福田安生 FUKUDA Yasuo

研究者番号	30208970
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2003年度 – 2006年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 2000年度 – 2001年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 1994年度 – 1996年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 1989年度 – 1991年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 機能・物性・材料
キーワード	研究代表者 STM / 表面構造 / GaP(001) / 電子分光 / 吸着 / GaP / 化合物半導体 / XPS / UPS / ナノ構造 … もっと見る / Si(001) / InP(001) / 表面 / triethylindium / t-butylphosphine / 原子細線 / トリエチルインジウム / パッシベーション / 真空アニ-ル / 元素置換 / Sulfur adsorption / Surface structure / Surface property / Electron spectroscopy / Two-dimensional metal / Nano-structure / Semiconductor property / Compound semiconductor / 内殻電子状態シフト / シンクロトロン放射光 / LEED / 表面電子状態 / In(111)A / 硫黄吸着 / 表面物性 / 2次元金属 / 半導体物性 / Nano-structures / Adsorption / Pyrazine / Surface structures / 分子細線 / InP(111) / ピラジン / decomposition / adsorption / surface / Indium / atomic wire / ターシャリブチルフォスフィン / 分解 / In / TRIETHYLINDIUM / ALKYLPHOSPHINE / ELECTRON SPECTROSCOPY / SCANNING TUNNLELING SPECTROSCOPY / TEMPERATURE PROGRAMMED DESORPTION / MECHANISM OF THIN FILM FORMATION / COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS / SURFACE REACTION / TPD / 有機金属 / 半導体表面 / アルキルフォスフィン / 走査トンネル顕微鏡 / 昇温脱離 / 薄膜形成機構 / 化合物半導体薄膜 / 表面反応 / Si(111) / III-V族化合物半導体 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / ホ-ル / Bi系高温超伝導 / ホ-ルの減少 / 脱離酸素 / 電子状態 / NdCeCuO / TlBaCaCuO / BiSrCaCuO / YBCO / 電子分光法 / 高温超伝導隠す

InAs(111)A,InP(111)A表面の硫黄吸着による2次元金属化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  静岡大学
化合物半導体上に形成された原子-有機分子細線の構造及び電子状態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  静岡大学
Gap(001)表面上でのIn原子細線の自己組織化と表面構造及び電子状態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  静岡大学
S及びSe処理InP,GaP表面のSTM、STSによる表面構造及び電子状態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  静岡大学
In,P化合物を用いるMOCVD,ALEにおける表面反応基礎過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機能・物性・材料
- 研究機関
  静岡大学
S及びSe処理Gap、InP表面のSTM、STSによる表面電子状態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  静岡大学
キャリア-濃度を変化させたBiSrCaCuO系高温超伝導体の電子分光法による研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  静岡大学
電子分光法によるCa,Cuサイトを置換したBi系高温超伝導体の電子状態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  静岡大学
新高温超伝導酸化物粒界の電子分光法による原子レベルでの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田安生
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  静岡大学

すべて 2005 2004 その他

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Surface structure and electronic states of sulfur-treated InP(111)A studied by LEED, AES, STM, and IPES2005
- 著者名/発表者名
  M.Shimomura, Y.Sano, N.Sanada, L.L.Cao, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 244
  
  ページ: 153-156
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Mapping contact potential differences with noncontact atomic force microscope using resonance frequency shift versus sample bia voltage curves2005
- 著者名/発表者名
  S.Kitamura, K.Yonei, M.Iwatsuki, C.B.Mooney, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 8113-8115
- NAID
  10016871737
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560023
[雑誌論文] Formation of one-dimentional molecular chains on a solid surface : Pyridine/Si(001)2005
- 著者名/発表者名
  M.Shimomura, D.Ichikawa, Y.Fukuda, T.Abukawa, T.Aoyama, S.Kono
- 雑誌名
  
  Phys.Rev. B72
  
  ページ: 33303-3306
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560023
[雑誌論文] Surface structure and electronic states of sulfur-treated InP(111)A studied by LEED, AES, STM, and IPES2005
- 著者名/発表者名
  M.Shimomura, Y.Sano, N.Sanada, L.L.Cao, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 244
  
  ページ: 153-156
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560023
[雑誌論文] Surface structure of phosphorus terminated GaP(001)-(2x1)2004
- 著者名/発表者名
  N.Kadotani, M.Shimomura, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 70
  
  ページ: 165323-165327
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Fabrication of a P-stabilized InP(001) surface at low pressure and temperature using t-butylphosphine (TBP)2004
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Surf.Sci. 566-568
  
  ページ: 549-553
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] AES and XPS studies of a GaP(001) surface treated by S2Cl2 and P2S2/(NH4)2Sx2004
- 著者名/発表者名
  K.Z.Liu, Y.Suzuki, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 237
  
  ページ: 627-630
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] High-resolution XPS analysis of GaP(001), (111)A, and (111)B surfaces passivated by (NH4)2Sx solution2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, N.Sanada, M.Shimomura, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 235
  
  ページ: 260-266
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Surface analysis of (NH2)2CS-treated GaP(001) by AES and XPS2004
- 著者名/発表者名
  K.Z.Liu, Y.Suzuki, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Surf.Inter.Anal. 36
  
  ページ: 966-968
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Fabrication of a P-stabilized InP(001) surface at low pressure and temperature using t-butylphosphine (TBP)2004
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Surf.Sci. 566-553
  
  ページ: 549-549
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Fabrication of a P-stabilized InP(001) surface at low pressure and temperature using t-butylphosphine (TBP)2004
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, H.Kumano, H.Nakamura
- 雑誌名
  
  Surf.Sci. 566-568
  
  ページ: 549-553
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560018
[雑誌論文] Reconstruction of the InSb(111)A surface on sulfur adsorption
- 著者名/発表者名
  M.V.Lebedev, M.Shimomura, Y.Fukuda
- 雑誌名
  
  Semiconductors (Russia) (in press.)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560023

1. 眞田則明 (00226028)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 下村勝 (20292279)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
3. 中西洋一郎 (00022137)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件

福田 安生 FUKUDA Yasuo

研究課題

研究成果

共同研究者

InAs(111)A,InP(111)A表面の硫黄吸着による2次元金属化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化合物半導体上に形成された原子-有機分子細線の構造及び電子状態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Gap(001)表面上でのIn原子細線の自己組織化と表面構造及び電子状態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

S及びSe処理InP,GaP表面のSTM、STSによる表面構造及び電子状態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

In,P化合物を用いるMOCVD,ALEにおける表面反応基礎過程の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

S及びSe処理Gap、InP表面のSTM、STSによる表面電子状態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

キャリア-濃度を変化させたBiSrCaCuO系高温超伝導体の電子分光法による研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

電子分光法によるCa,Cuサイトを置換したBi系高温超伝導体の電子状態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

新高温超伝導酸化物粒界の電子分光法による原子レベルでの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

[雑誌論文] Surface structure and electronic states of sulfur-treated InP(111)A studied by LEED, AES, STM, and IPES2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Mapping contact potential differences with noncontact atomic force microscope using resonance frequency shift versus sample bia voltage curves2005

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Formation of one-dimentional molecular chains on a solid surface : Pyridine/Si(001)2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Surface structure and electronic states of sulfur-treated InP(111)A studied by LEED, AES, STM, and IPES2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Surface structure of phosphorus terminated GaP(001)-(2x1)2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Fabrication of a P-stabilized InP(001) surface at low pressure and temperature using t-butylphosphine (TBP)2004

福田安生 FUKUDA Yasuo