前田拓也 Maeda Takuya

研究者番号	20965694
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-2736-5611
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 2022年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者高電界効果 / 高周波デバイス / パワーデバイス / 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 二次元電子ガス(2DEG) / ドリフト速度 / 窒化ガリウム(GaN) / c軸方向移動度 / 高電界キャリア輸送 … もっと見る / 飽和ドリフト速度 / ヘテロ接合 / ワイドギャップ半導体 / 高電界物性 / 高周波トランジスタ … もっと見る研究代表者以外ワイドバンドギャップ半導体 / 顕微鏡 / ワイドギャップ半導体 / 誘導ラマン散乱 / 国際共同研究 / デバイスプロセス / エピタキシャル成長 / 窒化物半導体隠す

窒化ガリウムの高電界における電子ドリフト速度の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  前田拓也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2024
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京大学
新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
- 研究代表者
  
  小林篤
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(海外連携研究)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京理科大学
誘導ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測
- 研究代表者
  
  小関泰之
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
窒化ガリウム半導体の高電界物性・キャリア輸送特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  前田拓也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 審査区分
  
  0302:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学

すべて 2025 2024 2023

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Broadband stimulated Raman hyperspectral imaging of cells and semiconductors with synchronized fiber and solid-state sources2025
- 著者名/発表者名
  Takahashi Shun、Kamei Kento、Oguchi Kenichi、Kuruma Kazuhiro、Spratt Spencer J.、Akaboshi Hikaru、Wakamoto Yusuke、Maeda Takuya、Ozeki Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 33 号: 3 ページ: 3890-3890
- DOI
  10.1364/oe.545877
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00271, KAKENHI-PROJECT-23K17886, KAKENHI-PROJECT-23KJ0729
[雑誌論文] Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures2025
- 著者名/発表者名
  Okuda Tomoya、Ota Shunsuke、Kawahara Takahiko、Makiyama Kozo、Nakata Ken、Maeda Takuya、Kobayashi Atsushi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 126 号: 5 ページ: 052105-052105
- DOI
  10.1063/5.0228924
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[雑誌論文] Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics2025
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Atsushi、Maeda Takuya、Akiyama Toru、Kawamura Takahiro、Honda Yoshio
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 17 ページ: 2400896-2400896
- DOI
  10.1002/pssa.202400896
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24K08268, KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[雑誌論文] Structural and optical properties of epitaxial ScAlN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method2024
- 著者名/発表者名
  Maeda Takuya、Wakamoto Yusuke、Kaneki Shota、Fujikura Hajime、Kobayashi Atsushi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 125 号: 2 ページ: 022103-022103
- DOI
  10.1063/5.0213662
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[雑誌論文] Thermionic Field Emission in a Si-Doped AlN SBD with a Graded n+-AlGaN Top Contact Layer2024
- 著者名/発表者名
 Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto、Issei Sasaki, Akihira Munakata, Masanobu Hiroki, Kazuyuki Hirama, Kazuhide Kumakura, Yoshitaka Taniyasu
- 雑誌名
 
 IEDM 2024 Technical Digest
 
 巻: - ページ: 1-4
- DOI
 10.1109/iedm50854.2024.10873586
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-23K13362
[雑誌論文] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024
- 著者名/発表者名
  Yusuke Wakamoto, Takahiko Kawahara, Shigeki Yoshida, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Yoshiaki Nakano, Takuya Maeda
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 82nd Device Research Conference (DRC 2024)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[雑誌論文] Franz-Keldysh effect in β-Ga2O3 Schottky barrier diode under high reverse bias voltage2024
- 著者名/発表者名
 Maeda Takuya、Ema Kentaro、Sasaki Kohei
- 雑誌名
 
 Applied Physics Express
 
 巻: 17 号: 12 ページ: 124001-124001
- DOI
 10.35848/1882-0786/ad9664
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-23K13362
[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 011002-011002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad120b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094, KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の特性2025
- 著者名/発表者名
  奥田朋也, 太田隼輔, 久保田航瑛, 前田拓也, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 小林篤
- 学会等名
  第72回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明2025
- 著者名/発表者名
  前田拓也, 若本裕介, 佐々木一晴, 棟方晟啓, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] High-Field Transport in Wide-Bandgap Nitride Semiconductors -Impact Ionization, Avalanche, Tunneling, and Velocity Saturation-2025
- 著者名/発表者名
  T. Maeda
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2025 (CSW 2025)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaN上へのScAlN薄膜の低温エピタキシャル成長2025
- 著者名/発表者名
  太田隼輔, 奥田朋也, 久保田航瑛, 前田拓也, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 小林篤
- 学会等名
  第72回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Comprehensive Study on Velocity Saturation Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures2025
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] X線分光測定によるGaN上スパッタ成長ScAlN薄膜の表面酸化状態の評価2025
- 著者名/発表者名
  佐々木洸, 棟方晟啓, 小林正起, 山本涼太, 佐藤早和紀, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第72回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの輸送特性2025
- 著者名/発表者名
  久保田航瑛, 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 小林篤, 前田拓也
- 学会等名
  第72回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製2024
- 著者名/発表者名
  奥田朋也, 太田隼輔, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也, 小林篤
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Trasport Properties in GaN under High Electric Field2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda
- 学会等名
  The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の測定2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第70回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] 順バイアス印加AlNショットキーバリアダイオードのエミッション顕微鏡観察2024
- 著者名/発表者名
  佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 田中敦之, 本田善央, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第72回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] SiドープAlNショットキーバリアダイオードにおける順方向リーク電流の解析2024
- 著者名/発表者名
  佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造上へのScAlN薄膜エピタキシャル成長2024
- 著者名/発表者名
  奥田朋也, 太田隼輔, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也, 小林篤
- 学会等名
  第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Epitaxial Growth of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors2024
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Yoshio Honda
- 学会等名
  LEDIA 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] 組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlN SBDにおけるほぼ理想的な熱電子電界放出の発現2024
- 著者名/発表者名
  前田拓也
- 学会等名
  電気学会調査委員会最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors2024
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Yoshio Honda
- 学会等名
  E-MRS 2024 Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEG輸送特性の温度依存性2024
- 著者名/発表者名
  K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, Y. Nakano, A. Kobayashi, T. Maeda
- 学会等名
  第43回電子材料シンポジウム (EMS-43)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] AlGaN/GaN二次元電子ガスにおけるドリフト速度-電界特性の温度依存性2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Thermionic Field Emission in a Si-doped AlN SBD with a Graded n+-AlGaN Top Contact Layer2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, Y. Wakamoto, I. Sasaki, A. Munakata, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu
- 学会等名
  The 70th International Electron Devices Meeting (IEDM 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也
- 学会等名
  第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Trasport Properties of GaN under High Electric Field2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda
- 学会等名
  15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] 広帯域波長可変ファイバー光パラメトリック発振器の構築とその分子振動イメージング応用2024
- 著者名/発表者名
  高橋俊、亀井健斗、小口研一、車一宏、S. J. Spratt、赤星光、若本裕介、前田拓也、小関泰之
- 学会等名
  レーザー学会第590回研究会「次世代ファイバレーザー技術」、ポスター番号26、名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00271
[学会発表] Characterization of Ni/Si-doped AlN Schottky barrier diodes2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu
- 学会等名
  The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS 43)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Barrier Height Inhomogeneity in Si-doped AlN Schottky Barrier Diodes on SiC substrates2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 82nd Device Research Conference (DRC 82)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] ファイバー光パラメトリック発振器を用いた広帯域ハイパースペクトル誘導ラマン散乱顕微法2024
- 著者名/発表者名
  髙橋俊, 亀井健斗, 小口研一 , 車一宏, S. J. Spratt, 赤星光, 若本裕介, 前田拓也, 小関泰之
- 学会等名
  第3回超高速光エレクトロニクス研究会, ポスター番号8, 千葉工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00271
[学会発表] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 82nd Device Research Conference (DRC 82)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Atomic-resolution STEM observation of ScxAl1-xN/GaN heterojunction interface2024
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Hashimoto, Takehito Seki, Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata
- 学会等名
  15th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性2024
- 著者名/発表者名
  佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] 組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlN SBDにおける電流輸送機構の解明2024
- 著者名/発表者名
  前田拓也, 若本裕介, 佐々木一晴, 棟方晟啓, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝
- 学会等名
  第72回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] ScAlN/GaNヘテロ接合界面の原子分解能STEM観察2024
- 著者名/発表者名
  橋本晋亮, 関岳人, 前田拓也, 小林篤, 幾原雄一, 柴田直哉
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第80回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in β-Ga2O3N Schottky barrier diode under high reverse bias voltage2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, K. Ema, K. Sasaki
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference (EMC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合における2次元電子ガスのドリフト速度の測定2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 中野義昭, 前田拓也
- 学会等名
  第70回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20423
[学会発表] Drift Velocity of 2DEG in AlGaN/GaN in Ultrawide Temperature Range from 25 K to 573 K2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Analysis of Capacitance-Frequency Characteristics of Si-doped AlN Schottky Junction2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Kumakura, K. Hirama, Y. Taniyasu
- 学会等名
  The 2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] SiC 基板上 AlN ショットキーバリアダイオードにおける障壁高さの局所低下2024
- 著者名/発表者名
  佐々木一晴, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝, 田中敦之, 本田善央, 前田拓也
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第11回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] Low-field and High-field 2DEG Transport Properties in AlGaN/GaN at High Temperatures2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスの飽和ドリフト速度の電子濃度依存性2024
- 著者名/発表者名
  若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也
- 学会等名
  第72回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] ファイバー光パラメトリック発振器を用いた広帯域ハイパースペクトル誘導ラマン散乱イメージング2024
- 著者名/発表者名
  高橋俊、亀井健斗、小口研一、車一宏、スプラットスペンサー、赤星光、若本裕介、前田拓也、小関泰之
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会、19p-A37-6、新潟朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00271
[学会発表] Temperature-Dependent Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures2024
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda
- 学会等名
  The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS 43)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13362
[学会発表] 波長可変ファイバー光源と固体レーザーによる広帯域誘導ラマン分光イメージング2024
- 著者名/発表者名
  高橋俊、亀井健斗、小口研一、車一宏、スプラットスペンサージョン、赤星光、若本裕介、前田拓也、小関泰之
- 学会等名
  Optics & Photonics Japan (OPJ2024)、1aB2、電気通信大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00271
[学会発表] Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application2024
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, Y. Wakamoto, A. Kobayashi
- 学会等名
  BCICTS 2024
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング2023
- 著者名/発表者名
  Y. Wakamoto,A. Kobayashi,Y. Nakano,T. Maeda
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価2023
- 著者名/発表者名
  T. Maeda,Y. Wakamoto,S. Kaneki,H. Fujikura,A. Kobayashi
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Takahito Takeda,Masaki Kobayashi,Takuya Maeda,Takayuki Harada,Toru Akiyama,Takahiro Kawamura,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi,Yoshio Honda,Takuya Maeda,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Characterization of Optical Properties and Bandgaps of ScxAl1-xN Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method2023
- 著者名/発表者名
 Takuya Maeda,Yusuke Wakamoto,Shota Kaneki,Hajime Fujikura,Atsushi Kobayashi
- 学会等名
 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling2023
- 著者名/発表者名
  Yusuke Wakamoto,Atsushi Kobayashi,Yoshiaki Nakano,Takuya Maeda
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094

1. 小林篤 (20470114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 21件
2. 中野貴之 (00435827)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
3. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
4. 小関泰之 (60437374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 秋山亨

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

前田 拓也 Maeda Takuya

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化ガリウムの高電界における電子ドリフト速度の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

誘導ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ガリウム半導体の高電界物性・キャリア輸送特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Broadband stimulated Raman hyperspectral imaging of cells and semiconductors with synchronized fiber and solid-state sources2025

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures2025

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics2025

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Structural and optical properties of epitaxial ScAlN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Thermionic Field Emission in a Si-Doped AlN SBD with a Graded n<sup>+</sup>-AlGaN Top Contact Layer2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Franz-Keldysh effect in β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Schottky barrier diode under high reverse bias voltage2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の特性2025

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明2025

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] High-Field Transport in Wide-Bandgap Nitride Semiconductors -Impact Ionization, Avalanche, Tunneling, and Velocity Saturation-2025

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] AlGaN/GaN上へのScAlN薄膜の低温エピタキシャル成長2025

前田拓也 Maeda Takuya