古田守 Furuta Mamoru

研究者番号	20412439
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 高知工科大学, 理工学群, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 高知工科大学, 理工学群, 教授 2022年度: 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 2016年度 – 2018年度: 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 2013年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 2012年度: 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 2011年度: 高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 固相結晶化 / 酸化インジウム / フレキシブルデバイス / イメージセンサー / イメージセンサ / 電子・電気材料 / 疑似単結晶 / 電界効果トランジスタ … もっと見る / ディスプレイ / フレキシブル電子デバイス / 信頼性 / 低温プロセス / デバイスシミュレーション / 透明回路 / 半導体物性 / 先端機能デバイス隠す

低温固相結晶化による疑似単結晶酸化インジウムトランジスタの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  古田守
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  高知工科大学
水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ研究代表者
- 研究代表者
  
  古田守
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  高知工科大学
フレキシブル透明回路を実装した三層積層式色分離型イメージセンサの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  古田守
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  高知工科大学
酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  古田守
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  高知工科大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2014 2013 2012 2011

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] 応用物理, "ミスト化学気相成長法を用いた大気圧薄膜形成と酸化物機能デバイスのグリーンプロセス化"2014
- 著者名/発表者名
  川原村敏幸, 古田守
- 総ページ数
  5
- 出版者
  応用物理学会(2014年9月号掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[図書] 月刊ディスプレイ(2013年10月号), "溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術"2013
- 著者名/発表者名
  古田守, 川原村敏幸
- 出版者
  テクノタイムス社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[図書] 月刊ディスプレイ　2013年10月号2013
- 著者名/発表者名
  古田　守、川原村　敏幸
- 出版者
  (株)テクノタイムズ社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Quantitative analysis of annealing-induced instabilities of photo-leakage current and negative-bias-illumination-stress in a-InGaZnO thin-film transistors2019
- 著者名/発表者名
  Dapeng Wang and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  Beilstein Journal of Nanotechnology
  
  巻: 10 ページ: 1125-1130
- DOI
  10.3762/bjnano.10.112
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Collaborative optimization of thermal budget annealing and active layer defect content enhancing electrical characteristics and bias stress stability in InGaZnO thin-film transistors2019
- 著者名/発表者名
  Wang Dapeng、Zhao Wenjing、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 52 号: 23 ページ: 235101-235101
- DOI
  10.1088/1361-6463/ab10fc
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Heterojunction channel engineering to enhance performance and reliability of amorphous In?Ga?Zn?O thin-film transistors2019
- 著者名/発表者名
  Furuta Mamoru、Koretomo Daichi、Magari Yusaku、Aman S G Mehadi、Higashi Ryunosuke、Hamada Syuhei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 090604-090604
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1f9f
- NAID
  210000155922
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device2019
- 著者名/発表者名
  Sugisaki Sumio、Matsuda Tokiyoshi、Uenuma Mutsunori、Nabatame Toshihide、Nakashima Yasuhiko、Imai Takahito、Magari Yusaku、Koretomo Daichi、Furuta Mamoru、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 2757-2757
- DOI
  10.1038/s41598-019-39549-9
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing2019
- 著者名/発表者名
  Koswaththage C. J.、Higashizako T.、Okada T.、Sadoh T.、Furuta M.、Bae B. S.、Noguchi T.
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 4
- DOI
  10.1063/1.5087235
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Improvement in bias-stress and long-term stabilities for in-Ga-Zn-O thin-film transistors using solution-process-compatible polymeric gate insulator2019
- 著者名/発表者名
  Kwak Sol-Mi、Kim Hyeong-Rae、Jang Hye-Won、Yang Ji-Hee、Mamoru Furuta、Yoon Sung-Min
- 雑誌名
  
  Organic Electronics
  
  巻: 71 ページ: 7-13
- DOI
  10.1016/j.orgel.2019.04.040
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Influence of a SiO2 passivation on electrical properties and reliability of In-W-Zn-O thin-film transistor2018
- 著者名/発表者名
  Koretomo Daichi、Hashimoto Yuta、Hamada Shuhei、Miyanaga Miki、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 1 ページ: 018003-018003
- DOI
  10.7567/1347-4065/aae895
- NAID
  210000135181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Drain Current Stress-Induced Instability in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Different Active Layer Thicknesses2018
- 著者名/発表者名
  Wang Dapeng、Zhao Wenjing、Li Hua、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Materials
  
  巻: 11 号: 4 ページ: 559-559
- DOI
  10.3390/ma11040559
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In?Ga?Zn?O Thin-Film Transistors2018
- 著者名/発表者名
  Aman S. G. Mehadi、Koretomo Daichi、Magari Yusaku、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 65 号: 8 ページ: 3257-3263
- DOI
  10.1109/ted.2018.2841978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Correlation between passivation film density and reliability of In-Ga-Zn-O thin-film transistors2018
- 著者名/発表者名
  Aman S. G. Mehadi、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 8 ページ: 088001-088001
- DOI
  10.7567/jjap.57.088001
- NAID
  210000149428
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Low-temperature (150 °C) activation of Ar+O2+H2-sputtered In-Ga-Zn-O for thin-film transistors2018
- 著者名/発表者名
  Aman S. G. Mehadi、Magari Yusaku、Shimpo Kenta、Hirota Yuya、Makino Hisao、Koretomo Daichi、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 8 ページ: 081101-081101
- DOI
  10.7567/apex.11.081101
- NAID
  210000136299
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Exploring the photoleakage current and photoinduced negative bias instability in amorphous InGaZnO thin-film transistors with various active layer thicknesses2018
- 著者名/発表者名
  Wang Dapeng、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Beilstein Journal of Nanotechnology
  
  巻: 9 ページ: 2573-2580
- DOI
  10.3762/bjnano.9.239
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] (Invited) Low-Temperature Processed InGaZnO MES-FET for Flexible Device Applications2017
- 著者名/発表者名
  Furuta Mamoru、Magari Yusaku、Hashimoto Shinsuke、Hamada Kenichiro
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 79 号: 1 ページ: 43-48
- DOI
  10.1149/07901.0043ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Zinc tin oxide metal semiconductor field effect transistors and their improvement under negative bias (illumination) temperature stress2017
- 著者名/発表者名
  G. T. Dang, T. Kawaharamura, M. Furuta, and M. W. Allen
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 110 号: 7 ページ: 073502-073502
- DOI
  10.1063/1.4976196
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05421, KAKENHI-PROJECT-16F16373, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Carrier Generation Mechanism and Origin of Subgap States in Ar- and He-Plasma-Treated In?Ga?Zn?O Thin Films2017
- 著者名/発表者名
  Magari Yusaku、Makino Hisao、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 8 ページ: Q101-Q107
- DOI
  10.1149/2.0031709jss
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transisitor2017
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura,
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 44326-44326
- DOI
  10.1038/srep44326
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717, KAKENHI-PROJECT-16K06733, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Influence of Interface Traps on the Electrical Properties of Oxide Thin-Film Transistors with Different Channel Thicknesses2017
- 著者名/発表者名
  Jiang Jing Xin、Wang Da Peng、Matsuda Tokiyoshi、Kimura Mutsumi、Liu Sheng Yang、Furuta Mamoru
- 雑誌名
  
  Journal of Nano Research
  
  巻: 46 ページ: 93-99
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/jnanor.46.93
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Silver Oxide Schottky Contacts and Metal Semiconductor Field-Effect Transistors on SnO2 thin films2016
- 著者名/発表者名
  Giang T. Dang, Takayuki Uchida, Toshiyuki Kawaharamura, Mamoru Furuta, Adam R. Hyndman, Rodrigo Martinez, Shizuo Fujita, Roger J. Reeves, Martin W. Allen
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 4 ページ: 041101-041101
- DOI
  10.7567/apex.9.041101
- NAID
  210000137840
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05421, KAKENHI-PROJECT-15J07829, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Low-Temperature Processed and Self-Aligned InGaZnO Thin-Film Transistor with an Organic Gate Insulator for Flexible Device Applications2016
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Tatsuya Toda, Gengo Tatsuoka and Yusaku Magari
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 75 号: 10 ページ: 117-122
- DOI
  10.1149/07510.0117ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Self-heating induced instability of oxide thin film transistors under dynamic stress2016
- 著者名/発表者名
  Kahori Kise, Mami N. Fujii, Satoshi Urakawa, Haruka Yamazaki, Emi Kawashima, Shigekazu Tomai, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 2 ページ: 023501-023501
- DOI
  10.1063/1.4939861
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309, KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Suppression of Negative Gate Bias and Illumination Stress Degradation by Fluorine-Passivated In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Jingxin Jiang, Mai Phi Hung, Tatsuya Toda, Dapeng Wang and Gengo Tatsuoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State aScience and Technology
  
  巻: 5 号: 3 ページ: Q88-Q91
- DOI
  10.1149/2.0131603jss
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] High-Performance Top-Gate and Self-Aligned InGaZnO Thin-Film Transistor Using Coatable Organic Insulators Fabricated at 150 °C2016
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Toda, Gengo Tatsuoka, Yusaku Magari, and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 37 号: 8 ページ: 1006-1009
- DOI
  10.1109/led.2016.2582319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Anomalous Increase in Field-Effect Mobility in InGaZnO Thin-Film Transistors Caused by Dry-Etching Damage Through Etch-Stop Layer2016
- 著者名/発表者名
  Daichi Koretomo, Tatsuya Toda, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices
  
  巻: 63 号: 7 ページ: 2785-2789
- DOI
  10.1109/ted.2016.2568280
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In-Ga-Zn-O/AgOx Schottky Gate2016
- 著者名/発表者名
  Yusaku Magari, Shinsuke Hashimoto, Kenichiro Hamada and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 75 号: 10 ページ: 139-144
- DOI
  10.1149/07510.0139ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Image Sensor with Organic Photoconductive Films by Stacking Red/Green and Blue Components2016
- 著者名/発表者名
  T. Takagi, H. Seo,T. Sakai, H. Ohtake, M. Furuta
- 雑誌名
  
  Electronic Imaging, Image Sensors and Imaging Systems 2016
  
  巻: 4 号: 12 ページ: 1-4
- DOI
  10.2352/issn.2470-1173.2016.12.imse-264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Investigation of Carrier Generation Mechanism in Fluorine-Doped n+-InGaZnO for Self-Aligned Thin-Film Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Dapeng Wang, Jingxin Jiang, and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  Journal of Display Technology
  
  巻: 12 号: 3 ページ: 258-262
- DOI
  10.1109/jdt.2015.2472981
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Suppression of degradation induced by negative gate bias and illumination stress in amorphous InGaZnO thin-film transistor by applying negative drain bias2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, M. Furuta, 他計5名(5番)
- 雑誌名
  
  ACS applied Materials and Interfaces
  
  巻: 6 号: 8 ページ: 5713-5718
- DOI
  10.1021/am500300g
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Negative bias illumination stress induced electron trapping at back-channel interface of InGaZnO thin-film transistor2014
- 著者名/発表者名
  M. P. Hung, M. Furuta, 他計4名(4番)
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters
  
  巻: 3(3) 号: 3 ページ: Q13-Q16
- DOI
  10.1149/2.010403ssl
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Effect of drain bias on negative gate bias and illumination stress induced degradation in amorphous InGaZnO thin-film transistors2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, M.-P. Hung, J. Jiang, T. Toda, C. Li, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 3S1 ページ: 03CC01-03CC01
- DOI
  10.7567/jjap.53.03cc01
- NAID
  210000143469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408, KAKENHI-PROJECT-24561060
[雑誌論文] Low temperature deposition of SiOx insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition2014
- 著者名/発表者名
  T. Matsuda, M. Furuta, T. Hiramatsu, H. Furuta, T. Kawaharamura, and T. Hirao
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 101 ページ: 189-192
- DOI
  10.1016/j.vacuum.2013.08.003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] High performance solution-processed InGaZnO thin-film Transistor fabricated by ozone-assisted atmospheric pressure mist deposition2014
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 他計5名(1番)
- 雑誌名
  
  Journal of Display Technology (IEEE)
  
  巻: (in-press) 号: 11 ページ: 934-938
- DOI
  10.1109/jdt.2013.2294967
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Influence of Substrates on Formation of Zinc Oxide Nanostructures by a Novel Reducing Annealing Method2014
- 著者名/発表者名
  X. Li, C. Li, T. Kawaharamura, D. Wang, N. Nitta, M. Furuta, H. Furuta, and A. Hatta
- 雑誌名
  
  Nanoscience and Nanotechnology Letters
  
  巻: 6 号: 2 ページ: 174-180
- DOI
  10.1166/nnl.2014.1708
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408, KAKENHI-PROJECT-24561060
[雑誌論文] Ultrasonic-assisted mist chemical vapor deposition of II-oxide and related oxide compounds2014
- 著者名/発表者名
  Shizuo Fujita, Kentaro Kaneko, Takumi Ikenoue, Toshiyuki Kawaharamura and Mamoru Furuta
- 雑誌名
  
  Physica status solidi (c)
  
  巻: 未定号: 7-8 ページ: 1225-1228
- DOI
  10.1002/pssc.201300655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408, KAKENHI-PROJECT-25286050
[雑誌論文] Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect2013
- 著者名/発表者名
  S. Urakawa, M. Furuta, Y. Uraoka, 他計11名(8番)
- 雑誌名
  
  Applie Physics letters
  
  巻: 102 号: 5
- DOI
  10.1063/1.4790619
- NAID
  120005254613
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Thin-Film Transistors Using Uniform and Well-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes Channels by Dielectrophoretic Assembly2013
- 著者名/発表者名
  T. Toda, H. Furusawa, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 3S ページ: 03BB09-03BB09
- DOI
  10.7567/jjap.52.03bb09
- NAID
  210000141915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Thin-Film Transistors Using Dielectrophoretic Assembly of Single-Walled Carbon Nanotubes2013
- 著者名/発表者名
  T. Toda, T. Kawaharamura, H. Furusawa, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 50 (8) 号: 8 ページ: 223-228
- DOI
  10.1149/05008.0223ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Trap Densities in ZnO TFTs with SiNx/SiOx Stacked Gate Insulators Fabricated Using Several N2O Flow Rate during SiOx Deposition2013
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Chaoyang Li, Takashi Hirao, Yudai Kamada, and Shizuo Fujita
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 54 (1) 号: 1 ページ: 121-126
- DOI
  10.1149/05401.0121ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Enhancing carrier mobility of IGZO TFT fabricated by non-vacuum mist CVD with O3 assistance2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura, T. Uchida, M. Sanada, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Physica status solidi (c)
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1565-1568
- DOI
  10.1002/pssc.201300247
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Thermal Distribution in Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1561-1564
- DOI
  10.1002/pssc.201300253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Growth and electrical properties of AlOx grown by mist chemical vapor deposition2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura, M. Furuta, 計4名(4番)
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 3(3) 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4798303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] The deterioration phenomenon of amorphous InSnZnO transistors derivered from the process of annealing2013
- 著者名/発表者名
  S. Tomai, M. Furuta, 他計10名(10番)
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters
  
  巻: 2(12) 号: 12 ページ: P107-P109
- DOI
  10.1149/2.003312ssl
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Stoichiometry Control of ZnO Thin Film by Adjusting Working Gas Ratio during Radio Frequency Magnetron Sputtering2013
- 著者名/発表者名
  C. Li, D. Wang, Z. Li, X. Li, T. Kawaharamura, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Journal of Materials
  
  巻: 2013 ページ: 1-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] A-InGaZnO Thin-Film Transistor with Non-Vacuum Processed InGaZnO/AlOx Gate Dielectric Stack2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Kawaharamura, T. Toda, and D. Wang
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 50 (8) 号: 8 ページ: 95-100
- DOI
  10.1149/05008.0095ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] ミストCVD法によるAlOx薄膜作製に対するO3支援の効果2013
- 著者名/発表者名
  内田貴之, 川原村敏幸, 古田守, 眞田克
- 雑誌名
  
  日本材料学会誌
  
  巻: 62 ページ: 663-667
- NAID
  130003384101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] (Invited) Negative-Bias with Illumination Stress Induced State Creation in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, M. P. Hung, J. Jiang, D. Wang, S. Tomai, H. Hayasaka, amd K. Yano
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 54 (1) 号: 1 ページ: 127-134
- DOI
  10.1149/05401.0127ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Photo Induced Negative Bias Instability of Zinc Oxide Thin-Film Transistors2012
- 著者名/発表者名
  S. Shimakawa, D. Wang, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 10R ページ: 108003-108003
- DOI
  10.1143/jjap.51.108003
- NAID
  210000073028
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Well-arrayed ZnO nanostructure formed by multi-annealing processes at low temperature2012
- 著者名/発表者名
  D. Wang, Z. Li, T. Kawaharamura, M. Furuta, T. Narusawa, and C. Li
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 194-197
- DOI
  10.1002/pssc.201100271
- NAID
  120005729026
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Crystallization Using Biomineralized Nickel Nanodots of Amorphous Silicon Thick Films Deposited by Chemical Vapor Deposition, Sputtering and Electron Beam Evaporation2012
- 著者名/発表者名
  Takashi Nishida
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 3S ページ: 03CA01-03CA01
- DOI
  10.1143/jjap.51.03ca01
- NAID
  210000140373
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Electrical Properties of the Thin-Film Transistor With an Indium–Gallium–Zinc Oxide Channel and an Aluminium Oxide Gate Dielectric Stack Formed by Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition2012
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Kawaharamura, D. Wang, T. Hirao, T. Toda, and G. T. Dang
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Devices Letters
  
  巻: 33 号: 6 ページ: 851-853
- DOI
  10.1109/led.2012.2192902
- NAID
  120005254627
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] A 128×96 Pixel, 50 mm Pixel Pitch Transparent Readout Circuit using InGaZnO4 Thin Film Transistor Array with Indium-Tin-Oxide Electrodes for Organic Image Sensor2012
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, H. Seo, S. Aihara, M. Kubota, N. Egami, D. Wang, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 1R ページ: 010202-010202
- DOI
  10.1143/jjap.51.010202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Photoleakage current of TFTs with ZnO channels formed at various oxygen partial pressure under visible light irradiation2012
- 著者名/発表者名
  S. Shimakawa, M. Furuta, 他計8名(8番)
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 3S ページ: 03CB04-03CB04
- DOI
  10.1143/jjap.51.03cb04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Trap Densities in ZnO Thin-Film Transistors with SiOx Gate Insulators by Several Deposition Conditions2011
- 著者名/発表者名
  M. Kimura, M. Furuta, 他計9名
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters
  
  巻: 14 号: 9 ページ: H365-H365
- DOI
  10.1149/1.3601058
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Extraction of Trap Densities in ZnO Thin-film Transistors and Dependence on Oxygen Partial Pressures during Sputtering of ZnO Films2011
- 著者名/発表者名
  M. Kimura, M. Furuta,他計9名(2番)
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 3018-3024
- DOI
  10.1109/ted.2011.2158546
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Successful growth of conductive highly-crystalline Sn-dopedα-Ga2O3 thin films by fine channel mist chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura, Giang T. Dang, and M. Furuta
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.51 号: 4R ページ: 40207-40207
- DOI
  10.1143/jjap.51.040207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760232, KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] ヘテロ接合チャネルによるInGaZnO薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化2019
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] 酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御2018
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Mobility enhancement of InGaZnOx thin-film transistor by hetero-channel with a different composition2018
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature activation of Ar+O2+H2 sputtered InGaZnOx film followed by thermal annealing2018
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta
- 学会等名
  4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium 2018 (7th International Symposium on Transparent on Conductive Materials (TCM2018))
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Ar+O2+H2スパッタによるInGaZnO薄膜トランジスタの低温形成2018
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature Processed InGaZnOx TFT with an Organic Gate Insulator2018
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta
- 学会等名
  5th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature activation method for InGaZnOx thin-film transistors2018
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta
- 学会等名
  ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] ヘテロ接合チャネルIGZO TFTの特性・信頼性2018
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  第2回酸化物半導体討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] フレキシブルデバイスに向けた酸化物薄膜トランジスタの低温プロセス2018
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] 酸化物薄膜トランジスタの光バイスストレス下における信頼性劣化メカニズム2017
- 著者名/発表者名
  古田　守
- 学会等名
  日本学術振興会　半導体界面制御技術第154委員会　第104回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature Processed InGaZnO MES-FET for Flexible Device Applications2017
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, S. Hashimoto, K. Hamada, and Y. Magari
- 学会等名
  International conference on ULSI and TFT
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Effect of deposition temperature of InGaZnOx channel on electrical properties and reliability of thin-film transistors2017
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, H. Tanaka, and R. Higashi
- 学会等名
  The 17th International Meeting on Information Displays (IMID2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Enhancement of Reliability for In?Ga?Zn?O Thin-Film-Transistors by TEOS-based SiO2 Passivation2017
- 著者名/発表者名
  S G Mehadi Aman, 是友大地, 田中宏怜, 古田守
- 学会等名
  The 17th International Meeting on Information Displays (IMID2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Reliability and DC performance of InGaZnO Thin-Film Transistors with TEOS-based SiO2 Stack Passivation2017
- 著者名/発表者名
  S G Mehadi Aman, 是友大地, 田中宏怜, 古田守
- 学会等名
  Eurodisplay2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] XPS Analysis of Carrier Generation Mechanism in He- and Ar-Plasma-Treated InGaZnO2017
- 著者名/発表者名
  曲勇作, 牧野久雄, 古田守
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductor
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] InGaZnO/AgOx Metal-Semiconductor Field Effect Transistor for Flexible Device Applications2017
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, S. Hashimoto, Y. Magari, K. Hamada, G. T. Dang, and M. W. Allen
- 学会等名
  Eurodisplay2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] In-Ga-Zn-O成膜温度が薄膜トランジスタ特性および信頼性に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  田中宏怜, 東龍之介, 古田守
- 学会等名
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化2017
- 著者名/発表者名
  東龍之介, 田中宏怜, 是友大地, 古田守, 髙橋誠一郎, 八島勇
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] 高移動度組成InGaZnO薄膜トランジスタの特性制御2017
- 著者名/発表者名
  東龍之介, 田中宏怜, 古田守, 髙橋誠一郎, 八島勇
- 学会等名
  応用物理学会　中国四国支部　合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] HeおよびArプラズマによるInGaZnOx導電層形成メカニズムと自己整合型トランジスタ応用2017
- 著者名/発表者名
  曲勇作, 牧野久雄, 古田守
- 学会等名
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] AgOX/InGaZnOショットキー接合形成に向けた反応性スパッタ法によるAgOXの形成と物性評価2017
- 著者名/発表者名
  橋本慎輔, 曲勇作, 濵田賢一朗, 古田守
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] InWZnOチャネルによる薄膜トランジスタの高移動度化とその信頼性2017
- 著者名/発表者名
  是友大地, 橋本優太, 濱田秀平, 宮永美紀, 古田守
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] InGaZnO/AgOX酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価2017
- 著者名/発表者名
  曲勇作, 橋本慎輔, 濵田賢一朗, 古田守
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature Processed and Self-aligned InGaZnOx TFT with an Organic Gate Insulator for Flexible Devices2016
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Toda, G. Tatsuoka, and Y. Magari
- 学会等名
  Electrochemical Society(ECS PRiME2016)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2016-10-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] High-mobility oxide thin-film transistors with an In-W-Zn-O channel2016
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, D. Koretomo, Y. Hashimoto, K. Watatani, M. Miyanaga, and H. Awata
- 学会等名
  International Meeting on Information Display (IMID2016)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2016-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-Temperature (150℃) Processed Self-Aligned InGaZnO/Organic Hybrid Thin-Film Transistor for Flexible Devices2016
- 著者名/発表者名
  G. Tatsuoka, T. Toda, Y. Magari, and M. Furuta
- 学会等名
  International Meeting on Information Display (IMID2016)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2016-08-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析2016
- 著者名/発表者名
  是友大地、戸田達也、松田時宜、木村睦、古田守
- 学会等名
  シリコンデバイス研究会
- 発表場所
  沖縄、日本
- 年月日
  2016-04-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-temperature (150℃) Processed Self-aligned InGaZnO Hybrid Thin-film Transistor with an Organic Gate Insulator2016
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, Y. Krieg, G. Tatsuoka, S G Mehadi Aman, Y. Hirota, and N. Fruehauf
- 学会等名
  International Display Workshops (IDW2016)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2016-12-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In-Ga-Zn-O/AgOx Schottky Gate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, and M. Furuta
- 学会等名
  Electrochemical Society(ECS PRiME2016)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Influence of Carrier Concentration at Front- and Back-channel on Transfer Characteristics of Bottom-Gate IGZO Thin-Film Transistors2016
- 著者名/発表者名
  D. Koretomo, T. Toda, T. Matsuda, M. Kimura, and M. Furuta
- 学会等名
  Electrochemical Society(ECS PRiME2016)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] 高移動度・高信頼性酸化物半導体In-W-Zn-Oの薄膜トランジスタ応用2016
- 著者名/発表者名
  橋本優太、是友大地、綿谷研一、宮永美紀、粟田　英章、古田守
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  京都、日本
- 年月日
  2016-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309
[学会発表] Developing a Novel Hybrid Method for Fabricating Well-aligned Zinc Oxide Nanorod2013
- 著者名/発表者名
  X. Li, E. Pradeep, T. Kawaharamura, D. Wang, A. Hatta, M. Furuta, and C. Li
- 学会等名
  International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2013)
- 発表場所
  Qingdao, China.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Influence of Front- and Back-Channel Traps on Electrical Properties of Oxide TFTs with Various Channel Thicknesses2013
- 著者名/発表者名
  Jingxin Jiang, Dapeng Wang, Mamoru Furuta
- 学会等名
  The 9th International Thin-Film Transistor Conference 2013 (ITC2013)
- 発表場所
  The University of Tokyo, Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] High-performance oxide thin-film transistors fabricated using atmospheric pressure deposition method2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Kawaharamura
- 学会等名
  International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2013)
- 発表場所
  Qingdao, China.
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Influence of Charge Trapping on Hysteresis of InGaZnO Thin-Film Transistors under Negative Bias and Illumination Stress2013
- 著者名/発表者名
  M. P. Hung, D. Wang, J. Jiang, and M. Furuta
- 学会等名
  The 20th International Display Workshops (IDW’13)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Reaction Mechanism for Fabrication of High Quality IGZO Thin Films Grown by Non-Vacuum Mist CVD with O3 Assistance2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura, T. Kaida, and M. Furuta
- 学会等名
  2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Boston, MA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Enhancing carrier mobility of IGZO TFT fabricated by Mist CVD with O3 assistance2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura, T. Uchida, D. Wang, M. Sanada, and M. Furuta
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Negative-Bias with Illumination Stress Induced State Creation in a-InGaZnO TFT2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, M. P. Hung, J. Jiang, D. Wang, S. Tomai, H. Hayasaka, K. Yano
- 学会等名
  4th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 発表場所
  Villard-de-Lans (Grenoble area), France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Atmospheric Pressure Processed InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Kawaharamura
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] High Mobility IGZO TFT fabricated by Solution-Based Non-Vacuum Mist Chemical Vapor Deposition2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawaharamura and M. Furuta
- 学会等名
  4th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 発表場所
  Villard-de-Lans (Grenoble area), France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Negative bias with illumination stress induced state creation in a-InGaZnO TFT2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計7名(1番)
- 学会等名
  International Conference of Semiconductor Technology for ULSI and TFT
- 発表場所
  Grenoble, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] 酸化物薄膜トランジスタにおける発熱効果および劣化現象のサイズ依存性2013
- 著者名/発表者名
  浦川哲，笘井重和，笠見雅司，矢野公規，Wang Dapeng，古田守，堀田昌宏，石河泰明，浦岡行治
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] High performance oxide Thin-Film Transistor fabricated using atmospheric pressure deposition method2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計1名(1番)
- 学会等名
  International Conference on Advanced Materials
- 発表場所
  Qingdao, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Trap States in Amorphous In-Sn-Zn-O Thin-Film Transistors Analyzed Using Dependence on Channel Thickness2013
- 著者名/発表者名
  T. Matsuda, M. Kimura, J. Jiang, D. Wang, M. Furuta, M. Kasami, S. Tomai, and K. Yano
- 学会等名
  Society for Information Display (SID2013)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] High performance a-InGaZnOx Thin-Film Transistors fabricated by Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method2013
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Toshiyuki Kawaharamura, T. Uchida, Dapeng Wang, M. Sanada
- 学会等名
  The 9th International Thin-Film Transistor Conference 2013 (ITC2013)
- 発表場所
  The University of Tokyo, Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Degradation Phenomena in Amorphous Oxide Thin-Film Transistor by Self-Heating Effect2013
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 9th International Thin-Film Transistor Conference 2013 (ITC2013)
- 発表場所
  The University of Tokyo, Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  戸田達也，Dapeng Wang，Jingxin Jiang，Phi Hung Mai，古田守
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] ZnSnO薄膜トランジスタにおけるMgOドーピング効果2013
- 著者名/発表者名
  竹之内良太, 王大鵬, 石井林太郎, 高橋広己, 久保田高史, 古田守
- 学会等名
  第9回薄膜材料デバイス研究集会
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] オゾン支援ミストCVD法による高移動度(>10cme/Vs)IGZO TFT～TFT特性のチャネル組成依存性～2013
- 著者名/発表者名
  介田忠宏, 川原村敏幸, 古田守
- 学会等名
  第9回薄膜材料デバイス研究集会
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Fabrication of High Conductive ITO Thin Film for Photovoltaic Applications2013
- 著者名/発表者名
  X. Li, C. Li, D. Wang, C. Pradeep, M. Furuta, and A. Hatta
- 学会等名
  The Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 13)
- 発表場所
  Kyoto, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Thermal Distribution in Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  S. Urakawa, S. Tomai, Y. Ueoka, H. Yamazaki, M. Kasami, K. Yano, D. Wang, M. Furuta, M. Horita, Y. Ishikawa, and Y. Uraoka
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Investigation of Degradation Mechanism in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors under Negative Bias and Illumination Stress by Simulation2013
- 著者名/発表者名
  D. Wang, J. Jiang, M. P. Hung, T. Toda, C. Li, and M. Furuta
- 学会等名
  The 13th International Meeting on Information Display (IMID 2013)
- 発表場所
  Daegu, Republic of Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Thermal Degradation and Theoretical Analysisof Amorphous Oxide Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  S. Urakawa, S. Tomai, M. Kasami, K. Yano, D. Wang, M. Furuta, M. Kimura, M. Horita, Y. Ishikawa, and Y. Uraoka
- 学会等名
  The Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 13)
- 発表場所
  Kyoto, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Atmospheric pressure Processed InGaZnO Thin-film transistors2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計2名(1番)
- 学会等名
  IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] High Mobility Atmospheric-Pressure-Processed IGZO TFT with AlOx/IGZO Stack Fabricated by Mist Chemical Vapor Deposition2013
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, T. Kawaharamura, T. Kaida, and D. Wang
- 学会等名
  The 20th International Display Workshops (IDW’13)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Morphology Controlled Single-crystal ZnO Nanostructures Fabricated by a Novel Mist Chemical Vapor Deposition2013
- 著者名/発表者名
  C. Li, X. Li, D. Wang, T. Kawaharamura, N. Nitta, M. Furuta, and A. Hatta
- 学会等名
  Society for Information Display (SID2013)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Effect of Drain Bias on Negative Gate Bias and Illumination Stress Induced Degradation in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  D. Wang, M. P. Hung, J. Jiang, C. Li, and M. Furuta
- 学会等名
  The Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 13)
- 発表場所
  Kyoto, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Effect of Active Layer Thickness on Negative Bias and Illumination Stress Induced Degradation in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  D. Wang, J. Jiang, M. P. Hung, T. Toda, C. Li, and M. Furuta
- 学会等名
  International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2013)
- 発表場所
  Qingdao, China.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Single Crystalline ZnO Nanorods Fabricated by Mist Chemical Vapor Deposition for Optical Applications2013
- 著者名/発表者名
  C. Li, X. Li, D. Wang, T. Kawaharamura, M. Furuta, and A. Hatta
- 学会等名
  The 20th International Display Workshops (IDW’13)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Self-Organized Growth ZnO Based Nanorods for Photonic Device Application2012
- 著者名/発表者名
  Chaoyang Li, Dapeng Wang, Xin Li, Toshiyuki Kawaharamura, Mamoru Furuta, Akimitsu Hatta
- 学会等名
  The 12th International Meeting on Information Display (IMID2012)
- 発表場所
  Daegu, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Optical Properties of Nanostructured ZnO Films Influenced by Different Gas Ratio Deposition with Radio Frequency Magnetron Sputtering2012
- 著者名/発表者名
  Chaoyang Li, Xin Li, Dapeng Wang, Toshiyuki Kawaharamura, Mamoru Furuta, Akimitsu Hatta
- 学会等名
  The 19th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2012 (IDW/AD’12)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method for Oxide TFTs2012
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang
- 学会等名
  The 19th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2012 (IDW/AD’12)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] a-IGZO TFT with Solution-Based Atmospheric Pressure Deposited IGZO/AlOx Gate Dielectric Stack2012
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, S. Shimakawa, D. Wang,
- 学会等名
  International Thin-Film Transistor Conference　(ITC2012)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Extraction of trap density on oxide thin-film transistors with various channel thickness2012
- 著者名/発表者名
  Jingxin Jiang, Dapeng Wang, Chaoyang Li, Mamoru Furuta
- 学会等名
  20th Annual International Conference on Composites or Nano Engineering (ICCE-20)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with solution-based atmospheric pressure deposited IGZO/AlOx Gate Dielectric Stack2012
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang
- 学会等名
  8th International Thin-Film Transistor Conference (ITC 2012)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Floating Body Effects in High-Mobility Oxide Thin-film Transistor2012
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Dapeng Wang, Jingxin Jiang, Toshiyuki Kawaharamura, Chaoyang Li
- 学会等名
  The 12th International Meeting on Information Display (IMID2012)
- 発表場所
  Daegu, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Structural and Electrical Properties of Al2O3 Film Grown by Mist Chemical Vapour Deposition2012
- 著者名/発表者名
  Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang, Tetsuya Toda, Chaoyang Li, Mamoru Furuta
- 学会等名
  The Nineteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 12)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] a-InGaZnO Thin-Film Transistor with Non-Vacuum Processed InGaZnO/AlOx Gate Dielectric Stack2012
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta, Toshiyuki Kawaharamura, Tatsuya Toda, Dapeng Wang
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science (PRiME2012)
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method for Oxide TFTs2012
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計3名(1番)
- 学会等名
  The 19th International Display Workshops
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Influence of substrate on zinc oxide nanostructrues grown by thermal annealing2012
- 著者名/発表者名
  Xin Li, Chaoyang Li, Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang, Hiroshi Furuta, Mamoru Furuta, Akimitsu Hatta
- 学会等名
  The 20th Annual International Conference on Composites or Nano Engineering (ICCE-20)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Electrical properties of oxide TFT with an IGZO/AlOx stack grown by solution-based non-vacuum mist chemical vapour deposition2012
- 著者名/発表者名
  Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang, Mamoru Furuta
- 学会等名
  Information Display's Display Week 2012 (SID 2012)
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Synthesis and photoluminescence properties of vertically well-aligned ZnO nanostructures2012
- 著者名/発表者名
  Chaoyang Li, Dapeng Wang, Toshiyuki Kawaharamura, Zeming Li, Noriko Nitta, Mamoru Furuta, Akimitsu Hatta
- 学会等名
  Information Display's Display Week 2012 (SID 2012)
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Influence of Active Layer Thickness on Performance and Reliability of InSnZnO Thin-Film Transistors2012
- 著者名/発表者名
  Dapeng Wang, Chaoyang Li, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai, Misa Sunagawa, Mami Nishimura, Emi Kawashima, Masashi Kasami, Koki Yano
- 学会等名
  The Nineteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 12)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Photo-Induced Bias Instability of Zinc Oxide Thin-Film Transistors2012
- 著者名/発表者名
  S. Shimakawa, D. Wang, and M. Furuta
- 学会等名
  International Thin-Film Transistor Conference　(ITC2012)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Oxide Thin-Film Transistors for Flat Panel Displays and Transparent Electronics2012
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計1名(1番)
- 学会等名
  20th International Conference on Composites or Nano Engineering
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Photo-induced Bias Instability of Zinc Oxide Thin-Film Transistors2012
- 著者名/発表者名
  Shin-ichi Shimakawa, Dapeng Wang, Mamoru Furuta
- 学会等名
  8th International Thin-Film Transistor Conference (ITC 2012)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Oxide Thin-film Transistors for Flat Panel Display and Transparent Electronics Applications2012
- 著者名/発表者名
  Mamoru Furuta
- 学会等名
  The 20th Annual International Conference on Composites or Nano Engineering (ICCE-20)
- 発表場所
  Beijing, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] 酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響2011
- 著者名/発表者名
  古田　守、島川　伸一
- 学会等名
  シリコン材料デバイス研究会(招待講演)
- 発表場所
  奈良
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Photo-Leakage Current and Hysteresis of the ZnO TFTs under Visible Light Irradiation2011
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, Y. Kamada, T. Hiramatsu, T. Matsuda, S. Shimakawa, C. Li, S. Fujita, and T. Hirao
- 学会等名
  International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Display and Devices
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408
[学会発表] Color Image Sensor with Virtically-stacked Organic Photoconductive Films2011
- 著者名/発表者名
  M. Furuta, 計7名(6番)
- 学会等名
  The 18th International Display Workshops (IDW'11)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560408

1. 浦岡行治 (20314536)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
2. 木村睦 (60368032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
3. 川原村敏幸

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件
4. 堀田昌宏

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
5. 石河泰明

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
6. 西田貴司

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
7. 松田時宜

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

古田 守 Furuta Mamoru

研究課題

研究成果

共同研究者

低温固相結晶化による疑似単結晶酸化インジウムトランジスタの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

フレキシブル透明回路を実装した三層積層式色分離型イメージセンサの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 応用物理, "ミスト化学気相成長法を用いた大気圧薄膜形成と酸化物機能デバイスのグリーンプロセス化"2014

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] 月刊ディスプレイ(2013年10月号), "溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術"2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] 月刊ディスプレイ 2013年10月号2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Quantitative analysis of annealing-induced instabilities of photo-leakage current and negative-bias-illumination-stress in a-InGaZnO thin-film transistors2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Collaborative optimization of thermal budget annealing and active layer defect content enhancing electrical characteristics and bias stress stability in InGaZnO thin-film transistors2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heterojunction channel engineering to enhance performance and reliability of amorphous In?Ga?Zn?O thin-film transistors2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement in bias-stress and long-term stabilities for in-Ga-Zn-O thin-film transistors using solution-process-compatible polymeric gate insulator2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of a SiO2 passivation on electrical properties and reliability of In-W-Zn-O thin-film transistor2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Drain Current Stress-Induced Instability in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Different Active Layer Thicknesses2018

著者名/発表者名

古田守 Furuta Mamoru

[図書] 月刊ディスプレイ　2013年10月号2013