長島礼人 NAGASHIMA Ayato

研究者番号	30277834
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2006年度: 山梨大学, 教育人間科学部, 助教授 2001年度 – 2003年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 2002年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科(物性物理学専攻), 助手
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性研究代表者以外理工系 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者表面・界面物性 / 磁気輸送特性 / ナノコンタクト / 走査プローブ顕微鏡 / スピンエレクトロニクス / 磁気記録 / 磁性探針 / 電流注入 / 磁化制御 / 走査トンネル顕微鏡 / 磁性 / ナノ構造 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る BEEM / GaMnAs / MnAs / GaAs(001)c(4x4) / 半導体 / BEES / scanning tunneling microscope / spin-dependent transport properties / tunneling magnetoresistance / magnetic semiconductors / semiconductor-magnetic materials nano-structures / スピントロニクス / III-V族希薄磁性半導体 / 磁性体ナノドット / スピン偏極電子 / スピン依存電気伝導 / GaAs(100) c(4x4) / 磁化誘起第2次高調波発生 / STM / スピン依存トンネル現象 / TMR構造 / 走査トンネル顕微鏡 / スピン依存輸送現象 / トンネル磁気抵抗 / 磁性半導体 / 磁性体ナノ構造 / magnetic-material heterostructures / Semiconductor / Ballistic electron emission microscopy / GaAs / Fe / LEED-IV解析 / GaAs(100) c(4x4)構造 / 半導体接合 / 強磁性金属 / 磁性体ヘテロ構造 / 弾道電子放出顕微鏡隠す

超高密度磁気記録を室温・大気環境で実現するための新規な記録方式の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  長島礼人
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  山梨大学
磁性ナノ構造の形成と新機能創出研究代表者
- 研究代表者
  
  長島礼人
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
表面成長基礎過程制御による磁性半導体への不純物の超高濃度ドープと表面ナノ構造形成
- 研究代表者
  
  吉野淳二
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
弾道電子放出顕微鏡による半導体/磁性体ヘテロ構造における磁気輸送機構の解明
- 研究代表者
  
  吉野淳二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2004 2002

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima, A.Nishimura, T.Kawakami, J.Yoshino
- 雑誌名
  
  Surface Science 564
  
  ページ: 218-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450009
[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima
- 雑誌名
  
  Surface Science 564
  
  ページ: 218-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450009
[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima
- 雑誌名
  
  Surface Science 564
  
  ページ: 218-224
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076211
[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima et al.
- 雑誌名
  
  Sur. Sci. 564
  
  ページ: 218-224
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076211
[雑誌論文] Formation of iron silicide nanodots on Si(111)-Ag2002
- 著者名/発表者名
  Y.Takagi, A.Nishimura, A.Nagashima, J.Yoshino
- 雑誌名
  
  Surface Science 514
  
  ページ: 167-171
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450009
[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-tempertature growth of GaAs(001)2002
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima
- 雑誌名
  
  Surface Science 514
  
  ページ: 350-355
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450009
[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001)2002
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima, M.Tazima, A.Nishimura, Y.Takagi, J.Yoshino
- 雑誌名
  
  Surface Science 514
  
  ページ: 350-355
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450009
[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001)2002
- 著者名/発表者名
  A.Nagashima et al.
- 雑誌名
  
  Surf. Sci. 514
  
  ページ: 350-355
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076211

1. 吉野淳二 (90158486)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. 南不二雄 (30200083)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 小川佳宏 (50372462)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

長島 礼人 NAGASHIMA Ayato

研究課題

研究成果

共同研究者

超高密度磁気記録を室温・大気環境で実現するための新規な記録方式の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性ナノ構造の形成と新機能創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面成長基礎過程制御による磁性半導体への不純物の超高濃度ドープと表面ナノ構造形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

弾道電子放出顕微鏡による半導体/磁性体ヘテロ構造における磁気輸送機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Formation of iron silicide nanodots on Si(111)-Ag2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-tempertature growth of GaAs(001)2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001)2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001)2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

長島礼人 NAGASHIMA Ayato