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飯塚 浩一  IIZUKA Kouichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30193147
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1988年度 – 1991年度: 北海道大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学
研究代表者以外
電子材料工学
キーワード
研究代表者
MBE / MMIC / MIS structure / Helix type slow wave circuits / Interdigital slow wave circuits / Compound semiconductor / Microwave amplification / Solid state traveling wave interaction / ヘテロ接合 / 遅波線路 … もっと見る / MIS構造 / ヘリックス型遅波線路 / インタディジタル遅波線路 / 化合物半導体 / マイクロ波増幅 / 固体進行波相互作用 … もっと見る
研究代表者以外
化合物半導体 / MBE / MMIC / MISFET / CCD / MIS / InGaAs / Compound Semiconductor / InMnAs / InAs / Integrated Circuit / Slow-wave / Microwave / MIS Structure / Schottky Junction / Coplanar Waveguide / クロスタイコプレーナ線路 / 固体進行波相互作用 / 漏波 / 遅延 / 電磁波伝搬 / 半導体キャリア / 集積回路 / 遅波 / マイクロ波 / MIS接合 / ショットキ接合 / コプレ-ナ線路 / interface states / interface control / interface / MIS構造 / 電荷撮像素子 / 超薄膜 / インジウムガリウム砒素 / シリコン / 分子線エピタキシー / MIS形電界効果トランジスタ / 界面準位 / 界面制御 / 界面 / 電荷転送撮像素子 / Schottky Barrier / In-Situ Measurement / Hetero-Junction / Free Surface / Surface State Density / Surface Recombination / Photoluminescence / ピンニング / 計算機シミュレ-ション / 表面準位分布 / 表面準位 / 半導体 / 表面再結合 / ショットキー障壁 / ヘテロ界面 / 半導体自由表面 / 表面準位密度分布 / in-situ評価 / フォトルミネセンス / Anomalous Hall Effect / Compound Semiconductors / III-V Compounds / Diluted Magnetic Semiconductors / 磁気抵抗効果 / 半磁性半導体 / 分子線エピタキシ / 異常ホ-ル効果 / IIIーV族 / 希薄磁性半導体 / プラズマ制御 / アラモルファスカ-ボン / 窒化シリコン / 薄膜堆積 / 低周波プラズマ / ドライプロセス / プラズマCVD / 反応性プラズマ 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  半導体自由表面の表面準位分布の非接触測定とそれにもとづく表面の工学的制御

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  IIIーV族希薄磁性半導体の成長と評価

    • 研究代表者
      大野 英男
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発

    • 研究代表者
      下妻 光夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体基板とヘリックス遅波線路とを混成した構造を有する固体進行波型増幅素子の試作研究代表者

    • 研究代表者
      飯塚 浩一
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作

    • 研究代表者
      長谷川 英機 (長谷川 秀機)
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  • 1.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  赤沢 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  深井 一郎 (70001740)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  大野 英男 (00152215)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  下妻 光夫 (70041960)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  伊達 広行 (10197600)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  本間 利久 (00091497)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  橋詰 保
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  坪内 夏朗
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  大森 義行
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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