櫻庭政夫 SAKURABA Masao

… 別表記

桜庭政夫サクラバマサオ

櫻場政夫サクラバマサオ

研究者番号	30271993
その他のID
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 2011年度 – 2019年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 2007年度 – 2009年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 2002年度 – 2006年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 1996年度 – 2001年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学 / 理工系研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 応用物性・結晶工学 / 小区分61040:ソフトコンピューティング関連 … もっと見る / 結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・電子機器隠す
キーワード	研究代表者エピタキシャル成長 / Si / ヘテロ構造 / IV族半導体 / CVD / Ge / N / C / 室温動作 / 量子デバイス … もっと見る / 原子層制御 / プラズマ / 界面構造制御 / パワーＭＯＳＦＥＴ / 半導体ヘテロ構造 / ４H－ＳｉＣ / ３Ｃ－ＳｉＣ / シリコン / ラマン散乱分光 / 選択エッチング / ヘテロエピタキシャル薄膜 / 5員環 / 表面再配列 / ペンタシリセン / resonant tunneling / quantum effect / electronic-band modulation / atomic-layer control / group-IV semiconductor / 局所歪 / 量子トンネル構造 / 共鳴トンネル / 量子効果 / 電子帯変調 / heterostructure / resonant tunneling diode / atomic layer / テヘロ構造 / 共鳴トンネルダイオード / 原子層 / ドーピング / SiGe混晶 / 化学気相成長 / 量子ヘテロ構造 / 量子へテロ構造 … もっと見る研究代表者以外 IV族半導体 / SiGeC / SiGe / 原子層エッチング / 原子層成長 / MOS / 極微細デバイス / CVD / ゲルマニウム / ドーピング / 水素終端 / B / P / HBT / 光素子 / 電子デバイス / 量子ドット / 結晶成長 / 機能融合 / カーボン / 人工結晶 / 原子層積層 / ヘテロ構造 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 / マイクロ・ナノデバイス / 原子層 / シリコン / 低温ヘテロエピタキシャル成長 / ラングミュア吸着・反応 / 表面水素終端 / ラングミュア吸着 / 一原子層熱窒化 / リザバーコンピューティング / デジアナ混在CMOS回路 / スパイキングニューラルネットワーク / エッジコンピューティング / 自己組織化 / 3-dimensional structure / epitaxial growth / chemical vapor deposition / artificial crystal / atomic layer growth / heterostructure / group-IV semiconductor / MBE / 立体加工 / エピタキシャル成長 / contact resistance / atomic layer / impurity doping / IV group semiconductor / CDV / IV族半導体結晶 / 半導体接触抵抗 / 金属 / 不純物ドーピング / High Selective Anisotropic Etching / Impurity Diffusion / in-situ Impurity Doping / CVD Low-Temperature Selective Growth / 高選択異方性エッチング / 不純物拡散 / in-situ不純物ドーピング / CVD低温選択成長 / Low-Temperature Heteroepitaxial Growth / Hydrogen Termination / Impurity Doping / Atomic-Layer Etching / Atomic-Layer Growth / Ultrasmall Devices / Group IV Semiconductor / Langmuir-type Adsorption and Reaction / 表面処理 / コミュニケーション / 自己組織 / ドット / 緩和 / サーファクタント / 原子層ドーピング / 化学気相成長(CVD) / チャージポンピング法 / ヘテロ界面 / 雑音 / 界面準位 / 揺らぎ / 表面・界面物性 / ヘテロデバイス / ラングミュア型 / ボロン / リン / エピタキシャル / 初期酸化 / リン吸着デジタル制御 / 自己触媒 / 島状成長 / 電界効果トランジスタ / 変調ドーピング / 低温Si層 / CMP / 発光ダイオード / 電界効果型トランジス / 電界効果型トランジスタ / 光物性 / 電子物性 / 光エレクトロニクス / シリコンゲルマニウム / 人工IV族半導体 / XPS / 高清浄雰囲気 / 表面吸着・反応 / Arイオン照射 / 励起水素 / Si窒化膜 / ECRプラズマ / WF_6 / SiH_4 / ド-ピング / タングステン / W低温選択成長 / W低温選択的成長隠す

３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東北大学
エッジ応用に向けた超低消費電力スパイキングニューラルネットワークハードウェア
- 研究代表者
  
  佐藤茂雄
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分61040:ソフトコンピューティング関連
- 研究機関
  東北大学
Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用
- 研究代表者
  
  鷲尾勝由
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用
- 研究代表者
  
  鷲尾勝由
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  島根大学
非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  島根大学
IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作研究代表者
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東北大学
Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御
- 研究代表者
  
  松浦孝
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体薄膜へのタングステンのデルタド-ピング
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作するIV族半導体極微細デバイス
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2019 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-Cyclotron- Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.557 ページ: 10-13
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.08.118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2014
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.557 ページ: 302-306
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.08.124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloys and Ge on Si(100) by Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating2014
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, S.Sato and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.557 ページ: 31-35
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.11.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
[雑誌論文] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y.Abe, S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 223-228
- DOI
  10.1149/05809.0223ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
[雑誌論文] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing2013
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 195-200
- DOI
  10.1149/05809.0195ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Formation and Characterization of Strained Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 207-211
- DOI
  10.1149/05809.0207ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
[雑誌論文] Behavior of N Atoms after Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x Surface2012
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, M.Sakuraba, B.Tillack and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.520 号: 8 ページ: 3392-3396
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.10.108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Fabrication of High-Ge-Fraction Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Hole Resonant Tunneling Diode Using Low-Temperature Si_2H_6 Reaction for Nanometer-Order Ultrathin Si Barriers2011
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron. Vol.60
  
  ページ: 112-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: Vol.41, No.7 号: 7 ページ: 309-314
- DOI
  10.1149/1.3633311
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room- Temperature Resonant Tunneling Diode2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: Vol.41,No.7 号: 7 ページ: 337-343
- DOI
  10.1149/1.3633314
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[雑誌論文] Capture/Emission Process of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya、K.Yoshida、M.Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials Vol.470
  
  ページ: 201-206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Thermal CVD B-Doped Si Films on Highly Strained Si Epitaxially Grown on Ge(100) by Plasma CVD without Substrate Heating2010
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Heavy B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma CVD2010
- 著者名/発表者名
  T. Nosaka、M. Sakuraba、B. Tillack, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Heavy Atomic-Layer Doping of Nitrogen in Si_<1-x>Ge_x Film Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Impact of Si Cap Layer Growth on Surface Segregation of P Incorporated by Atomic Layer Doping2010
- 著者名/発表者名
  Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Heavy Carbon Atomic-Layer Doping at Si_<1-x>Ge_x/Si Heterointerface2010
- 著者名/発表者名
  T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Heavy B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on B Adsorbed Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2009
- 著者名/発表者名
  H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron. Vol.53
  
  ページ: 877-879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T. Seo、K. Takahashi、M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron Vol.53
  
  ページ: 912-915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T.Seo、K.Takahashi、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron. Vol.53
  
  ページ: 912-915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron. Vol. 53
  
  ページ: 912-915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba and J. Murota
- 雑誌名
  
  Solid State Electron accepted
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci Vol.254
  
  ページ: 6265-6267
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol. 517, no. 1
  
  ページ: 346-349
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Structural Change of Atomic-Order Nitride Formed on Si_<1-x>Ge_x(100) and Ge(100) by Heat Treatment2008
- 著者名/発表者名
  N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 219-221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.517,no.1
  
  ページ: 346-349
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 10-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 110-112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Behavior of N Atoms in Atomic-Order Nitrided Si_<0.5>Ge_<0.5>(100)2008
- 著者名/発表者名
  N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
  
  ページ: 6021-6024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 10-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Heavy Atomic-Layer Doping of B in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2008
- 著者名/発表者名
  H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
  
  ページ: 6086-6089
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 10-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"2008
- 著者名/発表者名
  T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
  
  ページ: 6265-6267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] High Ge Fraction Intrinsic SiGe-Heterochannel MOSFETs with Embedded SiGe Source/Drain Electrode Formed by In-Situ Doped Selective CVD Epitaxial Growth2008
- 著者名/発表者名
  S.Takehiro、M.Sakuraba、T.Tsuchiya, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 346-349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Local Strain in Si/Si_<0.6>Ge_<0.4>/Si(100) Heterostructures by Stripe-Shape Patterning2008
- 著者名/発表者名
  J.Uhm、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 300-302
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 110-112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 517
  
  ページ: 110-112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 110-112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Self- Limitedly B Adsorbed Si_<1-x>Ge_x (100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008
- 著者名/発表者名
  K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517
  
  ページ: 229-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol. 254
  
  ページ: 6265-6267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[雑誌論文] Self-Limited Growth of Si on B Atomic-Layer Formed Ge(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008
- 著者名/発表者名
  T.Yokogawa、K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
  
  ページ: 6090-6093
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 346-349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 346-349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot Carrier Degradation of SiGe/Si Heterointerface and Experimental Estimation of Density of Locally Generated Heterointerface Traps2007
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya、S.Mishima、M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.46、No.8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.11
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.46,no.8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(100) using ECR plasma CVD without substrate heating2007
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol Vol.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2007
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba、R.Ito、T.Seo, J.Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol.11、No.6
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Prder Hterostructures of Si/Strained Si_<1-x> Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[雑誌論文] Strain Control of Si and Si_<1-x>Ge_x Layers in the Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures by Stripe-Shape Patterning for Future Si-Based Devices2007
- 著者名/発表者名
  J.Murota、J.Uhm, M.Sakuraba
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol.11、No.6
  
  ページ: 91-99
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, S.Mishima, M.Sakuraba, and J.Murota
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.46, no.8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[雑誌論文] Epitaxial Growth of Highly Strained Si on Relaxed Ge/Si(100) Using ECR Plasma CVD without Substrate Heating2007
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, M. Sakuraba and J. Murota
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol. Vol.22, No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] "Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol. 46, no. 8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si0. 8Ge0. 2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD2007
- 著者名/発表者名
  R. Ito, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol Vol.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructuresof Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si (100)(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si (100)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol. 11(Invited Paper)
  
  ページ: 131-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[雑誌論文] Photo detection characteristics of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si p-i-n diodes integrated with optical waveguides2006
- 著者名/発表者名
  A.Yamada, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 399-401
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol. 126・no. 9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  
  ページ: 83-84
- NAID
  10018312310
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] "SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生,"2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Seiji Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
  
  ページ: 15-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
  
  ページ: 21-24
- NAID
  110004813188
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508・Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] "Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 508, Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) hetereostructures2006
- 著者名/発表者名
  J.Uhm, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 239-242
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Effect of grain boundary on electrical characteristics in B- and P-doped polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y film deposited by ultraclean LPCVD2006
- 著者名/発表者名
  H.Shim, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 36-39
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD2006
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba et al.
- 雑誌名
  
  Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)
  
  ページ: 99-100
- NAID
  10018312379
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508,Issues1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Characterization of hot-carrier degraded SiGe/Si-hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 326-328
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS. vol.126,no.9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS. vol.126,no.9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Surface reaction and B atom segregation in ECR chlorine plasma etching of B-doped Si_<1-x>Ge_x epitaxial films2006
- 著者名/発表者名
  H.-S.Cho, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 301-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, M.Sakuraba, and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508, Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 508・Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Seiji Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
  
  ページ: 15-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
  
  ページ: 21-24
- NAID
  110004813188
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] ,"BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET,"2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Carbon effect on strain compensation in Si_<1-x-y>Ge_xC_y films epitaxially grown on Si(100)2006
- 著者名/発表者名
  H.Nitta, J.Tanabe, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 140-142
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol. 126・no. 9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Thermal effect on strain relaxation in Ge films epitaxially grown on Si(100) using ECR plasma CVD2006
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508
  
  ページ: 143-146
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  
  ページ: 83-84
- NAID
  10018312310
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar-Plasma-Enhanced GeH_4 Reaction2005
- 著者名/発表者名
  K.Sugawara, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 69-72
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Integration of Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector with Optical Waveguides2005
- 著者名/発表者名
  A.Yamada, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 435-438
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005
- 著者名/発表者名
  J.Murota, M.Sakuraba, B.Tillack
- 雑誌名
  
  Proc.Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of Electrochem.Soc., Quebec City, Canada, May 15-20, 2005)
  
  ページ: 53-66
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Epitaxial Growth of SiGe Alloy and Its Atomic Layer Control (Technical Review Paper)(in Japanese)2005
- 著者名/発表者名
  J.Murota, M.Sakuraba
- 雑誌名
  
  VACUUM (The Vacuum Society of Japan) Vol.48, No.1
  
  ページ: 8-12
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 121-124
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma2005
- 著者名/発表者名
  M.Mori, T.Seino, D.Muto, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 65-68
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands for Advanced CMOS LSIs Application2005
- 著者名/発表者名
  T.Yamazaki, S.Ohmi, S.Morita, H.Ohri, J.Murota, M.Sakuraba, H.Ohmi, T.Sakai
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron Vol.E88-C
  
  ページ: 656-661
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Sidewall Protection by Nitrogen, Oxygen in Poly-Si_<1-x>Ge_x Anisotropic Etching Using Cl_2/N_2/O_2 Plasma2005
- 著者名/発表者名
  H.-S.Cho, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 239-243
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications2005
- 著者名/発表者名
  T.Yamazaki, S.Ohmi, S.Morita, H.Ohri, J.Murota, M.Sakuraba, H.Omi, Y.Takahashi, T.Sakai
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 59-63
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) byUltraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005
- 著者名/発表者名
  T.Kurosawa, T.Komatsu, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 125-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御2005
- 著者名/発表者名
  室田淳一, 櫻庭政夫
- 雑誌名
  
  真空 48
  
  ページ: 8-12
- NAID
  10014381754
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Proposal of a Multi-Layer Channel MOSFET : The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers2004
- 著者名/発表者名
  D.Sasaki, S.Ohmi, M.Sakuraba, J.Murota, T.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 270-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD2004
- 著者名/発表者名
  D.Lee, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota, T.Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 254-259
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(1002004
- 著者名/発表者名
  M.Fujiu, K.Takahashi, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 206-209
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004
- 著者名/発表者名
  J.Murota, M.Sakuraba, B.Tillack
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena Vol.95-96
  
  ページ: 607-616
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth2004
- 著者名/発表者名
  D.Muto, M.Sakuraba, T.Seino, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 210-214
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42004
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 197-201
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Formation of Heavily P-Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique2004
- 著者名/発表者名
  Y.Shimamune, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 202-205
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P), Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004
- 著者名/発表者名
  J.Noh, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 77-81
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] W Delta Doping in Si(100) Using Ultraclean Low-Pressure CVD2003
- 著者名/発表者名
  T.Kanaya, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 684-688
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Si Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth Process Using Alternate Exposure of Si(100) to SiH_4 and to Ar Plasma2003
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba, D.Muto, T.Seino, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 197-200
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(100) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment2003
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, M.Fujiu, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 193-196
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Contact Resistivity between Tungsten and Impurity (P and B)-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Layer2003
- 著者名/発表者名
  J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 679-683
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Si Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth Process Using Alternate Exposure of Si(100) to SiH_4 and to Ar Plasma2003
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 197-200
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42003
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.82, No.20
  
  ページ: 3472-3474
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Work Function of Impurity-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean Low-Pressure CVD2003
- 著者名/発表者名
  H.Shim, M.Sakuraba, T.Tsuchiya, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.212-213
  
  ページ: 209-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[学会発表] Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication2019
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba and S. Sato
- 学会等名
  2019 Collaborative Conf. on Materials Research (CCMR), Gyeonggi Goyang/Seoul, South Korea, June 3-7, 2019, Abs. pp.100-104
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18987
[学会発表] Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices2019
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba and S. Sato
- 学会等名
  Symp. G03: Semiconductor Process Integration 11, 236th Meeting of the Electrochem. Soc., Atlanta, GA, Oct. 13-17, 2019, Abs.No.G03-1164
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18987
[学会発表] Characterization of Strain in Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2014
- 著者名/発表者名
  N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
- 学会等名
  7th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Abs.No.P-21.
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Characterization of Strain in Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2014
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S. ato
- 学会等名
  7th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-21)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Tunneling Characteristics in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2013
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-15)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing2013
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8
- 発表場所
  San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2226)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-4)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Formation and Characterization of Strained Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8
- 発表場所
  San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2228)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing (Invited Paper)2013
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba and J. Murota
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.195-200, Abs.No.2226.
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2013
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-27)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-GeH4 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
- 学会等名
  Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-8.
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Ge on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from GeH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-18)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, 他
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.D-3)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-16)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.207-211, Abs.No.2228.
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, M. Sakuraba and J. Murota
- 学会等名
  Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-4.
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y.Abe, S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8
- 発表場所
  San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2230)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, S. Kubota, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
- 学会等名
  Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.223-228, Abs.No.2230.
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawashima, M. Sakuraba and J. Murota
- 学会等名
  Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-27.
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of Si_<1-x>Ge_x Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH_4-GeH_4 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-8)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Epitaxial Growth of Si_<1-x>Ge_x on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH_4-GeH_4 Gas Mixture without Substrate Heating2013
- 著者名/発表者名
  N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
- 学会等名
  6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-17)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room- Temperature Resonant Tunneling Diode2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration 7
- 発表場所
  Boston, USA (Abs. 220th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2147)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room-Temperature Resonant Tunneling Diode2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  Symp.E9 : ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem.Soc.)
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Fabrication of Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Atomically Controlled Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  4th French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (Frontier 2011)
- 発表場所
  Sendai, Japan(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  Symp.E9 : ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem.Soc.)
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Fabrication of Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Atomically Controlled Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  4th French Research Organizations - Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (Frontier 2011)
- 発表場所
  Sendai, Japan (p.35)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Behavior of N Atoms after Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x Surface2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima, M.Sakuraba, B.Tillack and J.Murota
- 学会等名
  7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
- 発表場所
  Leuven, Belgium (Abs.No.1171)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba and J.Murota
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration 7
- 発表場所
  Boston, USA (Abs. 220th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2152)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360003
[学会発表] Evolution of the Hydrogen Terminated Structure of the Si(100) Surface and Its Interaction with H_2 at 20-800℃2010
- 著者名/発表者名
  A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)
- 発表場所
  Stockholm、Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures Using Atomically Controlled Plasma Processing2010
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Adsorption and Desorption of Hydrogen on Si(100) in H_2 or Ar Heat Treatment2010
- 著者名/発表者名
  A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] In-Situ Heavy B-Doped Si Epitaxial Growth on Tensile-Strained Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD Using SiH_4 and B_2H_62010
- 著者名/発表者名
  M.Nagato、M.Sakuraba、J.Murota、B.Tillack、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
- 学会等名
  5th Int.SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM2010)
- 発表場所
  Stockholm、Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth2010
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  10th IEEE Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
- 発表場所
  Shanghai、China(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Effect of Heavy Carbon Atomic-Layer Doping upon Intermixing and Strain at Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterointerface2010
- 著者名/発表者名
  T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Influence of Strain on P Atomic-Layer Doping Characteristics in Strained Si_<0.3>Ge_<0.7>/Si(100) Heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)
- 発表場所
  Stockholm、Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures Using Atomically Controlled Plasma Processing (Invited Paper)2010
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、T. Nosaka、K. Sugawara, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Heavy P Atomic-Layer Doping between Si and Si_<0.3>Ge_<0.7>(100) by Ultraclean Low Pressure CVD2010
- 著者名/発表者名
  Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] N Atomic-Layer Doping in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure Growth by Low-Pressure CVD2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Mobility Enhancement by Highly Strained Si on Relaxed Ge(100) Buffer Grown by Plasma CVD2010
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Impact of Si Cap Layer Growth on Surface Segregation of P Incorporated by Atomic-Layer Doping of Strained Si_<1-x>Ge_x2009
- 著者名/発表者名
  Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)
- 発表場所
  Los Angeles、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2009
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  1st Int. Workshop on Si Based Nano-Electronics and -Photonics (SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo、Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Sil-xGex Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)2009
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba
- 学会等名
  1st Int.Workshop on Si Based Nano-Electronics and -Photonics(SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba
- 学会等名
  2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba
- 学会等名
  1st Int.Workshop on Si Based Nano-Electronics and-Photonics(SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Atomically Controlled Processing for Group-IV Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  J.Murota, M.Sakuraba
- 学会等名
  2009 Int.Conf.on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs.TFT)
- 発表場所
  Xi'an、China(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma2009
- 著者名/発表者名
  T. Nosaka、M. Sakuraba、B. Tillack, J. Murota
- 学会等名
  6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Heavy Carbon Atomic-Layer Doping at Si_<1-x>Ge_x/Si Heterointerface2009
- 著者名/発表者名
  T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)
- 発表場所
  Los Angeles、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  1st Int. Workshop on Si Based Nano-Electronics and-Photonics (SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Heavy Nitrogen Atomic-Layer Doping of Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy andHeterostructures (ICSI-6)
- 発表場所
  Los Angeles、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Electrical Characteristics of B-Doped Highly Strained Si Films Epitaxially Grown on Ge(100) Formed by Plasma CVD2009
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Los Angeles、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  Symp. E10 : ULSI Process Integration 6 (216th Meeting of the Electrochem.Soc.)
- 発表場所
  Vienna、Austria(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures2009
- 著者名/発表者名
  M.Sakuraba
- 学会等名
  Symp.E10 : ULSI Process Integration 6(216th Meeting of the Electrochem.Soc.)
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures2009
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, K. Sugawara, J. Murota
- 学会等名
  Symp. E10: ULSI Process Integration 6、(216th Meeting of the Electrochem. Soc. )
- 発表場所
  Vienna、Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures2009
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed inthe Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface SpecialistConference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Application of Relaxed Ge/Si(100) by ECR Plasma CVD to Highly Strained B Doped Si2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma2008
- 著者名/発表者名
  T. Nosaka、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, K.Yoshida, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部2008年度学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K2008
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi, T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部2008年度学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron- Resonance Plasma2008
- 著者名/発表者名
  T. Nosaka, M. Sakuraba and J. Murota
- 学会等名
  Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya, Japan, No.ZO-5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe / Si (100) Heterostructures with High Ge Fraction2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  第10回IEEE広島支部学生シンポジウム(IEEE HISS)
- 発表場所
  広島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  第10回IEEE広島支部学生シンポジウム(IEEE HISS)
- 発表場所
  広島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100)Heterostructures with High Ge Fraction2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Seo、Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu (Taiwan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction2008
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100)2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara, M. Sakuraba and J. Murota
- 学会等名
  Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya, Japan, No. ZP-9.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 学会等名
  電気学会電子材料研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, K.Yoshida, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (IEEE SISC)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu (Taiwan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Heavy B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on B Adsorbed Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008
- 著者名/発表者名
  H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  4th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
- 発表場所
  Hsinchu、Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Nitrogen Atomic-Layer Doping in Nanometer-Order Heterostructure of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2008
- 著者名/発表者名
  T.Kawashima、M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  Symp.Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices、Int.Union of Mat.Res.Soc.-Int.Conf.in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008)
- 発表場所
  Nagoya、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Future Si-Based Devices2008
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  9th Int.Conf.on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2008)
- 発表場所
  Beijing、China(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 学会等名
  電気学会電子材料研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Atomically Controlled Processing in Si-Based CVD Epitaxial Growth2008
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices"、Int.Union of Materials Research Society-Int.Conf.in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya、Japan(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0. 5) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200 K2008
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi、T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Change of H-Termination on Wet-Cleaned Si(100) and Ge(100) by Heat-Treatment in H_2 or Ar2008
- 著者名/発表者名
  A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
- 学会等名
  4th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
- 発表場所
  Hsinchu、Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth2008
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  8th Int.Conf.on Atomic Layer Deposition (ALD 2008)
- 発表場所
  Bruges、Belgium(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] "Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Epitaxial Growth of B Atomic-Layer Doped Si Film on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma2008
- 著者名/発表者名
  T. Nosaka、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100)2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Local Strain in Si/Si_<0.6>Ge_<0.4>/Si(100) Heterostructures by Stripe-Shape Patterning2007
- 著者名/発表者名
  J.Uhm、M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2007
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille (France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Reliability and Instability of a SiGe/Si-Hetero-Interface In Hetero-Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya、M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、D. Muto、M. Mori、K. Sugawara、J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Characterization of Temperature-Dependent Hole Resonant Tunneling Properties with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper), Symp. E9 : ULSI2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
- 学会等名
  Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
- 発表場所
  Washington, DC, USA(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] "Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, and J. Murota
- 学会等名
  Symp. E9 : ULSI Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
- 発表場所
  Washington, DC, USA, Abst.No.1283.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc. )
- 発表場所
  Washington, DC、USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Atomically Controlled Technology for Group IV Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
- 学会等名
  4th Int.Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices
- 発表場所
  Jeju、Korea(Invited Paper)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Structural Change of Atomic-Order Nitride Formed on Si_<1-x>Ge_x(100) and Ge(100) by Heat Treatment2007
- 著者名/発表者名
  N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] "Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille(France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] High Ge Fraction Intrinsic SiGe-Heterochannel MOSFETs with Embedded SiGe Source/Drain Electrode Formed by In-Situ Doped Selective CVD Epitaxial Growth2007
- 著者名/発表者名
  S.Takehiro、M.Sakuraba、T.Tsuchiya, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Characterization of Temperature-Dependent Hole Resonant Tunneling Properties with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Behavior of N Atoms on Atomic-Order Nitrided Si_<0.5>Ge_<0.5>(100)2007
- 著者名/発表者名
  N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Self-Limited Growth of Si on B Atomic-Layer Formed Ge(100) by Ultraclean Low- Pressure CVD System2007
- 著者名/発表者名
  T.Yokogawa、K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
- 学会等名
  5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x> Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration 5(212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
- 発表場所
  Washington, DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Heavily Atomic-Layer Doping of B in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2007
- 著者名/発表者名
  H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
- 学会等名
  5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x> Ge_x Epitaxially Grown on Si (100) (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
- 発表場所
  Washington, DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360002
[学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba
- 学会等名
  Symp. E9: ULSI Process Integration5(212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
- 発表場所
  Washington, DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara and J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France, No.S1-I3.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Hachioji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Si Epitaxial Growth on Self-Limitedly B Adsorbed Si_<1-x>Ge_x(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2007
- 著者名/発表者名
  K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
- 学会等名
  5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille、France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206032
[学会発表] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2007
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD2006
- 著者名/発表者名
  T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD2006
- 著者名/発表者名
  M. Sakuraba、D. Muto、M. Mori、K. Sugawara、J. Murota
- 学会等名
  Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, S.Mishima, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (IEEE SISC)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain,"2006
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain2006
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability2006
- 著者名/発表者名
  K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063001
[学会発表] "Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174

1. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 18件

共同の研究成果数: 198件
2. 松浦孝 (60181690)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
3. 竹廣忍 (70344736)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 15件
4. 佐藤茂雄 (10282013)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
5. 土屋敏章 (20304248)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 63件
6. 鷲尾勝由 (20417017)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 目黒敏靖 (50182150)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 三島誠史

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
9. 吉田啓一

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
10. 森祐樹

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
11. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 川島知之 (40708450)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 山本英明 (10552036)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 最上徹

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 森村由太

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 片山竜二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 山本裕司

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

櫻庭 政夫 SAKURABA Masao

桜庭 政夫 サクラバ マサオ

櫻場 政夫 サクラバ マサオ

研究課題

研究成果

共同研究者

３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

櫻庭政夫 SAKURABA Masao

桜庭政夫サクラバマサオ

櫻場政夫サクラバマサオ