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物集 照夫  MOZUME Teruo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20399497
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員
2008年度: 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員
2007年度: 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員
2005年度 – 2006年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者以外
理工系
キーワード
研究代表者以外
ドーピング濃度 / 不均一広がり / 均一広がり / 位相緩和時間 / 歪補償 / 光閉じ込め / AlAsSb / AlAs / InGaAs / サブバンド間遷移スイッチ … もっと見る / 屈折率 / フォトリフレクタンス / 超高速全光スイッチ / 超高速光信号処理 / ピコ秒 / 周期構造 / 有効質量 / バンドオフセット / 歪補償量子井戸構造 / 超薄膜結合量子井戸 / 超高速ゲートスイッチ / MBE / 全光位相変調効果 / サブバンド間遷移 / 量子井戸 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (32件)
  • 共同研究者

    (12人)
  •  超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開

    • 研究代表者
      石川 浩
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2008
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2009 2008 2007 2006

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.311

      ページ: 1700-1702

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Cross Phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, R. Akimoto, K. Akita, G. Cong, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol.2

    • NAID

      10025085733

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum ells using InAlAs coupling barrier2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, R. Akimoto, T. Simoyama, C. Guangwei, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      IEEE J. Photonics Technol. Lett. vol.20, no.24

      ページ: 2183-2185

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Mechanism of ultrafast modulation of refractive index in photoexcited In_xGa_<1-x>/AlAs_ySb_<1-y> quantum well waveguides2008

    • 著者名/発表者名
      G. W. Cong, R. Akimoto, M. Nagase, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      Physical Rev. B vol.78, no.7

      ページ: 75308-75308

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Tanaka, A. Yoshimi, and W. Susaki
    • 雑誌名

      Phys. Status. Solidi (a) vol.205, no.4

      ページ: 72-875

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, et al.
    • 雑誌名

      Phys. Status. Solidi 205

      ページ: 872-875

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Indices of refraction of InGaAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum wells measured by an optical waveguide technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 40

      ページ: 2031-2033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol 205

      ページ: 872-875

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Indicies of refraction of InGAAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum wells measured by an optical waveguide technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 雑誌名

      Physica E vol.40, no.6

      ページ: 2031-2033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 301-302

      ページ: 177-180

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition2007

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.301-302

      ページ: 240-243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, , J. Kasai, M. Nagase, T, Simoyama, T. Hasama, H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.301-302

      ページ: 177-180

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Absorption dynamics in all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      T. Simoyama, S. Sekiguchi, H. Yoshida, J. Kasai, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technol. Lett. vol.9, no.8

      ページ: 604-606

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Ultrafast all-optical refractive index modulation in intersubband transition switch using InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum well2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa, H. Tsuchida, K. S. Abedin, T. Simoyama, T. Mozume, M. Nagase, R. Akimoto and T. Hasama
    • 雑誌名

      Japan J. Appl. Phys. vol.46

    • NAID

      10018902902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Indices of refraction of AlGaAsSb by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, T. Simoyama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. vol.102, no.11

      ページ: 113111-113111

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Indices of refraction of AIGaAsSb by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [雑誌論文] Indices of refraction of InGaAs/AIAG/AIAsdSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Physica E 40

      ページ: 2031-2033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      The Int. Conf. on the Physics of Semiconductors 29
    • 発表場所
      Rio de Janeiro
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrate (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu T. Mozume and H. Ishikawa
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Interband transitions in strained InGaAs/AlAsSb multiple-quantum-well structures (査読あり3)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume and S. Gozu
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brasil
    • 年月日
      2008-07-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume and S. Gozu
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2008-08-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Fabrication of all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells with DFB structure (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, R. Akimoto, K. Akita, H. Kawashima, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Indices of refraction of InGaAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum-wells measured by an optical waveguide technique (査読あり)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      PM10, Genova Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      4th International Conference on Spectroscopi c Ellipsometry
    • 発表場所
      Stoekholxn,Sweden
    • 年月日
      2007-06-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] AlA_sSbおよびAlGaAsSbの屈折率評価2007

    • 著者名/発表者名
      物集 照夫
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry (査読あり)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Tanaka, A. Yoshimi, and W. Susaki
    • 学会等名
      4th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Stockholm
    • 発表場所
      Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Indices of refraction of InGaAs/AIAc/AIAsSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique 13th Internationa lConferenceon Modulated Semiconductor Structures2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova,Italy
    • 年月日
      2007-07-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] InGaAs-based quantum wells for ultrafast all-optical switches using intersubband transitions (査読なし)2006

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Nagase, T. Simoyama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      JSPS-UNT Joint Symposium on Nanoscale Materials for Optoelectronics and Biotechnology
    • 発表場所
      Denton, Texas (invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • [学会発表] Intersubband transitions in novel strained coupled quantum wells based on In_<0.53>Ga_<0.47>As grown by molecular beam epitaxy (査読あり)2006

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Princeton, NJ, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17068013
  • 1.  石川 浩 (50392585)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 14件
  • 2.  永瀬 成範 (80399500)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 3.  河島 整 (90356840)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 4.  杉本 喜正 (60415784)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  池田 直樹 (10415771)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  秋本 良一 (30356349)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 7.  牛頭 信一郎 (90392729)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 8.  挾間 壽文 (90357765)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  鍬塚 治彦 (40417150)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  秋田 一路 (50470050)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 11.  小笠原 剛 (00392598)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  GUAN Lim Cheng (10470048)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

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