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星井 拓也  Hoshii Takuya

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20611049
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 東京科学大学, 工学院, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2023年度: 東京工業大学, 工学院, 助教
2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
パワーデバイス / 半導体 / 電子デバイス / 半導体界面評価 / III-V族化合物半導体 / MBE
研究代表者以外
GaN / FinFET / パワーデバイス / 立体チャネル … もっと見る / 選択成長 / Fin FET / 窒化ガリウム / 結晶成長 / 電気・電子材料 / 電子デバイス / GaNデバイス / トランジスタ / 窒化ガリウムGaN 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (32件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  高移動度二次元正孔ガスpチャネルGaNトランジスタの開発研究代表者

    • 研究代表者
      星井 拓也
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Si基板上光学素子作製のための低損失バッファー層の開発と高機能デバイスの実現研究代表者

    • 研究代表者
      星井 拓也
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2024 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Photoassisted impedance spectroscopy for quantum dot solar cells2016

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii,Shunya Naitoh, and Yoshitaka Okada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 4S ページ: 04ES11-04ES11

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04es11

    • NAID

      210000146445

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [産業財産権] pチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法2021

    • 発明者名
      星井拓也、筒井一生
    • 権利者名
      星井拓也、筒井一生
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2021-137005
    • 出願年月日
      2021
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Threshold Voltage Shift of P-Ch GaN Misfets with Charge Trapping Insulator2024

    • 著者名/発表者名
      T. Hoshii, T. Toyoda, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, and K. Kakushima
    • 学会等名
      PRiME 2024
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:成長窓形成プロセス改善2022

    • 著者名/発表者名
      久恒悠介、太田貴士、佐々木満孝、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
    • 学会等名
      2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] Performance improvements of P-channel GaN HFETs by atomic layer etching using nitrogen plasma2022

    • 著者名/発表者名
      Shonosuke Kimura, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hithoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Effect of Atomic Layer Etching using Nitrogen Plasma on Hall Accumulation at MIS Interface of GaN Polarization-Junction Substrate2022

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Shonosuke Kimura, Kuniyuki Kakushima, Hithoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 窒素プラズマ ALE による P チャネル GaN HFET の特性向上2021

    • 著者名/発表者名
      木村 匠之介、三浦 克之、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 横型GaN系FinFETにおける異なるチャネル伝導形態の比較検討2021

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:成長窓形成プロセスの検討2021

    • 著者名/発表者名
      太田 貴士、佐々木 満考、高山 研、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN 系FinFET2021

    • 著者名/発表者名
      筒井一生,濱田拓也,高山 研,金 相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林 整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
    • 学会等名
      電気学会電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] GaN FinFETの低オン抵抗・高耐圧化に向けたドリフト領域拡幅の検討2021

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 分極接合基板のC-V特性において二段階変化が起こる要因の解明2021

    • 著者名/発表者名
      鬼村 和志、星井 拓也、松橋 泰平、沖田 寛昌、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生、中島 昭
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 横型GaN FinFETの構造最適化についての検討2020

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、金 相佑、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良2020

    • 著者名/発表者名
      高山 研、太田 貴士、佐々木 満孝、向井 勇人、濱田 拓也、高橋 言雄、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] Evaluation of Interfacial Charges at GaN/AlGaN Interfaces Grown by MOVPE using Triethylgallium2019

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Hiromasa Okita, Taihei Matsuhashi, Indraneel Sanyal, Yu-Chih Chen, Ying-Hao Ju, Akira Nakajima, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Jen-Inn Chyi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討2019

    • 著者名/発表者名
      高山研、向井勇人、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三総、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2019

    • 著者名/発表者名
      濱田 拓也、向井 勇人、高橋 言緒、井手 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製2019

    • 著者名/発表者名
      向井勇人、髙山研、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] Quantitative evaluation of interfacial charges at GaN/AlGaN interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      13tu Int. Conf. on Nitride Semiconductor (ICNS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減2018

    • 著者名/発表者名
      濱田 拓也、黒岩 宏紀、高橋 言緒、井手 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング2018

    • 著者名/発表者名
      向井 勇人、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2018

    • 著者名/発表者名
      濱田拓也, 向井勇人, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生
    • 学会等名
      第82回半導体・集積回路シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs2018

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] III-V Crystal Growth on Si for Power Generation and Saving Devices2017

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hamada, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      International Conference on Advanced in Materials Science and Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御2017

    • 著者名/発表者名
      黒岩 宏紀、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs2016

    • 著者名/発表者名
      Daiji Yamashita, Kentaroh Watanabe, Masahisa Fujino, Takuya Hoshii, Yoshitaka Okada, Yoshiaki Nakano, Tadatomo Suga, and Masakazu Sugiyama
    • 学会等名
      43th Photovoltaic Specialists Conference
    • 発表場所
      Portland, OR (USA)
    • 年月日
      2016-06-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] 超高効率多接合太陽電池作製に向けた表面活性化接合界面の評価2016

    • 著者名/発表者名
      山下大之、渡辺健太郎、藤野真久、星井拓也、杉山正和、岡田至崇、須賀唯知、中野義昭
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] Electrical Evaluation of Energy Distribution of State Density in Embedded Nanostructure2016

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii
    • 学会等名
      International conference on Materials Processing and Applications 2016
    • 発表場所
      Vellore Institute of Technology (India)
    • 年月日
      2016-12-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] Characteristics of Fe/pGaN Contact upon Annealing Process2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ikeuchi, Takuya Hoshii, Hithoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, and S. Ishikawa
    • 学会等名
      47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      Catamaran Hotel (CA, USA)
    • 年月日
      2016-12-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] Si ドープした InAs 量子ドットへの赤外光集光効果2015

    • 著者名/発表者名
      内藤駿弥、宮下直也、星井拓也、岡田至崇
    • 学会等名
      第34回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] 光刺激インピーダンス分光法による量子ドット太陽電池の評価2015

    • 著者名/発表者名
      星井拓也、内藤駿弥、岡田至崇
    • 学会等名
      第34回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • [学会発表] Photo-Assisted Impedance Spectroscopy for Quantum Dot Solar Cell2015

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii,Shunya Naitoh, and Yoshitaka Okada
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K20960
  • 1.  筒井 一生 (60188589)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 22件
  • 2.  清水 三聡 (10357212)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 3.  角嶋 邦之 (50401568)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 17件
  • 4.  中島 昭 (60450657)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 5.  山田 永 (60644432)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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