• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

鷲尾 勝由  WASHIO KATSUYOSHI

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20417017
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2017年度: 東北大学, 工学研究科, 教授
2012年度 – 2016年度: 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
医用システム
キーワード
研究代表者
光素子 / 電子デバイス / 量子ドット / 結晶成長 / 機能融合 / カーボン / ゲルマニウム / 自己組織化 / コミュニケーション / 自己組織 … もっと見る / ドット / シリコン / 緩和 / サーファクタント … もっと見る
研究代表者以外
フェムト秒レーザー / バイオメカニクス / 細胞 / レーザー / 光超音波 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (86件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      鷲尾 勝由
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  フェムト秒レーザー光超音波顕微鏡の開発による細胞の断層像の可視化

    • 研究代表者
      西條 芳文
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      東北大学
  •  サーファクタント媒介による緩和Ge薄膜結晶の形成とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      鷲尾 勝由
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Effects of Ge growth rate and temperature on C-mediated Ge dot formation on Si (100) substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 621 ページ: 42-46

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2016.11.032

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Low-temperature formation of self-assembled Ge quantum dots on Si(100) under high carbon mediation via solid-phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, K. Takeshima, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 印刷中 ページ: 167-172

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.09.011

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Formation and Strain Analysis of Stacked Ge Quantum Dots With Strain-Compensating Si1-xCx Spacer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (c)

      巻: 14 号: 12 ページ: 1700197-1700197

    • DOI

      10.1002/pssc.201700197

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Influence of crystallinity of as-deposited Ge film on formation of quantum dot in carbon-mediated solid-phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takeshima, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 印刷中 ページ: 178-182

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.11.025

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Effects of carbon coverage on Ge quantum dots formation on Si(100) using C-Si reaction and transition of Ge growth mode2017

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuta, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 印刷中 ページ: 173-177

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.11.004

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Control of growth modes by carbon mediation in formation of Ge quantum dots on Si(100)2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nanotechnol.

      巻: 16 号: 4 ページ: 595-599

    • DOI

      10.1109/tnano.2017.2679721

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554, KAKENHI-PROJECT-16J01701
  • [雑誌論文] Optimization of Si-C reaction temperature and Ge thickness in C-mediated Ge dot formation2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 29-31

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.08.033

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [雑誌論文] Formation of Ge dot or film in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, S. Hatakeyama, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 32-35

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.07.025

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [雑誌論文] Ge dots formation using Si(100)-c(4×4) surface reconstruction2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 438 ページ: 1-4

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2015.12.025

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [雑誌論文] Self-Assemble Formation of Ge Dots on Si(100) via C/Ge/C/Si Structure2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 69 号: 10 ページ: 69-73

    • DOI

      10.1149/06910.0069ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [雑誌論文] Formation of Ge dots on Si(100) using reaction of Ge with sub-monolayer carbon on top2015

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [雑誌論文] Transition of carbon binding states on Si(100) depending on substrate temperature and its effect on Ge growth2014

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 125 ページ: 14-17

    • DOI

      10.1016/j.mee.2013.12.023

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [雑誌論文] Mediation effect of sub-monolayer carbon on interfacial mixing in Ge growth on Si(100)2014

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Ryo Hayase, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 11 号: 11-12 ページ: 1556-1560

    • DOI

      10.1002/pssc.201400032

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [雑誌論文] Structural transition in Ge growth on Si mediated by sub-monolayer carbon2014

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Katsuyoshi Washio
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 557 ページ: 61-65

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.095

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [雑誌論文] Formation of Ge quantum dots on Si substrate using consecutive deposition of Ge/C and in situ post annealing2014

    • 著者名/発表者名
      Shinji Hatakeyama, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 125 ページ: 28-32

    • DOI

      10.1016/j.mee.2013.12.026

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] 固相成長によるC媒介Ge量子ドットの積層構造の検討2018

    • 著者名/発表者名
      井上 友貴、武島 開斗、伊藤 友樹、川島 知之、鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Strain Distribution Analysis of Self-Ordered SiGe Nanodot Structures by Nano Beam Diffraction2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Schubert, Y. Yamamoto, Y. Itoh, P. Zaumseil, G. Capellini, K. Washio, B. Tillack
    • 学会等名
      9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Self-Ordered Ge Nanodot Fabrication by Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, Y. Itoh, P. Zaumseil, M. A. Schubert, G. Capellini, K. Washio, B. Tillack
    • 学会等名
      Americans International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Alignment Control of Self-Ordered Three Dimensional SiGe Nanodots2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, Y. Itoh, P. Zaumseil, M. A. Schubert, G. Capellini, K. Washio, B. Tillack
    • 学会等名
      9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] 原子ステップc 面サファイア基板上のゲルマネン形成2018

    • 著者名/発表者名
      安田 康佑、川島 知之、鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Formation of multi-stacked Ge quantum dots structure via carbon-mediated solid-phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takeshima, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Influence of carbon binding states at Ge/Si(100) interface on Ge quantum dot formation via carbon mediation2017

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuta, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai
    • 年月日
      2017-02-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Carbon-mediated Ge quantum dot formation via c(4x4) surface reconstruction and solid-phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai
    • 年月日
      2017-02-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] カーボン媒介Ge量子ドットの自己組織化形成法 ―表面再構成と固相成長―2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤 友樹、川島 知之、鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第72回応用物理学会東北支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Strain-compensated formation of multi-stacked Ge quantum dots utilizing Si1-xCx spacer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      European Material Research Society (E-MRS) 2017 Spring Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Formation of Multi-Stacked Ge Quantum Dot by Using Strain-Compensating Si1-xCx Spacer and Carbon Mediation2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, M Arita, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Ge量子ドットとSiキャップ層の形状と歪へのカーボン被覆の影響2017

    • 著者名/発表者名
      有田誠, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第64回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、横浜市
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Siスペーサ層上の固相成長によるカーボン媒介Ge量子ドットの形成2017

    • 著者名/発表者名
      武島開斗, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第64回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、横浜市
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Ge量子ドット積層における中間層の歪補償効果に関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      有田 誠、伊藤 友樹、川島 知之、鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Strain-compensated formation of multi-stacked Ge quantum dots utilizing Si1-xCx spacer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2017 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2017-05-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si1-xCx歪補償中間層上のカーボン媒介によるGe量子ドットの自己組織的成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第64回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、横浜市
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Analysis of carbon mediation in Ge quantum dot formation on Si(100) substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, Y. Satoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] 原子ステップc面サファイア基板上Ge(111)薄膜成長の検討2016

    • 著者名/発表者名
      河口大和, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第63回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] 固相成長によるC媒介Ge量子ドット形成へのGe堆積温度の効果2016

    • 著者名/発表者名
      武島開斗, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第63回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] 堆積中カーボン媒介によるGe量子ドットの低温形成2016

    • 著者名/発表者名
      武島開斗, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第77回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟市
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si(100)基板上C媒介Ge量子ドットの低温固相成長2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹, 武島開斗, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第63回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of Ge Quantum Dots on Si(100) via Solid-Phase Epitaxy Using Carbon mediation2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, K. Takeshima, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      8th International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] 余剰カーボンのC-Si反応Ge量子ドット形成への影響2016

    • 著者名/発表者名
      安田康佑, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第77回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟市
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Transition of Ge quantum dot growth mode by using C-mediated Si(100) surface management2016

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuta, Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      8th International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Effect of Crystallinity of As-Deposited Ge Film on Quantum Dot Formation in Carbon-Mediated Solid-Phase Epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takeshima, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Control of VW and SK Growth Modes in Ge Quantum Dot Formation on Si(100) Via Carbon Mediation2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2016)
    • 発表場所
      Sendai International Center, Sendai
    • 年月日
      2016-08-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] C-mediated Ge quantum dot growth on Si (100) substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] C-Si反応を利用したGe量子ドット形成におけるC堆積量の最適化2016

    • 著者名/発表者名
      安田康佑, 佐藤佑紀, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第63回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Formation of multi-stacked Ge quantum dot utilizing carbon-mediated template and its photoluminescence property2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
    • 発表場所
      ANA Crowne Plaza, Kyoto
    • 年月日
      2016-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Effect of crystallinity of as-deposited Ge film on quantum dot formation in carbon-mediated solid-phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takeshima, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      8th International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] C-Si 反応を利用したGe 量子ドットの積層構造の発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第77回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟市
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of Ge Quantum Dots on Si(100) via Solid-Phase Epitaxy Using Carbon mediation2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, K. Takeshima, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Transition of Ge Quantum Dot Growth Mode by Using C-Mediated Si(100) Surface Management2016

    • 著者名/発表者名
      K. Yasuta, Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)
    • 発表場所
      Nagoya Univ., Nagoya
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si-C結合を利用したGeドットの形成に関する検討2015

    • 著者名/発表者名
      佐藤佑紀, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第70回 応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      ホテルアップルランド、平川市
    • 年月日
      2015-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Effect of carbon reaction temperature with Si(100) on Ge dot morphology2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si-C/Ge-C結合がGeドット形成に及ぼす影響2015

    • 著者名/発表者名
      伊藤 友樹, 川島 知之, 鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、名古屋市
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] c面サファイア基板上のGe(111)薄膜成長の検討2015

    • 著者名/発表者名
      河口 大和, 伊藤 友樹, 川島 知之, 鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、名古屋市
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si-C結合による表面再構成を用いたGeドット形成におけるGe堆積温度と堆積速度の影響に関する検討2015

    • 著者名/発表者名
      佐藤 佑紀, 伊藤 友樹, 川島 知之, 鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、名古屋市
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Control of surface morphology in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, S. Hatakeyama, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] カーボン媒介によるSi基板上のGe量子ドット成長界面の検討2015

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹, 佐藤佑紀, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第70回 応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      ホテルアップルランド、平川市
    • 年月日
      2015-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Self-assemble formation of Ge dots by changing C-mediated binding states2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio
    • 学会等名
      228th Electrochemical Society
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • 年月日
      2015-10-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03554
  • [学会発表] Si基板上アモルファスGe/Cのアニール処理によるGeドットの形成に関する検討2014

    • 著者名/発表者名
      畠山真慈, 伊藤友樹, 奥野颯, 川島知之, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Formation of Ge quantum dots using in-situ post annealing amorphous Ge/C structure2014

    • 著者名/発表者名
      Shinji Hatakeyama, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] サブモノレイヤカーボンによるGe/Siミキシングの抑制に関する検討2014

    • 著者名/発表者名
      伊藤 友樹, 早瀬 凌, 畠山 真慈, 川島 知之, 鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effect of carbon binding states on Ge growth on Si(100) substrate2014

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Si基板上での低温Ge薄膜成長2014

    • 著者名/発表者名
      早瀬 凌, 伊藤 友樹, 川島 知之, 鷲尾 勝由
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Carbon-interfered growth of Ge quantum dots on Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      Shinji Hatakeyama, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      E-MRS 2013 FALL MEETING
    • 発表場所
      Warsaw, Porland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Structural transition of Ge growth on Si induced by submonolayer carbon2013

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Takuya Matsuo, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      福岡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] 異なる結合状態のカーボン・バッファ層を用いた Si基板上Ge薄膜成長2013

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹, 畠山真慈, 奥野颯, 鷲尾勝由
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      京田辺市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Structural transition of Ge growth on Si induced by submonolayer carbon2013

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Takuya Matsuo, and Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Influence of submonolayer carbon coverage and deposition temperature on Ge growth on Si(100)2013

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      E-MRS 2013 FALL MEETING
    • 発表場所
      Warsaw, Porland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] C/Ge/Si(100)構造におけるサブ原子層カーボンとGe成長温度のGe薄膜形成への影響

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹、畠山真慈、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Si-C結合を利用したGeドットの形成温度に関する検討

    • 著者名/発表者名
      佐藤佑紀、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effect of Si(100)c(4×4) surface reconstruction on Ge dots formation

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Satoh, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku University, Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] MBEを用いたSi(100)上2段階Ge薄膜成長における表面平坦化条件の検討

    • 著者名/発表者名
      早瀬凌、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] アモルファスGe上のサブ原子層カーボンの熱処理を用いたSi(100)基板上のGe薄膜形成

    • 著者名/発表者名
      青山琢磨、伊藤友樹、畠山真慈、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] カーボン・サブ単原子バッファ層を用いたSi基板上のGeドットの形成に関する検討

    • 著者名/発表者名
      畠山真慈、伊藤友樹、松尾拓哉、鷲尾勝由
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effect of carbon reaction temperature with Si(100) on Ge dot morphology

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Satoh, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17 – 2015-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Control of surface morphology in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-site post annealing

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17 – 2015-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Geバッファ層とサブ原子層カーボン導入によるGe/Siミキシングの抑制

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹、早瀬凌、畠山真慈、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌市、北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] サブ原子層カーボンを用いたSi基板上Ge薄膜の平坦性向上に関する検討

    • 著者名/発表者名
      畠山真慈、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Formation of Ge dots on Si(100) using reaction between Ge and sub-monolayer carbon on top

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      Materials Today Asia 2014
    • 発表場所
      Hong Kong, China
    • 年月日
      2014-12-09 – 2014-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] サブ原子層カーボンを用いたGeドットのSi-C結合形成温度依存性に関する検討

    • 著者名/発表者名
      佐藤佑紀、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effect of sub-monolayer carbon on Ge/Si(100) layer on Ge dot formation

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tohoku University, Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Formation of Ge dots using stable Si(100)c(4×4) surface reconstructed by Si-C heterodimers

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Satoh, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      Materials Today Asia 2014
    • 発表場所
      Hong Kong, China
    • 年月日
      2014-12-09 – 2014-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] MBEを用いたSi(100)基板上の2段階Ge薄膜成長

    • 著者名/発表者名
      早瀬凌、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effect of sub-monolayer carbon mediation on interfacial mixing in Ge growth on Si(100)

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Ryo Hayase, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      E-MRS 2014 Spring Meeting
    • 発表場所
      Lille, France
    • 年月日
      2014-05-26 – 2014-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Si-C結合によるc(4×4)表面再構成を利用したGeドットの堆積量依存性に関する検討

    • 著者名/発表者名
      佐藤佑紀、伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第69回 応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学、仙台市
    • 年月日
      2014-12-04 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] サブ原子層カーボン/Geの反応を利用したSi(100)基板上Geドットの形成

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹、川島知之、鷲尾勝由
    • 学会等名
      第69回 応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学、仙台市
    • 年月日
      2014-12-04 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] Effects of sub-monolayer carbon reaction at Si surface on Ge dot growth on Si(100)

    • 著者名/発表者名
      Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio
    • 学会等名
      15th IUMRS-ICA
    • 発表場所
      Fukuoka University, Fukuoka
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • [学会発表] カーボン・サーファクタントを用いたSi基板上の緩和Ge薄膜成長の検討

    • 著者名/発表者名
      伊藤友樹、畠山真慈、松尾拓哉、鷲尾勝由
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246003
  • 1.  櫻庭 政夫 (30271993)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  西條 芳文 (00292277)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  松浦 祐司 (10241530)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  川島 知之 (40708450)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 48件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi