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香野 淳  Kohno Atsushi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30284160
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 福岡大学, 理学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度 – 2014年度: 福岡大学, 理学部, 教授
2002年度 – 2005年度: 福岡大学, 理学部, 助教授
1999年度 – 2000年度: 福岡大学, 理学部, 講師
1997年度 – 1998年度: 広島大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 表面界面物性
キーワード
研究代表者
室温動作 / 自己組織化形成 / シリコン量子ドット / Coulombic interaction / multilevel electron charging / room temperature operation / threshold voltage shift / floating gate MOS memory / memory effect / self-assembling … もっと見る / silicon quantum dot / 低電圧書き込み / 保持電子数 / 保持電子間の相互作用 / 多段階電子注入 / 室温動作メモリ / しきい値電圧シフト / フローティングゲートMOSメモリ / メモリ効果 / SrBi_2Ta_2O_9薄膜 / X線反射率 / メモリーデバイス / MFS型構造 / ゾル-ゲル法 / ビスマス層状構造強誘電体 / X線反射率解析 / シリコン界面 / 薄膜 / 薄膜物性 / 強誘電体薄膜 / 表面ポテンシャル解析 / 電子保持特性 / トンネル電子注入 / 量子デバイス / メモリデバイス … もっと見る
研究代表者以外
量子ドット / シリコン / Quantum dots / 自己組織化 / Tunnel Current / Scanning Probe Microscope / Location Control / Low Pressure CVD / Quantum Dots / Quantum Effect / Silicon / 表面化学結合 / 選択成長 / 原子間力顕微鏡 / 自己組織化形成 / 量子構造 / トンネル電流 / 走査プローブ顕微鏡 / 位置制御 / 減圧CVD / 量子効果 / 非平衡材料プロセス / パルスレーザーメルティング / 非平衡プロセス / 過飽和ドープ / 赤外光吸収 / 金属非金属転移 / レーザーアニーリング / 深い準位 / 太陽電池 / 半導体 / 過飽和ドーピング / 中間バンド / レーザープロセッシング / 非破壊分析 / 非結晶化 / 不純物イオン注入 / 水素結合 / ネットワーク形成 / アモルファスシリコン / 紫外線レーザラマン散乱 / 表面層高感度分析 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (5件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  シリコンへの過飽和ドープによる巨大な赤外光吸収帯の出現と中間バンドの形成

    • 研究代表者
      梅津 郁朗
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      甲南大学
  •  自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  膜厚100nm以下の強誘電体薄膜の物性及び薄膜/シリコン界面の構造と物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      香野 淳
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福岡大学
  •  シリコン量子構造体の形成・物性制御と室温動作デバイスへの応用

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコン量子ドット凝集体の電子物性とメモリ効果に関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      香野 淳
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福岡大学
      広島大学
  •  半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコン量子ドット凝集体を用いたメモリデバイスに関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      香野 淳
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting2014

    • 著者名/発表者名
      Ikurou Umezu, Muneyuki Naito, Daisuke Kawabe, Yusuke Koshiba, Katsuki Nagao, Akira Sugimura, Tamao Aoki, Mitsuru Inada, Tadashi Saitoh, Atsushi Kohno
    • 雑誌名

      Appl. Phys. A

      巻: 117 号: 1 ページ: 155-159

    • DOI

      10.1007/s00339-014-8313-7

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560020
  • [雑誌論文] Emergence of very broad infrared absorption band by hyperdoping of silicon with chalcogens2013

    • 著者名/発表者名
      Ikurou Umezu, Jeffrey M. Warrender, Supakit Charnvanichborikarn, Atsushi Kohno, James S. Williams, Malek Tabbal, Dimitris G. Papazoglou, Xi-Cheng Zhang, and Michael J. Aziz
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: -

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560020
  • [学会発表] 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と電気伝導特性の濃度依存性2013

    • 著者名/発表者名
      松田祐樹,長尾克己,香野 淳,杉村 陽,梅津郁朗
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第33回年次大会
    • 発表場所
      姫路商工会議所
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560020
  • [学会発表] Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting2013

    • 著者名/発表者名
      Ikurou Umezu, Muneyuki Naito, Daisuke Kawabe, Yusuke Koshiba, Katsuki Nagao, Akira Sugimura, Tamao Aoki, Mitsuru Inada, Tadashi Saitoh, Atsushi Kohno
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Laser Ablation
    • 発表場所
      Ischia,Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560020
  • [学会発表] Possibility to Form Intermediate Band by Hyperdoping of Silicon with Deep Level Impurities

    • 著者名/発表者名
      Ikurou Umezu, Katsuki Nagao, Daisuke Kawabe, Yusuke Koshiba, Akira Sugimura, Mitsuru Inada, Tadashi Saitoh and Atsushi Kohno
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560020
  • 1.  宮崎 誠一 (70190759)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  村上 秀樹 (70314739)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  梅津 郁朗 (30203582)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 4.  吉田 岳人 (20370033)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  稲田 貢 (00330407)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 6.  東 清一郎 (30363047)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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