松木伸行 Matsuki Nobuyuki

研究者番号	30373450
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-9727-6262
所属 (現在)	2025年度: 神奈川大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 神奈川大学, 工学部, 准教授 2015年度 – 2017年度: 神奈川大学, 工学部, 准教授 2006年度: 神奈川科技アカデミー, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者デバイス応用 / 分子層 / レーザー分子線堆積 / 薄膜電子材料 / DNA / 新評価手法確立 / 分光偏光解析 / 界面微視的構造 / ヘテロ接合太陽電池 / 結晶シリコン … もっと見る / Siヘテロ接合太陽電池 / 分光エリプソメトリー / a-Si:H/c-Siヘテロ接合 / 陽電子消滅 / 新規評価手法 / ボイド / 水素化アモルファスシリコン / a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池隠す

レーザー分子線堆積法によるDNA固体薄膜の精密制御とデバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  松木伸行
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  神奈川大学
a-Si:H/c-Siヘテロ接合界面近傍のボイド構造解明研究代表者
- 研究代表者
  
  松木伸行
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  神奈川大学
ファンデルワールスエピタキシーを用いたフレキシブル半導体デバイスの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  松木伸行
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  (財)神奈川科学技術アカデミー

すべて 2018 2017 2015

すべて学会発表

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－2018
- 著者名/発表者名
  松木伸行、松井卓矢、満汐孝治、オロークブライアン、大島永康、上殿明良
- 学会等名
  第65回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－2017
- 著者名/発表者名
  松木伸行、オロークブライアン、大島永康、上殿明良
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] Fast optical determination of microvoid size in hydrogenated amorpshous silicon layers based on data obtained from positron annihilation spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  N. Matsuki, N. Oshima, B. O’Rourke, A. Uedono
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面構造評価：陽電子消滅データに基づく分光エリプソメトリー解析の適用2015
- 著者名/発表者名
  松木伸行
- 学会等名
  第61回　CVD研究会
- 発表場所
  ユースパルいしかわ、金沢市、石川県
- 年月日
  2015-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry2015
- 著者名/発表者名
  N. Matsuki
- 学会等名
  The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder
- 発表場所
  University of Tsukuba, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2015-05-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663

1. 大島永康 (00391889)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
2. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. ORourke Brian (60586551)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. ブライアンオローク

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

松木 伸行 Matsuki Nobuyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

レーザー分子線堆積法によるDNA固体薄膜の精密制御とデバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

a-Si:H/c-Siヘテロ接合界面近傍のボイド構造解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ファンデルワールスエピタキシーを用いたフレキシブル半導体デバイスの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Fast optical determination of microvoid size in hydrogenated amorpshous silicon layers based on data obtained from positron annihilation spectroscopy2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面構造評価：陽電子消滅データに基づく分光エリプソメトリー解析の適用2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

松木伸行 Matsuki Nobuyuki

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－2018

[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－2017