高梨良文 TAKANASHI Yoshifumi

研究者番号	30318224
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度: 東京理科大学, 基礎工学研究科, 教授 2009年度 – 2011年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 2005年度 – 2007年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 2003年度: 東京理科大学, 材料工学部, 教授 2001年度 – 2003年度: 東京理科大学, 基礎工学部・材料工学科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電力工学・電気機器工学 / 電力工学・電気機器工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者マグネシウムシリサイド / 環境半導体 / Wasted heat / Thermoelectric / Magnesium siliside / 放電プラズマ焼結 / 結晶育成 / 半導体 / 熱電変換 / Alumina crucible … もっと見る / Pure graphite / Magnegium silicide / Silicides / Thermoelectric materials / Environmentally-friendly semiconductor / アルミナるつぼ / 高純度焼結カーボン / シリサイド / 熱電変換材料 / Auger再結合 / 超高速応答 / III-V化合物半導体 / 光検出デバイス / 集積回路 / 電子デバイス隠す

超高速光・電子融合デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  高梨良文
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学
ダイキャスト結晶育成法による省プロセスMg_2Siの合成と高効率排熱発電素子開発研究代表者
- 研究代表者
  
  高梨良文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  東京理科大学
環境低負荷半導体材料による分散型排熱リサイクルシステムの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  高梨良文
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2012
- 著者名/発表者名
  Yuta Koreeda, Yutaka Endo, Kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI(C)
  
  巻: 9 ページ: 357-360
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric Behavior of Sb-and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences2011
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Iida, S. Kurosaki, K. Yano, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 40 ページ: 629-634
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric characteristics of commercialized Mg2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu2010
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Iida, J. Sato, A. Matsumoto, Y. Honda, T. Nemoto, J. Sato, T. Nakajima, H. Taguchi, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 39 ページ: 1708-1713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg2Si synthesized using wasted Si sludge and recycled Mg alloy2010
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, T. Iida, T. Sakamoto, S. Sakuragi, Y. Taguchi, Y. Mito, T. Nemoto, T. Nakajima, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Proc.
  
  巻: Vol.1218 ページ: 1218-1218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Characteristics of a pin-fin structure thermal-to-electric uni-leg device using a commercial n-type Mg2Si source2010
- 著者名/発表者名
  T. Nemoto, T. Iida, J. Sato, Y. Oguni, A. Matsumoto, T. Miyata, T. Sakamoto, T. Nakajima, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 39 ページ: 1572-1578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron2010
- 著者名/発表者名
  Takahisa Ando, Hirohisa Taguchi, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 856-857
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yasuyuki Oishi, Takahisa Ando, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Mitsuhiro Enomoto, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yasuyuki Oishi, Takahisa Ando, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Mitsuhiro Enomoto, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 946-947
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Nobuhito Wakimura, Yugo Nakagawa, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Physica status solidi
  
  巻: (c) 6 ページ: 1386-1389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric properties of Sb-doped sintered Mg2Si fabricated using commercial polycrystalline sources2009
- 著者名/発表者名
  N. Fukushima, T. Iida, M. Akasaka, T. Nemoto, T. Sakamoto, R. Kobayashi, H. Taguchi, K. Nishio and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Res. Soc. Proc.
  
  巻: 1166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Materials Research Society Symposium Proceedings 11082009
- 著者名/発表者名
  Nobuhito Wakimura, Yugo Nakagawa, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 巻
  1108
- ページ
  2-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Output power characteristics of Mg2Si and the fabrication of a Mg2Si TE module with a uni-leg structure2009
- 著者名/発表者名
  T. Nemoto, T. Iida, Y. Oguni, J. Sato, A. Matsumoto, T. Sakamoto, T. Miyata, T. Nakajima and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Materials and Devices for Thermal-to-Electric Energy Conversion Mater
  
  巻: Proc. 1166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] The thermoelectric properties of bulk crystals of n-, p-type Mg2Si prepared by the vertical Bridgman method2008
- 著者名/発表者名
  M. Akasaka, T. Iida, A. Matsumoto, K. Yamanaka, Y. Takanashi, T. Imai, N. Hamada
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 104
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360130
[雑誌論文] Non-wetting crystal growth of Mg2Si by vertical Bridgman method and thermoelectric characteristics2007
- 著者名/発表者名
  M. Akasaka, T. Iida, J. Soga, N. Kato, T. Sakuma, Y. Higuchi, Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 304
  
  ページ: 196-201
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360130
[雑誌論文] Fabrication of Mg2Si from a Reused-silicon Source and its Thermoelectric Characteristics
- 著者名/発表者名
  M. Akasaka, T. Iida, Y. Mito, T. Omori, Y. Oguni, S. Yokoyama, K. Nishio, Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Thermoelectric Power Generation (Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1044), ed. by T. P. Hogan, J. Yang, R. Funahashi, T. Tritt, (Mater. Res. Soc., 2008)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360130
[雑誌論文] Formation of transition-metal-based ohmic contacts to n-Mg2Si by plasma activated sintering
- 著者名/発表者名
  Y. Oguni, T. Nemoto, T. Iida, J. Onosaka, H. Takaniwa, M. Akasaka, J. Sato, T. Nakajima, Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Thermoelectric Power Generation (Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1044), ed. by T. P. Hogan, J. Yang, R. Funahashi, T. Tritt, (Mater. Res. Soc., 2008)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360130
[学会発表] In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPHEMTの周波数特性2011
- 著者名/発表者名
  山崎陽一、是枝勇太、西尾結、遠藤裕、佐藤宏一、芳沢研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第72回応報物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on the same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2011
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yuta koreeda, Yutaka Endo, kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors-ISCS
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPMSM-PDの応答特性2011
- 著者名/発表者名
  西尾結、是枝勇太、山崎陽一、渡邉亮、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第72回応報物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] InAlAs/InAs/OnGaAs-PHEMTの直流及び高周波特性2010
- 著者名/発表者名
  遠藤裕、安藤貴寿、是枝勇太、佐藤宏一、吉澤研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Takahisa Ando, Hirohisa Taguchi, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo Univ.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲートソース間電圧による光応答時間の依存性2010
- 著者名/発表者名
  是枝勇太、安藤貴寿、遠藤裕、佐藤宏一、吉澤研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365

1. 飯田努 (20297625)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
2. 田口博久 (30453830)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
3. 西尾圭史 (90307710)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

高梨 良文 TAKANASHI Yoshifumi

研究課題

研究成果

共同研究者

超高速光・電子融合デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ダイキャスト結晶育成法による省プロセスMg_2Siの合成と高効率排熱発電素子開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

環境低負荷半導体材料による分散型排熱リサイクルシステムの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric Behavior of Sb-and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric characteristics of commercialized Mg2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg2Si synthesized using wasted Si sludge and recycled Mg alloy2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Characteristics of a pin-fin structure thermal-to-electric uni-leg device using a commercial n-type Mg2Si source2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric properties of Sb-doped sintered Mg2Si fabricated using commercial polycrystalline sources2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Materials Research Society Symposium Proceedings 11082009

著者名/発表者名

巻

ページ

データソース

[雑誌論文] Output power characteristics of Mg2Si and the fabrication of a Mg2Si TE module with a uni-leg structure2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] The thermoelectric properties of bulk crystals of n-, p-type Mg2Si prepared by the vertical Bridgman method2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Non-wetting crystal growth of Mg2Si by vertical Bridgman method and thermoelectric characteristics2007

著者名/発表者名

高梨良文 TAKANASHI Yoshifumi