ顕微鏡 / 走査プローブ顕微鏡

研究課題
(1件)
研究成果
(1件)

走査型トンネル顕微鏡によるSiGe系微細ヘテロ構造のポテンシャル解析研究代表者
- 研究代表者
  
  奥井登志子
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  武蔵工業大学

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Surface treatments of SiGe for scanning tunneling microscopy/spectroscopy and characterization of SiGe p-n junction2007
- 著者名/発表者名
  奥井登志子
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science ＆ Technology B Vol. 25, No. 1
  
  ページ: 29-32
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760257