下村哲 SHIMOMURA Satoshi

研究者番号	30201560
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2023年度: 愛媛大学, 理工学研究科(工学系), 教授 2007年度: 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2007年度: 愛媛大学, 理工学研究科, 教授 2006年度: 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 教授 2003年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教授 … もっと見る 2002年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教授 2000年度 – 2001年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教授 1997年度 – 1998年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教授 1995年度: 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 1994年度: 大阪大学, 基礎光学部, 講師 1993年度 – 1994年度: 大阪大学, 基礎工学部, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
キーワード	研究代表者 GaAsBi / (411)A / 面発光レーザー / 光デバイス / 偏光異方性利得 / 半導体レーザ / (221)B GaAs 基板 / GaAsBi/GaAs 量子井戸 / 基板ホルダー冷却速度 / 基板ホルダー温度分布 … もっと見る / 温度急冷ステージの設計 / 面内基板温度分布 / サーモグラフィ / 基板温度制御 / 光変調反射分光スペクトル / 量子井戸 / 偏光安定化 / 長波長帯面発光レーザ / ガリウムひ素ビスマス / Super-flat interface / giant conduction band offset / 巨大バンドオフセット / InAlAsSb / AIAsSb / その場反射率スペクトル測定 / サブバンド間吸収 / AlAsSbBi / InGaAsN / AlAsSb / InGaAs / (775) / 量子細線 / 超平坦界面 / (775)B / 超平坦ヘテロ界面 / 巨大伝導帯オフセット … もっと見る研究代表者以外 InGaAs / InAlAs / (775)B GaAs substrate / MBE growth / (775)B GaAs基板 / MBE成長 / GaAs / distributed Bragg reflector / polarization stabilization / (775)B InP substrate / quantum wire / vertical cavity surface emitting laser / (775)B InP基盤 / (775)B GaAs基盤 / InGaAS / 分布型ブラッグ反射器 / 偏光制御 / (775)B InP基板 / 量子細線 / 面発光レーザ / QWR-VCSELs / Self-organized quantum wire / High-index GaAs substrates / 面発光量子細線レーザ / 自己形成型量子細線 / 高指数面GaAs基板 / (221)A GaAs substrate / (553)A GaAs substrate / InGaAs quantum wire / GaAs quantum wire / self-organized quantum wire / (221)A GaAs基板 / (553)A GaAs基板 / InGaAs量子細線 / GaAs量子細線 / 自然形成型量子細線 / Negative differential resistance / Full-width at half maximum of excitonic absorption / Stokes shift / InAlAs quantum wells / AlGaAs quantum wells / AlAs resonant tunneling diodes / AlGaAd quantum wells / 411 (A) / AlGaAs共鳴トンネルダイオード / AlGaAsヘテロ界面 / ストークスシフト / lnAlAs 量子井戸 / lnGaAs / AlAs 共鳴トンネルダイオード / AlGaAs 量子井戸 / 負性微分抵抗特性 / 励起子による吸収半値幅 / ストークシフト / InAlAs量子井戸 / AlAs共鳴トンネルダイオード / AlGaAs量子井戸 / (411)A / Anderson Localization / Ballistic Electron / Anti-dot Artificial Lattice / Magnetic Electron Focusing Effect / Edge State / Quantum Hall Effect / Magneto-Capacitance / Two Dimensional Electron System / 静電容量 / とじ込めポテンシャル / メゾスコピック / 電気容量 / アンチ・ドット人口格子 / 非局所伝導 / アンダーソン局在 / バリステック電子 / アンチ・ドット格子 / 磁気電子フォーカス効果 / エッジ状態 / 量子ホール効果 / 磁気電気容量 / 2次元電子系隠す

異方的利得を利用したGaAsBi面発光レーザーの長波長化と偏光安定化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  下村哲
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  愛媛大学
巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  下村哲
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  愛媛大学
   大阪大学
長波長帯面発光量子細線レーザの作製
- 研究代表者
  
  冷水佐壽
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
InGaAs面発光量子細線レーザの開発
- 研究代表者
  
  冷水佐壽
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
(775)BGaAs基板上の超高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の研究
- 研究代表者
  
  冷水佐壽
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
(411)A超平坦半導体へテロ界面の研究
- 研究代表者
  
  冷水佐壽
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
多種のゲートで制御可能な2次元電子系の非局所伝導の研究
- 研究代表者
  
  邑瀬和生
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2023 2022 2021 2019 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] 薄膜ハンドブック(第2版)2008
- 著者名/発表者名
  金原粲(監修) 下村哲(分担執筆)
- 総ページ数
  4
- 出版者
  オーム社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[図書] 薄膜ハンドブック第2版2008
- 著者名/発表者名
  下村哲(共著)
- 総ページ数
  3
- 出版者
  オーム社
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[雑誌論文] Handbook of thin film2008
- 著者名/発表者名
  S. Shimomura, R. Kimpara
- 雑誌名
  
  Ohmu-sba. 2nd Edition
  
  ページ: 24-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, S.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part2 46
  
  ページ: 138-141
- NAID
  10018868082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-catty surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam enitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Iiiyamizu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part2 Vol.46
  
  ページ: 138-141
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[雑誌論文] 830-nm polahzation controlled lasing of InGaAs quantum wtre vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu,
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part2 46
  
  ページ: 138-141
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560283
[雑誌論文] 1.3μm rang effectively cylindrical In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  S.Shimomura
- 雑誌名
  
  Physica E. 32
  
  ページ: 386-349
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206034
[雑誌論文] 1.3μm rang effectively cylindrical In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  S.shimomura
- 雑誌名
  
  Physica E. 32
  
  ページ: 386-349
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206034
[雑誌論文] Extremely strong lateral confinement and improved uniformity of 1.3 μm range In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As self-organized quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  S.Shimomura
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206034
[学会発表] 室温における(100)GaAsGaAsBi/GaAs 量子井戸の PLおよび PRスペクトル2023
- 著者名/発表者名
  鎌倉広太郎，下村哲,　行武幸将，張成銘
- 学会等名
  第７０回応用物理学会　春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAs 基板へのマイクロレンズの作製2022
- 著者名/発表者名
  菊井大輝、国土泰介、小瀧誉之春、政本真哉、下村哲
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] (100) GaAs 基板上GaAsBi/GaAs 多重量子井戸評価用フォトリフレクタンス測定装置の構築と評価2021
- 著者名/発表者名
  林拓馬、清水彩花、行武幸将、下村哲
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAsBi/GaAs 量子井戸のホトルミネッセンス(PL)、ホトリフレクタンス(PR)スペクトル測定系の構築2021
- 著者名/発表者名
  林拓馬、清水彩花、行武幸将1、下村哲
- 学会等名
  応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAsの結晶成長時における基板温度測定方法2021
- 著者名/発表者名
  南條宜行、今岡達哉、永田周平、亀井航、下村哲
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）2021年3月16日-19日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAsBi/GaAs 量子井戸のホトルミネッセンス(PL)、ホトリフレクタンス(PR)スペクトル2021
- 著者名/発表者名
  行武幸将、清水彩花、林拓馬、長尾嘉大、下村哲
- 学会等名
  応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] (100) GaAs 基板上 GaAsBi/GaAs 量子井戸の偏光ホトルミネッセンスの As flux 依存性2021
- 著者名/発表者名
  林拓馬、山本巧、清水彩花、下村哲
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）2021年3月16日-19日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] 物理研磨を用いたGaAsマイクロレンズの作製2021
- 著者名/発表者名
  国土泰介、菊井大輝、岡大智、下村哲
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）2021年3月16日-19日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] (100)GaAs基板上 GaAsBi/GaAs量子井戸の As flux 依存性2019
- 著者名/発表者名
  山本巧，清水彩花, Pallavi Kisan Patil，下村哲
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAs基板上に作製したマイクロレンズ2019
- 著者名/発表者名
  今岡達哉、神原誉、佐々木大志、下村哲
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAs基板を用いたマイクロレンズの設計2019
- 著者名/発表者名
  神原誉, 佐々木大志, 今岡達也, 下村哲
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] GaAs基板上のマイクロレンズの作製2019
- 著者名/発表者名
  今岡達哉、国土泰介、佐々木大志、西村和久、神原誉、下村哲
- 学会等名
  応用物理・物理系学会　中国四国支部　合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] (221)A, B GaAs基板上のGaAsBi/GaAs量子井戸のホトルミネッセンス2019
- 著者名/発表者名
  清水彩花、山本巧、神原誉、下村哲
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] (100) 基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs 量子井戸の偏光PL2019
- 著者名/発表者名
  清水彩花、山本巧、神原誉、樋口憧生、下村哲
- 学会等名
  応用物理・物理系学会　中国四国支部　合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514
[学会発表] MBE growth of GaAsBi/GaAs quantum wells by two-substrate-temperature method2019
- 著者名/発表者名
  Satoshi Shimomura
- 学会等名
  Asia Pacific Society for Materials Research 2019Annual Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04514

1. 冷水佐壽 (50201728)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 北田貴弘 (90283738)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 3件
3. 邑瀬和生 (50028164)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 鷹岡貞夫 (50135654)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 佐野直克 (00029555)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 劉い (60240412)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 小川真人 (40177142)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 小倉睦郎 (90356717)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 菅谷武芳 (60357259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 石川浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 大坪孝二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

下村 哲 SHIMOMURA Satoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

異方的利得を利用したGaAsBi面発光レーザーの長波長化と偏光安定化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

長波長帯面発光量子細線レーザの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaAs面発光量子細線レーザの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

(775)BGaAs基板上の超高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

(411)A超平坦半導体へテロ界面の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多種のゲートで制御可能な2次元電子系の非局所伝導の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 薄膜ハンドブック(第2版)2008

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] 薄膜ハンドブック第2版2008

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

説明

データソース

[雑誌論文] Handbook of thin film2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-catty surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam enitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] 830-nm polahzation controlled lasing of InGaAs quantum wtre vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] 1.3μm rang effectively cylindrical In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy2006

著者名/発表者名

雑誌名

下村哲 SHIMOMURA Satoshi

[学会発表] GaAsBi/GaAs 量子井戸のホトルミネッセンス(PL)、ホトリフレクタンス(PR)スペクトル測定系の構築2021