羽豆耕治 HAZU Kouji

研究者番号	30367057
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2013年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者時空間同時分解カソードルミネッセンス計測 / 光物性研究代表者以外結晶評価 / 時間空間同時分解計測 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高輝度フェムト秒収束電子線 / 電気・電子材料 / 縮退四光波混合 / ポラリトンレーザー / エピタキシー … もっと見る / 酸化亜鉛 / 励起子ポラリトン / 励起子 / 微小共振器 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 電子・電気材料隠す

フェムト秒パルス収束電子線によるワイドギャップ窒化物半導体の時空間同時分解計測研究代表者
- 研究代表者
  
  羽豆耕治
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
高輝度フェムト秒集束電子線発生によるワイドキャップ半導体の時空間同時分解計測開発
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2013 2012 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] 「ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測」2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治
- 出版者
  マテリアルインテグレーション(特集:地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)、第24巻,4,5月号
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun2013
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 5 ページ: 0521081-4
- DOI
  10.1063/1.4817297
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24760250
[雑誌論文] Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 14 ページ: 1421031-5
- DOI
  10.1063/1.4823826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6
- DOI
  10.1063/1.4807906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 501-506
- DOI
  10.1002/pssc.201200676
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50 号: 42 ページ: 1-8
- DOI
  10.1149/05042.0001ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: Vol. 50, No.42 ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-exciitation-type photoelectron gun2013
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: vol. 8 ページ: 0421081-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[雑誌論文] Impacts ofSi-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al_<0.6>Ga_<0.4>N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vo. 113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.113,No.21 ページ: 2135061-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique2012
- 著者名/発表者名
  K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, and T. Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.111,No.9 ページ: 0935221-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 21 ページ: 2121061-4
- DOI
  10.1063/1.4767357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, Y.Kagamitani, K.Hazu, T.Ishiguro, T.Fukuda, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: 83 号: 4 ページ: 0439051-7
- DOI
  10.1063/1.3701368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012
- 著者名/発表者名
  T. Onuma, Y. Kagamitani, K. Hazu, T. Ishiguro, T. Fukuda, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: Vol.83,No.4 ページ: 0439051-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: vol.101 ページ: 2121061-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[雑誌論文] Helicon-wave-excited- plasma sputtering epitaxy of Nb-doped Ti0-2 films on GaN2011
- 著者名/発表者名
  A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 8 ページ: 534-536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Spontaneous polarization and band gap bowing in Y_xAl_yGa_<1-x-y>N alloys lattice-matched to GaN2011
- 著者名/発表者名
  K.Shimada, A.Zenpuku, K.Fujiwara, K.Hazu, S.F.Chichibu, M.Hata, H.Sazawa, T.Takada, T.Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 100 号: 7 ページ: 0741141-5
- DOI
  10.1063/1.3651154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション(特集)
  
  巻: 24 ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション (特集)
  
  巻: 24 ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Collateral evidence for an excellent radiative performance of Al_xGa_<1-x>N alloy films of high AlN mole fractions2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 5 ページ: 0519021-3
- DOI
  10.1063/1.3615681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxv method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Sawai, H.Hazu, S.F.C hichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108 ページ: 635411-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Transparent semi-conducting Nb-doped anatase Ti0_2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering2010
- 著者名/発表者名
  A.Fouda, K.Hazu, M.Haemori, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology B
  
  巻: 29 ページ: 110171-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-doped Ti0_2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited- Plasma Sputtering Epitaxy Method2010
- 著者名/発表者名
  K.Hazu, A.Fouda, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3 ページ: 911021-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method2010
- 著者名/発表者名
  Y. Sawai, H. Hazu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.108,No.6 ページ: 0635411-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価2013
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価2013
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会(30p-G21-3)
- 発表場所
  神奈川工業大学,神奈川県
- 年月日
  2013-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価2013
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会(30p-G21-3)
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al_<0.6>Ga_<0.4>N epilayers grown on an AlN template2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo,Japan
- 年月日
  2012-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  東京(依頼講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面GaN基板上にNH_3-MBE成長したAl_<0.2>5Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, (12p-H10-22)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会(12p-H10-21)
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan, ( No. MoP-GR-54)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- 年月日
  2012-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2)-HVPE成長GaN基板(2)-2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会(招待講演)
- 発表場所
  早稲田大学,東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012
- 著者名/発表者名
  張成燻,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, (12p-H10-23)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価 -GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] 単結晶酸化亜鉛薄膜へのN,Pイオン注入と熱処理効果2012
- 著者名/発表者名
  藤本龍吾, 和田凉太, 小池一歩, 佐々誠彦, 矢野満明, 吉田謙一, 長町信治, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
- 発表場所
  京都工芸繊維大学,京都府
- 年月日
  2012-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,尾沼猛儀,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Si添加Al_<0.6>Ga_<0.4>N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価2012
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), Session J3: Materials for Solid State Lighting, Hawaii Convention Center
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2012-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique2012
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] ルチルおよびアナターゼTiO_2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価2012
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Advantages and issues of m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for InGaN and AlGaN epitaxial growth2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, P. Corfdir, J. -D. Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, K. Shimoyama, and A. Uedono
- 学会等名
  German Physical Society (DPG) Spring Meeting(招待講演)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会(12p-H10-21)
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760250
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都(シンポジウム招待)(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Advantages and issues of m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for InGaN and AlGaN epitaxial growth, 招待講演2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, P. Corfdir, J.-D. Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, K. Shimoyama, and A. Uedono
- 学会等名
  German Physical Society (DPG) Spring Meeting, Technical University of Berlin
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2012-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2) - HVPE成長GaN基板(2) -2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一,羽豆耕治,田代公則,松本創,藤戸健史,下山謙司,秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZn_<1-x>O混晶の弾性テンソル要素C_<13>、C_<33>に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ウルツ鉱型MgxZn1-xO混晶の弾性テンソル要素C13、C33に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnO の物性値の同定2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,吉海江憲,吉岡宗一郎,高木絢子,鳥井康介,宗田孝之,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(3)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, フォウダアリィ, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France(招待)(招待講演)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(1) - HVPE成長GaN基板2011
- 著者名/発表者名
  石川陽一,羽豆耕治,松本創,藤戸健史,下山謙司,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学, 山形県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] GaNと格子整合するY_xAl_yGa_<1-x-y>Nの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算2011
- 著者名/発表者名
  島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting(招待講演)
- 発表場所
  Nice, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZnl-_x0混晶の弾性テンソル要素に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,尾沼猛儀,上殿明良
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学, 山形県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN andhigh AlN mole fraction AlGaN alloys, 招待講演2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Session F, Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO_2:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on a freestanding GaN substrate grown by halide vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Ishikawa, K. Hazu, H. Matsumoto, K. Suzaki, K. Fujito, S. Nagao, M. Shigeiwa, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるC面GaN上へのルチル/アナターゼTio_2:Nb薄膜の結晶相選択成長2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, フォウダアリィ, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚柿
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(4)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy of Nb-doped TiO_2 films on GaN2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.N.Fouda T.Nakayama, A.Tanaka, K.Hazu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kagawa,Japan
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Deposition of Anatase Nb-doped Ti0_2 Thin Films on Glass Substrates by Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering method2010
- 著者名/発表者名
  A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kagawa,Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Effects of Si-doping on the recombination dynamics of excitons in AlGaN alloys studied by time-resolved cathodoluminescence
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Hazu, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting, Session L: Group III nitrides
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  The IUMRS International Conference in Asia 2013 (IUMRS-ICA-2013)
- 発表場所
  Bangalore, India
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on AlN epitaxial films grown on low dislocation density bulk AlN substrates prepared by the physical vapor transport method
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Furusawa, K. Hazu, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local emission dynamics in and around the sub-surface basal-plane stacking faults in GaN studied by the spatio-time-resolved cathodoluminescence method using a front-excitation photoelectron gun
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年秋季応用物理学会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,三宅秀人,平松和政,上殿明良,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Band alignments and lateral transport properties of Nb-doped (100) rutile- and (001) anatase-TiO2 / (0001) GaN heteroepitaxial structures
- 著者名/発表者名
  K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,羽豆耕治,J.Xie,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar
- 学会等名
  2013年秋季応用物理学会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in and around the sub-surface stacking faults in GaN studied using spatio-time-resolved cathodoluminescence equipped with a front-excitation configuration femtosecond pulsed photoelectron gun
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大,神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Transport and emission properties of Nb-doped n++-type (001) anatase-TiO2 / Mg-doped p-type (0001) GaN heteroepitaxial structures
- 著者名/発表者名
  M. Yamagishi, K. Hazu, T. Ohtomo, Y. Ishikawa, K. Furusawa, T. Nakayama, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,加賀谷宗仁,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on local exciton dynamics of a freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037

1. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 89件
2. 宗田孝之 (90171371)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
3. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
4. 古澤健太郎 (40392104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 24件

羽豆 耕治 HAZU Kouji

研究課題

研究成果

共同研究者

フェムト秒パルス収束電子線によるワイドギャップ窒化物半導体の時空間同時分解計測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高輝度フェムト秒集束電子線発生によるワイドキャップ半導体の時空間同時分解計測開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 「ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測」2011

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-exciitation-type photoelectron gun2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impacts ofSi-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al_<0.6>Ga_<0.4>N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

羽豆耕治 HAZU Kouji