岡田浩 Okada Hiroshi

研究者番号	30324495
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所属 (現在)	2025年度: 豊橋技術科学大学, 総合教育院, 教授 2025年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2023年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2011年度 – 2015年度: 豊橋技術科学大学, エレクトロニクス先端融合研究所, 准教授 2010年度: 豊橋技術科学大学, エレクトロコクス先端融合研究所, 准教授 2006年度 – 2007年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 講師 2005年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助手 2001年度 – 2002年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外小区分20020:ロボティクスおよび知能機械システム関連 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 集積回路 / イオン注入 / 絶縁膜形成技術 / 集積回路技術 / 過酷環境エレクトロニクス / プロセス技術 / トランジスタ / 電子デバイス / モノリシック集積 … もっと見る / 絶縁膜体積技術 / 素子分離技術 / 絶縁膜堆積技術 / 電極形成 / モノリシック集積回路 / 窒化物半導体デバイス / 半導体プロセス技術 / 耐環境性デバイス / 絶縁ゲート構造 / 窒化物半導体におけるダメージ評価 / 欠陥評価 / イオン注入技術 / 異種基板接合 / 表面パッシベーション / LED / 半導体欠陥評価 / デバイス作製技術 / 一体化技術 / シリコン集積回路 / 2次元電子ガス / ２次元電子ガス / AlGaN/GaN / ヘテロ構造 / 高電子移動度トランジスタ / 希土類元素 / 発光デバイス / 電流-電圧特性 / 原子間力顕微鏡 / 電極構造 / 量子デバイス / 温度依存性 / ナノチューブトランジスタ / ゲートバイアス制御 / 単一電子トランジスタ / 化学気相成長法 / ナノデバイス / 位置方向制御形成 / カーボンナノチューブ … もっと見る研究代表者以外圧電アクチュエータ / 超音波モータ / マイクロロボット / マイクロモータ / アクチュエータ / Optoelectronics / III-Nitrides / Rare-earth element / 発光過程 / ヘテロエピタキシャル成長 / 光電子集積 / III族窒化物 / ウエハ融着 / 光電子集積回路 / 発光特性 / 窒化物半導体 / 希土類 / 電子顕微鏡 / 微細加工技術 / MOSデバイス / ポストシリコン材料 / 量子効果デバイス / 電界効果デバイス / 電流-電圧特性 / 原子間力顕微鏡 / 電極構造 / 量子デバイス / 電子デバイス / カーボンナノチューブ隠す

集積回路技術を適用した窒化物半導体ヘテロ構造のモノリシック集積回路研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
消化管内腔での生検と移動を行えるカプセルロボットの開発
- 研究代表者
  
  真下智昭
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分20020:ロボティクスおよび知能機械システム関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
過酷環境で動作する窒化物半導体集積エレクトロニクスの検討研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
窒化物半導体集積デバイスとSi-CMOS集積回路のウェハレベル融合とセンサ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
希土類添加窒化物半導体を用いた集積型微小光源の開発とナノシステムへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
III-N-RE混晶半導体/Siを用いた光電子融合デバイス・システムの開発
- 研究代表者
  
  若原昭浩
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
カーボンナノチューブを用いた電子デバイスの電極構造の評価と量子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田浩
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
カーボンナノチューブの電界効果およびトランジスタへの応用
- 研究代表者
  
  吉田明
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学

[雑誌論文] Electrical and X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Contacts to AlGaN/GaN2024
- 著者名/発表者名
  H. Okada, M. Fukinaka, and Y. Akira
- 雑誌名
  
  IEICE Transaction on Electronics
  
  巻: E107-C
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03956
[雑誌論文] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討2023
- 著者名/発表者名
  赤松龍弥、秋良芳樹、岡田浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術報告
  
  巻: SDM2023-25 ページ: 32-35
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[雑誌論文] AlGaN/GaNヘテロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022
- 著者名/発表者名
  吹中茉生、秋良芳樹、岡田浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術報告
  
  巻: SDM2022-23 122 ページ: 39-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[雑誌論文] Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures2020
- 著者名/発表者名
  Sato Shin-ichiro、Deki Manato、Nishimura Tomoaki、Okada Hiroshi、Watanabe Hirotaka、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 479 ページ: 7-12
- DOI
  10.1016/j.nimb.2020.06.007
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579, KAKENHI-PROJECT-18H01483
[雑誌論文] GaN‐Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement‐ and Depletion‐Mode MOSFETs by Si Ion Implantation2019
- 著者名/発表者名
  Okada Hiroshi、Miwa Kiyomasa、Yokoyama Taichi、Yamane Keisuke、Wakahara Akihiro、Sekiguchi Hiroto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 217 号: 3 ページ: 1900550-1900550
- DOI
  10.1002/pssa.201900550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[雑誌論文] 窒化物半導体集積回路プロセスの検討～ Siイオン注入による閾値制御の試み～2019
- 著者名/発表者名
  岡田浩 , 横山太一 , 三輪清允 , 山根啓輔 , 若原昭浩 , 関口寛人
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 119 ページ: 77-80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[雑誌論文] Fabrication of Si/SiO2/GaN structure by surface-activated bonding for monolithic integration of optoelectronic devices2016
- 著者名/発表者名
  Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FL01-05FL01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fl01
- NAID
  210000146564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Investigation of HCl-based surface treatment for GaN devices2016
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okada, Masatohi Shinohara, Yutaka Kondo, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane and Akihiro Wakahara
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1709 ページ: 020011-020011
- DOI
  10.1063/1.4941210
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Chemical vapor deposition of silicon nitride film enhanced by surface-wave plasma for surface passivation of AlGaN/GaN device2015
- 著者名/発表者名
  H. Okada, K. Kawakami, M. Shinohara, T. Ishimaru, H. Sekiguchi, A. Wakahara and M. Furukawa
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 41 ページ: 41-46
- DOI
  10.1063/1.4913542
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] High Proton Radiation Tolerance of InAsSb Quantum-Well-Based micro-Hall Sensors2014
- 著者名/発表者名
  Abdelkader Abderrahmane, Pil Ju Ko, Hiroshi Okada, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Ichiro Shibasaki, Adarsh Sandhu
- 雑誌名
  
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  
  巻: 35 号: 12 ページ: 1305-1307
- DOI
  10.1109/led.2014.2359879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Proton Irradiation Enhancement of Low-Field Negative Magnetoresistance Sensitivity of AlGaN/GaN-Based Magnetic Sensor at Cryogenic Temperature2014
- 著者名/発表者名
  Abdelkader Abderrahmane, Pil Ju Ko, Hiroshi Okada, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Adarsh Sandhu
- 雑誌名
  
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  
  巻: 35 号: 11 ページ: 1130-1132
- DOI
  10.1109/led.2014.2358613
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Effect of annealing on proton irradiated AlGaN/GaN based micro-Hall sensors2014
- 著者名/発表者名
  A. Abderrahmane, H. Takahashi, T. Tashiro, P. J. Ko, H. Okada, S. Sato, T. Ohshima and A. Sandhu
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1585 ページ: 123-127
- DOI
  10.1063/1.4866629
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence2014
- 著者名/発表者名
  H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E97.C 号: 5 ページ: 409-412
- DOI
  10.1587/transele.E97.C.409
- NAID
  130004519108
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Organometallic chemical vapor deposition of silicon nitride films enhanced by atomic nitrogen generated from surface-wave plasma2014
- 著者名/発表者名
  H. Okada, M. Kato, T. Ishimaru, M. Furukawa, H. Sekiguchi, and A. Wakahara
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1585 ページ: 64-67
- DOI
  10.1063/1.4866620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Partial recovery of the magnetoelectrical properties of AlGaN/GaN-based micro-Hall sensors irradiated with protons2014
- 著者名/発表者名
  A. Abderrahmane, T. Tashiro, H. Takahashi, P. J. Ko, H. Okada, S. Sato, T. Ohshima, and A. Sandhu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 2
- DOI
  10.1063/1.4861902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[雑誌論文] Effect of Proton Irradiation on 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures2013
- 著者名/発表者名
  A.Abderrahmane, S.Koide, T.Tahara, S. Sato, T.Ohshima, H.Okada and A.Sandhu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Conference Series
  
  巻: 433 ページ: 12011-12011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Effects of Proton Irradiation on the Magnetoelectric Properties of 2DEG AlGaN/GaN Micro-Hall Sensors2012
- 著者名/発表者名
  H.Okada, A.Abderrahmane, S.Koide, H.Takahashi, S.Sato, T.Ohshima and A.Sandhu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Conference Series
  
  巻: Vol.352 ページ: 12010-12010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Investigation of Europium Ion-implantaion into Single- and Double-hetero AlGaN/GaN for Light Emitting Transistor2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okada
- 雑誌名
  
  JAEA-Review
  
  巻: 46 ページ: 16-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Robust Hall Effect Magnetic Field Sensors for Operation at High Temperatures and in Harsh Radiation Environments2012
- 著者名/発表者名
  Abdelkader Abderrahmane , ShotaKoide , Shin-Ichiro Sato , Takeshi Ohshima , Adarsh Sandhu , and, Hiroshi Okada
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS
  
  巻: Vol.48 ページ: 4421-4423
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Effect of Mg codoping on Eu3+ luminescence in GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Yasufumi Takagi, Takanobu Suwa, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 17 ページ: 171905-171905
- DOI
  10.1063/1.3656018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Effects of Proton Irradiation on the Magnetoelectric Properties of 2DEG AlGaN/GaN Micro-Hall Sensors2012
- 著者名/発表者名
  H.Okada, A.Abderrahmane, S.Koide, H.Takahashi, S.Sato, T.Ohshima, A.Sandhu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics Conference Series
  
  巻: 352 ページ: 12010-12010
- DOI
  10.1088/1742-6596/352/1/012010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Integration of Micro-Light-Emitting-Diode Arrays and Silicon Driver for Heterogeneous Optoelectronic Integrated Circuit Device2012
- 著者名/発表者名
  S.B.Shin, K.Iijima, J.Chiba, H.Okada, S.Iwayama, and A.Wakahara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50
- NAID
  210000138708
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] ntelligent Ultraviolet Sensor Composed of GaN-Based Photodiode and N-Channel Metal Oxide Semiconductor Si-Charge Transfer Type Signal Processor2012
- 著者名/発表者名
  C.Y.Lee, F.Matsuno, Y.Hashimoto, H.Okada, K.Sawada, and A.Wakahara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.51 ページ: 44101-44101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Effect of Mg codoping on Eu3+luminescence in GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Yasufumi Takagi, Takanobu Suwa, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.99 ページ: 171905-171905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Eu 添加 AlGaN/GaN HEMT 構造を用いた発光素子の検討2010
- 著者名/発表者名
  近藤正樹、秦貴幸、岡田浩、若原昭浩・古川雄三
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110巻ページ: 11-16
- NAID
  110007999961
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[雑誌論文] Investigation of Tb-related green emission in group-III nitrides by time-resolved photoluminescence measurements2008
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, K. Takemoto, F. Oikawa, H. Okada, T. Ohshima, H. Itoh
- 雑誌名
  
  phys. stat. solodi(a) Vol.205,(1)
  
  ページ: 56-59
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] 380 keV proton irradiation effects on photoluminescence f Eu-doped GaN2008
- 著者名/発表者名
  H.Okada, Y.Nakanishi, A.Wakahara, A.Yoshida, T.Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Researth B 266
  
  ページ: 853-856
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] 380 keV proton irradiation effects on photoluminescence of Eu-doped GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Okada, Y. Nakanishi, A. Wakahara, A. Yoshida, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B Vol.266
  
  ページ: 853-856
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] 380 keV proton irradiation effects on photoluminescence f Eu-doped GaN2008
- 著者名/発表者名
  H. Okada, Y. Nakanishi, A. Wakahara, A. Yoshida, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 266
  
  ページ: 853-856
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Investigation of Tb-related green emission in group-III nitrides by time-resolved photoluminescence measurements2007
- 著者名/発表者名
  A.Wakahara, K.Takemoto, F.Oikawa, H.Okada, T.Ohshima, and H.ltoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solodi(a) 205
  
  ページ: 56-59
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Investigation of Tb-related green emission in group-III nitrides by time-resolved photoluminescence measurements2007
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, K. Takemoto, F. Oikawa, H. Okada, T. Ohshima, and H. Itoh
- 雑誌名
  
  Physica Status Solodi(a) 205
  
  ページ: 56-59
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Enhancement of Tb-related cathodoluminescence in Al_xGa_<1-x>N (0【less than or equal】x【less than or equal】1)2005
- 著者名/発表者名
  A.Wakahara, Y.Nakanishi, T.Fujiwara, H.Okada, A.Yoshida, T.Ohshima, T.Kamiya
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solidi (a) Vol.202, No.5
  
  ページ: 863-867
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Enhancement of Th-related cathodeluminescence in AI_xGai_<-x>,N (0≦x≦1)2005
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, Y. Nakanishi, T. Fujiwara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, T. Kamiya
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) Vol.202,(5)
  
  ページ: 863-867
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Photoluminescence properties of Eu-implanted A1_xGai_<-x>N(0≦x≦1)2005
- 著者名/発表者名
  T. Fujiwara, A. Wakahara, Y. Nakanishi, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima T. Kamiya
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) Vol.2,(7)
  
  ページ: 2805-2808
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Energy-back-transfer process in rare-earth doped AlGaN2005
- 著者名/発表者名
  A.Wakahara, T.Fujiwara, H.Okada, A.Yoshida, T.Ohshima, H.Itho
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.866
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[雑誌論文] Energy-back-transfer process in rare-earth doped AIGaN2005
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, T. Fujiwara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, H. Itho
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc Vol.866
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討2023
- 著者名/発表者名
  赤松龍弥・秋良芳樹・岡田　浩
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03956
[学会発表] 小型アクチュエータ駆動のための窒化物半導体集積回路の検討2023
- 著者名/発表者名
  秋良芳樹、赤松龍弥、真下智昭、岡田浩
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of SiO2/GaN Formed by Atomic-Species-Enhanced Chemical Vapor Deposition2023
- 著者名/発表者名
  H. Okada, S. Yamagata, S. Shikata, A. Wakahara, M. Furukawa
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03956
[学会発表] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜/窒化物半導体構造のX 線光電子分光評価2023
- 著者名/発表者名
  山形翔 , 鹿田颯吾 , 古川雅一 , 若原昭浩 , 岡田浩
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03956
[学会発表] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の形成及び評価(2)2023
- 著者名/発表者名
  山形翔, 尾内亮太, 鹿田颯吾, 古川雅一, 若原昭浩, 岡田浩
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] Electrical and X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Contacts to AlGaN/GaN2023
- 著者名/発表者名
  H. Okada, M. Fukinaka, and Y. AKira
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03956
[学会発表] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の形成及び評価2022
- 著者名/発表者名
  尾内亮太,山形翔,古川雅一,若原昭浩,岡田浩
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] Study of Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures2022
- 著者名/発表者名
  H. Okada, M. Fukinaka, and Y. Akira
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022
- 著者名/発表者名
  吹中茉生、秋良芳樹、岡田浩
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたモノリシック集積回路の検討2021
- 著者名/発表者名
  川内智瑛、吹中茉生、真下智昭、岡田浩
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] 窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用2021
- 著者名/発表者名
  岡田　浩
- 学会等名
  第76回 CVD研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04579
[学会発表] Fabrication of AlGaN/GaN transistors with SiO2 gate insulator formed by atomic oxygen at ground state extracted from a surface-wave generated plasma2019
- 著者名/発表者名
  H.Okada, M.Baba, K.Nakamura, M.Furukawa, K.Yamane, M.Sekiguchi and A.Wakahara
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Hiroto Sekiguchi , Kiyomasa Miwa , Keisuke Yamane , Akihiro Wakahara , Hiroshi Okada
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法で形成した絶縁ゲート型GaN系トランジスタの検討2019
- 著者名/発表者名
  中村健人、馬場真人、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用2019
- 著者名/発表者名
  馬場真人、垣内佑斗、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 窒化物半導体集積回路プロセスの検討～ Siイオン注入による閾値制御の試み～2019
- 著者名/発表者名
  岡田浩, 横山太一, 三輪清允, 山根啓輔, 若原昭浩, 関口寛人
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)2018
- 著者名/発表者名
  横山太一、三輪清允、岡田浩、関口寛人、山根啓輔、若原昭浩
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] GaN系ヘテロ構造デバイスのイオン注入素子分離2018
- 著者名/発表者名
  中村健人、馬場真人、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 2波長励起フォトルミネッセンス法によるGaNへのイオン注入ダメージ評価の検討2018
- 著者名/発表者名
  増田海斗、関口寛人、三輪清允、岡田浩、山根啓輔、若原昭浩
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 窒化物半導体デバイス応用に向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討2018
- 著者名/発表者名
  馬場真人、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 集積回路実現に向けた窒化物半導体によるMOSFETの作製2018
- 著者名/発表者名
  三輪清允，横山太一，関口寛人，山根啓輔，若原昭浩，岡田浩
- 学会等名
  第37回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] 表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2)2017
- 著者名/発表者名
  馬場真人、中村健人、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] Characteristics of Silicon Dioxide Dielectric Film Formed by Chemical Vapor Deposition Enhanced by Atomic Oxygen at Ground State Extracted from a Surface-wave Generated Plasma2017
- 著者名/発表者名
  H. Okada, M. Baba, M. Furukawa, K. Yamane, H. Sekiguchi, and A. Wakahara
- 学会等名
  2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06383
[学会発表] イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製2016
- 著者名/発表者名
  上月誠也、土山和晃、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学 (東京都目黒区)
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積2016
- 著者名/発表者名
  土山和晃、宇都宮脩、中川翔太、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学 (東京都目黒区)
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] MOSトランジスタ及び発光素子の一貫形成に向けたSi / SiO2 / GaN / Sapphire 構造の熱耐性に関する調査2016
- 著者名/発表者名
  宇都宮脩、立原佳樹、土山和晃、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学 (東京都目黒区)
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Study of pretreatment for surface passivation layer deposition on AlGaN/GaN transistors2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kondo, K. Kawakami, H. Okada, H. Sekiguchi, K. Yamane and A. Wakahara
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Plaza Hotel (Hida)
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Fabrication of Si/SiO2/GaN-LED wafer using surface activated bonding2015
- 著者名/発表者名
  K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Act City Hamamatsu, Hamamatsu
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Investigation of surface treatment and passivation for GaN-based transistors2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okada, Masatoshi Shinohara, Yutaka Kondo, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, and Akihiro Wakahara
- 学会等名
  The Irago Conference 2015
- 発表場所
  Irago Sea-Park and Spa, Tahara
- 年月日
  2015-10-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] AlGaN/GaNデバイスの表面パッシベーション膜堆積前処理の効果2015
- 著者名/発表者名
  篠原正俊、近藤佑隆、岡田浩、関口寛人、山根啓輔、若原昭浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Proton irradiation effects on p- and n-type GaN2013
- 著者名/発表者名
  H. Okada
- 学会等名
  2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013)
- 発表場所
  Hana Square of Korea University, Seoul, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Silicon-based Dielectric Films Enhanced by Surface-Wave Plasma2013
- 著者名/発表者名
  M.Kato, T.Ishimaru, H.Okada, M.Furukawa, H.Sekiguchi and A.Wakahara
- 学会等名
  The Irago Conference 2013
- 発表場所
  愛知県田原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Proton irradiation effects on electrical and luminescence properties of GaN-based light emitting device2013
- 著者名/発表者名
  H.Okada, Y.Okada, H.Sekiguchi, A.Wakahara, S.Sato, and T.Ohshima
- 学会等名
  10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013)
- 発表場所
  北海道函館市
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Proton irradiation effects on p- and n-type GaN2013
- 著者名/発表者名
  H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato and T. Ohshima
- 学会等名
  2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013)
- 発表場所
  韓国ソウル市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Partially recovery of the electrical properties of AlGaN/GaN based micro-Hall sensors irradiated with protons2013
- 著者名/発表者名
  A. Abderrahmane, T. Tashiro, H. Okada, S. Sato, T. Ohshima, and A. Sandhu
- 学会等名
  The Irago Conference 2013
- 発表場所
  愛知県田原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Electrical Characterization of Damages in GaN-based Light Emitting Diode Induced by Irradiations2013
- 著者名/発表者名
  H.Okada, Y.Okada, H.Sekiguchi, A.Wakahara, S.Sato and T.Ohshima
- 学会等名
  The Irago Conference 2013
- 発表場所
  愛知県田原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Mg 共添加による GaN:Eu の発光特性向上のメカニズム2012
- 著者名/発表者名
  関口寛人,大谷龍輝,高木康文, 岡田浩,若原昭浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] NH3-MBE法によるGaN:Eu LEDの発光特性2012
- 著者名/発表者名
  大谷龍輝, 松村亮太, 関口寛人, 高木康文, 岡田浩, 若原昭浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] 希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)2012
- 著者名/発表者名
  近藤正樹, 岡田浩, 関口寛人, 若原昭浩, 佐藤真一郎, 大島武
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Mg共添加によるGaN:Euの発光特性向上のメカニズム2012
- 著者名/発表者名
  関口寛人, 大谷龍輝, 高木康文, 岡田浩, 若原昭浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] NH3-MBE 法による GaN:Eu LED の発光特性2012
- 著者名/発表者名
  大谷龍輝, 松村亮太,関口寛人,高木康文,岡田浩,若原昭浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] 希土類添加III 族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)2012
- 著者名/発表者名
  近藤正樹, 岡田浩,関口寛人,若原昭浩,佐藤真一郎,大島武
- 学会等名
  希土類添加III 族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Robust Hall effect magnetic field sensors for operation at high temperatures and in harsh radiation environments2012
- 著者名/発表者名
  H. Okada, S. Koide, S. Sato, T. Ohshima and A. Sandhu
- 学会等名
  International Magnetics Conference, INTERMAG 2012
- 発表場所
  バンクーバー(カナダ)
- 年月日
  2012-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Development of Lattice- Matched GaPN/ AlGaPN DBR on Si2012
- 著者名/発表者名
  H. Okada, K. Kumagai, T. Kawai, H. Sekiguchi, and A. Wakahara
- 学会等名
  IEEE Photonics Conference 2012
- 発表場所
  サンフランシスコ(米国)
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Suwa, Y.Takagi, H.Sekiguchi, H.Okada, A.Wakahara
- 学会等名
  rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Eu selective doped light emitting transistor based-on AlGaN/GaN heterostructure2011
- 著者名/発表者名
  M. Kondo, T. Hata, H. Okada, A. Wakahara, S. Sato, and T. Oshima
- 学会等名
  Asia-Pacific Interdisciplinary Research Conference 2011
- 発表場所
  豊橋
- 年月日
  2011-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Effects of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okada, Takanobu Suwa, Yasufumi Takagi, Hiroto Sekiguchi, and Akihiro Wakahara
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors 2011
- 発表場所
  Glasgow (英国)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Eu selective doped light emitting transistor based-on AlGaN/GaN hetero structure2011
- 著者名/発表者名
  M.Kondo, T.Hata, H.Okada, A.Wakahara, S.Sato, T.Oshima
- 学会等名
  Asia-Pacific Interdisciplinary Research Conference 2011
- 発表場所
  豊橋技術科学大学(豊橋)
- 年月日
  2011-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN : Eu Grown by MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Suwa, Y.Takagi, H.Sekiguchi, H.Okada, A.Wakahara
- 学会等名
  3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Effects of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE2011
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okada, Takanobu Suwa, Yasufumi Takagi, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors 2011
- 発表場所
  Glasgow(英国)
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] AlGaN/GaN発光デバイスの希土類イオン注入条件についての検討2010
- 著者名/発表者名
  近藤正樹、秦貴幸、岡田浩、若原昭浩、古川雄三、佐藤真一郎、大島武
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  浜松
- 年月日
  2010-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] AlGaN/GaN発光デバイスの希土類イオン注入条件についての検討2010
- 著者名/発表者名
  岡田浩、秦貴幸、近藤正樹、若原昭浩、古川雄三、大島武‡佐藤真一郎
- 学会等名
  第5回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎シティギャラリー(高崎市高松町)
- 年月日
  2010-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] AlGaN/GaN発光デバイスの希土類イオン注入条件についての検討2010
- 著者名/発表者名
  岡田浩、秦貴幸、近藤正樹、若原昭浩、古川雄三、大島武‡佐藤真一郎
- 学会等名
  第5回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎
- 年月日
  2010-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討2010
- 著者名/発表者名
  近藤正樹、秦貴幸、岡田浩、若原昭浩、古川雄三、佐藤真一郎、大島武
- 学会等名
  電子通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  静岡大学(静岡県浜松市)
- 年月日
  2010-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Optical gain of Eu^<3+> ion implanted AIGaN and its Al compositional dependence2007
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, T. Shimojo, H. Kawai, H. Okada, T. Ohshima, S. Sato
- 学会等名
  The 7th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Optical Gain of Eu3+ Ion Implanted AIGaN and Its Al Compositional Dependence2007
- 著者名/発表者名
  A.Wakahara, T.Shimojo, H.Kawai, H.Okada, T.Ohshima, S.Sato
- 学会等名
  The 7th international conference on nitride semiconductors
- 発表場所
  LasVegas,USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Optical Gain of Eu^<3+> Ion Implanted AlGaN and Its Al Compositional Dependence2007
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, T. Shimojo, H. Kawai, H. Okada, T. Ohshima, S. Sato
- 学会等名
  The 7th international conference on nitride semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Development of Eu-doped AIGaN for Optoelectronic Integrated System -Optical Gain and Loss Measurement2007
- 著者名/発表者名
  A. Wakaham, H. Okada, J.-H. Park, K. Takemoto, T. Shimojyo, A. Yoshida
- 学会等名
  The 8th Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments
- 発表場所
  Busan, Korea
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Luminescence Properties of Tb-Implanted AI_xGai_<-x>N Epitaxial Layer2007
- 著者名/発表者名
  J.H. Park, Y. Furukawa, H. Okada, A. Wakahara
- 学会等名
  The 8th Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments
- 発表場所
  Busan, Korea
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Optical Properties of AIGaN doped with Rare-Earth Impurity for CMOS Compatible Optoelectronic Integration2006
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, H. Okada, J.-H. Park, F. Oikawa, A. Yoshida
- 学会等名
  The 7th Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments
- 発表場所
  Nara, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Investigation of Tb-related green emission in group-Ill nitrides by time-resolved photoluminescence measurements2006
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, K. Takemoto, F. Oikawa, H. Okada, T. Ohshima, H. Itoh
- 学会等名
  2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials
- 発表場所
  Nanki-shirahama, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Optical investigation of Implantation Conditions on the luminescence Properties of Eu-doped Al_xGa_<-x>,N2006
- 著者名/発表者名
  J.-H. Park, H. Okada, A. Wakahara
- 学会等名
  The 7th Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments
- 発表場所
  Nam, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] A novel structure of Si/GaN/SiIγ-Al_2O_3/Si for MEMS applications2006
- 著者名/発表者名
  S. Hatakenaka, A. Wakahara, H. Okada, M. Itoh, M. Ishida
- 学会等名
  Asia-Pacific Conf. on Transducers and Micro-Nano Tech
- 発表場所
  Singapore
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Energy transfer process in AIGaN : Tb by time-resolved photoluminescence analysis2006
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, K. Takemoto, F. Oikawa, H. Okada
- 学会等名
  International Union MRS-ICA-2006
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] Energy-back-transfer process in rare-earth doped AlGaN2005
- 著者名/発表者名
  A. Wakahara, T. Fujiwara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima H. Itho
- 学会等名
  MRS Spring meeting
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360160
[学会発表] 表面波プラズマを用いたシリコン系絶縁膜の化学気相堆積と窒化物半導体デバイスへの応用
- 著者名/発表者名
  岡田浩，川上恭平，石丸貴博，篠原正俊，古川雅一，若原昭浩，関口寛人
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用
- 著者名/発表者名
  川上恭平、石丸貴博、篠原正俊、岡田浩、古川雅一、若原昭浩、関口寛人
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(ED、CPM、SDM研究会）
- 発表場所
  名古屋大学VBL（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-05-28 – 2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Films Enhanced by Surface-Wave Plasma for GaN Devices
- 著者名/発表者名
  H. Okada, K. Kawakami, T. Shinohara, T. Ishimaru, H. Sekiguchi, A. Wakahara, and M. Furukawa
- 学会等名
  The Irago Conference 2014
- 発表場所
  産業技術総合研究所（茨城県つくば市）
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Si / SiO2 / GaN系LED基板上への微小LEDの作製
- 著者名/発表者名
  土山和晃、宇都宮脩、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Robust Hall effect magnetic field sensors for operation at high temperatures and in harsh radiation environments
- 著者名/発表者名
  H. Okada
- 学会等名
  International Magnetics Conference, INTERMAG 2012
- 発表場所
  Vancouver Convention Centre、バンクーバー、カナダ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] Effect of GaN-based micro-LED size on optical characteristics （窒化ガリウム系微小発光ダイオードの発光特性における素子サイズ効果）
- 著者名/発表者名
  K.Tsuchiyama, H.Tahara, H.Sekiguchi, H. Okada and A. Wakahara
- 学会等名
  第32回電子材料シンポジウム(EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（神奈川県伊豆市）
- 年月日
  2014-07-11 – 2014-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Solar-Blind Ultraviolet Detector Based on Al0.49Ga0.51N/AlN Back-Illuminated Schottky Barrier Diode
- 著者名/発表者名
  Ousmane Barry, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Hideto Miyake, Masakazu Hiramatsu
- 学会等名
  ISPlasma 2015 / IC-PLANTS2015
- 発表場所
  名古屋大学（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] GaNテンプレート基板とSi基板の常温ウェハ接合
- 著者名/発表者名
  土山和晃，田原浩行，山根啓補，関口寛人，岡田浩，若原昭浩
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420330
[学会発表] Development of Lattice-Matched GaPN/AlGaPN DBR on Si
- 著者名/発表者名
  H. Okada
- 学会等名
  IEEE Photonics Conference 2012
- 発表場所
  Hyatt Regency San Francisco Airport、サンフランシスコ、米国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328
[学会発表] イオン注入法によりEuを添加したAlGaN/GaN系三端子型発光デバイスの検討
- 著者名/発表者名
  岡田浩
- 学会等名
  第7回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎シティーギャラリー、高崎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560328

1. 若原昭浩 (00230912)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 43件
2. 真下智昭 (20600654)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 吉田明 (20023145)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 今枝健一 (60314085)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岡田 浩 Okada Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

集積回路技術を適用した窒化物半導体ヘテロ構造のモノリシック集積回路研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

消化管内腔での生検と移動を行えるカプセルロボットの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

過酷環境で動作する窒化物半導体集積エレクトロニクスの検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体集積デバイスとSi-CMOS集積回路のウェハレベル融合とセンサ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類添加窒化物半導体を用いた集積型微小光源の開発とナノシステムへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III-N-RE混晶半導体/Siを用いた光電子融合デバイス・システムの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カーボンナノチューブを用いた電子デバイスの電極構造の評価と量子デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カーボンナノチューブの電界効果およびトランジスタへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electrical and X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Contacts to AlGaN/GaN2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの集積化に向けた 素子分離技術の検討2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] GaN‐Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement‐ and Depletion‐Mode MOSFETs by Si Ion Implantation2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

岡田浩 Okada Hiroshi

[雑誌論文] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの集積化に向けた素子分離技術の検討2023

[雑誌論文] AlGaN/GaNヘテロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討2022

[雑誌論文] 窒化物半導体集積回路プロセスの検討～ Siイオン注入による閾値制御の試み～2019