坂下満男 Sakashita Mitsuo

研究者番号	30225792
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2013年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教 2011年度 – 2012年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2008年度 – 2010年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教 2007年度 – 2009年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助手 2001年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性研究代表者以外理工系 / 薄膜・表面界面物性 / 工学 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者次世代半導体デバイス / 劣化機構 / ナノ領域 / 電流検出型原子間力顕微鏡 / 構造ゆらぎ / 半導体デバイス / MOSFET / ゲート絶縁膜 / キャリアセパレーション / C-AFM … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るエネルギーバンド / エピタキシャル成長 / 表面・界面 / ゲルマニウム / 半導体物性 / ゲルマニウム錫 / エレクトロニクス / 結晶工学 / LSI / 欠陥 / 高キャリア移動度 / 結晶成長 / ひずみ / スズ / ゲートスタック / スズ(錫) / CMOS / 歪 / 錫 / 酸化 / 表面終端 / シリサイド / コンタクト / シリコン / 歪ゲルマニウム / ゲートスタック構造 / ポストスケーリング / 表面・界面物性 / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス / 半導体超微細化 / 電流検出型原子間力顕微鏡 / TEM / 界面固相反応 / 熱的負荷プロセス / 層状積層プロセス / PLD / High-k / ゲート絶縁膜隠す

機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  坂下満男
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析
- 研究代表者
  
  酒井朗
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl203/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価2014
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会rゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)
  
  ページ: 131-134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity2014
- 著者名/発表者名
  K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: VOL. 30 ページ: 192-196
- DOI
  10.1016/j.tsf.2014.01.031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al203/Ge structure on interfacial properties2014
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: VOL. 30 ページ: 282-287
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.084
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性2014
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会―材料. プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)
  
  ページ: 37-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件2014
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)
  
  ページ: 13-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: VOL. 896 ページ: 245-248
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amr.896.241
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films2014
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 30 ページ: 276-281
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.088
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode2014
- 著者名/発表者名
  A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: VOL. 53 号: 4S ページ: 04EA06-04EA06
- DOI
  10.7567/jjap.53.04ea06
- NAID
  210000143548
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Effect of Gate Metal on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2013
- 著者名/発表者名
  Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: 83 ページ: 56-60
- DOI
  10.1016/j.sse.2013.01.029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 149-155
- DOI
  10.1149/05809.0149ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al_2O_3/Ge Gate Stack Structure2013
- 著者名/発表者名
  Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 417 ページ: 012001-012001
- DOI
  10.1088/1742-6596/417/1/012001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）
  
  ページ: 39-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma2013
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: VOL. 103 号: 3 ページ: 33511-33511
- DOI
  10.1063/1.4815925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] "Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: VOL. 103 号: 10 ページ: 101904-101904
- DOI
  10.1063/1.4820405
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al203/Ge Interface2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: VOL. 58 号: 9 ページ: 301-308
- DOI
  10.1149/05809.0301ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）
  
  ページ: 39-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 103 号: 8 ページ: 82114-82114
- DOI
  10.1063/1.4819127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Interfacial Reaction Mechanisms in Al_2O_3/Ge Structure by Oxygen Radical2013
- 著者名/発表者名
  Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 号: 4S ページ: 04CA08-04CA08
- DOI
  10.7567/jjap.52.04ca08
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Effects of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of GeO_2/Ge Structures2013
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 号: 1S ページ: 01AC04-01AC04
- DOI
  10.7567/jjap.52.01ac04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）
  
  ページ: 39-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第17回研究会）
  
  巻: なしページ: 125-128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 112 ページ: 37-42
- NAID
  110009588302
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation2012
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 1S ページ: 01AJ01-01AJ01
- DOI
  10.1143/jjap.51.01aj01
- NAID
  210000071710
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Al2O3/Ge に対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第17回研究会）
  
  巻: なしページ: 129-132
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明2012
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 112 ページ: 27-32
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DA17-04DA17
- DOI
  10.1143/jjap.50.04da17
- NAID
  210000070253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果2011
- 著者名/発表者名
  古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
  
  ページ: 51-54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
  
  ページ: 99-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明2011
- 著者名/発表者名
  足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
  
  ページ: 123-126
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2011
- 著者名/発表者名
  M.Adachi, M.Sakashita, H.Kondo, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000070244
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 10S ページ: 10PE02-10PE02
- DOI
  10.1143/jjap.50.10pe02
- NAID
  210000071422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Al_2O_3界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
  
  ページ: 55-58
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2011
- 著者名/発表者名
  M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DA08-04DA08
- DOI
  10.1143/jjap.50.04da08
- NAID
  210000070244
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen2011
- 著者名/発表者名
  K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 60 号: 1 ページ: 70-74
- DOI
  10.1016/j.sse.2011.01.029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2011
- 著者名/発表者名
  K.Kato, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000070253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 96
  
  ページ: 12105-12105
- NAID
  120002414452
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Formation Processes of Ge_3N_4 Films by Radical Nitridation and Their Electrical Properties2010
- 著者名/発表者名
  K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518(6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, S.Sakurai, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- NAID
  120002414452
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  210000066523
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, K.Furumai, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Effects of Atomic Layer Deposition-Al_2O_3 Interface Layers on Interfacial Properties of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2009
- 著者名/発表者名
  R. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, H. Kondo, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 80-83
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S.Zaima, O.Nakatsuka, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 80-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa and S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価2007
- 著者名/発表者名
  鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 251-256
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Comparison Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes2007
- 著者名/発表者名
  D.Ikeno, K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46 (4B)
  
  ページ: 1865-1869
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrode2007
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. phys. 46(4B)
  
  ページ: 1865-1869
- NAID
  10022545673
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 277-282
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 半導体決勝の製造方法、半導体結晶及び半導体デバイス2014
- 発明者名
  黒澤昌志、中塚理、田岡紀之、坂下満男、財満鎭明
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-02-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[産業財産権] 半導体結晶、その製造方法、及び多層膜構造体2013
- 発明者名
  黒澤昌志、田岡紀之、坂下満男、中塚理、財満鎭明
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-024605
- 出願年月日
  2013-02-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件2014
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原
- 年月日
  2014-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因2014
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 熱酸化におけるGe (001)基板上Gel-xSnx層の表面Sn析出に対する熱安定性2014
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] nチャネルGel-xSnx MOSFETの電流-電圧特性へのSn組成依存性2014
- 著者名/発表者名
  浅野孝典, 田岡紀之, 加藤公彦, 坂下満男, 張睿, 横山正史, 竹中充, 高木信一、財満鎭明
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性2014
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原
- 年月日
  2014-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl203/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価2014
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原
- 年月日
  2014-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Ge単結晶中の格子欠陥へのSnの効果2014
- 著者名/発表者名
  竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Physical Factor of Other Element Incorporation for Tetragonal ZrO2 Formation2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  NIMS Conference 2013 Structure Control of Atomic / Molecular Thin Films and Their Applciations
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Defects introduced in germanium substrate by reactive ion etching2013
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Lateral Growth Enhancement of Poly-Gel-xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction2013
- 著者名/発表者名
  M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
- 学会等名
  The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka. and S. Zaima
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits2013
- 著者名/発表者名
  N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Al2O3/Ge interfacial structures by post oxidation technique using oxygen radical2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Formation of Tetragonal ZrO2 Thin Film by ALD Method2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
- 学会等名
  The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Development of Gel-xSnx and Gel-x-ySixSny Thin Film Materials for Future Electronic Applications2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on THERMEC' 2013
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成2013
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2013-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Crystalline Phase Control of Pr-Oxide Films by Regulating Oxidant Partial Pressure and Si Diffusion2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御2013
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭一
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2013-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al203/Ge Structure on Interface Properties2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn)2013
- 著者名/発表者名
  M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
- 学会等名
  6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 準安定正方晶ZrO2構造の安定化機構の解明2013
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 斉藤貴俊, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode2013
- 著者名/発表者名
  A. Suzuki, Shunsuke Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Interface Properties of Al203/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD2013
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] GOI基板上に形成したGe1-xSnxエピタキシャル層の電気特性評価2013
- 著者名/発表者名
  大村拓磨, 浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] H2O分圧によるPr価数およびPr酸化膜の結晶構造制御2013
- 著者名/発表者名
  加藤公彦，坂下満男，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Pr酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─（第18回研究会）
- 発表場所
  湯河原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Electronic and Optoelectronic Applications2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Nanoteck & Expo
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─（第18回研究会）
- 発表場所
  湯河原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Development of Ge_<1-x>Sn_x and Ge_<1-x-y>Si_xSn_y Thin Film Materials for Future Electronic Applications2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on THERMEC'2013
- 発表場所
  Las Vegas, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減2013
- 著者名/発表者名
  鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Robustness of Sn Precipitation During Thermal Process of Gel-xSnx2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al203/Ge Interface2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al203/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Sn/n型Ge接合界面におけるフェルミレベルピニング変調2013
- 著者名/発表者名
  鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 加藤公彦, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2013-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Interaction of Sn atoms with Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate2013
- 著者名/発表者名
  T. Arahira, M. Fukudome, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Interfacial Reactions in Al2O3/Ge Structures2013
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Stabilization for Higher-k Films with Meta-Stable Crystalline Structure2013
- 著者名/発表者名
  K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program workshop Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Frankfurt (Oder), Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─（第18回研究会）
- 発表場所
  湯河原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Zaima
- 学会等名
  224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Zaima
- 学会等名
  224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久，加藤公彦，坂下満男，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 圧縮歪Ge1-xSnxエピタキシャル層の電気伝導特性2013
- 著者名/発表者名
  浅野孝典，黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 界面反応機構に基づくAl203/Ge界面構造制御2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al203/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響2013
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2013-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Interaction between Sn atoms and Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate2013
- 著者名/発表者名
  N. Taoka, M. Fukudome, T. Arahira, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program workshop Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Frankfurt (Oder), Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御 Si(110)基板上におけるGeおよびGe1-xSnxヘテロエピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明木戸脇翔平,浅野孝典,志村洋介,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構2012
- 著者名/発表者名
  柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effect of N Radical Process on Interfacial and Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2012
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 5th International Conference on PLasma-NanoTechnology & Science (IC-PLANTZ2012)
- 発表場所
  Inuyama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Epitaxial Growth and Characterizations of Ge1-xSnx and Ge1-x-ySixSny Thin Layers for Nanoelectronic and Optoelectronic Applications2012
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, S. Zaima
- 学会等名
  University of Vigo and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Vigo, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate2012
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effect of Gate Metal Electrode on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2012
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
- 発表場所
  Barkeley, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成2012
- 著者名/発表者名
  吉田鉄兵，加藤公彦，柴山茂久，坂下満男，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] ゲート金属の還元性に基づくPr酸化膜/Ge界面反応制御2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦，坂下満男，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-（第１7回研究会）
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 金属電極がPr酸化膜/Ge構造の化学結合状態に与える影響2012
- 著者名/発表者名
  加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長2012
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，宮尾正信，財満鎭明
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] The effect of light exposure on the electrical properties of GeO2/Ge gate stack2012
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
- 発表場所
  Kasugai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures2012
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
- 発表場所
  Naha, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics2012
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
- 学会等名
  2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
- 発表場所
  Naha, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics2012
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
- 学会等名
  2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
- 発表場所
  Naha, Japan(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization2012
- 著者名/発表者名
  W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012
- 著者名/発表者名
  柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-（第１7回研究会）
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成2012
- 著者名/発表者名
  竹内和歌奈，田岡紀之，黒澤昌志，福留誉司，坂下満男，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Ge単結晶中の格子欠陥への熱処理雰囲気および他元素導入の影響2012
- 著者名/発表者名
  福留誉司，竹内和歌奈，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Importance of Si Bandbending at Zero Bias Condition for Schottky Barrier Height Control at Metal/Si Interfaces with Ultra-thin Al2O3 Layer2012
- 著者名/発表者名
  H. Matsushita, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
- 学会等名
  IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical2012
- 著者名/発表者名
  K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Characterization of Damages of Al_2O_3/Ge Gate Stacks Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation2011
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W.Takeuchi, K.Kato, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2011)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al_2O_3界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明2011
- 著者名/発表者名
  足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film2011
- 著者名/発表者名
  W. Takeuchi, K. Furuta, K. Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Interfacial Properties of Al_2O_3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique2011
- 著者名/発表者名
  K.Kato, S.Kyogoku, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effect of Chemical Bonding State on Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2011
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] ラジカル窒化法によるAl2O3/Ge構造の界面特性改善2011
- 著者名/発表者名
  加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Surface and Interfacial Structure by Radical Nitridation Technique for Ge MOS Transistors2011
- 著者名/発表者名
  K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  The 4th International Conference on PLAsma-Nano Technology & Science
- 発表場所
  Gifu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Influence of Light Radiation on Electrical Properties of Al_2O_3/Ge and GeO_2/Ge Gate Stacks in Nitrogen Plasma2011
- 著者名/発表者名
  Kusumandari, W.Takeuchi, K.Kato, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 熱処理によるAl_2O_3/Ge界面構造制御2011
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果2011
- 著者名/発表者名
  古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Improvement of Al2O3 Interfacial Properties by O2 Annealing2011
- 著者名/発表者名
  S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al_2O_3/Ge及びGeO_2/Geゲートスタック構造における窒素プラズマ中の光照射損傷のPAPE法による分析2011
- 著者名/発表者名
  クスマンダリ, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたPr酸化膜中の欠陥に起因するリーク電流機構の解明2010
- 著者名/発表者名
  足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第10回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  名古屋工業大学(愛知県)
- 年月日
  2010-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effects of Al Incorporation into Pr-oxides Formed by Atomic Layer Deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Furuta, W.Takeuchi, M.Sakashita, K.Kato, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] ラジカル窒化がGe-MOS特性に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  竹内和歌奈, クスマンダリ, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 原子層堆積方により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  古田和也, 竹内和歌奈, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  シリコンテクノロジー分科会・第125回シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen2010
- 著者名/発表者名
  K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2010
- 著者名/発表者名
  M.Adachi, M.Sakashita, H.Kondo, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Study of Ge Surface Passivation using Radical Nitridation Technique for Ge Channel MOS Transistors2010
- 著者名/発表者名
  K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  The 1st Korea-Japan Symposium on Surface Technology
- 発表場所
  Incheon, Korea
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effect of Valence State of Pr on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2010
- 著者名/発表者名
  K.Kato, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Pr酸化膜/Ge構造の界面特性に及ぼすPr酸化膜の価数の影響2010
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 竹内和歌奈, 近藤博基, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄Si酸窒化膜の劣化現象の観察2009
- 著者名/発表者名
  加藤雄三、平安座朝誠、坂下満男、近藤博基、財満鎭明
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560022
[学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡によるゲート絶縁膜の局所電気的特性と信頼性の評価2008
- 著者名/発表者名
  坂下満男
- 学会等名
  中部地区ナノテク総合支援平成19年度成果報告会
- 発表場所
  自然科学研究機構岡崎コンファレンスセンター
- 年月日
  2008-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560022
[学会発表] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2007
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrodes2006
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果
- 著者名/発表者名
  Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  第11回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Ge結晶中の格子欠陥への水素及びSn導入の影響
- 著者名/発表者名
  福留誉司、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
- 学会等名
  第12回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御
- 著者名/発表者名
  加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
- 著者名/発表者名
  Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ，竹内和歌奈，加藤公彦，柴山茂久，坂下満男，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Effects of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor
- 著者名/発表者名
  Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ，竹内和歌奈，加藤公彦，柴山茂久，坂下満男，中塚理，財満鎭明
- 学会等名
  第11回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志, 田岡紀之、坂下満男、中塚理、宮尾正信、財満鎭明
- 学会等名
  第1回結晶工学未来塾（研究ポスター発表会）
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Sn 誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理　宮尾正信　財満鎭明
- 学会等名
  第12回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
- 著者名/発表者名
  柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Control of Interfacial and Electrical Properties of Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structures
- 著者名/発表者名
  K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
- 学会等名
  CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Albany, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011

1. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 15件
2. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 147件
3. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 132件
4. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
5. 竹内和歌奈 (90569386)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 105件
6. 小川正毅 (10377773)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
7. 渡部平司 (90379115)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 竹中充 (20451792)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 田中信夫 (40126876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 高木信一 (30372402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 加藤公彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 4件

坂下 満男 Sakashita Mitsuo

研究課題

研究成果

共同研究者

機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl203/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al203/Ge structure on interfacial properties2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Effect of Gate Metal on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2013

著者名/発表者名

坂下満男 Sakashita Mitsuo

[雑誌論文] テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013