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日塔 光一  NITTOH Kohichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20421414
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター, 特定技術担当主幹
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, 研究業務員
2009年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, 研究員
2008年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, 研究業務員
2007年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノ有機センター, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者以外
MBE・エピタキシャル成長 / MBE・エピタキシャル / 量子コンピュータ / 半導体物性 / 結晶成長 / 結晶工学
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (14件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  シリコン結晶中への多元素重畳δドーピング層の実現と量子情報処理への応用

    • 研究代表者
      三木 一司
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構

すべて 2011 2010 2007

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] High-density G-centers, light-emitting point defects in silicon Crystal.2011

    • 著者名/発表者名
      Koichi Murata, Yuhsuke Yasutake, Koh-ichi Nittoh, Susumu Fukatsu, Kazushi Miki
    • 雑誌名

      AIP Advanced 1

      ページ: 32125-32125

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010

    • 著者名/発表者名
      Koichi Murata, Yuhsuke Yasutake, Koh-ichi Nittoh, Kunihiro Sakamoto, Susumu Fukatsu, Kazushi Miki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express. 3

      ページ: 61302-61302

    • NAID

      10027015023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010

    • 著者名/発表者名
      Koichi Murata, Yuhsuke Yasutake, Koh-ichi Nittoh, Kunihiro Sakamoto, Susumu Fukatsu, Kazushi Miki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2

    • NAID

      10027015023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2011

    • 発明者名
      三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構
    • 取得年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

    • 発明者名
      三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

    • 発明者名
      三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-530980
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法2007

    • 発明者名
      三木 一司、人木 修平、日塔 光一、坂本 邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

    • 発明者名
      三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-530980
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

    • 発明者名
      三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

    • 発明者名
      三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
    • 権利者名
      物質・材料研究機構
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [学会発表] シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化2010

    • 著者名/発表者名
      村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [学会発表] シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化2010

    • 著者名/発表者名
      村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [学会発表] シリコン結晶中の高濃度ビスマス不純物準位からのフォトルミネスセンス2010

    • 著者名/発表者名
      村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • [学会発表] シリコン結晶中の高濃度ビスマス不純物準位からのフォトルミネスセンス2010

    • 著者名/発表者名
      村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206003
  • 1.  三木 一司 (30354335)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 2.  坂本 邦博 (50357109)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  川畑 史郎 (30356852)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  深津 晋 (60199164)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件

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