山本圭介 Yamamoto Keisuke

研究者番号	20706387
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2018年度 – 2021年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 助教 2016年度: 九州大学, 総合理工学研究科, 助教 2013年度 – 2014年度: 九州大学, グリーンアジア国際リーダー教育センター, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外大区分C / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者ゲルマニウム / Ge-on-Insulator / 基板貼り合わせ / 移動度 / トンネルFET / 低消費電力 / 電子・電気材料 / ULSI / MOSFET / 半導体物性 / 電気・電子材料 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る半導体スピントロニクス / Ge-On-Insulator基板 / MIS型 / 近赤外発光 / トンネリング障壁高さ / シリコンゲルマニウム / 半導体スピントロにクス / 歪みシリコンゲルマニウム / ホイスラー合金 / トランジスタ / スピン伝導 / スピンMOSFET / スピン注入 / ゲルマニウム / マルチフェロイック材料 / マルチフェロイックス / 電子顕微鏡 / 薄膜 / 界面構造 / 界面 / 走査透過電子顕微鏡 / 走査電子顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 / ひずみ解析 / 強誘電体 / 形状記憶合金 / 局所歪 / 局所歪み / Ge-光素子 / GOI / 電子密度 / 電子・電気材料 / CMOS / Siフォトニクス / 金属/半導体コンタクト / Ge光素子隠す

中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山本圭介
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州大学
シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓
- 研究代表者
  
  浜屋宏平
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  大阪大学
Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州大学
Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  山本圭介
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州大学
ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
- 研究代表者
  
  浜屋宏平
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  大阪大学
材料界面の複合顕微解析―結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用―
- 研究代表者
  
  赤嶺大志
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  九州大学
Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  山本圭介
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  九州大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback Method2024
- 著者名/発表者名
  Shimizu Noboru、Wang Dong、Nakashima Hiroshi、Yamamoto Keisuke
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 044001-044001
- DOI
  10.1149/2162-8777/ad384b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Ge-on-insulator fabrication based on Ge-on-nothing technology2024
- 著者名/発表者名
  Yamamoto Keisuke、Wang Dong、Loo Roger、Porret Clement、Cho Jinyoun、Dessein Kristof、Depauw Valerie
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 4 ページ: 04SP32-04SP32
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad2d07
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics2023
- 著者名/発表者名
  Wen Wei-Chen、Wang Dong、Nakashima Hiroshi、Yamamoto Keisuke
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 162 ページ: 107504-107504
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.107504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain2023
- 著者名/発表者名
  Yamamoto Keisuke、Matsuo Takuro、Yamada Michihiro、Wagatsuma Youya、Sawano Kentaro、Hamaya Kohei
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 167 ページ: 107763-107763
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.107763
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer2021
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[雑誌論文] (Invited) Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer2021
- 著者名/発表者名
  Yamamoto Keisuke、Wang Dong、Nakashima Hiroshi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 102 号: 4 ページ: 63-71
- DOI
  10.1149/10204.0063ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] (Invited) Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optoelectronics Applications2021
- 著者名/発表者名
  Yamamoto Keisuke、Wang Dong、Nakashima Hiroshi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 104 号: 4 ページ: 157-166
- DOI
  10.1149/10404.0157ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOX layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 98 ページ: 395-404
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[雑誌論文] (Invited) Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOx layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Nakashima Hiroshi、Wen Wei-Chen、Yamamoto Keisuke、Wang Dong
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 5 ページ: 395-404
- DOI
  10.1149/09805.0395ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] Interface trap and border trap characterization for Al2O3/GeOx/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET2020
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen, Yuta Nagatomi, Hiroshi Akamine, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 065119-065119
- DOI
  10.1063/5.0002100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028, KAKENHI-PROJECT-19H05616
[雑誌論文] High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al2O3 interlayer and its internal charge analysis2020
- 著者名/発表者名
  Oka Ryusei、Yamamoto Keisuke、Akamine Hiroshi、Wang Dong、Nakashima Hiroshi、Hishiki Shigeomi、Kawamura Keisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGD17-SGGD17
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6862
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0134, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut(TM) and Defect Elimination2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Md. M Alam, Kentarou Sawano, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 93 号: 1 ページ: 73-77
- DOI
  10.1149/09301.0073ecst
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028, KAKENHI-PROJECT-19H05616, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 92 号: 4 ページ: 3-10
- DOI
  10.1149/09204.0003ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028, KAKENHI-PROJECT-19H05616, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Achievement of low parasitic resistance in Ge n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using embedded TiN-source/drain structure2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 3 ページ: 035001-035001
- DOI
  10.1088/1361-6641/32/3/035001
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium　diodes with HfGe/Ge/TiN structure2016
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 602 ページ: 43-47
- DOI
  10.1016/j.tsf.2015.09.074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks2016
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, R. Yamashiro, M. Zenitaka, K. Yamamoto, D. Wang, J. Tadano, S. Yamada, H. Nohira, H. Nakashima, and K. Hamaya
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 260-264
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.11.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090, KAKENHI-PROJECT-16H02333
[雑誌論文] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor due to introduction of Al atoms into SiO2/GeO2 gate stack2016
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, L. Zhao, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 246-253
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.11.014
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Effects of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55(4S) 号: 4S ページ: 04EH08-04EH08
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eh08
- NAID
  210000146355
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 283-287
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.09.024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge2015
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, R. Noguchi, M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118(11) 号: 11
- DOI
  10.1063/1.4930573
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 69(10) 号: 10 ページ: 55-66
- DOI
  10.1149/06910.0055ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Fabrication of PtGe/Ge contacts with high on/off ratio and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, S. Tanaka, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54(7) 号: 7 ページ: 070306-070306
- DOI
  10.7567/jjap.54.070306
- NAID
  210000145332
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 261-266
- DOI
  10.1149/06406.0261ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
  
  巻: なしページ: 10-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, M. Mitsuhara, K. Hiidome, R. Noguchi, M. Nishida, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 13 ページ: 288-291
- DOI
  10.1063/1.4870510
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Low-temperature fabrication of Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer and low interface states density characterized by a reliable deep-level transient spectroscopy method2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, Y. Nagatomi, S. Kojima, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 288-291
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric fin type metal/germanium/metal structure2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, S. Kamezawa, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106(7) 号: 7
- DOI
  10.1063/1.4913261
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts2013
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 167-178
- DOI
  10.1149/05809.0167ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[雑誌論文] Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Asakawa, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 53-59
- DOI
  10.1149/05809.0053ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[産業財産権] スピンMOSFET2022
- 発明者名
  山本圭介、浜屋宏平
- 権利者名
  国立大学法人九州大学、国立大学法人大阪大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-194902
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Measurement of Fowler-Nordheim tunneling barrier height in Ge-MIS structures2023
- 著者名/発表者名
  Y. J. Feng, K. Yamamoto, A. Honda, N. Shimizu, D. Wang
- 学会等名
  The 8th Asia Applied Physics Conference (2023 年(令和5年度) 応用物理学会九州支部学術講演会)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03927
[学会発表] Study on the Performance of Metal S/D Ge n-MOSFET with Recessed Channel Structure2023
- 著者名/発表者名
  H. Kuwazuru, S. Nasu, D. Wang, K. Yamamoto
- 学会等名
  13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Thermally oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-MOS Capacitor and Field-Effect Transistor2023
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  244th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Low Temperature (~210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor using Plasma Oxidation and Oxi-Nitridation for the Interlayer Formation2023
- 著者名/発表者名
  H. Kuwazuru, D. Wang, K. Yamamoto
- 学会等名
  14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(III)2023
- 著者名/発表者名
  鍬釣一、王冬、山本圭介
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Fabrication of a Ge gate stack using plasma irradiation and low-temperature annealing for Ge applications2023
- 著者名/発表者名
  H. Kuwazuru, D. Wang, K. Yamamoto
- 学会等名
  14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250℃) for spintronics application2022
- 著者名/発表者名
  S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology2022
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto
- 学会等名
  The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator,2022
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討2021
- 著者名/発表者名
  清水昇, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析2021
- 著者名/発表者名
  中島寛, Wei-Chen Wen, 山本圭介, 王冬
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上2021
- 著者名/発表者名
  松尾拓朗、山本圭介、王冬
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] High Interfacial and Film Qualities of Thermally Oxidized Y2O3 and Sc2O3 MOS Structures on Germanium2021
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Kanakogi, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2020年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] GeスピンMOSFET実現に向けた低温（～250℃）デバイスプロセスの構築2021
- 著者名/発表者名
  那須新悟、松尾拓朗、山本圭介、王冬
- 学会等名
  2021年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討2021
- 著者名/発表者名
  清水昇，山本圭介，王冬，中島寛
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築2021
- 著者名/発表者名
  松尾拓朗、山本圭介、王冬
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析2021
- 著者名/発表者名
  中島寛, W.-C. Wen, 山本圭介, 王冬
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer2021
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] (Invited) Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications2021
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  240th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] (Invited) Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer2021
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  240th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOX layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  PRiME 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication2020
- 著者名/発表者名
  Noboru Shimizu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi. Nakashima
- 学会等名
  PRiME 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication2020
- 著者名/発表者名
  N. Shimizu, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  PRiME 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Fabrication and characterization of germanium gate stack with thermally oxidized yttrium and scandium dielectrics2020
- 著者名/発表者名
  H Kanakogi, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities2020
- 著者名/発表者名
  H. Kanakogi, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities2020
- 著者名/発表者名
  Hiroki Kanakogi, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOX layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  PRiME 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Formation of Ge mirror plane with high speed wet etching for etchback Ge-on-Insulator fabrication2020
- 著者名/発表者名
  N. Shimizu, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成2019
- 著者名/発表者名
  井芹健人、温偉辰、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  236th ECS Meeting, Atlanta, GA, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Border-Trap Evaluation for SiO2/GeO2/Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8), 東北大学片平キャンパス
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Ge-on-Insulator基板上へのMOSデバイスの作製と評価2019
- 著者名/発表者名
  清水昇、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2019年度応用物理学会九州支部学術講演会、熊本大学黒髪南地区
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成2019
- 著者名/発表者名
  井芹健人, 温偉辰, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Low temperature (<300oC Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices2019
- 著者名/発表者名
  Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Study on Position of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang H. Nakashima
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8), 東北大学片平キャンパス
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Evaluation of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  ISTDM / ICSI 2019 Conference, Madison, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Md. M Alam, Kentarou Sawano, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Border-Trap Evaluation for SiO2/GeO2/Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  236th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Study on Position of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen, Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Evaluation of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen、K. Yamamoto、D. Wang、H. Nakashima
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Low temperature (<300°C) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices2019
- 著者名/発表者名
  K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019)、名古屋大学東山キャンパス
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] Ge-on-Insulator基板上へのMOSデバイスの作製と評価2019
- 著者名/発表者名
  清水昇, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2019年（令和元年度）応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028
[学会発表] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination2019
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, Madison, WI, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05616
[学会発表] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成2017
- 著者名/発表者名
  岡本隼人、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2017
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2017-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 学会等名
  10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価2017
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行、本山千里、田中健太郎、山本圭介、中島寛、王冬
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構2017
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、織田知輝、坂口大成、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成2016
- 著者名/発表者名
  岡本隼人、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ：新潟コンベンションセンター
- 年月日
  2016-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Achievement of low parasitic resistance in Ge n-MOSFET with embedded TiN-source/drain structure2016
- 著者名/発表者名
  T. Tateyama, Y. Nagatomi, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  山本圭介、岡本隼人、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失2016
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、建山知輝、坂口大成、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ：新潟コンベンションセンター
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減2016
- 著者名/発表者名
  建山知輝、永冨雄太、田中慎太郎、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks2016
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Tomoki Tateyama, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Ge 光素子における基板キャリア密度と伝導型が及ぼす発光特性への影響2016
- 著者名/発表者名
  田中健太郎, 前蔵貴行, 本山千里, 王冬, 山本圭介, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタック中へのAl 導入によるp-MOSFET の移動度向上機構2016
- 著者名/発表者名
  坂口大成, 建山知輝, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2016
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2016)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2016-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] TOF-SIMS and XPS analyses for investigation of Al post-metallization annealing effect for Ge MOS capacitors with SiO2/GeO2 bilayer passivation2016
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, Y. Nagatomi, L. Zhao, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2016
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  JSPS Core-to Core Program "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Forschungszentrum Jülich, Germany
- 年月日
  2016-11-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2gate stacks2016
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, S. Tanaka, T. Tateyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  Noyori Conference Hall, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-06-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  Noyori Conference Hall, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-06-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 反応性スパッタリングで形成したZrN 物性とGe とのコンタクト特性2016
- 著者名/発表者名
  板屋航, 岡本隼人, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influence of Al-PMA for fin type asymmetric metal/germanium/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  C. Motoyama, T. Maekura, K. Tanaka, D. Wang, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上2016
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、田中慎太郎、建山知輝、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical properties of metal-nitride/Ge contacts and the application to Ge optoelectronic devices2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  The 2nd International Conference & Exhibition for Nanopia
- 発表場所
  Changwon Exhibition Convention Center, Gyeongsangnam-do, Korea
- 年月日
  2015-11-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance2015
- 著者名/発表者名
  Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Japan
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure2015
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非対称-金属/Ge/金属構造を有する光素子の試作と特性評価2015
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes2015
- 著者名/発表者名
  Takayuki Maekura, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Japan
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack2015
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical characterization of SiGe-on-insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Fuxuan Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2015-10-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2015-01-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 田中慎太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes2015
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Fuxuan Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 田中慎太郎, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明（II）2014
- 著者名/発表者名
  山本圭介, 光原昌寿, 吹留佳祐, 野口竜太郎, 西田稔, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学(神奈川県相模原市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge2014
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program,“Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2014-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査2014
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県名古屋市)
- 年月日
  2014-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学(宮城県仙台市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces2014
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ALDにより形成したAl2O3/Geゲートスタックに於けるKr/O2ECRプラズマ酸化効果2014
- 著者名/発表者名
  長岡裕一, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al2O3/GeOx/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査2014
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非対称-金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性2014
- 著者名/発表者名
  亀沢翔, 花田尊徳, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学(神奈川県相模原市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学(神奈川県相模原市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  226th ECS Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調2014
- 著者名/発表者名
  山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Fabrication of MOS and Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron and Hole Barrier Heights2014
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学(宮城県仙台市)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  山本裕介, 村山亮介, 山本圭介, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 川村啓介
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center
- 年月日
  2014-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure2014
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] バルクGe発光素子のデバイス構造による発光効率の変化2014
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 原子層堆積法により形成したAl2O3/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性2014
- 著者名/発表者名
  田中慎太郎, 長岡裕一, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts2013
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  224th ECS Meeting
- 発表場所
  アメリカ・サンフランシスコ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Asakawa, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  224th ECS Meeting
- 発表場所
  アメリカ・サンフランシスコ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Contact properties of group IV metal-nitrides (TiN, ZrN, HfN) on Ge
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang, M. Mitsuhara, R. Noguchi, K. Hiidome, N. Nishida
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
- 発表場所
  ベルギー・ルーヴェン
- 年月日
  2014-11-13 – 2014-11-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] ZrN, HfN/Geコンタクトの電気特性と界面微細構造解析
- 著者名/発表者名
  野口竜太郎，光原昌寿，山本圭介，西田稔，中島寛，原徹
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] ALDにより形成したAl2O3/Geゲートスタックに於けるKr/O2 ECRプラズマ酸化効果
- 著者名/発表者名
  長岡裕一，永冨雄太，山本圭介，王冬，中島寛
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Effect of Kr/O2 mixed ECR plasma oxidation on electrical　properties of Al2O3/Ge gate stacks fabricated by ALD
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2014)
- 発表場所
  つくば国際会議場(茨城県つくば市)
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 田中慎太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Effect of Al post metallization annealing on Al2O3/GeOx/Ge gate stacks
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学(宮城県仙台市)
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調
- 著者名/発表者名
  山本圭介，王冬，中島寛
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] n-ウェルの形成のためのGe基板上へのSb拡散
- 著者名/発表者名
  米田亮太, 山本圭介, 中島寛
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, R. Noguchi, M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学(宮城県仙台市)
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM 2014)
- 発表場所
  シンガポール
- 年月日
  2014-06-02 – 2014-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010
[学会発表] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  226th ECS Meeting
- 発表場所
  メキシコ・カンクン
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010

1. 王冬 (10419616)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 60件
2. 浜屋宏平 (90401281)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
3. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
4. 浜本貴一 (70404027)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 赤嶺大志 (40804737)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 中島寛 (70172301)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 59件
7. 村上恭和 (30281992)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 西田稔 (90183540)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 光原昌寿

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

山本 圭介 Yamamoto Keisuke

研究課題

研究成果

共同研究者

中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲルマニウムスピンMOSFETの実証

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

材料界面の複合顕微解析―結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用―

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback Method2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ge-on-insulator fabrication based on Ge-on-nothing technology2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] (Invited) Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

山本圭介 Yamamoto Keisuke

[雑誌論文] Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium　diodes with HfGe/Ge/TiN structure2016