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真下 正夫  MASHITA Masao

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30292139
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 2004年度: 弘前大学, 理工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 表面界面物性
キーワード
研究代表者
InAs / 光・電子半導体デバイス / GaAs / photoluminescence / molecular beam epitaxy / GaAsヘテロ構造 / エピタキシャル成長機構 / 化合物半導体 / 分子線エピタキシー / 超格子 … もっと見る / 半導体量子構造 / GaAs(111)A single quantum well / lattice mismatch / InGaAs / 量子構造 / superlattice / InAs quantum well / GaAs(111)A / single quantum well / optoelectronic semiconductor device / compound semiconductor / epitaxial growth / reevaporation / 昇華 / 光電子半導体デバイス / 半導体 / In再蒸発 / film composition / x-ray photoelectoron spectroscopy / Fourier transform infrared spectroscopy / reactive rf-magnetron sputtering / direct gap semiconductor / BCN films / 薄膜成長装置 / 光・電子・半導体デバイス / ホウ素-炭素-窒素系 / 組成制御 / 薄膜成長機構 / 単結晶薄膜 / 直接遷移型半導体 / ホウ素-炭素-窒素系薄膜 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (4件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  半導体柱状量子構造の新規作製法研究代表者

    • 研究代表者
      真下 正夫
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      弘前大学
  •  新規作製法による半導体柱状量子構造研究代表者

    • 研究代表者
      真下 正夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      弘前大学
  •  分子線エピタキシー技術を用いた半導体量子構造の新規作製法研究代表者

    • 研究代表者
      真下 正夫
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      弘前大学
  •  ホウ素-炭素-窒素系直接遷移型半導体薄膜研究代表者

    • 研究代表者
      真下 正夫
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      弘前大学

すべて 2003

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs (111)A Substrates by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      M.Mashita et al.
    • 雑誌名

      IEE Proceedings-Optoelectronics 150-4

      ページ: 399-402

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560001
  • [雑誌論文] Photoluminescence from Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs (111)A Substrates2003

    • 著者名/発表者名
      M.Mashita et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42・7B

    • NAID

      10011260737

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560001
  • [雑誌論文] Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs (111)A Substrates by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      M.Mashita et al.
    • 雑誌名

      IEE Proceedings-Optoelectronics 150・4

      ページ: 399-402

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560001
  • [雑誌論文] Photoluminescence from Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum2003

    • 著者名/発表者名
      M.Mashita et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42-7B

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560001
  • 1.  佐々木 正洋 (80282333)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  小豆畑 敬 (20277867)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  鈴木 裕史 (50236022)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  宮永 崇史 (70209922)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  堀内 弘之 (80029892)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  中澤 日出樹 (90344613)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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