大竹晃浩 Ohtake Akihiro

研究者番号	30267398
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主幹研究員 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料研究ユニット, 主幹研究員 2012年度: 物質材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員 … もっと見る 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料, 主幹研究員 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット・量子ナノ構造グループ, 主幹研究員 2011年度 – 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主幹研究員 2011年度: 物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 2010年度: 電気通信大学, 物質・材料研究機構量子ドットセンター, 主幹研究員 1995年度: 早稲田大学, 理工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 材料加工・処理研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / ナノ構造物理 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者分子線エピタキシー / 遷移金属ダイカルコゲナイド / ガリウムヒ素 / 表面再配列 / 希薄窒化半導体 / 表面構造 / 化合物半導体 / ナノ表面・界面 / 薄膜成長動的過程 / 表面構造解析 / 反射高速電子回折法 / 化合物半導体表面 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る結晶成長 / 転位 / InAs / GaAs / 赤外線センサー / 量子情報 / インジウム燐 / もつれ合い / 偏光 / エレクトロルミネッセンス素子 / 化合物半導体 / もつれ合い光子対 / ガリウム砒素 / 量子通信 / もつれ光子対 / 自己形成 / 分子線エピタキシー / 量子ドット / エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / MOSFET / 表面・界面物性 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 電子・電気材料 / GaAs表面 / Mn原子ワイヤ / 走査トンネル顕微鏡 / Ｍｎ原子ワイヤ / 強磁性 / 電子回折法 / 第一原理計算 / 初期吸着構造 / III-V族化合物半導体表面隠す

格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究
- 研究代表者
  
  間野高明
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
カルコゲナイド系層状物質の高品質ヘテロ積層構造：ＭＢＥ法による成長技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大竹晃浩
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
液滴エピタキシー法による理想的な量子ドットの自己形成
- 研究代表者
  
  間野高明
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明
- 研究代表者
  
  中村淳
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  電気通信大学
原子状窒素により処理された化合物半導体表面構造の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  大竹晃浩
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
半導体ヘテロ接合界面形成の動的過程評価研究代表者
- 研究代表者
  
  大竹晃浩
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  早稲田大学

すべて 2023 2015 2014 2013 2012 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited2023
- 著者名/発表者名
  Ohtake Akihiro、Suga Takayuki、Goto Shunji、Nakagawa Daisuke、Nakamura Jun
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 13 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-023-45142-y
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04592
[雑誌論文] Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A2015
- 著者名/発表者名
  N. Ha, T. Mano, T. Kuroda, K. Mitsuishi, A. Ohtake, A. Castellano, S. Sanguinetti, T. Noda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DH07-04DH07
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dh07
- NAID
  210000145031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289091, KAKENHI-PROJECT-25390011
[雑誌論文] Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion2015
- 著者名/発表者名
  N. Ha, T. Mano, Y.-L. Chou, Y.-N Wu, S.-J. Cheng, J. Bocquel, P. M. Koenraad, A. Ohtake, Y. Sakuma, K. Sakoda, and T. Kuroda
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 92 号: 7
- DOI
  10.1103/physrevb.92.075306
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] (2)‘Extremely high- and low-density of Ga droplets on GaAs{111}A,B: Surface-polarity dependence2015
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake, N. Ha, and T. Mano
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 15 号: 1 ページ: 485-488
- DOI
  10.1021/cg501545n
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011
[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake, T. Mano, N. Miyata, T. Mori, and T. Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4862542
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, and Tetsuji Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4882643
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions2014
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake, T. Mano, A. HAgiwara, and J. Nakamura
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 14 号: 6 ページ: 3110-3115
- DOI
  10.1021/cg500355f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011
[雑誌論文] Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions2013
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, and Jun Nakamura
- 雑誌名
  
  Physical Review
  
  巻: B 87 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.87.165301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[雑誌論文] Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001)2011
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[雑誌論文] Atomic scale characterization of the N incorporation in GaAs (001)2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohtake
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 110 号: 3
- DOI
  10.1063/1.3609066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013
- 発明者名
  宮田典幸, 安田哲二, 大竹晃浩, 真野高明
- 権利者名
  産業技術総合研究所, 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- 取得年月日
  2017-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外検出デバイス2013
- 発明者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 権利者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象：ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて2015
- 著者名/発表者名
  間野高明, 大竹晃浩, HA Neul, 黒田隆, 佐久間芳樹, 迫田和彰
- 学会等名
  第１１回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  電気通信大学
- 年月日
  2015-12-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011
[学会発表] Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  HA Neul, 間野高明, 黒田隆, Shun-Jen Cheng, Paul M. Koenraad, 大竹晃浩, 佐久間芳樹, 迫田和彰
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011
[学会発表] Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100)2014
- 著者名/発表者名
  T. Mano, A.Ohtake, T. Kuroda, N. Ha, X. Liu, K. Mitsuishi, A. Hagiwara, J. Nakamura, A. Castellano, S. Sanguinetti, T. Noda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
- 学会等名
  2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  フィレンツェ
- 年月日
  2014-05-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390011
[学会発表] Electrical Characteristics and Thermal Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces2013
- 著者名/発表者名
  N. Miyata, A. Ohtake, M. Ichikawa, T. Yasuda
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces2012
- 著者名/発表者名
  Atsushi Hagiwara, Akihiro Ohtake, and Jun Nakamura
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59)
- 発表場所
  Tampa, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions2012
- 著者名/発表者名
  A.Ohtake
- 学会等名
  The Seventeenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Initial nitridation processes of GaAs(001)2012
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors, July 2012
- 発表場所
  Zürich, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions2012
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions2012
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 2012
- 発表場所
  Nara, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions2012
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Initial nitridation processes of GaAs(001)2012
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Zurich, Switzerland
- 年月日
  2012-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造2011
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県山形市)
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohtake, M.Hirayama, Y.Kanno, J.Nakamura
- 学会等名
  38th International Symposiutm on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態2011
- 著者名/発表者名
  菅野雄介、大竹晃浩、中村淳
- 学会等名
  日本物理学会第67回年次大会
- 発表場所
  西宮
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価2011
- 著者名/発表者名
  菅野雄介、大竹晃浩、平山基、中村淳
- 学会等名
  日本物理学会2011年秋季大会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2011-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)2011
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake, Motoi Hirayama, Yusuke Kanno, and Jun Nakamura
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-38)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造2011
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22510117
[学会発表] Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列2010
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩、萩原敦、中村淳
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩
- 学会等名
  第７３会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Si(100)上のGaSbナノコンタクトへテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性
- 著者名/発表者名
  宮田典幸、大竹晃浩、市川昌和、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058

1. 間野高明 (60391215)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
2. 中村淳 (50277836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
3. 安田哲二 (90220152)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
4. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
6. 奈良純 (30354145)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 市川昌和 (20343147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
9. 田中正俊 (90130400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 黒田隆 (00272659)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
11. 川津琢也 (00444076)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 宮崎英樹 (10262114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 石田暢之 (10451444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 佐久間芳樹

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

大竹 晃浩 Ohtake Akihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

カルコゲナイド系層状物質の高品質ヘテロ積層構造：ＭＢＥ法による成長技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

液滴エピタキシー法による理想的な量子ドットの自己形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子状窒素により処理された化合物半導体表面構造の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ヘテロ接合界面形成の動的過程評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] (2)‘Extremely high- and low-density of Ga droplets on GaAs{111}A,B: Surface-polarity dependence2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions2014

著者名/発表者名

雑誌名

大竹晃浩 Ohtake Akihiro