金島岳 Kanashima Takeshi

研究者番号	30283732
その他のID
所属 (現在)	2021年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2019年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 2008年度 – 2011年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 准教授 2000年度 – 2003年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助手 2000年度 – 2002年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外理工系 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
キーワード	研究代表者分子軌道計算 / 放射光 / 表面酸化 / 低温 / 軟X線 / アブレーション / 光誘起蒸発 / 作成・評価技術 / 量子化学計算 / 表面 … もっと見る研究代表者以外強誘電体 / 電子・電気材料 / MFIS構造 / 不揮発性メモリ / SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / 保持特性 / 酸素アニール / 界面特性 / イオン化ポテンシャル / Sr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7(STN) / 先端機能デバイス / 表面・界面物性 / メモリデバイス / 強磁性体 / マルチフェロイック / 薄膜 / レーザアブレーション / 磁場 / 強誘電性 / 強磁性 / 物性実験 / 結晶成長 / 磁性 / 誘電物性 / Ferroelectric / MFIS structure / Non-volatile memory / SrBi_2Ta_2O_g (SBT) / Sr_2 (Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7 (STN) / Memory retention / Interface / Ionization potential 隠す

エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ研究代表者継続中
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価
- 研究代表者
  
  奥山雅則
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善研究代表者
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
- 研究代表者
  
  奥山雅則
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善
- 研究代表者
  
  野田実
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2020 2018 2012 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Ferroelectrics Material Aspects, chapter 72011
- 著者名/発表者名
  Le Van Hai, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 出版者
  Studies on Electrical and Retention Enhancement Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor with Radical Irradiation Treatments(電子ジャーナルも有)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2012
- 著者名/発表者名
  D. Lee, K. Kubo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51
- NAID
  210000072099
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] X-ray Diffraction Study of Electric-field-induced Strains in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films at Low Temperature Using Synchrotron Radiation2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, S.Kayahara, H.Fujisawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Journal of the Korea Physical Society
  
  巻: 11 ページ: 2556-2559
- DOI
  10.1016/j.cap.2010.11.066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150, KAKENHI-PROJECT-22656075
[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated Hf_2O/Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011
- 著者名/発表者名
  DongHun Lee, Hyun Lee, Hideto Imajo, Yuichi Yoshioka, Takeshi kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  J.Korean Phys.Soc.
  
  巻: 59 ページ: 2503-2508
- DOI
  10.3938/jkps.59.2503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Journal of the Korea Physical Society
  
  巻: 59巻ページ: 2011-2011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO_2/ Ge Structure Chemical Vapor Deposition with Fluorine Treatment Fabricated by Photoassisted Metal Organic2011
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Imajo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl
  
  巻: 50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0. 9> Co_<0. 1> O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, M. Sohgawa, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Ferroelectrics
  
  巻: 416 ページ: 119-124
- DOI
  10.1080/00150193.2011.577720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Polycrystalline Zn-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 11
- DOI
  10.1016/j.cap.2011.03.032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Ferroelectrics
  
  巻: 416巻ページ: 119-124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Polycrystalline Zn-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 11巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Preparation of BiFeO3 Thin Films on SrRuO3/SrTiO3(001) Substrate by Dual Ion Beam Sputtering2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Fujisawa, H.Suminaga, J.M.Park, H.Nishioka, M.Kobune, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 9 ページ: 09NB01-09NB01
- DOI
  10.1143/jjap.50.09nb01
- NAID
  210000071269
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150, KAKENHI-PROJECT-22656075, KAKENHI-PROJECT-23760290
[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Journal of the Korea Physical Society
  
  巻: 59 ページ: 2537-2541
- DOI
  10.3938/jkps.59.2537
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Studies on Electrical and Retention Enhancement Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor with Radical Irradiation Treatments2011
- 著者名/発表者名
  Le Van Hai, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  INTECH
  
  巻: (図書にも有)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated HfO_2/ Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Lee, H. Imajo, Y. Yoshioka, T. kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  J. Korean Phys. Soc
  
  巻: 59 ページ: 2503-2508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photoassisted Metal Organic Chemical Vap or Deposition with Fluorine Treatment2011
- 著者名/発表者名
  DongHun Lee, Hideto Imajo, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 4 ページ: 04DA11-04DA11
- DOI
  10.1143/jjap.50.04da11
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Epitaxial 0.7BiFeO_3 -0.3 BaTiO_3 Solid Solution Thin Filmson La-doped SrTiO_3 (001) Substrate2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyam
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society
  
  巻: 58 ページ: 674-677
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0.9>Co_<0.1>O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, M.Sohgawa, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 9 ページ: 09NB03-09NB03
- DOI
  10.1143/jjap.50.09nb03
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/ Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci
  
  巻: 257 ページ: 917-920
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Ferroelectric Properties of Bi_<1.1>Fe_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing in N_2 and O_22010
- 著者名/発表者名
  N.T.Tho, T.Kanashima, M.Sohgawa, D.Ricinschi, M.Noda, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of BiFei_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing at Approximately 520℃2010
- 著者名/発表者名
  N.T.Tho, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D.Lee, H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 257
  
  ページ: 917-920
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Structural and ferroelectric properties of epitaxial Bi_5Ti_3FeO_<15> and natural-superlattice-structured Bi_4Ti_3O_<12>-Bi_5Ti_3FeO_<15> thin films2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Fujisawa, S.Ichikawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D.H, Lee, H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci.
  
  巻: 257 ページ: 917-920
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Synergistic information encoding by combinatorial pulse operation of ferroelectrics2009
- 著者名/発表者名
  D.Ricinschi.D.Nicastro, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上2009
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, Hyun Lee, Dong-Hun Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告書 SDM2009
  
  ページ: 43-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Ferroelectric and structural properties of stress-constrained and stress-relaxed polycrystalline BiFeO_3 thin flms2009
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, D.Ricinschi, J.M.Park, T.Kanashima, H.Fujisawa, M.Shimizu, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Jouranal of Applied Physics 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Characteristics improvement of HfO_2/Ge gate stack structure by fluorinetreatment of germanium surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Applied Surface Sciencet 254
  
  ページ: 6932-6936
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics
  
  巻: 97 ページ: 103-110
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics 97
  
  ページ: 103-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics 97
  
  ページ: 103-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, H.Lee, Y.Mori, H.Imajo, M.Okuyama.
- 雑誌名
  
  Proceedings of ECS Transactions(PRiME2008) Volume 16, Issue 10
  
  ページ: 699-705
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Characteristics improvement of HfO_2/ Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci
  
  巻: 254 ページ: 6932-6936
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性2020
- 著者名/発表者名
  高山祐太郎、森悠、金島岳
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La2O3 High-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatment2018
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, H. Furusho, K. Takayama, H. Nohira, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] 溶液処理による結晶Lu-Doped La2O3/Ge(111) MIS界面特性改善2018
- 著者名/発表者名
  古荘仁久, 高山恭一, 山本圭介, 中島寛, 野平博司, 金島岳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] 磁場中PLD法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京,早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  高田祐介、中川文、中嶋誠二、藤沢浩訓、小舟正文、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京,早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2011
- 著者名/発表者名
  D. H. Lee, K. Kubo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] 磁場中PLD法によるBiFeO_3薄膜の微細構造と強誘電特性2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形,山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] HfO_2/Ge MIS構造のHCl表面処理による電気的特性の向上2011
- 著者名/発表者名
  久保和樹, Dong Hun Lee, 金島岳
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] 磁場中PLD法によるBiFeO_3薄膜の微細構造と強誘電特性2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Passivation of Ge(100) and (111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2011
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, K.Kubo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち(愛知県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Structural and Ferroelectric Properties of BiFeO_3 Thin Films Prepared by Dual Ion Beam Sputtering Process2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Suminaga, Y.Tsujita, H.Fujisawa, M.Kobune, H.Nishioka, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパタを用いるSrRuO_3/SrTiO_3基板上のBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二、住永寛幸、辻田陽介、朴正敏、金島岳、奥山雅則、藤沢浩訓、小舟正文、清水勝
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  京都,コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるBi_<1.1>(Fe_<0.9>Co_<0.1>)O_3薄膜の作製と評価2011
- 著者名/発表者名
  後藤田文也、朴正敏、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  京都,コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films Prepared Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Preparation of BiFeO_3 Films by Using Magnetic Field Assisted PLD and Dual Ion Beam Sputtering Methods and Their Characterization2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, S.Nakashima, M.Sohgawa, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  ICAE 2011
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるBi_<1. 1>(Fe_<0. 9> Co_<0. 1>) O_3薄膜の作製と評価2011
- 著者名/発表者名
  後藤田文也、朴正敏、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパタを用いるBiFeO_3薄膜の作製(II)2011
- 著者名/発表者名
  辻田陽介、中嶋誠二、藤沢浩訓、西岡洋、小舟正文、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形,山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二, 辻田陽介, 中嶋誠二, 藤沢浩訓, 朴正敏, 金島岳, 奥山雅則, 清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Preparation of BiFeO_3 Films by Using Magnetic Field Assisted PLD andDual Ion Beam Sputtering Methods and Their Characterization2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, S. Nakashima, M. Sohgawa, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  ICAE 2011
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法のよるBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、後藤田文也、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films PreparedPulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of Polycrystalline Sr-Substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Synergistic Information Encoding by Combinatorial Pulse Operation of Ferroelectric Ceramic Capacitors2010
- 著者名/発表者名
  D.Ricinschi, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  12^<th> International Ceramics Congress
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- 年月日
  2010-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Improvement of The Property of FET Having The HfO_2/ Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Imajo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] F_2添加光MOCVD法により作製したHfO_2/Ge FETの特性向上2010
- 著者名/発表者名
  Donghun Lee, 今庄秀人, 吉岡裕一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第57回応用物理学会学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Structural and Ferroelctric Properties of BiFeO_3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, S.Kayahara, H.Fujisawa, J.M.Park, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 7^<th> Asian Meeting on Ferroelectricity and the 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO2/Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, H.Lee, H.Imajo, Y.Yoshioka, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(JKC-FE08)P1-026.
- 発表場所
  Himeji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Improvement of The Property of FET having The HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, H.Imajo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, Y.Yoshioka, D.Lee, M.Okuyama
- 学会等名
  218th ECS Meeting, p.1879.
- 発表場所
  Las Vegas, NV
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, Y.Yoshioka, D.Lee, M.Okuyama
- 学会等名
  218th ECS Meeting
- 発表場所
  Las Vegas ; NV, USA
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Large Ferroelectric and Magnetic Hystereses coexisting in BiFeO_3 Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, J.M.Park, T.Kanashima
- 学会等名
  12^<th> International Ceramics Congress
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] An Electric-field-induced Strain in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films at Low Temperature Studied by Synchrotron Radiation2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, O.Sakata, J.M.Park, H.Fujisawa, T.Yamada, H.Funakubo, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] PLD法によるITO基板上薄膜の作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  朴正敏、後藤田文也、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/ Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, Y. Yoshioka, D. H. Lee and M. Okuyama
- 学会等名
  ECS Transactions
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ferroelectric Properties of Epitaxial BiFeO_3 Thin Films Deposited by Ion Beam Sputtering2010
- 著者名/発表者名
  Y.Tsujita, S.Nakashima, H.Fujisawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] PZT強誘電体キャパシタにおける多値メモリの安定性2010
- 著者名/発表者名
  Damian Nicastro, Dan Ricinschi, 金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Synchrotron Radiation Diffraction Study of Electric-field-induced Strain BiFeO_3 Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, S.Nakashima, W.Shimizu, O.Sakata, T.Kanashima, H.Funakubo
- 学会等名
  2010 Villa Conference on Complex Oxide Heterostructrure
- 発表場所
  Santrini, Greece
- 年月日
  2010-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Improvement of The Property of FET Having The HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.Lee, H.Imajo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, P-1-12.
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO3薄膜の作製とその評価2010
- 著者名/発表者名
  辻田陽介、茅原智志、中嶋誠二、藤澤浩訓、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of of BiFeO_3 Thin Film with Large c/a Axis Ratio on SrRuO_3/SrTiO_32010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, H.Fujisawa, J.M.Park, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 20^<th> MRS-J Symposium
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-12-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO_3薄膜の作製とその評価(II)2010
- 著者名/発表者名
  辻田陽介, 中嶋誠二, 藤沢浩訓, 朴正敏, 金島岳, 奥山雅則, 清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO_2/ Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D. H. Lee, H. Lee, H. Imajo, Y. Yoshioka, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  Himeji, Japan,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Improvement of Ferroelectric Properties of Bi_1.1Fe_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Plrepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing2010
- 著者名/発表者名
  Nguyen Truong Tho, T.Kanashima, M.Okuyama M.Noda, K.Saito
- 学会等名
  第27回強誘電体応用会議
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2010-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO_2/Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H, Lee, H.Lee, H.Imajo, Y.Yoshioka, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics (JKC-FE08)
- 発表場所
  Himeji, Japan
- 年月日
  2010-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Current Suppression and Magnetic Enhancement by Zn-Substitution in BiFeO_3 Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T, Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 7^<th>Asian Meeting on Ferroelectricity and the 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2010-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Film on ITO substrate by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T, Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] RTAによるBiFe_<1-x>Co_xO_3薄膜の作製とその評価2009
- 著者名/発表者名
  NguyenTruong Tho, 金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] DLTSおよびICTS法によるHfO□/GeのMIS構造の界面状態評価2009
- 著者名/発表者名
  吉岡祐一, Donghun Lee, 今庄秀人, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ge(100)表面と元素の反応の分子軌道解析と結合の安定性2009
- 著者名/発表者名
  Donghun Lee, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] HfO_2/ Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上2009
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, H. Lee, D.-H. Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  シリコンテクノロジー(共催:電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM))
- 発表場所
  応用物理学会分科会,東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of Bil-xCoxO_3 Thin Films Prepared by Chemical solution Deposition Using Rapid Thermal Annealing2009
- 著者名/発表者名
  N.Nguen, T.Kanashima M.Okuyama
- 学会等名
  Fall Meeting of Material Research Society
- 発表場所
  ボストン、米国
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] (Invited) Recent Study about BiFeO3 Thin Films as FeRAM Capacitor and Improved Ferroelectric Gate Structure2009
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, S.Nakashima T.Kanashima
- 学会等名
  Spring Meeting of Material Research Society
- 発表場所
  San Francisco. USA
- 年月日
  2009-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Zn-doped BiFeO_3薄膜のPLDによる作製とその評価2009
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、後藤田文也、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] BiFeO_3膜におけるリーク電流の面内マッピング2009
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二、藤澤浩訓、朴正敏、比企透雄、長副亮、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/ Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectric-ity
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, H. Lee, Y. Mori, H. Imajo and M. Okuyama
- 学会等名
  Proceedings of ECS Transactions(PRiME2008)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] F_2表面処理したHfO_2/ Ge MIS構造の電気的特性評価2008
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, H. Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  京都大学,桂キャンパス,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H.Lee, D.H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity(KJC-FE07)P-08-27.
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, H.Lee, Y.Mori, H.Imajo, M.Okuyama.
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME2008, p.2451.
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300

1. 奥山雅則 (60029569)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 53件
2. 野田実 (20294168)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 寒川雅之 (70403128)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
4. RICINSCHI Dan (60403127)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 山下馨 (40263230)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 上野智雄 (90223487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 舟窪浩 (90219080)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 木島健

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 中嶋誠二

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
10. 藤沢浩訓

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
11. 清水勝

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

金島 岳 Kanashima Takeshi

研究課題

研究成果

共同研究者

エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ研究代表者継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Ferroelectrics Material Aspects, chapter 72011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] X-ray Diffraction Study of Electric-field-induced Strains in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films at Low Temperature Using Synchrotron Radiation2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated Hf_2O/Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO_2/ Ge Structure Chemical Vapor Deposition with Fluorine Treatment Fabricated by Photoassisted Metal Organic2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0. 9> Co_<0. 1> O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Multiferroic Properties of Polycrystalline Zn-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

金島岳 Kanashima Takeshi