金島岳 Kanashima Takeshi

研究者番号	30283732
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 近畿大学, 産業理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2021年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 2008年度 – 2011年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 准教授 2000年度 – 2003年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助手 2000年度 – 2002年度: 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード	研究代表者分子軌道計算 / 界面 / エピタキシャル成長 / ゲルマニウム半導体 / high-k/Ge / 低温成長 / 界面準位密度 / パルスレーザ蒸着法 / エピタキシャルゲート絶縁膜 / 直接接合 … もっと見る / La2O2 / 基板欠陥 / エピタキシャル絶縁膜 / ラジカル処理 / 接触角 / 結晶転位 / 原子マッチング / La2O3 / Ge-MISFET / HCl / 作製・評価技術 / 硫化アンモニウム / 表面処理 / 表面反応 / High-k / 表面・界面物性 / Ge / 表面 / 量子化学計算 / 作成・評価技術 / 光誘起蒸発 / アブレーション / 軟X線 / 低温 / 表面酸化 / 放射光 … もっと見る研究代表者以外強誘電体 / Sr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7(STN) / イオン化ポテンシャル / 界面特性 / 酸素アニール / 保持特性 / SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / 不揮発性メモリ / MFIS構造 / 電子・電気材料 / Ionization potential / Interface / Memory retention / Sr_2 (Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7 (STN) / SrBi_2Ta_2O_g (SBT) / Non-volatile memory / MFIS structure / Ferroelectric / 誘電物性 / 磁性 / 結晶成長 / 物性実験 / 強磁性 / 強誘電性 / 磁場 / レーザアブレーション / 薄膜 / マルチフェロイック / 強磁性体 / メモリデバイス / 表面・界面物性 / 先端機能デバイス隠す

エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ研究代表者
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価
- 研究代表者
  
  奥山雅則
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善研究代表者
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
- 研究代表者
  
  奥山雅則
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  金島岳
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善
- 研究代表者
  
  野田実
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2020 2018 2012 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Ferroelectrics Material Aspects, chapter 72011
- 著者名/発表者名
  Le Van Hai, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 出版者
  Studies on Electrical and Retention Enhancement Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor with Radical Irradiation Treatments(電子ジャーナルも有)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2012
- 著者名/発表者名
  D. Lee, K. Kubo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51
- NAID
  210000072099
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0. 9> Co_<0. 1> O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, M. Sohgawa, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated HfO_2/ Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Lee, H. Imajo, Y. Yoshioka, T. kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  J. Korean Phys. Soc
  
  巻: 59 ページ: 2503-2508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Journal of the Korea Physical Society
  
  巻: 59 号: 3(1) ページ: 2537-2541
- DOI
  10.3938/jkps.59.2537
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Preparation of BiFeO_3 Thin Films on SrRuO_3/SrTiO_3(001) Substrate by Dual Ion Beam Sputtering Process2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Fujisawa, H.Suminaga, J.M.Park, H.Nishioka, M.Kobune, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 9S2 ページ: 09NB01-09NB01
- DOI
  10.1143/jjap.50.09nb01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150, KAKENHI-PROJECT-22656075, KAKENHI-PROJECT-23760290
[雑誌論文] Studies on Electrical and Retention Enhancement Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor with Radical Irradiation Treatments2011
- 著者名/発表者名
  Le Van Hai, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  INTECH
  
  巻: (図書にも有)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Ferroelectrics
  
  巻: 416巻ページ: 119-124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Journal of the Korea Physical Society
  
  巻: 59巻ページ: 2011-2011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated Hf_2O/Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011
- 著者名/発表者名
  DongHun Lee, Hyun Lee, Hideto Imajo, Yuichi Yoshioka, Takeshi kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  J.Korean Phys.Soc.
  
  巻: 59 号: 3(1) ページ: 2503-2508
- DOI
  10.3938/jkps.59.2503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Polycrystalline Zn-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, F. Gotoda, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 11巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Epitaxial 0.7BiFeO_3 -0.3 BaTiO_3 Solid Solution Thin Filmson La-doped SrTiO_3 (001) Substrate2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyam
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society
  
  巻: 58 ページ: 674-677
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Characterization of Epitaxial BiFeO_3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, S.Kayahara, H.Fujisawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 11 号: 3 ページ: 2556-2559
- DOI
  10.1016/j.cap.2010.11.066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150, KAKENHI-PROJECT-22656075
[雑誌論文] Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO_2/ Ge Structure Chemical Vapor Deposition with Fluorine Treatment Fabricated by Photoassisted Metal Organic2011
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Imajo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl
  
  巻: 50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Ferroelectrics
  
  巻: 416 号: 1 ページ: 119-124
- DOI
  10.1080/00150193.2011.577720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Multiferroic Properties of Polycrystalline Zn-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 11 号: 3 ページ: S270-S273
- DOI
  10.1016/j.cap.2011.03.032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0.9>Co_<0.1>O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, M.Sohgawa, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 9S2 ページ: 09NB03-09NB03
- DOI
  10.1143/jjap.50.09nb03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photoassisted Metal Organic Chemical Vap or Deposition with Fluorine Treatment2011
- 著者名/発表者名
  DongHun Lee, Hideto Imajo, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DA11-04DA11
- DOI
  10.1143/jjap.50.04da11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/ Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci
  
  巻: 257 ページ: 917-920
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D.H, Lee, H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci.
  
  巻: 257 ページ: 917-920
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of BiFei_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing at Approximately 520℃2010
- 著者名/発表者名
  N.T.Tho, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Structural and ferroelectric properties of epitaxial Bi_5Ti_3FeO_<15> and natural-superlattice-structured Bi_4Ti_3O_<12>-Bi_5Ti_3FeO_<15> thin films2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Fujisawa, S.Ichikawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method2010
- 著者名/発表者名
  D.Lee, H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 257
  
  ページ: 917-920
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Ferroelectric Properties of Bi_<1.1>Fe_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing in N_2 and O_22010
- 著者名/発表者名
  N.T.Tho, T.Kanashima, M.Sohgawa, D.Ricinschi, M.Noda, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Ferroelectric and structural properties of stress-constrained and stress-relaxed polycrystalline BiFeO_3 thin flms2009
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, D.Ricinschi, J.M.Park, T.Kanashima, H.Fujisawa, M.Shimizu, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Jouranal of Applied Physics 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上2009
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, Hyun Lee, Dong-Hun Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告書 SDM2009
  
  ページ: 43-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Synergistic information encoding by combinatorial pulse operation of ferroelectrics2009
- 著者名/発表者名
  D.Ricinschi.D.Nicastro, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[雑誌論文] Characteristics improvement of HfO_2/ Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci
  
  巻: 254 ページ: 6932-6936
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, H.Lee, Y.Mori, H.Imajo, M.Okuyama.
- 雑誌名
  
  Proceedings of ECS Transactions(PRiME2008) Volume 16, Issue 10
  
  ページ: 699-705
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Characteristics improvement of HfO_2/Ge gate stack structure by fluorinetreatment of germanium surface2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Applied Surface Sciencet 254
  
  ページ: 6932-6936
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics 97
  
  ページ: 103-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics
  
  巻: 97 ページ: 103-110
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[雑誌論文] Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_42008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 雑誌名
  
  Integrated Ferroelectrics 97
  
  ページ: 103-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング2020
- 著者名/発表者名
  森悠, 濱地威明, 阿保智, 酒井朗, 金島岳
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性2020
- 著者名/発表者名
  高山祐太郎、森悠、金島岳
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] 溶液処理による結晶Lu-Doped La2O3/Ge(111) MIS界面特性改善2018
- 著者名/発表者名
  古荘仁久, 高山恭一, 山本圭介, 中島寛, 野平博司, 金島岳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La2O3 High-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatment2018
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, H. Furusho, K. Takayama, H. Nohira, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04235
[学会発表] 磁場中PLD法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京,早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  高田祐介、中川文、中嶋誠二、藤沢浩訓、小舟正文、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京,早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二, 辻田陽介, 中嶋誠二, 藤沢浩訓, 朴正敏, 金島岳, 奥山雅則, 清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Preparation of BiFeO_3 Films by Using Magnetic Field Assisted PLD andDual Ion Beam Sputtering Methods and Their Characterization2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, S. Nakashima, M. Sohgawa, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  ICAE 2011
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Structural and Ferroelectric Properties of BiFeO_3 Thin Films Prepared by Dual Ion Beam Sputtering Process2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, H.Suminaga, Y.Tsujita, H.Fujisawa, M.Kobune, H.Nishioka, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films PreparedPulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J. M. Park, S. Nakashima, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films Prepared Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 20th IEEE ISIF 2011
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2011-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Passivation of Ge(100) and (111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2011
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, K.Kubo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち(愛知県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] 磁場中PLD法によるBi_<1. 1>(Fe_<0. 9> Co_<0. 1>) O_3薄膜の作製と評価2011
- 著者名/発表者名
  後藤田文也、朴正敏、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパタを用いるSrRuO_3/SrTiO_3基板上のBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二、住永寛幸、辻田陽介、朴正敏、金島岳、奥山雅則、藤沢浩訓、小舟正文、清水勝
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  京都,コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるBi_<1.1>(Fe_<0.9>Co_<0.1>)O_3薄膜の作製と評価2011
- 著者名/発表者名
  後藤田文也、朴正敏、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  FMA 2011
- 発表場所
  京都,コープイン京都
- 年月日
  2011-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] HfO_2/Ge MIS構造のHCl表面処理による電気的特性の向上2011
- 著者名/発表者名
  久保和樹, Dong Hun Lee, 金島岳
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2011
- 著者名/発表者名
  D. H. Lee, K. Kubo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Preparation of BiFeO_3 Films by Using Magnetic Field Assisted PLD and Dual Ion Beam Sputtering Methods and Their Characterization2011
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, S.Nakashima, M.Sohgawa, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  ICAE 2011
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるBiFeO_3薄膜の微細構造と強誘電特性2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形,山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法のよるBiFeO_3薄膜の作製2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、後藤田文也、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] 磁場中PLD法によるBiFeO_3薄膜の微細構造と強誘電特性2011
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、寒川雅之、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] デュアルイオンビームスパタを用いるBiFeO_3薄膜の作製(II)2011
- 著者名/発表者名
  辻田陽介、中嶋誠二、藤沢浩訓、西岡洋、小舟正文、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  山形,山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Improvement of Ferroelectric Properties of Bi_1.1Fe_<1-x>Co_xO_3 Thin Films Plrepared by Chemical Solution Deposition Using Iterative Rapid Thermal Annealing2010
- 著者名/発表者名
  Nguyen Truong Tho, T.Kanashima, M.Okuyama M.Noda, K.Saito
- 学会等名
  第27回強誘電体応用会議
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2010-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Synergistic Information Encoding by Combinatorial Pulse Operation of Ferroelectric Ceramic Capacitors2010
- 著者名/発表者名
  D.Ricinschi, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  12^<th> International Ceramics Congress
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- 年月日
  2010-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] PZT強誘電体キャパシタにおける多値メモリの安定性2010
- 著者名/発表者名
  Damian Nicastro, Dan Ricinschi, 金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] F_2添加光MOCVD法により作製したHfO_2/Ge FETの特性向上2010
- 著者名/発表者名
  Donghun Lee, 今庄秀人, 吉岡裕一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第57回応用物理学会学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Characterization of Polycrystalline Sr-Substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Synchrotron Radiation Diffraction Study of Electric-field-induced Strain BiFeO_3 Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, S.Nakashima, W.Shimizu, O.Sakata, T.Kanashima, H.Funakubo
- 学会等名
  2010 Villa Conference on Complex Oxide Heterostructrure
- 発表場所
  Santrini, Greece
- 年月日
  2010-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Large Ferroelectric and Magnetic Hystereses coexisting in BiFeO_3 Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, J.M.Park, T.Kanashima
- 学会等名
  12^<th> International Ceramics Congress
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO3薄膜の作製とその評価2010
- 著者名/発表者名
  辻田陽介、茅原智志、中嶋誠二、藤澤浩訓、朴正敏、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO2/Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, H.Lee, H.Imajo, Y.Yoshioka, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(JKC-FE08)P1-026.
- 発表場所
  Himeji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, Y.Yoshioka, D.Lee, M.Okuyama
- 学会等名
  218th ECS Meeting
- 発表場所
  Las Vegas ; NV, USA
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO_2/ Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D. H. Lee, H. Lee, H. Imajo, Y. Yoshioka, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  Himeji, Japan,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Current Suppression and Magnetic Enhancement by Zn-Substitution in BiFeO_3 Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T, Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 7^<th>Asian Meeting on Ferroelectricity and the 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2010-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/ Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, Y. Yoshioka, D. H. Lee and M. Okuyama
- 学会等名
  ECS Transactions
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] PLD法によるITO基板上薄膜の作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  朴正敏、後藤田文也、中嶋誠二、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Film on ITO substrate by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.M.Park, F.Gotoda, S.Nakashima, T, Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] An Electric-field-induced Strain in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films at Low Temperature Studied by Synchrotron Radiation2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, O.Sakata, J.M.Park, H.Fujisawa, T.Yamada, H.Funakubo, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Improvement of The Property of FET Having The HfO_2/ Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D. Lee, H. Imajo, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Post nitridation of fluorinated HfO_2/Ge gate stack by nitrogen radical treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H, Lee, H.Lee, H.Imajo, Y.Yoshioka, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics (JKC-FE08)
- 発表場所
  Himeji, Japan
- 年月日
  2010-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ferroelectric Properties of Epitaxial BiFeO_3 Thin Films Deposited by Ion Beam Sputtering2010
- 著者名/発表者名
  Y.Tsujita, S.Nakashima, H.Fujisawa, J.M.Park, T.Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 8^<th> Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
- 発表場所
  姫路、日本
- 年月日
  2010-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of of BiFeO_3 Thin Film with Large c/a Axis Ratio on SrRuO_3/SrTiO_32010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, H.Fujisawa, J.M.Park, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 20^<th> MRS-J Symposium
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-12-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Structural and Ferroelctric Properties of BiFeO_3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process2010
- 著者名/発表者名
  S.Nakashima, Y.Tsujita, S.Kayahara, H.Fujisawa, J.M.Park, T, Kanashima, M.Okuyama, M.Shimizu
- 学会等名
  The 7^<th> Asian Meeting on Ferroelectricity and the 7^<th> Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Characterization of Interface States of HfO_2/Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ICTS2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, Y.Yoshioka, D.Lee, M.Okuyama
- 学会等名
  218th ECS Meeting, p.1879.
- 発表場所
  Las Vegas, NV
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Improvement of The Property of FET having The HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.H.Lee, H.Imajo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO_3薄膜の作製とその評価(II)2010
- 著者名/発表者名
  辻田陽介, 中嶋誠二, 藤沢浩訓, 朴正敏, 金島岳, 奥山雅則, 清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Improvement of The Property of FET Having The HfO_2/Ge Structure Fabricated by Photo-Assisted MOCVD with Fluorine Treatment2010
- 著者名/発表者名
  D.Lee, H.Imajo, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, P-1-12.
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Ge(100)表面と元素の反応の分子軌道解析と結合の安定性2009
- 著者名/発表者名
  Donghun Lee, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] RTAによるBiFe_<1-x>Co_xO_3薄膜の作製とその評価2009
- 著者名/発表者名
  NguyenTruong Tho, 金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] BiFeO_3膜におけるリーク電流の面内マッピング2009
- 著者名/発表者名
  中嶋誠二、藤澤浩訓、朴正敏、比企透雄、長副亮、金島岳、奥山雅則、清水勝
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Zn-doped BiFeO_3薄膜のPLDによる作製とその評価2009
- 著者名/発表者名
  朴正敏、中嶋誠二、後藤田文也、金島岳、奥山雅則
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] DLTSおよびICTS法によるHfO□/GeのMIS構造の界面状態評価2009
- 著者名/発表者名
  吉岡祐一, Donghun Lee, 今庄秀人, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] HfO_2/ Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上2009
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, H. Lee, D.-H. Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  シリコンテクノロジー(共催:電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM))
- 発表場所
  応用物理学会分科会,東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Leakage Current Reduction and Ferroelectric Property of Bil-xCoxO_3 Thin Films Prepared by Chemical solution Deposition Using Rapid Thermal Annealing2009
- 著者名/発表者名
  N.Nguen, T.Kanashima M.Okuyama
- 学会等名
  Fall Meeting of Material Research Society
- 発表場所
  ボストン、米国
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] (Invited) Recent Study about BiFeO3 Thin Films as FeRAM Capacitor and Improved Ferroelectric Gate Structure2009
- 著者名/発表者名
  M.Okuyama, S.Nakashima T.Kanashima
- 学会等名
  Spring Meeting of Material Research Society
- 発表場所
  San Francisco. USA
- 年月日
  2009-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360150
[学会発表] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, H. Lee, Y. Mori, H. Imajo and M. Okuyama
- 学会等名
  Proceedings of ECS Transactions(PRiME2008)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] F_2表面処理したHfO_2/ Ge MIS構造の電気的特性評価2008
- 著者名/発表者名
  今庄秀人, H. Lee, 吉岡祐一, 金島岳, 奥山雅則
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  京都大学,桂キャンパス,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima, M. Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectric-ity
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO_2 on Ge Treated by Fluorine2008
- 著者名/発表者名
  T.Kanashima, H.Lee, Y.Mori, H.Imajo, M.Okuyama.
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME2008, p.2451.
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H.Lee, D.H.Lee, T.Kanashima, M.Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity(KJC-FE07)P-08-27.
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300
[学会発表] Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/ Ge gate stack by molecular orbital method2008
- 著者名/発表者名
  H. Lee, D. H. Lee, T. Kanashima and M. Okuyama
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560300

1. 奥山雅則 (60029569)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 53件
2. 野田実 (20294168)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 寒川雅之 (70403128)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
4. RICINSCHI Dan (60403127)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 山下馨 (40263230)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 上野智雄 (90223487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 舟窪浩 (90219080)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 木島健

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

金島 岳 Kanashima Takeshi

研究課題

研究成果

共同研究者

エピタキシャル高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高機能ゲルマニウムトランジスタ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゲルマニウムベース高移動度トランジスタのための表面修飾と絶縁体/界面改善研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

放射光による低温での極薄酸化・窒化膜形成の理論的実験的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Ferroelectrics Material Aspects, chapter 72011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Passivation of Ge(100) and(111) Surfaces by Termination of Nonmetal Elements2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Preparation of BiFe_<0. 9> Co_<0. 1> O_3 Films by Pulsed Laser Deposition under Magnetic Field2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated HfO_2/ Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Preparation of BiFeO_3 Thin Films on SrRuO_3/SrTiO_3(001) Substrate by Dual Ion Beam Sputtering Process2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Studies on Electrical and Retention Enhancement Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor with Radical Irradiation Treatments2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mutiferroic Properties of Polycrystalline Sr-substituted BiFeO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparation and Characterization of BiFeO_3 Thin Films on ITO Substrate by Pulsed Laser Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improvement in the Electrical Characteristics of a Fluorinated Hf_2O/Ge Gate Stack by Using a Nitrogen Radical Treatment2011

金島岳 Kanashima Takeshi