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小林 拓真  Kobayashi Takuma

研究者番号 20827711
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-2755-5079
所属 (現在) 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度 – 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
2022年度 – 2023年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教
2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 0302:電気電子工学およびその関連分野
研究代表者以外
大区分D
キーワード
研究代表者
MOSFET / SiC / 信頼性 / 界面欠陥 / 波長変換 / 単一光子 / スピン量子光源 / 色中心 / キャリア散乱 / 移動度 … もっと見る / 膜中欠陥 / GaN / SiO2 / 窒化 / パワーデバイス / 電界効果トランジスタ(MOSFET) / 二酸化珪素(SiO2) / 炭化珪素(SiC) … もっと見る
研究代表者以外
界面科学 / MOS構造 / パワーデバイス / 炭化珪素 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (22件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  量子ネットワーク構築に向けた炭化ケイ素スピン量子光源の量子波長変換研究代表者

    • 研究代表者
      小林 拓真
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  光励起ダイナミクスの計測・理論解析による窒化ガリウムMOS界面欠陥の起源解明研究代表者

    • 研究代表者
      小林 拓真
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2026
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築

    • 研究代表者
      渡部 平司
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      大阪大学
  •  窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      小林 拓真
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2024
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  電子状態観察と分光学的解析による炭化珪素/酸化膜界面欠陥の起源解明研究代表者

    • 研究代表者
      小林 拓真
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2022
    • 研究種目
      研究活動スタート支援
    • 審査区分
      0302:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学

すべて 2023 2022 2021

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping2023

    • 著者名/発表者名
      Mizobata Hidetoshi、Nozaki Mikito、Kobayashi Takuma、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 16 号: 10 ページ: 105501-105501

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acfc95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [雑誌論文] Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation2023

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Takuma、Tomigahara Kazuki、Nozaki Mikito、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 17 号: 1 ページ: 011003-011003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ad120a

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [雑誌論文] Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices2022

    • 著者名/発表者名
      T. Nakanuma, T. Kobayashi, T. Hosoi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 15 号: 4 ページ: 041002-041002

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac5ace

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18170, KAKENHI-PROJECT-21K20429, KAKENHI-PROJECT-20K05338
  • [雑誌論文] Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation2022

    • 著者名/発表者名
      Fujimoto Hiroki、Kobayashi Takuma、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 15 号: 10 ページ: 104004-104004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac926c

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] Below-gap 光照射による n 型 GaN MOS 界面の正孔トラップ評価2023

    • 著者名/発表者名
      冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人,志村 考功,渡部 平司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [学会発表] Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination2023

    • 著者名/発表者名
      K. Tomigahara, T. Kobayashi, M.Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [学会発表] Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface2023

    • 著者名/発表者名
      H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, M. Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [学会発表] SiO2/GaOx/GaN 構造の固定電荷に対するポストアニールの効果2023

    • 著者名/発表者名
      荒木 唯衣, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13367
  • [学会発表] Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices2022

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A.Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
    • 学会等名
      19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響2022

    • 著者名/発表者名
      藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構2022

    • 著者名/発表者名
      鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination2022

    • 著者名/発表者名
      H. Fujimoto, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura, H. Watanabe
    • 学会等名
      19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性2022

    • 著者名/発表者名
      中沼貴澄, 小林拓真 ,染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 学会等名
      電気学会 電子デバイス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化2022

    • 著者名/発表者名
      藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 孝功, 渡部 平司
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices2022

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, T. Nakanuma, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響2022

    • 著者名/発表者名
      藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices2022

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
    • 学会等名
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価2022

    • 著者名/発表者名
      中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第27回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価2022

    • 著者名/発表者名
      中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性2022

    • 著者名/発表者名
      鈴木 亜沙人, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices2022

    • 著者名/発表者名
      Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe
    • 学会等名
      IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • [学会発表] エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化2021

    • 著者名/発表者名
      藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K20429
  • 1.  渡部 平司 (90379115)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 2.  染谷 満 (60783644)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  生田 力三 (90626475)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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