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大坂 之雄  オオサカ ユキオ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30006217
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1988年度 – 1991年度: 広島大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学
キーワード
研究代表者
超伝導素子 / 硬度材料 / ECR放電 / 立方晶BN / SQUID / ボルテックス・フロ-型素子 / マイクロブリッヂ素子 / Si上の高温超伝導膜 / 高温酸化物超伝導膜 / asーgrown超伝導膜 … もっと見る / 酸化物高温条伝導体 / 表面反応制御 / プラズマCVD / 立方晶BN膜 / 超伝導膜 / 酸化物高温超伝導体 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  Si上のZro_2膜へのasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      大坂 之雄
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  プラズマCVD法による立方晶BN膜形成への表面反応制御研究代表者

    • 研究代表者
      大坂 之雄
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  Si上のZrO_2膜へのasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      大坂 之雄
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  Si上のZrO_2膜上のasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      大坂 之雄
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  基板バイアス法を用いたECR放電による立方晶BN膜の応用研究代表者

    • 研究代表者
      大坂 之雄
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  • 1.  明連 広昭 (20219827)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  井村 健 (90029223)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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