石井恂 ISHII Makoto

研究者番号	30222946
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2005年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授 1992年度 – 2001年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用光学・量子光工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性
キーワード	研究代表者モノメチルヒドラジン / InGaN / トリメチルガリウム / Mass-spectra / Monomethylhydrazine / Chemical Vapor Deposition / 有機金属気相成長法 / 有機金属気相成長 / heterojunction / high purity … もっと見る / epitaxy / silicon / thin film / vacuum deposition / iron / iron disilicide / 四重極質量分析 / トリメチルインジウム / Reaction Process / III-V Compound / 四重極質量分析計 / エックス線回折 / トリエチルガリウム / 窒化ガリウム / β-FeSi2 / oriented growth / Reaction Products / Trimethylindium / Quadrupole Mass Analyzer / 有機金属化学気相成長装置 / 生成分子種 / 熱分解 / Alkylmetal / X線回折 / Intelligent thin film / Transparent electrode / Magnetron Sputtering / Sputtered thin film / Transparent conducting thin film / Multicomponent oxide / フラットパネル・ディスプレイ / セラミック絶縁層 / MOCVD / サラミックEL / 薄膜EL素子 / 平面光源 / ドクターブレ-ド法 / セラミックEL / エレクトロルミネッサンス / Ga_2O_3 / ZnS / 薄膜エレクトロルミネッセント素子 / 薄膜 / チタン酸バリウム / 蛍光体 / セラミック / エレクトロルミネッセンス / X-ray Diffraction / Crystal Growth / Gallium Nitride / 化合物半導体 / III-V族化合物半導体 / ジメチルヒドラジン / 不純物 / III-V化合物半導体 / 結晶系 / 窒化ガリウウム / 緩衝層 … もっと見る研究代表者以外 CVD ZnO films / sputterd ZnO films / haze ratio / ZnO films with a textured surface / milky transparent conducting ZnO films / Transparent conducting ZnO films / 透明電極 / ミルキー膜 / 表面テクスチャー / AlドープZnO / ZnO / 太陽電池用透明電極 / TCO / CVD / ZnO:Al / スパッタ透明導電膜 / ヘイズ率 / 透明導電膜 / ミルキー透明導電膜 / 表面テクスチュア / ZnO系透明導電膜 / barium titanate / flat-panel display / TFEL devices / multicolor EL / full-color EL / EL displays / Electroluminescence / 硅酸塩化合物 / 青色発光EL素子 / 多色発光EL素子 / 酸化物蛍光体 / 強誘電体セラミックス / 薄膜EL素子 / フラットパネルディスプレイ / セラミック形薄膜EL / 青色EL / マルチカラーEL / フルカラーEL / ELディスプレイ / エレクトロルミネッセンス隠す

環境半導体β-FeSi2/Siヘテロ接合の高品質化と光デバイスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
有機金属気相成長用の新窒素ソースとアルキル金属の反応機構の解明と窒化物混晶の成長研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
新窒素ソースを用いる有機金属気相法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
オール液体ソースを用いる減圧有機金属気相成長不純物ドープGaNの低温成長研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
高輝度平面光源としてのセラミック形ELパネルの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  金沢工業大学
オール液体ソースを用いる減圧有機金属気相成長SiドープGaNの低温成長研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
減圧有機金属気相成長AlGaN結晶の高品質化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石井恂
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
表面テクスチュア構造を有するミルキーZnO系透明導電膜の開発
- 研究代表者
  
  福田一郎
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  金沢工業大学
酸化物蛍光体発光層を用いた高輝度赤、緑、青色発光薄膜EL素子に関する研究
- 研究代表者
  
  高田新三
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  金沢工業大学

すべて 2006 その他

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Influence of the Residual Impurities in Iron Sources on Q -FeSi_2 Layers Formed on Silicon (001) Substrates by a Vacuum Deposition Method2006
- 著者名/発表者名
  M.Ishii, S.Hanamura, T.Miyata, T.Minami
- 雑誌名
  
  The 9th Meeting of Silicede Semiconductors and, the Related Compoound Vol. 9
  
  ページ: 14-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] 蒸着法によるβ-FeSi_2 生成層への残留不純物の影響2006
- 著者名/発表者名
  石井恂
- 雑誌名
  
  第9回シリサイド系半導体研究会 9巻
  
  ページ: 14-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] 蒸着法によるβ-FeSi_2生成層への残留不純物の影響2006
- 著者名/発表者名
  石井恂
- 雑誌名
  
  第9回シリサイド系半導体研究会 9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] A Study of High Purity β-FeSi_2 Formation on Silicon (001) Substrates by a Vacuum Deposition Method
- 著者名/発表者名
  M.Ishii et al.
- 雑誌名
  
  to be Prepared in Jpn. J. Appl. Phys.
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] Influence of the Residual Impurities in Iron Sources on Layers Formed on Silicon (001) Substrates by Vacuum
- 著者名/発表者名
  M.Ishii et al.
- 雑誌名
  
  to be Prepared in Jpn. J. Appl. Phys.
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] β-FeSi_2 formation by an ultra-high vacuum deposition method
- 著者名/発表者名
  M.Ishii, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.Appl.Phy. (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] High purity β-FeSi2 formed on silicon(001) substrates by an vacuum Deposition method
- 著者名/発表者名
  Makoto Ishii
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (発売予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017
[雑誌論文] A Study of formation on Silicon (001) Substrates by Vacuum Deposition of Iron at Elevated Temperatures
- 著者名/発表者名
  M.Ishii et al.
- 雑誌名
  
  to be Prepared in Jpn. J. Appl. Phys
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560017

1. 高田新三 (70064467)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
2. 福田一郎 (10064445)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 南内嗣 (70113032)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 宮田俊弘 (30257448)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 板谷尚雄

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 古川修二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

石井 恂 ISHII Makoto

研究課題

研究成果

共同研究者

環境半導体β-FeSi2/Siヘテロ接合の高品質化と光デバイスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機金属気相成長用の新窒素ソースとアルキル金属の反応機構の解明と窒化物混晶の成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新窒素ソースを用いる有機金属気相法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

オール液体ソースを用いる減圧有機金属気相成長 不純物ドープGaNの低温成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高輝度平面光源としてのセラミック形ELパネルの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

オール液体ソースを用いる減圧有機金属気相成長SiドープGaNの低温成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

減圧有機金属気相成長AlGaN結晶の高品質化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面テクスチュア構造を有するミルキーZnO系透明導電膜の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化物蛍光体発光層を用いた高輝度赤、緑、青色発光薄膜EL素子に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Influence of the Residual Impurities in Iron Sources on Q -FeSi_2 Layers Formed on Silicon (001) Substrates by a Vacuum Deposition Method2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] 蒸着法によるβ-FeSi_2 生成層への残留不純物の影響2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] 蒸着法によるβ-FeSi_2生成層への残留不純物の影響2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A Study of High Purity β-FeSi_2 Formation on Silicon (001) Substrates by a Vacuum Deposition Method

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influence of the Residual Impurities in Iron Sources on Layers Formed on Silicon (001) Substrates by Vacuum

著者名/発表者名

雑誌名

石井恂 ISHII Makoto

オール液体ソースを用いる減圧有機金属気相成長不純物ドープGaNの低温成長研究代表者