野平博司 NOHIRA Hiroshi

研究者番号	30241110
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 東京都市大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2021年度: 東京都市大学, 理工学部, 教授 2015年度 – 2018年度: 東京都市大学, 工学部, 教授 2016年度: 東京都市大学, 工学部・電気電子工学科, 教授 2011年度 – 2012年度: 東京都市大学, 工学部, 教授 2009年度 – 2010年度: 東京都市大学, 工学部, 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2008年度: 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 2000年度 – 2008年度: 武蔵工業大学, 工学部, 助教授 1994年度 – 1999年度: 武蔵工業大学, 工学部, 講師 1997年度: 武蔵工業大学, 工学部, 教授 1992年度 – 1993年度: 武蔵工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者深さ方向元素分布 / 角度分解X線光電子分光法 / X線光電子分光法 / Depth profiling / rare earth oxide / Si interface / Insulator / Angle-Resolved XPS / high-κ dielectrics / 希土類酸化膜 … もっと見る / Si界面 / 絶縁膜 / 高誘電率材料 / 半導体界面 / 積層構造 / 高誘電率絶縁膜 / 表面・界面物性 / 価電子帯構造 / 水素終端Si(111) / シリコン酸化膜 / 価電子帯 / soft-ICP / エッチングによる表面ダメージ / C1s光電子スペクトル / 光電子分光法 / ダイヤモンド / 角度分解X線光電子分光 / 高誘電率絶縁膜/半導体界面 / 歪Geチャネル / 界面構造 / Ge / 高移動度チャネル / 高誘電率膜ゲート絶縁膜 / 硬X線光電子分光法 / 歪チャネル / 半導体物 / 半導体界面深さ方向元素分布 / 価電子帯端の不連続量 / 界面遷移層 / SiO_2-Si / 構造遷移層 / O1s光電子エネルギー損失スペクトル / ラジカル酸化 / 水素終端Si(100) / SiOX_2-Si / 価電子帯端の連続量 / コバルトシリサイド / シリコン … もっと見る研究代表者以外シリコン酸化膜 / interface structure / 酸化反応 / 界面構造 / シリコン / 光電子分光 / 界面 / 界面ダイポール / 原子スケール / oxidation reaction / 酸化機構 / 第一原理計算 / 酸化膜 / 誘電率 / 光電子分光法 / X線励起光電子分光法 / 不揮発性メモリ / アモルファス / XPS / Si-SiO_2 / silicon oxide / 価電子帯 / 酸化膜の層状成長 / atomic-scale / oxidation mechanism / silicon / Hydrogen termination / シリコン界面 / 界面反応 / 層状成長 / 初期酸化 / 水素終端 / 高誘電率絶縁膜 / 表面 / 希土類酸化膜 / 最大エントロピー法 / 希土類金属酸化膜 / 高誘電率膜 / ゲート絶縁膜 / 電子帯構造 / 角度分解光電子分光法 / 放射光 / 表面・界面 / 電子デバイス / 酸化物エレクトロニクス / 薄膜成長 / 抵抗変化メモリ / 機械学習 / データストレージ / データストレージ機械学習 / 表面・界面物性 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / MOS / 不揮発メモリ / ニューロモルフィック / X線光電子分光法 / 酸化物 / 欠陥準位 / MOSFET / defect / XANES / amorphous / interface / SiO2 / Dielectric constant / Maximum entropy concept / Rare oxide film / High dielectric constant film / gate insulators / Angle-resolved photoelectron spectroscopy / photoelectron spectroscopy / Synchrotron radiation / 硬X線 / 高エネルギー光電子分光法 / elastic scattering / first principle molecular orbital calculation / interface dipole / interface states / surface roughness / 光電子回折 / 非弾性散乱 / ダイポール相互作用 / 価電子帯オフセット / 酸化速度 / 活性酸素原子 / 弾性散乱 / 第一原理分子軌道計算 / 界面原子構造 / 界面準位 / 表面粗さ / valence band discontinuity / valence band / layr-by-layr oxidation of silicon / 価電子帯の不連続量 / Si-SiO2 / initial stage of oxidation / preoxide / native oxide / プレオキサイド / 自然酸化膜 / interface reaction / layr by layr growth / initial oxidation / 局所的酸化 / 界面形成過程 / 初期酸化過程 / 平坦性 / 酸化膜界面 / 金属 / 第一原理計 / 酸化膜S / マイクロディスク / 光電子融合デバイス / 導波路 / 微小共振器 / 歪み / シミュレーション / フォトニック結晶 / 量子ドット / ゲルマニウム / 絶縁体・半導体界面 / 界面物性 / 絶縁体・半導体界 / 電界効果型トランジスタ / 半導体工学 / 半導体界面 / 絶縁膜 / シリコン窒化膜 / 薄膜 / シリコン酸窒化膜の界面粗さ / シリコン酸窒化膜の表面粗さ / Si界面構造 / 電子状態から決まる界面 / 価電子に対するエネルギー障壁 / 電子状態の沁み出し / 0 1s光電子のエネルギー損失 / X線光電子分光分析装置 / 電子エネルギー損失 / 組成遷移層 / 深さ方向分析 / シリコン熱酸化膜 / シリコン酸窒化膜隠す

界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京都市大学
光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京都市大学
硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京都市大学
超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Geチャネル界面構造の決定研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
高誘電体/シリコン界面形成の原子スケール制御による高品質界面の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜/シリコン界面構造の深さ方向分析研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  武蔵工業大学
極薄シリコン酸化膜/シリコン界面のキャリア捕獲準位と微視的構造との関係の解明
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
酸化の進行に伴う酸化膜の価電子帯形成過程の角度分解X線光電子分光法による解明研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
水素終端されたシリコン面の初期酸化過程の角度分解紫外線光電子分光法による解明研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
シリコン酸化膜/シリコン界面形成の原子スケール制御による超平坦界面の実現
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
原子スケールで平坦なシリコン表面上のAlの初期成長過程のX線光電子分光法による解明研究代表者
- 研究代表者
  
  野平博司
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
水素終端したシリコン面の熱酸化による超平坦シリコン酸化膜/シリコン界面の実現
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
水素終端シリコンの初期酸化機構と極薄金属膜/極薄シリコン酸化膜界面構造の解明
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  武蔵工業大学

[雑誌論文] Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies2021
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, and Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 7 ページ: 071005-071005
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac0b08
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[雑誌論文] Interface Dipole Modulation in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS Stack Structures2018
- 著者名/発表者名
  Miyata Noriyuki、Nara Jun、Yamasaki Takahiro、Sumita Kyoko、Sano Ryousuke、Nohira Hiroshi
- 雑誌名
  
  2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  
  巻: 2018 ページ: 7.6.1-7.6.4
- DOI
  10.1109/iedm.2018.8614674
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[雑誌論文] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Studies of Initial Stage of Thermal Oxidation on 4H-SiC (0001) on-Axis and 4° Off-Axis Substrates2017
- 著者名/発表者名
  Arai Hitoshi、Toyoda Ryoma、Ishohashi Ai、Sano Yasuhisa、Nohira Hiroshi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 77 号: 6 ページ: 51-57
- DOI
  10.1149/07706.0051ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of initial stage of thermal oxidation on 4HSiC( 0001)2016
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Arai1 and Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EB04-04EB04
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eb04
- NAID
  210000146272
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[雑誌論文] Effect of atomic-arrangement matching on La2O3/Ge heterostructures for epitaxial high-k-gate-stacks2015
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, H. Nohira, M. Zenitaka, Y. Kajihara, S. Yamada, and K. Hamaya
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 118 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4937147
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681, KAKENHI-PROJECT-25246020
[雑誌論文] In diffusion and electronic energy structure in polymer layers on In tinoxide2011
- 著者名/発表者名
  Polona Skraba, Gvido Bratina, Satoru Igarashi, Hirosi Nohira, Kazuyuki Hirose
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.519 号: 13 ページ: 4216-4219
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.02.034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 20-21
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μGate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: Vol.41 ページ: 137-146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: 41(Invited) ページ: 137-146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Capacitance-Voltage Characterization of La_2O_3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In_<0.53>Ga_<0.47> As Substrate with Different Surface Treatment Methods2011
- 著者名/発表者名
  Dariush Zade, Takashi Kanda, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50 号: 10S ページ: 10PD03-10PD03
- DOI
  10.1143/jjap.50.10pd03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and on In_<0.53>Ga_<0.47>As Surface2011
- 著者名/発表者名
  Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: 41 ページ: 265-272
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Study of High-κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Koji Yamashita, Yuuya Numajiri, Masato Watanabe, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 10S ページ: 10PD02-10PD02
- DOI
  10.1143/jjap.50.10pd02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
  
  巻: 16 ページ: 127-130
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 77-80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51(4)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
  
  巻: 16 ページ: 131-134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 157-160
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and nd In_<0.53>Ga_<0.47>As Surface2011
- 著者名/発表者名
  Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: 41 ページ: 265-272
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: Vol.33, No.3 ページ: 467-472
- NAID
  110008900164
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Reduction of Accumulation Capacitance in Direct-Contact HfO_2/p-Type Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2010
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Abe, Noriyuki Miyata, Hiroshi Nohira, Tetsuji Yasuda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.49,No.6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: Vol.33,No.3 ページ: 467-472
- NAID
  110008900164
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO_2 Layer2010
- 著者名/発表者名
  Igor Pis, Masaaki Kobata, Tomohiro Matsushita, Hiroshi Nohira, Keisuke Kobayashi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: Vol.3,No.5
- NAID
  10027014913
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings
  
  巻: Part 2 of 3 ページ: 990-993
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第15回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 193-196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
  
  巻: Vol.28, No.2 ページ: 129-137
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Proceedings of 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  
  巻: 2(3) ページ: 990-993
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 33 ページ: 467-472
- NAID
  110008900164
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 15
  
  ページ: 175-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film2009
- 著者名/発表者名
  K.Kakushima (H.Nohira)
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2/ SiO2/Si Structures2009
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 池永英司, 鈴木治彦, 北村幸司, 五十嵐智, 野平博司
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48巻
- NAID
  40016559583
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第14回
  
  ページ: 175-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film2009
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, K. Tachi, J. Song, S. Sato, H. Nohira, E. Ikenaga, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 106, No. 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure2009
- 著者名/発表者名
  H.Nohira
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., Vienna, Austria, ECS Transactions Vol.25
  
  ページ: 321-326
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO_2/SiO_2/Si Structures2009
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Abe (Hiroshi Nohira)
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[雑誌論文] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  野平博司(廣瀬和之)
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Vol. 100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, H. Nohira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer2008
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., Hawai, ECS Transactions Vol. 16
  
  ページ: 171-176
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series Vol. 100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si_3N_4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer2008
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Yoshinori Takenaga, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui and Hiroshi Iwai,
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., Hawai, ECS Transactions Vol. 16
  
  ページ: 171-176
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] "Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, and T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Vol.100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  M. Murugesan, J. C. Bea, C.-K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Activated boron and its concen-tration profiles in heavily doped Si studied by soft x-ray photoelectron spectroscopy and Hall measurements2008
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, T. Matsuda, M. Watanabe, C-G Jin, Y. Sasaki, B. Mizuno, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Alhmet, T. Maruizumi, H. Nohira, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Photoelectron Spectros-copy Studies of SiO_2/Si Interfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Progress in Surface Science Vol. 82
  
  ページ: 3-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Takeo Hattori
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., Washington, ECS Transactions Vol. 11
  
  ページ: 183-194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] Photoelectron spectroscopy studies of SiO_2/Si interfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattroi
- 雑誌名
  
  Progress in Surface Science Vol. 82
  
  ページ: 3-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si (110) and Si (100) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, T. Aratani, T. Hamada, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 4B
  
  ページ: 1895-1898
- NAID
  10022545462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 90, No. 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T. Hattori, H. Nohira, S. Shinagawa, M. Hori, M. Kase, T. Maruizumi
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability Vol. 47
  
  ページ: 20-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc., Washington, ECS Transactions Vol.11
  
  ページ: 183-194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-82006
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, et al.
- 雑誌名
  
  International Journal of High Speed Electronics and Systems (to be published in)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
  
  ページ: 368-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー No.82-2
  
  ページ: 55-60
- NAID
  110004757013
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Thermal stability of Gd_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2006
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, S.Shinagawa, W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal de Physique IV Vol.132
  
  ページ: 273-277
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constants for Si compounds2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics letters Vol. 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Valence charges for ultrathin SiO_2 film formed on Si(100)2006
- 著者名/発表者名
  K.Hirose, M.Kihara, H.Okamoto, H.Nohira, E.Ikenaga, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal de Physique IV 132
  
  ページ: 83-86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Thermal stability of Gd_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2006
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, S.Shinagawa, W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal de Physique IV 132
  
  ページ: 273-277
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device-Science and Technology-
  
  ページ: 25-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 1063-1065
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Inc.Society Inc.ECS Transactions 1
  
  ページ: 87-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Angle-resolved XPS study on chemical bonds in ultrathin silicon oxynitride films2005
- 著者名/発表者名
  S.Shinagawa, H.Nohira, T.Ikura, M.Hori, M.Kase, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 80
  
  ページ: 98-101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Angle-resolved XPS study on chemical bonds in ultrathin silicon oxynitride films2005
- 著者名/発表者名
  S.Shinagawa, H.Nohira, T.Ikuta, M.Hori, M.Kase, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.80
  
  ページ: 98-101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-82005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, K.Horiba, S.Shin, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Nohira et al.
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547
  
  ページ: 50-55
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-82005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, K.Horiba, S.Shin, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547
  
  ページ: 50-55
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, M.Taniguchi, S.Shin, T.Ishikawa, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 1063-1065
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Thermal Stability of LaO_x/Si Interfacial Transition Layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 87-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation2005
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 585-588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, H.Okamoto, K.Azuma, Y.Nakata, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, S.Shin, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86・8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, T.Hattori, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol.234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition,chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, T.Hattori, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, et al.
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition,chemical structure,and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, T.Hattori, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300℃2004
- 著者名/発表者名
  M.Shioji, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, K.Azuma, Y.Nakata, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84・19
  
  ページ: 3756-3758
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, K.Azuma, Y.Nakata, M.Shioji, T.Shiraishi, T.Yoshida, K.Takahashi, H.Nohira, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234・1〜4
  
  ページ: 197-201
- NAID
  10011880703
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560026
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu_2O_3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems2003
- 著者名/発表者名
  K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, S.Shin, K.Tamasaku, D.Miwa, T.Ishikawa, H.Nohira, T.Hattori, Y.Sugita, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83
  
  ページ: 1005-1007
- NAID
  120002338858
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Sugita, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, H.Kondo, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Int.J.High Speed Electronics and Systems (to be publised)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[学会発表] HfO2/TiO2/SiO2構造の電圧印加によるTiの化学結合状態変化の観測2022
- 著者名/発表者名
  桐原芳治, 辻口良太, 伊藤俊一, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第27回研究会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Hard X-ray Photoemission Spectroscopy Study on Interface Dipole Modulation of HfO2/SiO2 MIM Device2021
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Kirihara, Ryota Tsujiguti, Reito Wada, Akira Yasui, Noriyuki Miyata, Hiroshi Nohir
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明2021
- 著者名/発表者名
  桐原芳治、和田励虎、辻口良太、保井晃、宮田典、野平博司
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認2021
- 著者名/発表者名
  桐原芳治、辻口良太、保井晃、宮田典幸、野平博司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Resistive switching in two-terminal HfO2/SiO2 stack with interface dipole modulation2020
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Reito Wada, and Hiroshi Nohira
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の検出2020
- 著者名/発表者名
  野平博司、和田励虎、保井晃、宮田典幸
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第25回研究会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の評価2019
- 著者名/発表者名
  野平博司、和田励虎、保井晃、宮田典幸
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作2019
- 著者名/発表者名
  宮田、奈良、山崎、住田、佐野、野平
- 学会等名
  応物・電通学会共催「ULSIデバイス・プロセス技術(IEDM2018特集)」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] ARXPSによる soft-ICPエッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  滝沢耕平, 加藤有香子, 牧野俊晴, 山崎聡，野平博司
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] 高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出2017
- 著者名/発表者名
  佐野良介、此島志織、滝沢耕平、澤野憲太郎、野平博司
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] エピタキシャルGe上直接ALDによるAl2O3/Ge界面特性向上2017
- 著者名/発表者名
  池上和彦, 佐藤慶次郎, 澤田浩介, Maksym Myronov, 野平博司, 澤野憲太郎
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2017-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の解明2016
- 著者名/発表者名
  荒井仁、豊田涼馬、礒橋藍、佐野泰久、野平博司
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期熱酸化過程の研究2016
- 著者名/発表者名
  荒井仁, 野平博司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2016-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善2016
- 著者名/発表者名
  金島岳、銭高真人、山本圭介、山城陸、只野純平、野平博司、中島寛、山田晋也、浜屋宏平
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明2015
- 著者名/発表者名
  荒井仁、野平博司
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] Initial Stage of SiO2/SiC Interface Formation on C-face 4H-SiC2015
- 著者名/発表者名
  Tomoya Sasago, Hitoshi Arai, Shunta Yamahori, Hiroshi Nohira
- 学会等名
  2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 発表場所
  Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation（東京都江東区）
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] 結晶性La2O3/Ge(111)高品質界面のXPS分析2015
- 著者名/発表者名
  金島岳、野平博司、銭高真人、小林太朗、山城陸、山田晋也、浜屋宏平
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] Evaluation of Dielectric Constant Deduced from Relaxation Energy at SiO2/Si interfaces2015
- 著者名/発表者名
  M. Moriya, Y. Amano, K. Umeda, D. Kobayashi, T. Yamamoto, H. Nohira, and K. Hirose
- 学会等名
  2nd International Symposium on Computational Materials and Biological Sciences
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-09-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy studies of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC (0001)2015
- 著者名/発表者名
  H. Arai, H. Nohira
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少2015
- 著者名/発表者名
  笹子知弥、荒井仁、喜多浩之、室隆桂之、野平博司
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] Study of Epitaxial La2O3 High-k/Ge(111) Interface by X-ray Photoelectron Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  Takeshi Kanashima, Hiroshi Nohira, Masato Zenitaka, Taro Kobayashi, Riku Yamashiro, Shinya Yamada, Kohei Hamaya
- 学会等名
  2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 発表場所
  Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation（東京都江東区）
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04681
[学会発表] XPSとXAFSを用いたZnO/CdS界面の化学結合状態評価2012
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 小松新, 野平博司, 中西康次, 峯元高志, 太田俊明, 高倉秀行
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 軟X線光電子分光法を用いたSi中Bの化学結合状態の熱処理温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  宮田陽平, 金原潤, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 泉雄大, 室隆桂之, 木下豊彦, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2012
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター(静岡県)
- 年月日
  2012-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2012
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター(静岡県)
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析2012
- 著者名/発表者名
  金原潤, 宮田陽平, 武井優典, 寺山一真, 筒井一生, 野平博司, 泉雄大, 室隆桂之, 木下豊彦, アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Ce酸化物/Si(100)界面におけるCeの価数とCeシリケート2012
- 著者名/発表者名
  幸田みゆさ, Maimati Mamatrishat, 川那子高暢, 角嶋邦之, Ahmet Parhat, 野平博司, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Si-capによるHfO_2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制2012
- 著者名/発表者名
  小松新, 多田隼人, 渡邉将人, 那須賢太郎, 星祐介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 白木靖寛, 野平博司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 種々の表面処理によるIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法による評価2012
- 著者名/発表者名
  沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ザデダリューシュ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター(静岡県)
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2012
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] In_<0.53>Ga_<0.47>As表面の初期酸化過程のAR-XPSによる評価2012
- 著者名/発表者名
  沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, Zade Darius, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2012
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] SiO_2/SiC界面構造の角度分解光電子分光法による評価2012
- 著者名/発表者名
  岡田葉月, 小松新, 渡邊将人, 室隆桂之, 泉雄大, 野平博司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  220th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Boston (USA)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSiO_2の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] AR-XPSによる種々の表面処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価2011
- 著者名/発表者名
  沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ザデダリューシュ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  東京都目黒区
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価2011
- 著者名/発表者名
  野平博司, 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 白木靖寛
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 軟X線光電子分光法を用いたFin構造中の不純物化学結合状態分析2011
- 著者名/発表者名
  宮田陽平, 金原潤, 難波覚, 三角元力, 筒井一生, 野平博司, 室隆桂之, 木下豊彦, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面近傍中間酸化物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSiO_2の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価2011
- 著者名/発表者名
  野平博司, 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 博林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 白木靖寛
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
- 発表場所
  東北大学(宮城県)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨, 渋谷寧浩, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会137回研究集会(共催:電子情報通信学会SDM研究会)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2011-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-k Gate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  220th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Boston, MA, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-k Gate Stacks for Advanced CMOS2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 学会等名
  Invited220th Meeting of The ElectrochemicalSociety
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2011-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価2011
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第16回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] AR-XPSによる(NH_4)_2S処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価2011
- 著者名/発表者名
  沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ダリューシュザデ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Si中にドープされたAsの軟X線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布2011
- 著者名/発表者名
  金原潤, 宮田陽平, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 室隆桂之, 木下豊彦, アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and on In_<0.53>Ga_<0.47>As Surfaceat2011
- 著者名/発表者名
  Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
- 学会等名
  220th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Boston (USA)
- 年月日
  2011-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
- 発表場所
  三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
- 学会等名
  シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2011-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価2011
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第16回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価2010
- 著者名/発表者名
  小林大助, 栗原智之, 小寺哲夫, 内田建, 野平博司, 小田俊理
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 予稿集, 17a-ZE-2
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Estimation technique for optical dielectric constant of polymorphous SiO_2 through first-principles molecular orbital calculation2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirose, D.Kobayashi, S.Igarashi, H.Nohira
- 学会等名
  12th International Conference on Modern Materials and Technologies
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 学会等名
  217th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Vancouver, Canada(招待講演)
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010
- 著者名/発表者名
  関洋,澁谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 学会等名
  2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
- 発表場所
  上海(中国)
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 実験室硬X線光電子分光装置の開発とその半導体への応用2010
- 著者名/発表者名
  小林啓介(野平博司)
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学・湘南キヤンパス
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Estimation technique f or optical dielectric constant of polym orphous SiO_2 through first-principles mo lecular orbital calculation2010
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, S. Igarashi, and H. Nohira
- 学会等名
  12th International Conference on Modern Materials and Technologies
- 発表場所
  Mon tecatini Terme
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] SrO/La_2O_3/CeO_2/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響2010
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第15回研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター(静岡県三島市)
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II2010
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] SiO_2/Si界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II2010
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価2010
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学・湘南キャンパス
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010
- 著者名/発表者名
  関洋, 澁谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 学会等名
  2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
- 発表場所
  上海(中国)(招待講演)
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  218th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Las Vegas (USA)
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira
- 学会等名
  217th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71画応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, and Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  218th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Las Vegas, NV, USA
- 年月日
  2010-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II2010
- 著者名/発表者名
  小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会,予稿集, 15p-ZA-12
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Estimation technique f or optical dielectric constant of Si an d Al compounds2009
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, S. Igarashi, D. Kobayashi, and H. Nohira
- 学会等名
  11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
- 発表場所
  Nara
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性(2)2009
- 著者名/発表者名
  野平博司,今陽一郎,北村幸司,幸田みゆき,角嶋邦之,岩井洋
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合会講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Estimation technique for optical dielectric constant of Si and Al compounds2009
- 著者名/発表者名
  廣瀬和之, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司
- 学会等名
  11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
- 発表場所
  Nara
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形間の誘電率の違いについての検討2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of CeO2/La2O3/Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  野平博司, 今陽一郎, 北村幸司, 幸田みゆき, 角嶋邦之, 岩井洋
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第14回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2009-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of CeO_2/La_2O_3/Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第14回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2009-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] SrO/La_2O_3/CeO_2/Si(100)構造の熱安定性2009
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学五福キャンパス
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure2009
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  Electrochemical Society Inc.
- 発表場所
  ウィーン、オーストリア
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560035
[学会発表] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第14回
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2009-01-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Study on Compositional Tran-sition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron2009
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] CeO_2/La_2O_3/Si(100)構造の熱安定性(2)2009
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合会講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性2008
- 著者名/発表者名
  竹永祥則,松田徹,野平博司,椎野泰洋,角嶋邦之,パールハットアハメト,筒井一生,岩井洋
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会)
- 発表場所
  三島.
- 年月日
  2008-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性2008
- 著者名/発表者名
  野平博司,今陽一郎,北村幸司,幸田みゆき,角嶋邦之,岩井洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市・中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer2008
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Yoshinori Takenaga, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  Electrochemical Society
- 発表場所
  Hawai
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Relationship between the dipole moment induced in photoemission process and the optical dielectric constant2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
- 学会等名
  Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Science and Technology
- 発表場所
  Ookayama
- 年月日
  2008-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] CeO_2/La_2O_3/Si(100)構造の熱安定性2008
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市・中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] HfO2/SiO2/Si 構造で観察されるHf 光電子スペクトルのブロードニング2008
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 池永英司, 鈴木治彦, 北村幸司, 五十嵐智, 野平博司
- 学会等名
  第55 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部(船橋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
- 学会等名
  Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、鈴木治彦、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/SCOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer2008
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, D. Kobayashi, H. Nohira
- 学会等名
  SiO_2 2008
- 発表場所
  Saint-Etienne
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  野平博司
- 学会等名
  Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2007
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattroi
- 学会等名
  13^<th> International Conference on Surface Science
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nohira, Takeo Hattori
- 学会等名
  Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington.
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560026
[学会発表] Al酸化物・窒化物における相対ケミカルシフトと誘電率の関係の検証2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、松田徹、野平博司、高田恭考、池永英司、小林大輔、小林啓介、服部健雄、廣瀬和之
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  草津
- 年月日
  2006-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device -Science and Technology-
- 発表場所
  Kawasaki
- 年月日
  2006-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai
- 年月日
  2006-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  広島
- 年月日
  2006-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Zr Lα線源を用いたAESによるSiO2/Si界面構造の評価
- 著者名/発表者名
  天野裕司, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072

1. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 34件
2. 廣瀬和之 (00280553)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 58件
3. 小林大輔 (90415894)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 57件
4. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 12件
5. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 18件
6. 秋谷昌宏 (60231833)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 木村健二 (50127073)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 中嶋薫 (80293885)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 寺本章伸 (80359554)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
10. 諏訪智之 (70431541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 木下豊彦 (60202040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
13. 丸泉琢也 (00398893)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 瀬戸謙修 (10420241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 徐学俊 (80593334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 夏金松 (00434184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 松井敏明 (20358922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 岩井洋 (40313358)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
21. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
22. 小林啓介 (50372149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
23. 高田恭孝 (90261122)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
24. 山崎聡 (80358241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
25. 竹内大輔 (10357402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 奈良純 (30354145)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
27. 阿部泰宏

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
28. 山崎隆浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
29. 住田杏子

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

野平 博司 NOHIRA Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Geチャネル界面構造の決定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高誘電体/シリコン界面形成の原子スケール制御による高品質界面の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜/シリコン界面構造の深さ方向分析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

野平博司 NOHIRA Hiroshi