前田拓也 Maeda Takuya

研究者番号	20965694
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-2736-5611
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 2022年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者高電界効果 / 高周波デバイス / パワーデバイス / 窒化ガリウム / ドリフト速度 / 窒化ガリウム(GaN) / c軸方向移動度 / ワイドギャップ半導体 / 高電界物性 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 二次元電子ガス(2DEG) / 高周波トランジスタ … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る国際共同研究 / デバイスプロセス / エピタキシャル成長 / 窒化物半導体 / 顕微鏡 / ワイドギャップ半導体 / 誘導ラマン散乱隠す

誘導ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測
- 研究代表者
  
  小関泰之
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
窒化ガリウムの高電界における電子ドリフト速度の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  前田拓也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2024
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京大学
新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
- 研究代表者
  
  小林篤
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(海外連携研究)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京理科大学
窒化ガリウム半導体の高電界物性・キャリア輸送特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  前田拓也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 審査区分
  
  0302:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学

すべて 2024 2023

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024
- 著者名/発表者名
  Yusuke Wakamoto, Takahiko Kawahara, Shigeki Yoshida, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Yoshiaki Nakano, Takuya Maeda
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 82nd Device Research Conference (DRC 2024)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 011002-011002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad120b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094, KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Trasport Properties of GaN under High Electric Field2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda
- 学会等名
  15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 82nd Device Research Conference (DRC 82)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合における2次元電子ガスのドリフト速度の測定2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第70回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング2023
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto,A. Kobayashi,Y. Nakano,T. Maeda
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価2023
- 著者名/発表者名
  T. Maeda,Y. Wakamoto,S. Kaneki,H. Fujikura,A. Kobayashi
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi,Yoshio Honda,Takuya Maeda,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Characterization of Optical Properties and Bandgaps of Sc<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>N Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method2023
- 著者名/発表者名
  Takuya Maeda,Yusuke Wakamoto,Shota Kaneki,Hajime Fujikura,Atsushi Kobayashi
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Takahito Takeda,Masaki Kobayashi,Takuya Maeda,Takayuki Harada,Toru Akiyama,Takahiro Kawamura,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling2023
- 著者名/発表者名
  Yusuke Wakamoto,Atsushi Kobayashi,Yoshiaki Nakano,Takuya Maeda
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094

1. 小関泰之 (60437374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 小林篤 (20470114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
3. 中野貴之 (00435827)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
4. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

前田 拓也 Maeda Takuya

研究課題

研究成果

共同研究者

誘導ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ガリウムの高電界における電子ドリフト速度の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ガリウム半導体の高電界物性・キャリア輸送特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Trasport Properties of GaN under High Electric Field2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合における2次元電子ガスのドリフト速度の測定2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Characterization of Optical Properties and Bandgaps of Sc<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>N Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

前田拓也 Maeda Takuya