西野茂弘 NISHINO Shigehiro

研究者番号	30089122
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2001年度 – 2004年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 1997年度 – 1998年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 1995年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 1988年度 – 1992年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 1986年度 – 1987年度: 京都工芸繊維大学, 工業短期大学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子材料工学
キーワード	研究代表者 3C-SiC / 結晶成長 / 立方晶SiC / プラズマCVD / シリコンカーバイド / silicon carbide / 昇華法 / ヘテロエピタキシ- / 3CーSiC / 単結晶SiC … もっと見る / CVD / vapor phase growth / cubic SiC / 横方向成長 / 気相成長 / CVD法 / 選択成長 / ヘテロエピタキシャル成長 / SiC / 近接法 / 結晶多形 / 低温成長 / エピタキシヤル成長 / SiC on Si / ヘテロエピタキシャル / 減圧CVD / selective epitaxy / microchanel epitaxy / heteroepitaxy / シリコンカーバイト / 単結晶薄膜成長 / 立法晶SiC / マイクロチャネルエピタキシー / CVD method / selective growth / heteroepitaxial growth / channel epitaxy / EL0 / 立方晶 SiC / ELO / ファセット成長 / エアーブリッジ構造 / チャネルエピタキシー / SiC think film / SiC device / sublimation epitaxy / closed space technique / 6H-SiC epitaxial layer / sublimation method / epitaxial growth / 昇華エピアキシャル成長 / SiC薄膜 / SiCデバイス / 昇華エピタキシー / 6H-SiCエピタキシャル層 / エピタキシャル成長 / Crystal Growth, / Heteroepitaxy, / Low Temperature Growth / Cubic sic / LPCVD / Photo-CVD, / Plsama CVD / 光CVD / Si / β-SiC / バクル成長 / 多形制御 / 6H-SiC / 炭化珪素 / バルク成長 / ラジカルビ-ム / 常結晶SiC / βーSiC … もっと見る研究代表者以外 MBE法 / 格子整合 / アルミナ膜 / 光CVD / Dielectric loss factor / Deposition rate / Photo-CVD method / Al_2O_3 films / 屈折率 / 誘電特性 / 有機金属原料 / 誘電損失 / 堆積速度 / 光CVD法 / MBE / Nitrogen doping / GaAs substrate / Lattice-matching / ZnSSe mixed crystal / 短波長半導体レーザ材料 / 窒素ドーピング / GaAs基板 / ZnSSe混晶 / 半導体混晶 / ヘテロエピタキシャル成長 / ワイドギャップ材料 / 低界面準位密度 / GaAsMIS構造 / SiMIS構造 / 高量子収率 / Liアクセプタ / Nアクセプタ / ZnSSe 隠す

エアーブリジ構造を用いたフリースタンデイング3C-SiCの結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
光CVD法によるアルミナ絶縁膜の低温堆積の研究
- 研究代表者
  
  松村信男
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
MBE法による青色発光用格子整合混晶へのアクセプタ添加の研究
- 研究代表者
  
  更家淳司
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
光・プラズマ2重励起による半導体SiCの低温エピタキシヤル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西野茂弘
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
光CVD法によるAl_2O_3絶縁膜の低温作製
- 研究代表者
  
  更家淳司
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
短波長発光用II-VI族半導体混晶のMBE成長
- 研究代表者
  
  更家淳司
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
MBE法による短波半導体レーザ材料の結晶成長
- 研究代表者
  
  更家淳司
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都工芸繊維大学

すべて 2005 2004 2003 2002 2001

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Structural Analysis of (211) 3C-SiC on (211) Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, Y.Mukai, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science forum 483-485
  
  ページ: 221-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Micorstuructures in the Pendio epitaxial layer of 3C-SiC on Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 221-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Lateral epitaxial overgrowth of 3C-SiC on Si substrates by CVD method2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugishita, A.shoji, Y.Mukai, T.Nishiguchi, K.Michikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 177-180
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si subastrates2005
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 221-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Later Microfabrication of Si column covered with SiC film for electronn emitter2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakata, Y.Ohshirao, A.Shoji, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Hayashi, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 237-240
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Influence of substrate roughness on the formation of defects in 3C-SiC grown on Si(110) substrates by hetero-epitaxial CVD method2005
- 著者名/発表者名
  T.Isshiki, M.Nakamura, T.Nishiguchi, K.Nishio, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 185-188
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Suppression of the twin formation in CVD growth of (111)3C-SiC on (110)Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 193-196
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Later An in-situ post growth annnealing process for the improvement of 4H-SiC/SiO2 MOS interface prepared by CVD using TEOS, and its2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumaresan, H.Furuichi, K.Taguchi, S.Yukimoto, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 681-684
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Effect of the substrate off-axis on the suppression of twin formation in CVD growth of (111)3C-SiC on (110)Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 193-196
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Microstructures in the Pendio epitaxial layer of 3C-SiC on Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 221-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Later Microfabrication of Si column covered with SiC film for electron emitter2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakata, Y.Ohshirao, A.Shoji, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Hayashi, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 237-240
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate2005
- 著者名/発表者名
  M.Nakamura, T.Isshiki, T.Nishiguchi, K.Nishio, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 181-184
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Influence of substrate roughness on the formation of defects in 3C-SiC grown on Si(110) substrates by hetero-epitaxial CVD method2005
- 著者名/発表者名
  T.Isshiki, M.Nakamura, T.Nishiguchi, K.Nishino, S.Ohshima, S.Nishio
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 185-188
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Infuence of substrate roughness on the formation of defects in 3C-SiC grown on Si(110) substrates by hetero-epitaxial CVD method2005
- 著者名/発表者名
  T.Isshiki, M.Nakamura, T.Nishiguchi, K.Nishio, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 185-188
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 181-184
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Effect of the substrate off-axis on the suppression of twin formation in CVD growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 193-196
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Lateral epitaxial overgrowth of 3C-SiC on Si substrates by CVD method2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugishita, A.Shoji, Y.Mukai, T.Nishiguchi, K.Michikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 177-180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates2005
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 221-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Later An in-situ post growth annnealing process for the improvement of 4H-SiC/SiO2 MOS interface prepared by CVD using TEOS, and its characteristic study2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumaresan, H.Furuichi, K.Taguchi, S.Yukimoto, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 353-356
  
  ページ: 681-684
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] An in-situ post growth annealing process for the improvement of 4H-SiC/SiO2 MO interface prepared by CVD using TEOS, and its characteristic study2005
- 著者名/発表者名
  K.Kumaresan, H.Furuichi, K.Taguchi, S.Yukimoto, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 681-684
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Suppression of the twin formation in CVD growth of (111)3C-SiC on (110) Si substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 193-196
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Lateral epitaxial overgrowth and reduction in defect density of 3C-SiC on patterned Si2004
- 著者名/発表者名
  A.R.Bushroa, C.Jacob, H.Saijo, S.Nishino
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 271
  
  ページ: 200-206
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Structural Analysis of (211)3C-SiC on (211)Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition2004
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, Y.Mukai, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 457-460
  
  ページ: 285-288
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Raman microprobe mapping of residual microstresses in 3C-SiC film epitaxial lateral growth2004
- 著者名/発表者名
  C.J.Lee, G.Pezzottie, Y.Okui, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 228
  
  ページ: 10-16
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] Pendio Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Substrates2004
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, Y.Okui, T.Nishiguchi, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 457-460
  
  ページ: 257-260
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Pendio Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Substrates2004
- 著者名/発表者名
  A.Shoji, Y.Okui, T.Nishiguchi, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vols. 457-460
  
  ページ: 257-260
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Raman microprobe mapping of residual microstresses in 3C-SiC film epitaxial lateral2004
- 著者名/発表者名
  C.J.Lee, G.Pezzottie, Y.Okui, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 228
  
  ページ: 10-16
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360010
[雑誌論文] CVD growth of 3C-SiC on various orientations of Si substrates for the substrate of nitride semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, Y.Mukai, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials phys. stat. sol 【○!C】0
  
  ページ: 2585-2588
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] CVD growth of 3C-SiC on various orientations of Si substrates for the substrate of nitride semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  T.Nishiguchi, Y.Mukai, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol. (c) 0
  
  ページ: 2585-2588
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates2002
- 著者名/発表者名
  S.Nishino, C.Jacob, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Masuda
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth
  
  ページ: 1250-1253
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Selective Epitaxial Growth of pyramidal 3C-SiC on patterned Si substrate"2002
- 著者名/発表者名
  Y.Okui, C.Jacob, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum vols 389-393
  
  ページ: 331-334
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates2002
- 著者名/発表者名
  S.Nishino, C.Jacob, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Masuda
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  ページ: 1250-1253
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Selective Epitaxial Growth of pyramidal 3C-SiC on patterned Si substrate2002
- 著者名/発表者名
  Y.Okui, C.Jacob, S.Ohshima, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 389-393
  
  ページ: 331-334
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Low temperature selective and lateral epitaxial growth of silicon carbide on pattgerened silicon substrates2001
- 著者名/発表者名
  C.Chacko, P.Pirouz, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 353-356
  
  ページ: 127-130
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012
[雑誌論文] Low temperature selective and lateral epitaxial growth of silicon carbide on patterned silicon substrates2001
- 著者名/発表者名
  C, Chacko, P.Pirouz, S.Nishino
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 353-356
  
  ページ: 127-130
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450012

1. 更家淳司 (90026154)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
2. 松村信男 (60107357)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
3. 林康明 (30243116)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
4. 白藤立 (10235757)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

西野 茂弘 NISHINO Shigehiro

研究課題

研究成果

共同研究者

エアーブリジ構造を用いたフリースタンデイング3C-SiCの結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシャル成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光CVD法によるアルミナ絶縁膜の低温堆積の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

MBE法による青色発光用格子整合混晶へのアクセプタ添加の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光・プラズマ2重励起による半導体SiCの低温エピタキシヤル成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光CVD法によるAl_2O_3絶縁膜の低温作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

短波長発光用II-VI族半導体混晶のMBE成長

研究代表者

西野茂弘 NISHINO Shigehiro