小野俊郎 TOSHIRO Ono

研究者番号	30374812
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度 – 2010年度: 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2005年度 – 2006年度: 弘前大学, 理工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外金属物性 / 知能機械学・機械システム
キーワード	研究代表者誘電体薄膜 / ゲート膜 / プラズマ成膜 / 作成評価技術 / 誘電体 / ECRプラズマ / 低温形成 / MIS / 作成・評価技術研究代表者以外 lower magnetic field … もっと見る / micro-gas-valve / actuator / Bimorph multi-layers / magnetostriction / 複合材料・物性 / マイクロデバイス / 振動型アクチュエータ / ナノ多層膜 / 複合膜・物性 / マイクロバルブ / 振動型アクチュエータ素子 / バイモルフタイプ / 弱磁場駆動 / マイクロガスバルブ / アクチュエータ素子 / バイモルフ複合箔 / 磁歪 / 臓器モデル / 人間機械システム / 知能機械隠す

内視鏡医療トレーニングのための括約筋をもつアクティブ臓器モデルの開発
- 研究代表者
  
  牧野英司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  知能機械学・機械システム
- 研究機関
  弘前大学
ECRスパッタ法による酸窒化誘電体薄膜の低温形成と高品質化プロセスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小野俊郎
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
ナノ多層膜-ヘテロ磁区誘起構造を用いた極低磁場駆動磁歪素子の開発
- 研究代表者
  
  岡崎禎子
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  弘前大学

すべて 2010 2009 2008 2005

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society, Trans.
  
  巻: 33 ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Yazaki, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 57(1)
  
  ページ: 282-287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.Trans. 33
  
  ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques.2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Yazaki, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 57(1)
  
  ページ: 282-287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Characterization of tantalum oxy-nitrides deposited by ECR sputtering2009
- 著者名/発表者名
  K.Kato, H.Toyota, Y.Jin, T.Ono
- 雑誌名
  
  Vacuum 83(3)
  
  ページ: 592-595
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Development of Magnetostrictive Fe-Ga and Fe-Pd Thin Film,2005
- 著者名/発表者名
  T. Okazaki, S. Watanabe, N. Okanisi, T. Ono, Y.Furuya
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 855E
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560581
[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high-quality GeO2 formed by Electron-Cyclotron-Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high quality GeO_2 formed by Electron Cyclotron Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nano-electronics
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ法によるSiN/GeN/Ge-MIS界面のDLTS評価2010
- 著者名/発表者名
  佐藤真哉,岩崎拓郎,鈴木聡一郎,小野俊郎,福田幸夫,岡本浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRイオンアシスト加工におけるMIS界面制御の検討2010
- 著者名/発表者名
  泉康平,豊田宏,福田幸夫,室田淳一,櫻庭政夫,小野俊郎
- 学会等名
  2010精密工学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  岩手県工業技術センター
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の堆積2010
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、高松利行、小野俊郎
- 学会等名
  第71回応肋理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Riviera Hotel, LA(USA)
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Riviera Hotel, (LA, USA)
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ法によるAl_2O_3/GeO_2/Ge-MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすPDA処理雰囲気の影響2009
- 著者名/発表者名
  小野俊郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Al_2O_3/GeO_2/Ge-MOSキャパシタにおける誘電緩和現象の評価2009
- 著者名/発表者名
  小野俊郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ酸化法による高品質GeO_2/Ge-MOS界面の形成2009
- 著者名/発表者名
  小野俊郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] IPE法によるECRプラズマ酸化GeO2-Ge構造のバンドアライメントの検討2009
- 著者名/発表者名
  福田幸夫、矢崎祐那、王谷洋平、佐藤哲也、豊田宏、小野俊郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRスパッタ成膜誘電体を用いたMISキャパシタの電気特性安定化2009
- 著者名/発表者名
  小野俊郎,豊田宏,有原浩之,福田幸夫,室田淳一,櫻庭政夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ法によるAl_2O_3/GeO_2/Ge-MOSキャパシタの電気特性に及ぼすPDA処理雰囲気の影響2009
- 著者名/発表者名
  福田幸夫,王谷洋平,佐藤哲也,有原浩之,豊田宏,小野俊郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] An electrical chracterization of metal oxy-nitrides deposited by an ECR sputtering for MIS gates.2009
- 著者名/発表者名
  H.Arihara, H.Toyota, J.Murota, M.Sakuraba, Y.Fukuda, T.Ono
- 学会等名
  The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  金沢国際ホテル
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] An electrical characterization of metal oxy-nitrides deposited by an ECR sputtering for MIS gates2009
- 著者名/発表者名
  H.Arihara, H.Toyota, J.Murota, M.Sakuraba, Y.Fukuda, T.Ono
- 学会等名
  The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  Kanazawa Intern'l Hotel, Kanazawa
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRスパッタによる酸窒化高誘電体薄膜の形成と電気特性評価2008
- 著者名/発表者名
  有原浩之,豊田宏,小野俊郎
- 学会等名
  2008年度精密工学会秋季大会学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2008-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287

1. 豊田宏 (90400126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
2. 福田幸夫 (50367546)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 岡崎禎子 (10003328)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
4. 古屋泰文 (20133051)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
5. 牧野英司 (70109495)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 笹川和彦 (50250676)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 峯田貴 (50374814)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

小野 俊郎 TOSHIRO Ono

研究課題

研究成果

共同研究者

内視鏡医療トレーニングのための括約筋をもつアクティブ臓器モデルの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ECRスパッタ法による酸窒化誘電体薄膜の低温形成と高品質化プロセスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ多層膜-ヘテロ磁区誘起構造を用いた極低磁場駆動磁歪素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques.2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Characterization of tantalum oxy-nitrides deposited by ECR sputtering2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Development of Magnetostrictive Fe-Ga and Fe-Pd Thin Film,2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high-quality GeO2 formed by Electron-Cyclotron-Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high quality GeO_2 formed by Electron Cyclotron Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] ECRプラズマ法によるSiN/GeN/Ge-MIS界面のDLTS評価2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] ECRイオンアシスト加工におけるMIS界面制御の検討2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の堆積2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

学会等名

小野俊郎 TOSHIRO Ono