| 研究者番号 |
30320120
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| その他のID |
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| 所属 (現在) |
2022年度: 高知工科大学, 総合研究所, 教授
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| 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 |
2012年度 – 2014年度: 高知工科大学, 公私立大学の部局等, 教授
2013年度: 高知工科大学, 総合研究所, 教授
2001年度 – 2005年度: 高知工科大学, 工学部, 教授
2001年度 – 2002年度: 高知工科大学, 電子・光システム工学科, 教授
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| 審査区分/研究分野 |
- 研究代表者
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環境技術・環境材料
- 研究代表者以外
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薄膜・表面界面物性 /
表面界面物性 /
電子・電気材料工学 /
電子・電気材料工学
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| キーワード |
- 研究代表者
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グリーンケミストリ / 水素センサー / 半導体センサー / 酸化物半導体 / 酸化亜鉛 / 導電性薄膜 / 半導体式センサー / t90 / 吸着酸素 / peroxide
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/ superoxide / 酸化物半導体式 / 応答時間 / 起動時間 / スーパーオキシドアニオン / 活性酸素 / 化学吸着 / 環境材料 / 表面・界面物性 / 水素 / プラズマ加工 / 電子・電気材料
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- 研究代表者以外
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ドーピング / RBS / PIXE / 硫化亜鉛 / 同時ドーピング / エピタキシャル成長 / zinc sulfide / co-doping / vapor phase epitaxy / 酸化物半導体 / 酸化亜鉛 / 配向制御 / アクセプタ / 多結晶薄膜 / ミクロ構造制御 / 電気伝導特性 / ガラスキャピラリ / 高エネルギーイオンビーム / イオンビーム加工 / ガラスキャピラリー / 収束イオンビーム / ナノテクノロジー / リソグラフィー / MEMS / 収集イオンビーム / Glass capillary / High energy ion beam / Ion beam process / フォトルミネッセンス / 窒素ドーピング / 不純物ドーピング / codoping / 伝導性制御 / photoluminescence / nitrogen doping / 気層成長法 / ZnS / Hall測定 / 気相成長法 / Hall effect measurement / doping / epitaxial growth
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