山田啓作 YAMADA Keisaku

研究者番号	30386734
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 2009年度: ナノ理工学研究機構, 客員教授(専任扱い) 2007年度 – 2009年度: 早稲田大学, 附置研究所, 教授 2008年度: 早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 客員教授(専任扱い) 2007年度: 早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外理工系 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外ショットキー障壁 / Niシリサイド / メタル・ソース・ドレイン / 極浅接合 / MOSFET / シリコンデバイス / シリコン結晶 / 半導体 / ナノ電子物性科学 / 移動度 … もっと見る / ひずみ / シリコン / 電子輸送 / 電子デバイス / 電子物性 / 表面科学 / 不純物ドープ / シリコン結晶シリコンデバイス / ナノデバイス / 集積回路 / 半導体デバイス / メタルゲート / コンビナトリアル手法 / high-k絶縁膜 / ゲートスタック隠す

超平滑界面の耐熱性シリサイド薄膜を用いたメタルソース・ドレインMOSFETの研究
- 研究代表者
  
  大毛利健治
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  早稲田大学
新材料ゲートスタック構造に向けた超高速一斉デバイス特性評価手法の開発
- 研究代表者
  
  大毛利健治
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  早稲田大学
極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学

すべて 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Influences of carrier transport on drain-current variability of MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  K.Ohmoril, K.Shiraishi, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Key Materials Engineering
  
  巻: 470 ページ: 184-187
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Experimental Characterization of Quasi-Fermi Potential Profile in the Channel of a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor with Four-Terminal Geometry2011
- 著者名/発表者名
  S.Sato, K.Ohmori, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Natori, K.Yamada, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 044201
- NAID
  10028209795
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Identification of electron trap location degrading low-frequency noise and PBTI in poly-Si/HfO2/interface-layer gate-stack MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  T.Matsuki, R.Hettiarachchi, W.Feng, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Ohmori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Structural effect of channel cross-section on the gate capacitance of Silicon nanowire field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Ohmori, K.Natori, K.Yamada, H.Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 34 ページ: 87-92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Identification of electron trap location degrading low-frequency noise and PBTI in poly-Si/HtO2/interface-layer gate-stack MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  T.Matsuki, R.Hettiarachchi, W.Feng, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Ohmori
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: (未定)(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Influences of carrier transport on drain-current variability of MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, K.Shiraishi, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Key Materials Engineering 470
  
  ページ: 184-187
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Electrical characterization of Si nanowire field-effect transistors with semi gate-around structure suitable for integration2010
- 著者名/発表者名
  S.Sato, H.Kamimura, H.Arai, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Ohmori, K.Yamada, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 54 ページ: 925-928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  J.Chen, T.Sekiguchi, N.Fukata, M.Takase, Y.Nemoto, R.Hasunuma, K.Yamada, T, Chikyow
- 雑誌名
  
  ECS Transactions.
  
  巻: 28 ページ: 299-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors2010
- 著者名/発表者名
  S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Natori, K.Yamada, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: (印刷中,印刷中)
- NAID
  120007130892
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Control of crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes for Nano CMOS Devices2008
- 著者名/発表者名
  K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 13(未定(印刷中))
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026014
[雑誌論文] An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks
- 著者名/発表者名
  J.Chen, T.Sekiguchi, N.Fukata, M.Takase,Y.Nemoto, R.Hasunuma, K.Yamada, T,Chikyow
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.28
  
  ページ: 299-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[産業財産権] Siナノワイヤのシリサイドの形成方法2010
- 発明者名
  山田啓作、大毛利健治, 他
- 権利者名
  早稲田大学、東工大
- 産業財産権番号
  2010-079972
- 出願年月日
  2010-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Silicon-on-Insulator Thickness Dependence of Photoluminescence from Electron-Hole Droplet2011
- 著者名/発表者名
  Y.Sakurai, K.Shiraishi, K.Ohmori, K.Yamada, S.Nomura
- 学会等名
  The Third International Symposium on Interdisciplinary Materials Science (ISIMS-2011)
- 発表場所
  つくば
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Influence of Gate-first Process on Low-frequency Noise in EOT-scaling of Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate-stack MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  Takeo Matsuki, Ranga Hettiarachchi, Wei Feng, Kenji Shiraishi, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori
- 学会等名
  International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] チャネル断面の角に注目したナノワイヤトランジスタの電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、角嶋邦之、Parhat Ahmet、大毛利健治、名取研二、山田啓作、岩井洋
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Influence of Gate-first Process on Low-frequency Noise in EOT-scaling of Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate-stack MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  T.Matsuki, R.Hettiarachchi, W.Feng, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Ohmori
- 学会等名
  International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Effect of Substrate Biasing on Low-Frequency Noise in n-MOSFETs for Different Impurity Concentrations2011
- 著者名/発表者名
  Ranga Hettiarachchi, Takeo Matsuki, Wei Feng, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori
- 学会等名
  International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] デバイス評価に向けたSiナノワイヤーの発光測定2011
- 著者名/発表者名
  櫻井蓉子、大毛利健治、山田啓作、角嶋邦之、岩井洋、白石賢二、野村晋太郎
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] シリコンナノワイヤトランジスタの電気特性の絶縁膜厚依存性2011
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、角嶋邦之、Ahmet Parhat、大毛利健治、名取研二、山田啓作、岩井洋
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Siナノワイヤトランジスタの電気特性の断面形状依存性2010
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、新井英明、角嶋邦之、大毛利健治、岩井洋、山田啓作, 他
- 学会等名
  春期第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Siナノワイヤトランジスタの作製プロセスと電気特性の断面形状依存性2010
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、新井英朗、角嶋邦之、大毛利健治、山田啓作、岩井洋, 他
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  静岡県三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Suicides exist in Nature2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Kakushima, O.Nakatsuka, Y.Machida, S.Sotome, T.Matsuki, K.Ohmori, H.Iwai, S.Zaima, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  サンフランシスコ、米国
- 年月日
  2010-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Si Nanowire Device and its Modeling2010
- 著者名/発表者名
  H.Iwai, K.Natori, K.Kakushima, K.Shiraishi, J.Iwata, A.Oshiyama, K.Yamada, K.Ohmori
- 学会等名
  15th International Conference on Simulation of Semicon ductor Processes and Devices
- 発表場所
  ボローニャ、イタリア
- 年月日
  2010-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature2010
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Kakushima, O.Nakatsuka, Y.Machida, S.Sotome, T.Matsuki, K.Ohmori, H.Iwai, S.Zaima, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada
- 学会等名
  IEDM 2010
- 発表場所
  San Francisco USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Gate Semi-Around Si Nanowire FET Fabricated by Conventional CMOS Process with Very High Drivability2010
- 著者名/発表者名
  S.Sato, Y.Lee, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Ohmori, K.Natori, K.Yamada, H.Iwai
- 学会等名
  40th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  セビリア、スペイン
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析2010
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、角嶋邦之、パールハットアヘメト、大毛利健治、名取研二、岩井洋、山田啓作
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会6月研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Fabrication of Gatearound Si Nanowire Transistors for Characterizing Carrier Transport2009
- 著者名/発表者名
  Kenji Ohmori, S. Sato, H. Kamimura, H. Iwai. K. Yamada, et.al.
- 学会等名
  Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire 2009
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology
- 年月日
  2009-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] 四端子測定TEGを用いたSiナノワイヤトランジスタのチャネル内電位測定2009
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、上村英之、角嶋邦之、大毛利健治、山田啓作、岩井洋、他
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Effect of carrier transport on threshold voltage variability in Si MOSFET2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, Y.Ohkura, K.Shiraishi, K.Yamada
- 学会等名
  The 14th International Conference of Modulated Semiconductor Structures(MSS-14)
- 発表場所
  Kobe,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Fabrication of Si nanowira FETs and their Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  K.Kakushima, S.Sato, K.Ohmori, H.Iwai, K.Yamada
- 学会等名
  G-COE PRICE International Symposium on Silicon Nanodevices in 2030 : Prospects by World' s Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for Integration2009
- 著者名/発表者名
  S.Sato, K.Kaushima, K.Ohmori, K.Yamada, N.Iwai, et al.
- 学会等名
  39th European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC)
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] アモルファス金属材料のLSIへの応用2008
- 著者名/発表者名
  山田啓作、大毛利健治、知京豊裕
- 学会等名
  早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム・「金属ガラス」イノベーションフォーラム
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Si Finのアスペクト比最適化により作製した円形Siナノワイヤの形状に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、大毛利健治、角嶋邦之、山田啓作、岩井洋、他
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035013
[学会発表] Control of crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes for Nano CMOS Devices2008
- 著者名/発表者名
  (Invited) K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
- 学会等名
  213th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026014
[学会発表] Wide Controllability of Flatband Voltage by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  Washington DC, USA
- 年月日
  2007-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026014
[学会発表] C添加による金属ゲート材料の結晶構造制御とアモルファス化2007
- 著者名/発表者名
  大毛利健治、細井卓治、渡部平司、山田啓作、知京豊裕
- 学会等名
  秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026014
[学会発表] Landscape of Combinatorial Materials Exploration and Materials Informatics2007
- 著者名/発表者名
  Chikyow Toyohiro, T. Nagata, N. Umezawa, M. Yoshitake, K. Ohmori, T. Yamada, M. Lippma and H. Koinuma
- 学会等名
  2007 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, MA, USA
- 年月日
  2007-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026014

1. 知京豊裕 (10354333)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
2. 大毛利健治 (00421438)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
3. 遠藤哲郎 (00271990)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 中山隆史 (70189075)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
6. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山田 啓作 YAMADA Keisaku

研究課題

研究成果

共同研究者

超平滑界面の耐熱性シリサイド薄膜を用いたメタルソース・ドレインMOSFETの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新材料ゲートスタック構造に向けた超高速一斉デバイス特性評価手法の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Influences of carrier transport on drain-current variability of MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Experimental Characterization of Quasi-Fermi Potential Profile in the Channel of a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor with Four-Terminal Geometry2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Identification of electron trap location degrading low-frequency noise and PBTI in poly-Si/HfO2/interface-layer gate-stack MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural effect of channel cross-section on the gate capacitance of Silicon nanowire field-effect transistors2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Identification of electron trap location degrading low-frequency noise and PBTI in poly-Si/HtO2/interface-layer gate-stack MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Influences of carrier transport on drain-current variability of MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Electrical characterization of Si nanowire field-effect transistors with semi gate-around structure suitable for integration2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Control of crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes for Nano CMOS Devices2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] Siナノワイヤのシリサイドの形成方法2010

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] Silicon-on-Insulator Thickness Dependence of Photoluminescence from Electron-Hole Droplet2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Influence of Gate-first Process on Low-frequency Noise in EOT-scaling of Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate-stack MOSFETs2011

山田啓作 YAMADA Keisaku