末岡浩治 Sueoka Koji

研究者番号	30364095
所属 (現在)	2025年度: 岡山県立大学, 情報工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度 – 2021年度: 岡山県立大学, 情報工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者半導体 / 第一原理計算 / シリコン単結晶 / 材料系残 / パワーデバイス用半導体 / 計算手法 / 欠陥制御 / パワーデバイス / 熱統計力学 / 大口径シリコン結晶 … もっと見る / パワーデバイス用シリコン / 太陽電池 / 材料物性値 / 原子配置 / IV族半導体 / 統計熱力学 / 大口径化 / 熱応力 / 点欠陥隠す

原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用研究代表者
- 研究代表者
  
  末岡浩治
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  岡山県立大学
実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用研究代表者
- 研究代表者
  
  末岡浩治
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  岡山県立大学
450 mm直径Si単結晶育成における点欠陥の精密制御に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  末岡浩治
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  岡山県立大学

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すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] シリコン結晶技術 -成長・加工・欠陥制御・評価-2015
- 著者名/発表者名
  末岡浩治（分担執筆）
- 総ページ数
  470
- 出版者
  日本学術振興会第145委員会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[図書] Defects and Impurities in Silicon Materials2015
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Kozo Nakamura, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka
- 総ページ数
  59
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[図書] Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities and Nanocrystals2014
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka（分担執筆）
- 総ページ数
  431
- 出版者
  CRC Press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[図書] Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals （分担執筆）2014
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama, Jan Vanhellemont and Koji Sueoka
- 出版者
  CRC Press, a Taylor & Francis Company
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Density functional theory study on concentration of intrinsic point defects in growing N-doped Czochralski Si crystal2021
- 著者名/発表者名
  Taniguchi Motoharu、Sueoka Koji、Hourai Masataka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 571 ページ: 126249-126249
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126249
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Theoretical study of stress impact on formation enthalpy and thermal equilibrium concentration of impurities and dopants in Si single crystal2021
- 著者名/発表者名
  Iwashiro Hiroya、Sueoka Koji、Torigoe Kazuhisa、Ono Toshiaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 572 ページ: 126284-126284
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126284
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Theoretical study of hydrogen impact on concentration of intrinsic point defects during Czochralski Si crystal growth2021
- 著者名/発表者名
  Kusunoki Takuya、Sueoka Koji、Sugimura Wataru、Hourai Masataka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 555 ページ: 125971-125971
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125971
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Prediction of O Aggregation in Straight Line at High Temperature in Si Crystals: Thermal Donors Attaching to an Oxide Precipitate Surface2020
- 著者名/発表者名
  Kamiyama Eiji、Sueoka Koji
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 9 号: 5 ページ: 054003-054003
- DOI
  10.1149/2162-8777/ab951c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Unsteady numerical simulations considering effects of thermal stress and heavy doping on the behavior of intrinsic point defects in large-diameter Si crystal growing by Czochralski method2020
- 著者名/発表者名
  Mukaiyama Yuji、Sueoka Koji、Maeda Susumu、Iizuka Masaya、Mamedov Vasif M.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 532 ページ: 125433-125433
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125433
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Numerical analysis of effect of thermal stress depending on pulling rate on behavior of intrinsic point defects in large-diameter Si crystal grown by Czochralski method2020
- 著者名/発表者名
  Mukaiyama Yuji、Sueoka Koji、Maeda Susumu、Iizuka Masaya、Mamedov Vasif M.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 531 ページ: 125334-125334
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125334
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Theoretical study on Frenkel pair formation and recombination in single crystal silicon2019
- 著者名/発表者名
  Sueoka Koji、Fukuda Hiroaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 520 ページ: 1-10
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.05.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Density Functional Theory Study on Stability of Fe, Cu, and Ni Atoms Near (001) Surface of Si Wafer2019
- 著者名/発表者名
  Nonoda Noriyuki、Sueoka Koji
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 8 号: 10 ページ: P573-P579
- DOI
  10.1149/2.0111910jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application2019
- 著者名/発表者名
  Tsuchiya Daiki、Sueoka Koji、Yamamoto Hidekazu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 2019 号: 10 ページ: 1800615-1800615
- DOI
  10.1002/pssa.201800615
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Effect of Oxygen Precipitation in Silicon Wafer on Electrical Characteristics of Fully Ion-Implanted n-Type PERT Solar Cells2019
- 著者名/発表者名
  Tanahashi Katsuto、Tachibana Tomihisa、Sueoka Koji、Moriya Masaaki、Kida Yasuhiro、Ustunomiya Satoshi、Shirasawa Katsuhiko、Takato Hidetaka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 8 号: 10 ページ: P596-P601
- DOI
  10.1149/2.0191910jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Computer Simulation of Concentration Distribution of Intrinsic Point Defect Valid for All Pulling Conditions in Large-Diameter Czochralski Si Crystal Growth2019
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Yuji Mukaiyama, Susumu Maeda, Masaya Iizuka, and Vasif Mamedov
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 8 号: 4 ページ: P228-P238
- DOI
  10.1149/2.0011904jss
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950, KAKENHI-PROJECT-19K05294
[雑誌論文] Point Defect Reaction in Silicon Wafers by Rapid Thermal Processing at More Than 1300°C Using an Oxidation Ambient2019
- 著者名/発表者名
  Sudo Haruo、Nakamura Kozo、Maeda Susumu、Okamura Hideyuki、Izunome Koji、Sueoka Koji
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 8 号: 1 ページ: P35-P40
- DOI
  10.1149/2.0121901jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] 単結晶Ge薄膜の表面極近傍におけるC，Sn原子の安定配置に関する第一原理解析2018
- 著者名/発表者名
  只野快，末岡浩治
- 雑誌名
  
  日本機械学会論文集
  
  巻: 84 号: 858 ページ: 17-00542-17-00542
- DOI
  10.1299/transjsme.17-00542
- NAID
  130006401867
- ISSN
  2187-9761
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon-Cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor2018
- 著者名/発表者名
  Onaka-Masada Ayumi、Okuyama Ryosuke、Shigematsu Satoshi、Okuda Hidehiko、Kadono Takeshi、Hirose Ryo、Koga Yoshihiro、Sueoka Koji、Kurita Kazunari
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 1200-1206
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2872976
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Stability of Excess Oxygen Atoms near Oxide Precipitate and Oxygen Solubility in Silicon Crystal2018
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 7 号: 3 ページ: P102-P108
- DOI
  10.1149/2.0101803jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Gettering mechanism in hydrocarbon-molecular-ion-implanted epitaxial silicon wafers revealed by three-dimensional atom imaging2018
- 著者名/発表者名
  Onaka-Masada Ayumi、Okuyama Ryosuke、Nakai Toshiro、Shigematsu Satoshi、Okuda Hidehiko、Kobayashi Koji、Hirose Ryo、Kadono Takeshi、Koga Yoshihiro、Shinohara Masanori、Sueoka Koji、Kurita Kazunari
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 9 ページ: 091302-091302
- DOI
  10.7567/jjap.57.091302
- NAID
  210000149622
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density Functional Theory Study on Formation Energy and Diffusion Path of Metal Atom near Dopant in Si Crystals2017
- 著者名/発表者名
  Atsuhiro Yamada and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 4 ページ: P125-P131
- DOI
  10.1149/2.0131704jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density functional theory study of dopant effect on formation energy of intrinsic point defects in germanium crystals2017
- 著者名/発表者名
  S. Yamaoka, K. Kobayashi, K. Sueoka, J. Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Modeling of intrinsic point defect properties and clusteringduring single crystal silicon and germanium growth from a melt2017
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama, Kozo Nakamura, Piotr Spiewak, Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Theoretical study of the impact of stress and interstitial oxygen on the behavior of intrinsic point defects in growing Czochralski Si crystals2017
- 著者名/発表者名
  K. Sueoka, K. Nakamura, J. Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Thermal equilibrium concentration of intrinsic point defects in heavily doped silicon crystals - Theoretical study of formation energy and formation entropy in area of influence by dopants -2017
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi, S. Yamaoka, K. Sueoka, J. Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal2017
- 著者名/発表者名
  Shunta Yamaoka, Koji Kobayashi, and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 7 ページ: P383-P398
- DOI
  10.1149/2.0131707jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density functional theory study of stable configurations of substitutionaland interstitial C and Sn atoms in Si and Ge crystals2017
- 著者名/発表者名
  Hiroki Koyama, Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 463 ページ: 110-115
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.054
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] First-principles calculation of atomic configurations of carbon and tin near the surface of a silicon thin film used for solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Kai Tadano, Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 63 ページ: 45-51
- DOI
  10.1016/j.mssp.2017.01.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density Functional Theory Calculations of Atomic Configurations and Bandgaps of C-, Ge-, and Sn-Doped Si Crystals for Solar Cells2017
- 著者名/発表者名
  Kento Toyosaki and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 5 ページ: P326-P331
- DOI
  10.1149/2.0311705jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Systematic Density Functional Theory Investigation of Stability of Dopant Atoms in Ge Ultra-Thin Film Grown on Si Substrate2017
- 著者名/発表者名
  Jun Inagakia and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 4 ページ: P154-P160
- DOI
  10.1149/2.0191704jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Theoretical Study of Impact of Internal and External Stresses on Thermal Equilibrium Concentrations of Intrinsic Point Defects in Doped Si Crystals2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kobayashi, Shunta Yamaoka, Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State State Science and Technology
  
  巻: 6 号: 1 ページ: P78-P99
- DOI
  10.1149/2.0261701jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[雑誌論文] Density functional theory calculations for estimation of gettering sites of C, H, intrinsic point defects and related complexes in Si wafers2016
- 著者名/発表者名
  Sho Shirasawa, Koji Sueoka, Tadashi Yamaguchi, and Kazuyoshi Maekawa
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 44 ページ: 13-17
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.01.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] シリコン単結晶育成中の点欠陥挙動に与える置換型ドーパントと熱応力の効果2016
- 著者名/発表者名
  末岡　浩治
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 37 ページ: 116-121
- NAID
  130005138636
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] The Hakoniwa method, an approach to predict material properties based on statistical thermodynamics and ab initio calculations2016
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama, Ryo Matsutani, Ryo Suwa, Jan Vanhellemont, and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 43 ページ: 209-213
- DOI
  10.1016/j.mssp.2015.12.023
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Comment on “Investigations of interstitial generations near growth interface depending on crystal pulling rates during CZ silicon growth by detaching from the melt” by T. Abe et al. [J. CrystGrowth 434 (2016) 128-137]2016
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama, Kozo Nakamura, and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Review: Properties of Intrinsic Point Defects in Si and Ge Assessed by Density Functional Theory2016
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama, Piotr Spiewak, and Jan Vanhellemont
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 5 号: 4 ページ: P3176-P3195
- DOI
  10.1149/2.0251604jss
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Estimation of the temperature dependent interaction between uncharged point defects in Si2015
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama, Koji Sueoka and Jan Vanhellemont
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 5 号: 1
- DOI
  10.1063/1.4906565
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Comment on “Experimental Study of the Impact of Stress on thePoint Defect Incorporation during Silicon Growth” [ECS Solid State Lett., 3, N5 (2014)]2014
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Solid State Letters
  
  巻: 3 号: 5 ページ: X3-X4
- DOI
  10.1149/2.010404ssl
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Stress and doping impact on intrinsic point defect behavior in growing single crystal silicon2014
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama, Jan Vanhellemont and Kozo Nakamura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 251 号: 11 ページ: 2159-2168
- DOI
  10.1002/pssb.201400022
- NAID
  110009971788
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Impact of Plane Thermal Stress near the Melt/Solid Interface on the v/G Criterion for Defect-Free Large Diameter Single Crystal Si Growth2014
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama, Jan Vanhellemont and Kozo Nakamura
- 雑誌名
  
  ECS Solid State Letters
  
  巻: 3 号: 6 ページ: P69-P72
- DOI
  10.1149/2.002406ssl
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Formation energy of intrinsic point defects in nanometer-thick Si and Ge foils and implications for Ge crystal growth from a melt2014
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama, Koji Sueoka and Jan Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 85-88
- DOI
  10.1002/pssc.201300112
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Thermal stress induced void formation during 450mm defect free silicon crystal growth and implications for wafer inspection2013
- 著者名/発表者名
  Eiji Kamiyama, Jan Vanhellemont, Koji Sueoka, Koji Araki and Koji Izunome
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 8
- DOI
  10.1063/1.4793662
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Silicon Single Crystal Growth from a Melt: On the Impact of Dopants on the v/G Criterion2013
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 2 号: 4 ページ: 166-179
- DOI
  10.1149/2.024304jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Density functional theory study on the impact of heavy doping on Si intrinsic point defect properties and implications for single crystal growth from a melt2013
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama and Jan Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114 号: 15
- DOI
  10.1063/1.4825222
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[雑誌論文] Theoretical study of the impact of stress on the behavior of intrinsic point defects in large-diameter defect-free Si crystals2013
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama and Jan Vanhellemont
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 363 ページ: 97-104
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.10.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] First Principles Analysis on Intrinsic Point Defect Behavior during N Doped CZ-Si Crystal Growth2021
- 著者名/発表者名
  Motoharu Taniguchi, Koji Sueoka, Masataka Hourai
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] Theoretical Study of Stress Impact on Formation Enthalpy and Thermal Equilibrium Concentration of Metal Atoms in Si Single Crystal2021
- 著者名/発表者名
  Hiroya Iwashiro, Koji Sueoka, Kazuhisa Torigoe, Toshiaki Ono
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] First principles analysis of H impact on intrinsic point defect behavior in growing CZ-Si crystal2020
- 著者名/発表者名
  Takuya Kusunoki, Koji Sueoka, Wataru Sugimura, Masataka Hourai
- 学会等名
  EMRS 2020 Spring meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] First principles analysis on intrinsic point defect behavior in growing CZ-Si crystal2020
- 著者名/発表者名
  Motoharu Taniguchi, Koji Sueoka, Masataka Hourai
- 学会等名
  EMRS 2020 Spring meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] Density functional theory study on stability and diffusion barrier of metal atoms near the Si (001) surface2019
- 著者名/発表者名
  Nonoda Noriyuki、Sueoka Koji
- 学会等名
  18th Conference of Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] Influence of Carbon and Oxygen Impurities on Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application2019
- 著者名/発表者名
  Daiki Tsuchiya, Koji Sueoka, Hidekazu Yamamoto
- 学会等名
  18th Conference of Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] Computer simulation of intrinsic point defect distribution valid for all pulling conditions in large-diameter Czochralski Si crystal growth2019
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka
- 学会等名
  18th Conference of Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05294
[学会発表] 大口径CZ-Si結晶育成における点欠陥挙動の数値シミュレーション2018
- 著者名/発表者名
  末岡浩治，向山裕次，前田進，飯塚将也，バシフマメドフ
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si結晶育成中の点欠陥挙動に与えるドーパントと熱応力の影響2018
- 著者名/発表者名
  末岡浩治
- 学会等名
  日本学術振興会第145委員会　第159回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] 大口径CZ-Si結晶育成における点欠陥挙動の数値シミュレーション2018
- 著者名/発表者名
  末岡浩治，向山裕次，前田進，飯塚将也，バシフマメドフ
- 学会等名
  第31回計算力学講演会（CMD2018）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si中のフレンケルペア形成・再結合過程に関する第一原理解析2018
- 著者名/発表者名
  末岡浩治
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] 第一原理計算によるSi 結晶中のライフタイム制御欠陥の挙動解析2018
- 著者名/発表者名
  土屋大輝，末岡浩治，山本秀和
- 学会等名
  パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会（第6回）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] First-principles analysis on the stability of interstitial metal atoms near the (001) surface of Si wafer2018
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Nonoda and Koji Sueoka
- 学会等名
  E-MRS 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] First-principles analysis on Frenkel pair formation/annihilation in Si crystals2018
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Fukuda and Koji Sueoka
- 学会等名
  E-MRS 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Computer Simulation of Concentration Distribution of Intrinsic Point Defect Valid for All Pulling Conditions in Large-Diameter Czochralski Si Crystal Growth2018
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Yuji Mukaiyama, Susumu Maeda, Masaya Iizuka, and Vasif Mamedov
- 学会等名
  ECS 2018 Fall Meeting (High Purity and High Mobility Semiconductors)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Computer Simulation of Intrinsic Point Defect Behaviors Valid for All Pulling Conditions in Large-diameter Czochralski Si Crystal Growth2018
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Shunta Yamaoka, Susumu Maeda, Yuji Mukaiyama, Masaya Iizuka andVasif M. Mamedov
- 学会等名
  ECS Fall Meeting 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] First-principles analysis of defect behavior related to the bulk lifetime of silicon crystals for power device application2018
- 著者名/発表者名
  Tsuchiya Daiki, Sueoka Koji, Yamamoto Hidekazu
- 学会等名
  E-MRS 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] First-principles analysis on Frenkel pair formation/annihilation in Si crystals2018
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Fukuda and Koji Sueoka
- 学会等名
  E-MRS Spring Meeting 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] IV族混晶系半導体中の原子配置に関する第一原理解析2017
- 著者名/発表者名
  小山広貴，末岡浩治
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si単結晶中のフレンケルペア形成に関する第一原理解析2017
- 著者名/発表者名
  福田大晃，末岡浩治
- 学会等名
  日本機械学会第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] 太陽電池用IV族混晶系半導体中の原子配置に関する第一原理解析2017
- 著者名/発表者名
  小山広貴，末岡浩治
- 学会等名
  日本機械学会第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si基板の開発に資する第一原理計算～点欠陥の制御と不純物ゲッタリング～2017
- 著者名/発表者名
  末岡浩治
- 学会等名
  電気化学会
- 発表場所
  首都大学東京
- 年月日
  2017-03-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si薄膜表面近傍におけるCとSnの原子配置および熱平衡濃度に関する第一原理解析2017
- 著者名/発表者名
  只野快，末岡浩治
- 学会等名
  日本機械学会第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] ゲッタリング技術開発に資する数値シミュレーション2017
- 著者名/発表者名
  末岡浩治
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Si単結晶育成時の熱応力の異方性が二次欠陥挙動に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  神山栄治，末岡浩治
- 学会等名
  日本機械学会第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] GeSnC系薄膜の表面近傍におけるCとSn原子の形成エネルギーと熱平衡濃度の算出2017
- 著者名/発表者名
  只野快，末岡浩治
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] First Principles Analysis on Frenkel Pair Formation from Oxygen Clusters in Si2016
- 著者名/発表者名
  H. Fukuda, K. Sueoka
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] 高品位Si，Ge基板の開発に資する第一原理計算～大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで～2016
- 著者名/発表者名
  末岡浩治
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  機械振興会館
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Density Functional Theory Study on Formation Energy and Diffusion Path of2016
- 著者名/発表者名
  A. Yamada, K. Sueoka
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Unified Model for the Impact of Thermal Stress and Doping on the Formation of Intrinsic Point Defects in Growing Si Crystal2016
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi, S. Yamaoka, K. Sueoka
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04950
[学会発表] Theoretical study of the impact of stress and interstitial oxygen on the behavior of intrinsic point defects in growing Czochralski Si crystals2015
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Kozo Nakamura, and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-8)
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Modeling of intrinsic point defect properties and clustering during single crystal silicon and germanium growth from a melt2015
- 著者名/発表者名
  Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama, Kozo Nakamura, Piotr Spiewak, and Koji Sueoka
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-8)
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] First principles calculation of dopant impact on formation energy of intrinsic point defects in single crystal silicon2015
- 著者名/発表者名
  Koji Kobayashi, Syunta Yamaoka, Koji Sueoka, and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-8)
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Density functional theory study of dopant effect on formation energy of intrinsic point defects in germanium crystals2015
- 著者名/発表者名
  Syunta Yamaoka, Koji Kobayashi, Koji Sueoka, and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-8)
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Theoretical study of the impact of stress and interstitial oxygen on the behavior of intrinsic point defects in growing CZ-Si crystals2015
- 著者名/発表者名
  K. Sueoka, K. Nakamura, and J. Vanhellemont
- 学会等名
  GADEST 2015
- 発表場所
  Bad Staffelstein, Germany
- 年月日
  2015-09-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] 固液界面近傍の熱応力が育成中Si 単結晶の臨界v/G 値に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  末岡浩治，神山栄治
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] 無欠陥条件Si 結晶成長中の熱応力起因によるボイド形成2014
- 著者名/発表者名
  神山栄治，末岡浩治
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behavior in Growing Single Crystal Silicon2014
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  The Electrochemical Society 2014 Fall Meeting, Symposium P3
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behavior in Growing Single Crystal Silicon2014
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  European Materials Research Society 2014 Spring Meeting, Symposium X
- 発表場所
  Lille, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Theoretical study of the impact of stress on the behavior of intrinsic point defects in large-diameter defect-free Si crystals2013
- 著者名/発表者名
  Koji Sueoka, Eiji Kamiyama and Jan Vanhellemont
- 学会等名
  Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology 2013
- 発表場所
  Oxford, England
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] IV族半導体結晶におけるクラスタや混晶系の対称性を考慮した原子配置作成プログラムとその適用
- 著者名/発表者名
  末岡浩治, 松谷亮, 白澤渉, 神山栄治，泉妻宏治, 鹿島一日児, 中塚理
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学，神奈川県
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] 固液界面近傍の熱応力がSi単結晶の臨界v/G値に与える影響（II）
- 著者名/発表者名
  末岡浩治, 神山栄治, 中村浩三
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学，神奈川県
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behaviour in Growing Single Crystal Silicon
- 著者名/発表者名
  K. Sueoka, E. Kamiyama, J. Vanhellemont and K. Nakamura
- 学会等名
  European Materials and Research Society Spring Meeting, Symposium X
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2014-05-26 – 2014-05-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Stress and Doping Impact on Intrinsic Point Defect Behavior in Growing Single Crystal
- 著者名/発表者名
  K. Sueoka, E. Kamiyama, J. Vanhellemont and K. Nakamura
- 学会等名
  The Electrochemical Society 2014 Fall Meeting, 13th International Symposium on High Purity and High Mobility Semiconductors
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069
[学会発表] Control of Intrinsic Point Defects in Single Crystal Silicon and Germanium Growth from a Melt
- 著者名/発表者名
  J. Vanhellemont, E. Kamiyama, K. Nakamura and K. Sueoka
- 学会等名
  The Electrochemical Society 2014 Fall Meeting, 13th International Symposium on High Purity and High Mobility Semiconductors
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390069

1. 山本秀和 (00581141)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
2. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件

末岡 浩治 Sueoka Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

450 mm直径Si単結晶育成における点欠陥の精密制御に関する基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] シリコン結晶技術 -成長・加工・欠陥制御・評価-2015

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Defects and Impurities in Silicon Materials2015

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities and Nanocrystals2014

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals （分担執筆）2014

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Density functional theory study on concentration of intrinsic point defects in growing N-doped Czochralski Si crystal2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Theoretical study of stress impact on formation enthalpy and thermal equilibrium concentration of impurities and dopants in Si single crystal2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Theoretical study of hydrogen impact on concentration of intrinsic point defects during Czochralski Si crystal growth2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Prediction of O Aggregation in Straight Line at High Temperature in Si Crystals: Thermal Donors Attaching to an Oxide Precipitate Surface2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Unsteady numerical simulations considering effects of thermal stress and heavy doping on the behavior of intrinsic point defects in large-diameter Si crystal growing by Czochralski method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Numerical analysis of effect of thermal stress depending on pulling rate on behavior of intrinsic point defects in large-diameter Si crystal grown by Czochralski method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Theoretical study on Frenkel pair formation and recombination in single crystal silicon2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Density Functional Theory Study on Stability of Fe, Cu, and Ni Atoms Near (001) Surface of Si Wafer2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

末岡浩治 Sueoka Koji