大見俊一郎 Oomi Syunichirou

研究者番号	30282859
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2022年度: 東京工業大学, 工学院, 准教授 2016年度 – 2017年度: 東京工業大学, 工学院, 准教授 2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 2007年度 – 2010年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 2001年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 … もっと見る 1999年度 – 2000年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 1997年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 1997年度: 東工大, 精密工学研究所, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系
キーワード	研究代表者不揮発性メモリ / RFマグネトロンスパッタ法 / ECRスパッタ法 / 強誘電体薄膜 / 高周波(RF)マグネトロンスパッタ法 / 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法 / Si表面原子レベル平坦化 / 不揮発性多値メモリ / 高周波（RF）マグネトロンスパッタ法 / 電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法 … もっと見る / 高誘電率薄膜 / 強誘電体 / 電荷蓄積 / 分極 / ルブレン / ペンタセン / 窒素添加六ホウ化ランタン / トップゲート構造 / しきい値制御 / 疑似相補型トランジスタ / 集積化 / 微細化 / 低仕事関数金属 / 界面制御 / 相補型トランジスタ / 有機絶縁体 / 有機半導体 … もっと見る研究代表者以外 MOSFET / SrBi_2Ta_2O_9 / ゲート絶縁膜 / ML-MOSFET / SBSI / TML-MOSFET / SiGe / La_2O_3 / HfO_2 / metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) / 強誘電体メモリ / YMnO_3 / SOI / 強誘電体 / 強誘電体ゲートトランジスタ / 不揮発性メモリ / HfNO / lateral selective etching of SiGe / hydoro-nitric acid / PtSi / HfON / i-SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸溶液 / HfNO薄膜 / SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸 / ML-MOFET / Dielectric constant / Maximum entropy concept / Rare oxide film / High dielectric constant film / gate insulators / Angle-resolved photoelectron spectroscopy / photoelectron spectroscopy / Synchrotron radiation / 硬X線 / シリコン界面 / 高エネルギー光電子分光法 / 希土類金属酸化膜 / 電子帯構造 / 誘電率 / 最大エントロピー法 / 希土類酸化膜 / 高誘電率膜 / 角度分解光電子分光法 / 光電子分光法 / 放射光 / molecular beam deposition (MBD) / gate insulator / high-dielectric-constant (high-K) material / SrZrO_3 / ZrO_2 / ゾルゲル法 / ランタニア / ハフニア / 分子線蒸着法 / 有機金属化学気相堆積法 / 高誘電率材料 / plasma-assisted MOCVD / ferroelectric memory / 酸素プラズマ / プラズマ / 有機金属気相成長法(MOCVD) / ferroelectric-gate transistor / neural network / non-volatile memory / ferroelectrics / ニューラルネット / Silicon / Memory / Ferroelectric / Si / PbZr_<1-x>Ti_xO_3 / MFSFET / シリコン / メモリ / C_60 / TrFE / PVDF / ペンタセン / PVDF/TrFE / フレキシブルメモリ / 有機半導体 / 有機強誘電体 / 集積回路 / 電子デバイス / 吸湿性 / 低温長時間アニール / Chemical Oxide / 極浅接合 / ガスドーピング / SiO_2換算膜厚 / リーク電流 / レーザーアニール / 拡散層 / プラズマドーピング / 高誘電率 / MBE / LSI / CMOS 隠す

分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  大見俊一郎
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
トップゲート構造による集積化単一有機半導体相補型トランジスタに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大見俊一郎
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
フレキシブル有機強誘電体メモリにおける低電圧・高集積回路の研究
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
サブ10ナノメータ級チャネル多層化新構造MOSFET/SOIの研究
- 研究代表者
  
  酒井徹志
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
グローバル・デバイス・インテグレーション技術の創製
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
次世代MOSFETゲート用高誘電率材料の系統的探索と物性制御
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
   東京工業大学
強誘電体薄膜の低温MOCVD技術の開発
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
高誘電体薄膜の超高清浄シリコン基板上への形成研究代表者
- 研究代表者
  
  大見俊一郎
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
不揮発性強誘電体ゲートトランジスタの記憶特性の解明とニューラルネットへの応用
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学

[図書] 2020版　薄膜作製応用ハンドブック, 第3章第1節 “誘電率・分極”2020
- 著者名/発表者名
  権田俊一監修，大見俊一郎, 工藤聡也（分担）
- 総ページ数
  1468
- 出版者
  ㈱エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860436315
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application2023
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 新材料による革新的強誘電体メモリの創製　ハフニウム系強誘電体が究極の半導体メモリを実現する2022
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎
- 雑誌名
  
  クリーンテクノロジー
  
  巻: 第３２巻, 第８号ページ: 45-50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用2022
- 著者名/発表者名
  朴炳垠,大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2022-60 ページ: 24-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The Effect of Inter Layers on the Ferroelectric Undoped HfO2 Formation2022
- 著者名/発表者名
 Masakazu TANUMA, Joong-Won SHIN, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E105.C 号: 10 ページ: 584-588
- DOI
 10.1587/transele.2021FUP0004
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2022-10-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 強誘電性ノンドープ HfO2薄膜を用いた MFSFET のしきい値電圧制御に関する検討2022
- 著者名/発表者名
  田沼将一,Joong-Won Shin, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2022-63 ページ: 38-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Sputtering Gas Pressure Dependence on the LaBxNy Insulator Formation for Pentacene-Based Back-Gate Type Floating-Gate Memory with an Amorphous Rubrene Passivation Layer2022
- 著者名/発表者名
 Eun-Ki HONG, Kyung Eun PARK, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E105.C 号: 10 ページ: 589-595
- DOI
 10.1587/transele.2021FUP0005
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2022-10-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Investigation of random telegraph noise characteristics of Hf-based MONOS nonvolatile memory devices with HfO2 and HfON tunneling layers2022
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Akio Ihara, and Shun-ichiro Ohmi,
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1066-SC1066
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac4893
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] MFSFET with 5nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Gate Insulator Utilizing Low Power Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition2022
- 著者名/発表者名
 Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA, Nonmembers, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E105.C 号: 10 ページ: 578-583
- DOI
 10.1587/transele.2021FUP0003
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2022-10-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Effects of sputtering power on the formation of 5 nm thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for MFSFET application2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SH ページ: SH1010-SH1010
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac6385
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 表面熱析出法を用いた単原子層 h-BN 薄膜/LaB6ヘテロ構造の作製とその評価2022
- 著者名/発表者名
  長岡克己,相澤俊,大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2022-57 ページ: 13-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Multi-level 2-bit/cell operation utilizing Hf-based metal/oxide/nitride/oxide/silicon nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layer2022
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Akio Ihara, Wendi Zhang, Shuma Nishino, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SB ページ: SB1001-SB1001
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac340c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Ultrathin Ferroelectric Nondoped HfO2 for MFSFET　with High-speed and Low-voltage Operation2022
- 著者名/発表者名
  J.W. Shin, M. Tanuma, J. Pyo, and S. Ohmi
- 雑誌名
  
  80th Device Research Conference (DRC)
  
  巻: - ページ: 73-74
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator2022
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki HONG, Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2022-61 ページ: 28-33
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2022-56 ページ: 9-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] MFSFET with Ferroelectric HfN for Analog Memory Application2022
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, A. Ihara, M. Tanuma, J.Y. Pyo, and J.W. Shin
- 雑誌名
  
  80th Device Research Conference (DRC)
  
  巻: - ページ: 77-78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Ferroelectric Hafnium Nitride Thin Films Directly Formed on Si(100) Substrate2021
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi、Y. Ohtaguchi、A. Ihara、H. Morita
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 9 ページ: 1036-1040
- DOI
  10.1109/jeds.2021.3123438
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Effect of Kr/O2-Plasma Reactive Sputtering on Ferroelectric Nondoped HfO2 Formation for MFSFET With Pt Gate Electrode2021
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi、 M. G. Kim、M. Kataoka、M. Hayashi、R. M. D. Mailig
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 68 号: 5 ページ: 2427-2433
- DOI
  10.1109/ted.2021.3064907
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2薄膜形成に関する検討2021
- 著者名/発表者名
  田沼将一, Joong-Won Shin, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2021-47 ページ: 12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] HfN multi charge trapping layers for Hf-based metal-oxide-nitride-oxide-Si nonvolatile memory2021
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, Y. Horiuchi, H. Morita, A. Ihara, and J.Y. Pyo
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBB03-SBBB03
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe09f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Post metallization annealing effect utilizing Pt gate electrode for MFSFET with ferroelectric nondoped HfO2 formed by Ar/O2-plasma sputtering2021
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi、Masakazu Kataoka、Masaki Hayashi
- 雑誌名
  
  MRS Advances
  
  巻: 6 号: 9 ページ: 259-263
- DOI
  10.1557/s43580-021-00065-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Investigation of the HfON Tunneling Layer of MONOS Device for Low-Voltage and High-Speed Operation Nonvolatile Memory Application2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo、Hiroki Morita、Akio Ihara、Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 34 号: 3 ページ: 323-327
- DOI
  10.1109/tsm.2021.3068458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for floating-gate memory applications2021
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki HONG and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2021-46 ページ: 8-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] MFSFET with 5 nm Thick Ferroelectric Undoped HfO2 Gate Insulator2021
- 著者名/発表者名
  J.W. Shin、M. Tanuma、S. Ohmi
- 雑誌名
  
  79th Device Research Conference, Conf. Dig.
  
  巻: 79 ページ: 29-30
- DOI
  10.1109/drc52342.2021.9467241
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layer for multi-bit/cell operation2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung PYO, Akio Ihara and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2021-48 ページ: 16-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Ferroelectric Nondoped HfO2 Blocking Layer Formation for Hf-based FeNOS Analog Memory Applications2021
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi、H. Morita、M. Hayashi、A. Ihara、J.Y. Pyo
- 雑誌名
  
  79th Device Research Conference, Conf. Dig.
  
  巻: 79 ページ: 67-68
- DOI
  10.1109/drc52342.2021.9467182
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The Effect of Si Surface Flattening Process on the MISFET With High-k HfNx Multilayer Gate Dielectrics2021
- 著者名/発表者名
  Akio Ihara、Hiroki Morita、Jooyoung Pyo、 Shun-Ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 34 号: 3 ページ: 328-332
- DOI
  10.1109/tsm.2021.3068475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Threshold Voltage Control for MONOS Nonvolatile Memory with High-k HfN/HfO2 Stacked Layers for Analog Memory Application2020
- 著者名/発表者名
  Shun-Ichiro Ohmi and Jooyoung Pyo
- 雑誌名
  
  International Conference on Processing & Manufactureing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications, Materials Science Forum
  
  巻: 1016 ページ: 1065-1070
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] In-Situ N2-Plasma Nitridation for High-k HfN Gate Insulator Formed by Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering2020
- 著者名/発表者名
 Shun-ichiro OHMI, Shin Ishimatsu, Yusuke Horiuchi, and Sohya Kudoh
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E103.C 号: 6 ページ: 299-303
- DOI
 10.1587/transele.2019FUP0001
- NAID
 130007850079
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2020-06-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Reduction of process temperature for Si surface flattening utilizing Ar/H2 ambient annealing and its application to SOI-MISFETs with bilayer HfN high-k gate insulator2020
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yusuke Horiuchi and, Sohya Kudoh
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 59 号: SC ページ: SCCB02-SCCB02
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab5173
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Improvement of Hf-based Metal/Oxide/Nitride/Oxide/Si Nonvolatile Memory Characteristics by Si Surface Atomically Flattening2020
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yusuke Horiuchi, and Sohya Kudoh
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 59
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET2020
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. MAILIG, Yuichiro ARUGA, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2020-17 ページ: 16-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Bias-voltage-dependent measurement of apparent barrier height on low-work-function thin film2020
- 著者名/発表者名
  Katsumi Nagaoka and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology
  
  巻: B 38 号: 6 ページ: 62801-62801
- DOI
  10.1116/6.0000436
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors with 10nm Thick Nondoped HfO2 Utilizing Pt Gate Electrodes2020
- 著者名/発表者名
 Min Gee KIM, Masakazu KATAOKA, Rengie Mark D. MAILIG, Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E103.C 号: 6 ページ: 280-285
- DOI
 10.1587/transele.2019FUP0005
- NAID
 130007850083
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2020-06-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The Evaluation of the Interface Properties of PdEr-Silicide on Si(100) Formed with TiN Encapsulating Layer and Dopant Segregation Process2020
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. MAILIG, Min Gee KIM, Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E103.C 号: 6 ページ: 286-292
- DOI
  10.1587/transele.2019FUP0006
- NAID
  130007850082
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 年月日
  2020-06-01
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The Effect of Kr/O2 Sputtering on the Ferroelectric Properties of SrBi2Ta2O9 Thin Film Formation2019
- 著者名/発表者名
 B. Zeng, J. Liao, Q. Peng, M. Liao, Y. Zhou, and S. Ohmi
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E102.C 号: 6 ページ: 441-446
- DOI
 10.1587/transele.2018FUP0005
- NAID
 130007657493
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2019-06-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Low Temperature Formation of Pd2Si with TiN Encapsulating Layer and Its Application to Dopant Segregation Process2019
- 著者名/発表者名
 R. M. D. Mailig and S. Ohmi
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E102.C 号: 6 ページ: 447-452
- DOI
 10.1587/transele.2018FUP0001
- NAID
 130007657485
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2019-06-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The Effect of PMA with TiN Gate Electrode on the Formation of Ferroelectric Undoped HfO2 Directly Deposited on Si(100)2019
- 著者名/発表者名
 M. G. Kim and S. Ohmi
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E102.C 号: 6 ページ: 435-440
- DOI
 10.1587/transele.2018FUP0002
- NAID
 130007657484
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2019-06-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application2019
- 著者名/発表者名
  Min Gee KIM, Masakazu KATAOKA, Masaki HAYASHI, Rengie Mark D. MAILIG, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2019-56 ページ: 17-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications2019
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. MAILIG, Yuichiro ARUGA, Min Gee KIM, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
  
  巻: SDM2019-61 ページ: 39-43
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] The influence of Hf interlayers for Ferroelectric Non-Doped HfO2 with Suppressing the interfacial Layer Formation2019
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Masakazu Kataoka, and Min Gee Kim
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: SI ページ: SIIB16-SIIB16
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab19b1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Scanning tunneling spectroscopy study of 20 nm-thick nitrogen-doped lanthanum hexaboride thin film2019
- 著者名/発表者名
  K. Nagaoka, W. Hayami, S. Ohmi
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 170 ページ: 108973-108973
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer2019
- 著者名/発表者名
  Jooyoung PYO, Yusuke HORIUCHI, and Shun-ichiro OHMI
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2019-57 ページ: 21-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 多層電荷蓄積層を用いたHf 系 MONOS 型不揮発性多値メモリに関する検討2019
- 著者名/発表者名
  堀内勇介, 表柱栄, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2019-58 ページ: 25-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜の Si(100)基板上への直接形成2019
- 著者名/発表者名
  片岡正和, 林将生, Min Gee Kim, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2019-54 ページ: 7-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Etching Control of HfN Encapsulating Layer for PtHf-Silicide Formation with Dopant Segregation Process2019
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, Y. Tsukamoto, and R. M. D. Mailig
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E102.C 号: 6 ページ: 453-457
- DOI
  10.1587/transele.2018FUP0003
- NAID
  130007657492
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 年月日
  2019-06-01
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[雑誌論文] Electron Injection of N-type Pentacene-Based OFET with Nitrogen-Doped LaB6 Bottom-Contact Electrodes2018
- 著者名/発表者名
 Yasutaka Maeda, Mizuha Hiroki, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E101.C 号: 5 ページ: 323-327
- DOI
 10.1587/transele.E101.C.323
- NAID
 130006729709
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2018-05-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-15K13969, KAKENHI-PROJECT-18J14821
[雑誌論文] Investigation of pentacene growth on SiO2 gate insulator after photolithography for nitrogen-doped LaB6 bottom-contact electrode formation2018
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, Mizuha Hiroki, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FL13-04FL13
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fl13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969, KAKENHI-PROJECT-18J14821
[雑誌論文] Top-gate pentacene-based organic field-effect transistor with amorphous rubrene gate insulator2018
- 著者名/発表者名
  Mizuha Hiroki, Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 2S2 ページ: 02CA08-02CA08
- DOI
  10.7567/jjap.57.02ca08
- NAID
  210000148645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] Steep subthreshold swing of pentacene-based organic field-effect transistor with nitrogen-doped LaB6 interfacial layer2017
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CL06-04CL06
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cl06
- NAID
  210000147643
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] Effect of Nitrogen-Doped LaB6 Interfacial Layer on Device Characteristics of Pentacene-Based OFET2017
- 著者名/発表者名
 Yasutaka Maeda, Shun-ichiro Ohmi, Tetsuya Goto and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E100.C 号: 5 ページ: 463-467
- DOI
 10.1587/transele.E100.C.463
- NAID
 130005631609
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討2017
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎, 廣木瑞葉, 張鴻立, 前田康貴
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2017-4 ページ: 15-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] Narrow Line Crystallization of Rubrene Thin Film Enhanced by Yb Interfacial Layer for Single Crystal Channel OFET Application2017
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Mizuha Hiroki, and Yasutaka Maeda
- 雑誌名
  
  75th Device Research Conference Conf. Dig.
  
  巻: 75 ページ: 183-184
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討2017
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 劉野原, 廣木瑞葉, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: SDM2017-54 ページ: 25-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] 低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性2016
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎、前田康貴、古山脩、廣木瑞葉
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会　信学技報
  
  巻: 116 ページ: 11-15
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 廣木瑞葉, 大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 116 ページ: 31-34
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] High Quality Pentacene Film Formation on N-doped LaB6 Donor Layer2016
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, Shun-ichiro Ohmi, Tetsuya Goto, and Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron.
  
  巻: E99-C ページ: 535-540
- NAID
  130005148972
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討2015
- 著者名/発表者名
  前田康貴、劉野原、大見俊一郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会　信学技報
  
  巻: 115 ページ: 49-52
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[雑誌論文] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2011
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.on Electronics E94-C
  
  ページ: 767-770
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2011
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.on Electronics
  
  巻: E94-C(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Study on stability of pentacene-based metal-oxide-semiconductor diodes in air using capacitance-voltage characteristics2009
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Study on stability of pentacene-based metal-oxide-semiconductor diodes in air using capacitance-voltage characteristics2009
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, J.Nishida, Y.Yamashita, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Electrical Characteristics and Stability of Pentacene Field-Effect Transistors in Air Using HfO_2 as a Gate Insulator2009
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings 1115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S. Ohmi, B-E. Park, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol. 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly(vinyliden fluoride-trifluoro-ethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W.Yoon, S.Ohmi, B-E.Park, H.Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Impact of Kr gas mixing in oxygen plasma etching of ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films2008
- 著者名/発表者名
  J-W. Yoon, S. Ohmi, B-E. Park, H. Ishiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
  
  ページ: 162904-162906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[雑誌論文] Thermal Stability of LaO_x/Si Interfacial Transition Layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 87-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers : Separation by Bonding Si Islands Technology (SBSI)2004
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi et al.
- 雑誌名
  
  Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors : Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices
  
  ページ: 77-78
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Electrical Characteristics for Lu_2O_3 Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method2004
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi, M.Takeda, H.Ishiwara, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society 151
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SoGe stacked layers2004
- 著者名/発表者名
  D, Sasaki, S, Ohmi, M.Sakuraba, J.Murota, T.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci.224 2004 270 283 224
  
  ページ: 270-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Characterization of AlON this films formed by ECR plasma oxidation ofAlN/Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Go Yamanaka, Tetsushi Sakai
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron E87-C
  
  ページ: 24-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Characterization of AlON thin films formed by ECR plasma oxidation of AlN/Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi et al.
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electon. E87-C
  
  ページ: 24-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu_2O_3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics2003
- 著者名/発表者名
  C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 302-306
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Characterization of La_2O_3 and Yb_2O_3 Thin Films for High-k Gate Insulator Application2003
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi, C.Kobayashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, H.Ishiwara, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society 150
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high・k rare earth oxide gate dielectrics2003
- 著者名/発表者名
  C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 302-306
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] AlON thin films formed by ECR plasma oxidation for high-k gate insulator application
- 著者名/発表者名
  Go Yamanaka, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp: proc. 786
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[産業財産権] 強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置2022
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 積層体、積層体を含む電子源及び電子デバイス、並びに積層体の製法及び浄化方法2021
- 発明者名
  長岡克己, 相澤俊,　大見俊一郎
- 権利者名
  長岡克己, 相澤俊,　大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-154427
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 半導体装置および浮遊ゲートデバイスの製造方法2021
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 半導体装置および浮遊ゲートデバイスの製造方法2021
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-082485
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置2021
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 半導体装置2021
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[産業財産権] 分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリ2019
- 発明者名
  大見俊一郎
- 権利者名
  大見俊一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-122028
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO22023
- 著者名/発表者名
  Xinyue Zhang, Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] ReRAM characteristics utilizing pentacene/LaBxNy insulator stacked structure2023
- 著者名/発表者名
  Feng Hao Li, Eun Ki Hong, Jia Ang Zhao, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Effects of plasma damage reduction for Pt gate electrode deposition on the variation of MFSFET characteristics with ferroelectric nondoped HfO22023
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ar/N2-plasma nitridation process for LaBxNy tunnel layer formation on pentacene-based floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator2023
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープHfO2 薄膜を用いた MFSFET における界面制御層の効果2022
- 著者名/発表者名
  田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] PMA Condition Dependence on the FeNOS Diodes with Ferroelectric Non-Doped HfO2 Blocking Layer2022
- 著者名/発表者名
  Wendi Zhang, Shun-ichiro Ohmi, Masakazu Tanuma,Joong-Won Shin
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 thin films2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ar/N2 plasma nitridation process for the gate stack isolation to realize pentacene based floating gate memory u tilizing N doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator2022
- 著者名/発表者名
  Eun Ki Hong and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ultrathin Ferroelectric Nondoped HfO2 for MFSFET　with High-speed and Low-voltage Operation2022
- 著者名/発表者名
  J.W. Shin, M. Tanuma, J. Pyo, and S. Ohmi,
- 学会等名
  80th Device Research Conference (DRC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープ HfO2薄膜を用いた MFSFET のしきい値電圧制御に関する検討2022
- 著者名/発表者名
  田沼将一, Joong-Won Shin, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Deposition rate dependence of the 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 on MFSFET characteristics2022
- 著者名/発表者名
  Masakazu Tanuma, Joong-Won Shin, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 表面熱析出法を用いた単原子層 h-BN 薄膜/LaB6ヘテロ構造の作製とその評価2022
- 著者名/発表者名
  長岡克己,　相澤俊,　大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープ HfO2薄膜を用いた MFSFET のしきい値電圧制御に関する検討2022
- 著者名/発表者名
  田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] LaBxNy Insulator Formation Utilizing Ar/N2-Plasma Nitridation of N-doped LaB6 Metal Layer2022
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong, Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用2022
- 著者名/発表者名
  朴炳垠, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Evaluation of random telegraph noise in Hf based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layer2022
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 高機能誘導電体薄膜による低消費電力不揮発性メモリの研究開発2022
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎
- 学会等名
  ENEX2022
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Advanced Flash Memory utilizing High-k Thin Films2022
- 著者名/発表者名
  Jooyoung PYO, Eun-Ki HONG, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  ENEX2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] LaB6 系界面制御層を用いたペンタセンｐ型OFET の特性向上と不揮発性メモリへの応用に関する研究2022
- 著者名/発表者名
  趙嘉昂, 大見俊一郎
- 学会等名
  令和４年度電気学会東京支部第12回学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性HfN 薄膜の形成におけるSi 基板面方位依存性に関する研究2022
- 著者名/発表者名
  井出明徳, 大見俊一郎
- 学会等名
  令和４年度電気学会東京支部第12回学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The Influence of Kr-Plasma Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition on 5 nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Formation2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Shun-ichiro Ohmi, M
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator2022
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki HONG, Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープHfO2 薄膜形成における界面層厚の低減とMFSFET の動作特性に関する検討2022
- 著者名/発表者名
  田沼将一，Joong-Won Shin，大見俊一郎
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Threshold Voltage Variation of MFSFET with 5 nm-Thick Nondoped HfO22022
- 著者名/発表者名
  Masakazu Tanuma,Joong-Won Shin, Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Hf-based Ferroelectric Thin Films for MFSFET Application2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  ENEX2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] MFSFET with Ferroelectric HfN for Analog Memory Application2022
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, A. Ihara, M. Tanuma, J.Y. Pyo, and J.W. Shin
- 学会等名
  80th Device Research Conference (DRC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator stacked structure2022
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong, Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Material (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Interface property of floating-gate memory structure with LaBxNy insulator and N-doped LaB6 metal layer formed on Si(100) by quasi-static C-V measurement2022
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong, Joong-Won Shin, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性 HfNx薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関する検討2022
- 著者名/発表者名
  井出明徳, 田沼将一, 井原爽生, 大見俊一郎
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープHfO2 薄膜の2 段階堆積プロセスに関する検討2022
- 著者名/発表者名
  山嵜光義, 大見俊一郎
- 学会等名
  令和４年度電気学会東京支部第12回学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Kr plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 directly formed on Si(100)2022
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for floating-gate memory applications2021
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki HONG and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Sputtering power dependence of Pt gate electrode deposition on 5 nm thick ferroelectric nondoped HfO2 formation2021
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Shun-ichiro Ohmi, Masakazu Tanuma
- 学会等名
  2021 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 窒素添加LaB6薄膜を用いた極薄h-BN/LaB6ヘテロ構造の作製2021
- 著者名/発表者名
  長岡克己、相澤俊、大見俊一郎
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第18回研究集会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The effect of sputtering power for Pt gate electrode deposition on the ferroelectric property of 5 nm thick undoped HfO22021
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Investigation of Random Telegraph Noise Characteristics of Hf-based MONOS Nonvolatile Memory Devices with HfO2 and HfON Tunneling Layer2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Akio Ihara, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Multi-level 2-bit/cell Operation Utilizing Hf-based MONOS Nonvolatile Memory with HfON Tunneling Layer2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Yukinori Ono, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Biomedical Engineering
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Effect of low sputtering gas pressure on the LaBxNy insulator formation for pentacene-based floating gate memory application2021
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong, KyungEun Park, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2021 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study of Ar/N2-sputtering gas pressure on electrical characteristics of LaBxNy insulator formed by RF sputtering2021
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] MFSFET with 5 nm Thick Ferroelectric Undoped HfO2 Gate Insulator2021
- 著者名/発表者名
  J.W. Shin, M. Tanuma, and S. Ohmi
- 学会等名
  79th Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation2021
- 著者名/発表者名
  Eun-Ki Hong and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Investigation of suppression of SiO2 interfacial layer formation during ferroelectric non-doped HfO2 formation2021
- 著者名/発表者名
  田沼将一, Joong-Won Shin, 大見俊一郎
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 窒素添加LaB6薄膜を用いた極薄h-BN/LaB6ヘテロ構造の作製2021
- 著者名/発表者名
  長岡克己、相澤俊、大見俊一郎
- 学会等名
  第14 回　日本ホウ素・ホウ化物研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Suppression of SiO2 interfacial layer formation during ferroelectric nondoped HfO2 formation2021
- 著者名/発表者名
  Masakazu Tanuma, Joongwon Shin, Masaki Hayashi, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Hf-based MONOS nonvolatile memory for high-speed and low-voltage operation2021
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yusuke Horiuchi, Jooyoung Pyo, Min Gee Kim
- 学会等名
  International Conference on Processing & Manufactoring of advanced Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications2021
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Kyung Eun Park, Hideki Kamata, and Eun Ki Hong
- 学会等名
  APL Material
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Multi level 2 bit/cell O peration U tilizing Hf based MONOS Nonvolatile Memory with HfON Tunneling Layer2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo,　Morita Hiroki, Akio Ihara , and Shun ichiro Ohmi
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2薄膜形成に関する検討2021
- 著者名/発表者名
  田沼将一, Joong-Won Shin, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The effect of inter layers on the ferroelectric undoped HfO2 formation2021
- 著者名/発表者名
  Masakazu Tanuma, Joong-Won Shin, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2021 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Random telegraph noise in Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layer2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Akio Ihara, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 新材料による革新的強誘電体メモリの創製2021
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎
- 学会等名
  東京工業大学　新技術説明会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ferroelectric Nondoped HfO2 Blocking Layer Formation for　Hf-based FeNOS Analog Memory Applications2021
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, H. Morita, M. Hayashi, A. Ihara, and J.Y. Pyo
- 学会等名
  79th Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] he Effect of Sputtering Power on the Reliability of MFS Diode with 5 nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO22021
- 著者名/発表者名
  Joong-Won Shin, Masakazu Tanuma, Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layer for multi-bit/cell operation2021
- 著者名/発表者名
  Jooyoung PYO, Akio Ihara and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] PdErSi Source and Drain for Schottky Barrier MOSFET with HfO2 Gate Insulator Fabricated by Low Thermal Budget Gate-First Process2020
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. Mailig, Yuichiro Aruga, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Investigation of high-k HfN multilayer gate　dielectrics for MISFET fabricated with　Si surface flattening2020
- 著者名/発表者名
  Akio Ihara, Jooyoung Pyo, R.M.D. Mailig, Hiroki Morita, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Manufacturing
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Comparison of non-volatile memory characteristics for Hf-based MONOS diode with HfO2 and HfON tunneling layer2020
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Yusuke Horiuchi, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  67th JSAP Spring Meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ar/N2-plasma Sputtering Pressure Dependence on Electrical Characteristics of HfON Tunneling Layer Formed by the Plasma Oxidation of HfN for Hf-Based MONOS Diodes2020
- 著者名/発表者名
  Jooyoung Pyo, Hiroki Morita, Akio Ihara,and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Manufacturing
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The low temperature fabrication of gate-first Schottky barrier pMOSFET with PdErSi source and drain2020
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. Mailig, Yuichiro Aruga, Min Gee Kim, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  67th JSAP Spring Meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] HfN Multi Charge Trapping Layers for Hf-based MONOS Nonvolatile Memory2020
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, Y. Horiuchi, H. Morita, A. Ihara, and J.Y. Pyo
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, VIRTUAL conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 多層電荷蓄積層を有するHf系MONOS型不揮発性メモリの検討2020
- 著者名/発表者名
  堀内勇介, 森田大貴, 表柱栄, 大見俊一郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET2020
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. MAILIG, Yuichiro ARUGA, and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Hf 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2の薄膜化と MFSFET への応用2020
- 著者名/発表者名
  Masaki Hayashi, Masakazu Kataoka, Min Gee Kim, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Hf 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2薄膜の形成とMFSFET の特性向上2020
- 著者名/発表者名
  片岡正和, 林将生, Min Gee Kim, 大見俊一郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Low-Voltage Operation of MFSFET with Ferroelectric Nondoped HfO2 Formed by Kr/O2-Plasma Sputtering2020
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, M.G. Kim, M. Kataoka, M. Hayashi, and R.M.D. Mailig
- 学会等名
  78th Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The Schottky barrier height reduction of PdEr-silicide utilizing dopant segregation process2019
- 著者名/発表者名
  R.M.D. Mailig, M.G. Kim, and S. Ohmi
- 学会等名
  2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 5 nm thick ferroelectric undoped HfO2 formed on Si(100) with Pt electrodes2019
- 著者名/発表者名
  Min Gee Kim, Masakazu Kataoka, Masaki Hayashi, Rengie Mark D. Mailig, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 高機能ハフニウム系薄膜を用いた新構造不揮発性メモリの研究2019
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会北海道支部講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] SOI Surface Atomically Flattening by Ar/H2 Annealing for MISFET with High-k HfN Gate Insulator2019
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yusuke Horiuchi, Shin Ishimatsu, and Sohya Kudoh
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer2019
- 著者名/発表者名
  Jooyoung PYO, Yusuke HORIUCHI and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] The Evaluation of PtHfSi/n-Si(100) Schottky Barrier Height by Boron Dopant Segregation with Short Annealing Duration2019
- 著者名/発表者名
  R.M.D. Mailig, M.G. Kim, and S. Ohmi
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ｈｆ混晶化PtSiの形成とデバイス応用に関する研究2019
- 著者名/発表者名
  有賀雄一郎，大見俊一郎
- 学会等名
  電気学会東京支部カンファレンス学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications2019
- 著者名/発表者名
  Rengie Mark D. MAILIG, Yuichiro ARUGA, Min Gee KIM and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ultrathin HfN multilayer gate insulator formation with high dielectric constant induced by interface polarization2019
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yizhe Ding, and Sohya Kudoh
- 学会等名
  77th Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Ferroelectric undoped HfO2 thin film directly deposited on Si(100) utilizing low temperature PMA process with TiN gate electrode2019
- 著者名/発表者名
  M.G. Kim, M. Kataoka, R.M.D. Mailig, and S. Ohmi,
- 学会等名
  2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Work function and electronic structure measurements on nitrogen-doped LaB6 thin film prepared by RF sputtering deposition2019
- 著者名/発表者名
  K. Nagaoka, and S. Ohmi,
- 学会等名
  International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] In-situ N2-plasma nitridation for high-k HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering2019
- 著者名/発表者名
  S. Ohmi, S. Ishimatsu, Y. Horiuchi, and S. Kudoh
- 学会等名
  2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] In-situ プロセスによるＨｆ系MONOS構造の形成とデバイス応用に関する研究2019
- 著者名/発表者名
  森田大貴，大見俊一郎
- 学会等名
  電気学会東京支部カンファレンス学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 界面層を用いた強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜の Si(100)基板上への直接形成2019
- 著者名/発表者名
  片岡正和, 林将生, Min Gee Kim, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Improvement of Hf-based MONOS Nonvolatile Memory Characteristics by Si surface Atomically Flattening2019
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Yusuke Horiuchi, and Sohya Kudoh
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 強誘電性ノンドープ HfO2薄膜の Si(100)基板上への形成とデバイス応用に関する研究2019
- 著者名/発表者名
  林将生，大見俊一郎
- 学会等名
  電気学会東京支部カンファレンス学生研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Work Function and Electronic Structure Measurements on Nitrogen-Doped LaB6 Thin Film by Scanning Tunneling Microscope2019
- 著者名/発表者名
  K. Nagaoka, and S. Ohmi
- 学会等名
  20th International Vacuum Electronics Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application2019
- 著者名/発表者名
  Min Gee KIM, Masakazu KATAOKA, Masaki HAYASHI, Rengie Mark D. MAILIG and Shun-ichiro OHMI
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] Work Function and Electronic Structure Measurements on Nitrogen-doped Lanthanum Hexaboride (LaB6) Thin Film by STM2019
- 著者名/発表者名
  K. Nagaoka, and S. Ohmi
- 学会等名
  3rd International Conference on Applied Surface Science,
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 多層電荷蓄積層を用いたHf 系 MONOS 型不揮発性多値メモリに関する検討2019
- 著者名/発表者名
  堀内勇介, 表柱栄, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00758
[学会発表] 窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値制御を用いたペンタセンPseudo-CMOS2018
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 廣木瑞葉, 小松勇貴, 大見俊一郎
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] PFP薄膜を用いたn型OFETにおける窒素添加LaB6界面制御層の効果2017
- 著者名/発表者名
  前田康貴、廣木瑞葉、大見俊一郎
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討2017
- 著者名/発表者名
  前田康貴,劉野原, 廣木瑞葉, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学シリコン材料・デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Top-gate type pentacene-based OFET with a-rubrene gate insulator2017
- 著者名/発表者名
  Mizuha Hiroki, Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Influence of Surface Treatment of SiO2 Gate Insulator forPentacene-based OFETs with Nitrogen-doped LaB6 Bottom-Contact Electrode Formation Process2017
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, Mizuha Hiroki, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Narrow Line Crystallization of Rubrene Thin Film Enhanced by Yb Interfacial Layer for Single Crystal Channel OFET Application2017
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Mizuha Hiroki, and Yasutaka Maeda
- 学会等名
  75th Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  米国
- 年月日
  2017-06-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討2017
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎, 廣木瑞葉, 張鴻立, 前田康貴
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会/有機エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Electron Injection of N-type Pentacene-based OFET with Nitrogen-Doped LaB6 Bottom-Contact Electrodes2017
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017)
- 発表場所
  韓国
- 年月日
  2017-07-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] ペンタセン薄膜形成に対する窒素添加LaB6電極パターニングの影響2017
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 廣木瑞葉, 大見俊一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 強誘電体クロコン酸薄膜のYb界面制御層上への形成2017
- 著者名/発表者名
  張鴻立, 前田　康貴, 大見俊一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討2017
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎, 廣木瑞葉, 張鴻立, 前田康貴
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM/OME研究会
- 発表場所
  鹿児島
- 年月日
  2017-04-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Top-gate type pentacene-based OFET with a-rubrene gate insulator2017
- 著者名/発表者名
  Mizuha Hiroki, Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
- 発表場所
  福井
- 年月日
  2017-06-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Narrow Line Crystallization of Rubrene Thin Film Enhanced by Yb Interfacial Layer for Single Crystal Channel OFET Application2017
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Mizuha Hiroki, and Yasutaka Maeda
- 学会等名
  75th Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Electron Injection of N-type Pentacene-based OFET with Nitrogen-Doped LaB6 Bottom-Contact Electrodes2017
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] リフトオフによる微細S/D電極形成とOFETのデバイス特性2017
- 著者名/発表者名
  廣木　瑞葉, 前田　康貴, 大見俊一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 非晶質ルブレンゲート絶縁膜を用いたデュアルゲート型ペンタセン2017
- 著者名/発表者名
  廣木瑞葉, 前田康貴，大見俊一郎
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] AuGeソース/ドレイン電極を用いたボトムコンタクト型ペンタセンOFETの作製2016
- 著者名/発表者名
  廣木瑞葉、前田康貴、大見俊一郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] ペンタセンOFETのデバイス特性における窒素添加LaB6界面制御層厚依存性2016
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 大見俊一郎
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Yb界面制御層を用いたルブレン薄膜のチャネル領域結晶化に関する検討2016
- 著者名/発表者名
  古山脩、大見俊一郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 窒素添加LaB６界面層によるｐ型ペンタセンOFETの界面制御2016
- 著者名/発表者名
  前田康貴、大見俊一郎、後藤哲也、大見忠弘
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Steep Subthreshold Swing of Pentacene-based OFET with Nitrogen-doped LaB6 Interfaciaal Layer2016
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, and Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  前田康貴, 廣木瑞葉, 大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2016-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性2016
- 著者名/発表者名
  大見俊一郎、前田康貴、古山脩、廣木瑞葉
- 学会等名
  電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス/有機エレクトロニクス合同研究会
- 発表場所
  沖縄
- 年月日
  2016-04-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Effect of Nitrogen-Doped LaB6 Interfacial Layer on Device Characteristics of Pentacene-Based OFET2016
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, Shun-ichiro Ohmi, Tetsuya Goto and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
- 発表場所
  函館
- 年月日
  2016-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜として用いたトップゲート型ペンセンOFETの作製2016
- 著者名/発表者名
  廣木瑞葉, Nithi Atthi, 前田康貴, 大見俊一郎
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] ペンタセン薄膜の初期成長過程の基板依存性2015
- 著者名/発表者名
  前田康貴、劉野原、大見俊一郎、後藤哲也、大見忠弘
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Si and Organic Semiconductor Devices with High-k Gate Insulator2015
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi
- 学会等名
  Thai Microelectronics Research Center Lecture
- 発表場所
  Thailand
- 年月日
  2015-12-01
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討2015
- 著者名/発表者名
  前田康貴、劉野原、大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2015-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] トップゲート構造を有するペンタセンOFETの作製に関する検討2015
- 著者名/発表者名
  廣木瑞葉、前田康貴、大見俊一郎
- 学会等名
  電気学会東京支部カンファレンス第6回学生研究発表会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] 窒化添加LaB６界面層を用いた単一有機半導体CMOSに関する検討2015
- 著者名/発表者名
  前田康貴、大見俊一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会　バイオテクノロジー＆エレクトロニクス研究討論会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] High quality pentacene film formation on nitrogen-doped LaB6 donor Layer2015
- 著者名/発表者名
  Yasutaka Maeda, Shun-ichiro Ohmi, Tetsuya Goto, and Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Korea
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13969
[学会発表] Excellent interface properties of pentacene based metal-oxide-semiconductor diodes utilizing HfON high-k gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  M.Liao, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2010
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Tokyo.
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer2010
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicatios of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Excellent interface properties of pentacene based metal-oxide-semiconductor diodes utilizing HfON high-k gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  M.Liao, H.Ishiwara, S.Ohmi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo.
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Y-U.Song, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Tokyo.
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater. Res. Soc
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectrics characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
 J-W.Yoon, S.Ohmi, B-E.Park, H.Ishiwara
- 学会等名
 20^<th> Intern.Sympo.on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
 Singapore.
- 年月日
 2008-06-11
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] A study on air stability of pentacene based MOS diode structures2008
- 著者名/発表者名
  Md Akhtaruzzaman, S.Ohmi, J.Nishida, Y.Yamashita, H.Ishiwara
- 学会等名
  Intern.Conf.on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Tsukuba.
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectrics characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
  J. W. Yoon, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  20th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2008-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater. Res. Soc.
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Electrical characteristics and air-stability of pentacene based MOS diodes2008
- 著者名/発表者名
  Md.Akhtaruzzaman, S.Ohmi, H.Ishiwara
- 学会等名
  Fall Meeting of Mater.Res.Soc.
- 発表場所
  Boston.
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinyliden fluoride-trifluoroethylene)2008
- 著者名/発表者名
  尹珠元、大見俊一郎、石原宏
- 学会等名
  電子情報信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] Ferroelectric characteristics of p(VDF-TrFE) thin films patterned by plasma etching2008
- 著者名/発表者名
  J. W. Yoon, S. Ohmi, H. Ishiwara
- 学会等名
  20th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2008-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039
[学会発表] A study on air stability of pentacene based MOS diode structures2008
- 著者名/発表者名
  Md. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara
- 学会等名
  Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206039

1. 徳光永輔 (10197882)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 石原宏 (60016657)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 20件
3. 岩井洋 (40313358)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
4. 藤崎芳久 (00451013)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 山本修一郎 (50313375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 會澤康治 (40222450)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
8. 小林啓介 (50372149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 高田恭孝 (90261122)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
11. 酒井徹志 (60313368)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
12. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 長岡克己 (80370302)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
14. 後藤哲也 (00359556)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 舟窪浩 (90219080)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 木島健

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 前田康貴

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 39件
18. 廣木瑞葉

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 25件
19. 古山脩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件

大見 俊一郎 Oomi Syunichirou

研究課題

研究成果

共同研究者

分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

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トップゲート構造による集積化単一有機半導体相補型トランジスタに関する研究研究代表者

研究代表者

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研究種目

研究分野

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研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

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研究種目

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研究期間 (年度)

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審査区分

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研究期間 (年度)

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研究期間 (年度)

研究種目

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高誘電体薄膜の超高清浄シリコン基板上への形成研究代表者

研究代表者

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[図書] 2020版 薄膜作製応用ハンドブック, 第3章第1節 “誘電率・分極”2020

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[雑誌論文] Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application2023

著者名/発表者名

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[雑誌論文] 新材料による革新的強誘電体メモリの創製 ハフニウム系強誘電体が究極の半導体メモリを実現する2022

著者名/発表者名

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[雑誌論文] 紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

大見俊一郎 Oomi Syunichirou

[図書] 2020版　薄膜作製応用ハンドブック, 第3章第1節 “誘電率・分極”2020

[雑誌論文] 新材料による革新的強誘電体メモリの創製　ハフニウム系強誘電体が究極の半導体メモリを実現する2022

[雑誌論文] Ultrathin Ferroelectric Nondoped HfO2 for MFSFET　with High-speed and Low-voltage Operation2022