松田時宜 Matsuda Tokiyoshi

研究者番号	30389209
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所属 (現在)	2025年度: 近畿大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 龍谷大学, 理工学部, 助教 2019年度 – 2021年度: 龍谷大学, 公私立大学の部局等, 研究員 2016年度 – 2018年度: 龍谷大学, 革新的材料・プロセス研究センター, 客員研究員 2014年度 – 2015年度: 龍谷大学, 理工学部, 助教 2007年度: 高知工科大学, 総合研究所, 助教 2005年度 – 2006年度: 高知工科大学, 総合研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者無機材料・物性 / 薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外小区分60040:計算機システム関連
キーワード	研究代表者格子欠陥 / 酸化物半導体 / レアメタル / ミストCVD / 薄膜トランジスタ / RFマグネトロンスパッタリング / 薄膜デバイス / 酸素空孔 / 機能性セラミックス材料 / 光照射電圧ストレス試験 … もっと見る / ニューラルネットワーク / 抵抗変化型メモリー / 低温TFT / 電圧ストレス試験 / 酸化ガリウムスズ / アモルファス酸化物半導体 / フレキシブルデバイス / 熱電素子 / 電子スピン共鳴(ESR) / 電子スピン共鳴 / プラズマ / オーミック接触 / ショットキー障壁 / 透明導電膜 / 粒界 / 酸化亜鉛・電極界面 / 酸化亜鉛 … もっと見る研究代表者以外メムキャパシタ / スパイキングニューラルネットワーク / アナログデバイス / 低消費電力 / コンパクト / 人工知能 / 局所的学習則 / アモルファス金属酸化物半導体 / 単一アナログデバイス / ニューロモーフィックシステム隠す

単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
- 研究代表者
  
  木村睦
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
新規レアメタルフリー酸化物半導体を用いた機能性デバイス開発のための格子欠陥評価研究代表者
- 研究代表者
  
  松田時宜
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  龍谷大学
多元系酸化物の格子欠陥のメカニズム解明研究代表者
- 研究代表者
  
  松田時宜
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  龍谷大学
酸化亜鉛薄膜-電極薄膜界面及び酸化鉛薄膜の子欠陥と構造に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  松田時宜
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  高知工科大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Thin-Film Memristor using amorphous metal-oxide semiconductor with Gradient Composition of Oxygen Content2024
- 著者名/発表者名
  Kenta Yachida, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys., to be published
  
  巻: to be published
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] In?Ga?Zn?O memristor with double layers of different oxygen vacancy densities and long-term memory towards neuromorphic applications2023
- 著者名/発表者名
  Katagiri Tetsuya、Matsuda Tokiyoshi、Kawanishi Hidenori、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 5 ページ: 058002-058002
- DOI
  10.35848/1347-4065/acd498
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor using Hall Effect2020
- 著者名/発表者名
  Imanishi Kota、Matsuda Tokiyoshi、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 41 ページ: 1025-1028
- DOI
  10.1109/led.2020.2993268
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] Memristor property of an amorphous Sn?Ga?O thin-film device deposited using mist chemical-vapor-deposition method2020
- 著者名/発表者名
  Takishita Yuta、Kobayashi Masaki、Hattori Kazuki、Matsuda Tokiyoshi、Sugisaki Sumio、Nakashima Yasuhiko、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 035112-035112
- DOI
  10.1063/1.5143294
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876, KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Neuromorphic System with Crosspoint-type Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse Elements2019
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura、Kenta Umeda、Keisuke Ikushima、Toshimasa Hori、Ryo Tanaka、Junpei Shimura、Atsushi Kondo、Takumi Tsuno、Sumio Sugisaki、Ayata Kurasaki、Kaito Hashimoto、Tokiyoshi Matsuda、Tokiyoshi Kameda、and Yasuhiko Nakashima
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 90 ページ: 157-166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] Neuromorphic System with Crosspoint-Type Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse Elements2019
- 著者名/発表者名
  Kimura Mutsumi、Umeda Kenta、Ikushima Keisuke、Hori Toshimasa、Tanaka Ryo、Shimura Junpei、Kondo Atsushi、Tsuno Takumi、Sugisaki Sumio、Kurasaki Ayata、Hashimoto Kaito、Matsuda Tokiyoshi、Kameda Tomoya、Nakashima Yasuhiko
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 90 号: 1 ページ: 157-166
- DOI
  10.1149/09001.0157ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device2019
- 著者名/発表者名
  Sugisaki Sumio、Matsuda Tokiyoshi、Uenuma Mutsunori、Nabatame Toshihide、Nakashima Yasuhiko、Imai Takahito、Magari Yusaku、Koretomo Daichi、Furuta Mamoru、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 2757-2757
- DOI
  10.1038/s41598-019-39549-9
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] レアメタルフリーGa-Sn-O材料の薄膜トランジスタへの応用2019
- 著者名/発表者名
  松田時宜, 梅田鉄馬, 加藤雄太, 西本大貴, 杉崎澄生, 古田守, 木村睦
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌 C
  
  巻: J102-C ページ: 305-311
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device with Double Layers of Different Oxygen Density2019
- 著者名/発表者名
  Kurasaki、Tanaka、Sugisaki、Matsuda、Koretomo、Magari、Furuta、Kimura
- 雑誌名
  
  Materials
  
  巻: 12 号: 19 ページ: 3236-3236
- DOI
  10.3390/ma12193236
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876, KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] レアメタルフリー Ga-Sn-O 材料の薄膜トランジスタへの応用2019
- 著者名/発表者名
  松田時宜、梅田鉄馬、加藤雄太、西本大貴、杉崎澄生、古田守、木村睦
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌 C
  
  巻: J102-C ページ: 305-311
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] Research and Applications of Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Devices - In-Ga-Zn-O and Ga-Sn-O Thin-Film Devices -2018
- 著者名/発表者名
  M. Kimura, T. Kamiya, T. Matsuda, K. Umeda, A. Fukawa, and Y. Nakashima
- 雑誌名
  
  SID Symposium Digest of Technical Papers
  
  巻: 49 号: S1 ページ: 512-515
- DOI
  10.1002/sdtp.12768
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Room-temperature fabrication of a Ga-Sn-O thin-film transistor2017
- 著者名/発表者名
  Matsuda Tokiyoshi、Takagi Ryo、Umeda Kenta、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 134 ページ: 19-21
- DOI
  10.1016/j.sse.2017.05.006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transisitor2017
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura,
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 44326-44326
- DOI
  10.1038/srep44326
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717, KAKENHI-PROJECT-16K06733, KAKENHI-PROJECT-16K06309
[雑誌論文] Thermoelectric effect of Ga-Sn-O thin films2017
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, Mutsumi Kimura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Thermoelectric effects of amorphous Ga-Sn-O thin film2017
- 著者名/発表者名
  Matsuda Tokiyoshi、Uenuma Mutsunori、Kimura Mutsumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 7 ページ: 070309-070309
- DOI
  10.7567/jjap.56.070309
- NAID
  210000147983
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[雑誌論文] Comparison of defects in crystalline oxide semiconductor materials by electron spin resonance2015
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology A Letters
  
  巻: 33 号: 2
- DOI
  10.1116/1.4904400
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[雑誌論文] Thermally enhanced threshold voltage shifts in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor2014
- 著者名/発表者名
  Takashi Kojiri, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 12 ページ: 125802-125802
- DOI
  10.7567/jjap.53.125802
- NAID
  210000144670
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[雑誌論文] Influence of amorphous buffer layer on the crystallinity of sputter-deposited undoped ZnO films2008
- 著者名/発表者名
  T.Matsuda, M. Furuta, T.Hiramatsu, C.Li, H.Furuta, H.Hokari, T.Hirao
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 31-35
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760032
[雑誌論文] Sheet resistance and crystallinity of Ga and Al implanted zinc oxide (ZnO) thin films with postannealing2007
- 著者名/発表者名
  T.Matsuda, M. Furuta, T.Hiramatsu, H. Furuta, T. Hirao
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology A 25
  
  ページ: 706-710
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760032
[雑誌論文] ZnO材料に関するこれまでの研究・応用例2006
- 著者名/発表者名
  松田時宜, 平尾孝, 古田守, 古田寛
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション 10
  
  ページ: 6-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760032
[雑誌論文] ZnO-TFTの開発と液晶ディスプレイへの応用2006
- 著者名/発表者名
  古田守, 古田寛, 松田時宜, 平尾孝, 平松孝浩, 保苅一志, 吉田基彦
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション 10
  
  ページ: 10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760032
[学会発表] Resistance Change Behavior using Negative Resistance in ReRAM with Three-layer GTO2024
- 著者名/発表者名
  Yoshiya Abe, Kenta Yachida, Kazuki Sawai, Mutsumi Kimura, Hidenori Kawanishi, and Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会, EID2023-3, pp. 5-8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] メモリスタを用いたシナプス素子によるニューロンの膜電位変化の再現2024
- 著者名/発表者名
  谷内田健太、阿部祥也、澤井一輝、松田時宜、河西秀典、木村睦
- 学会等名
  発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会, EID2023-4, pp. 9-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Reset Operation of Thin-Film Neuromorphic Devices integrating a Memristor and a Capacitor2023
- 著者名/発表者名
  Kazuki Sawai, Kenta Yachida, Yoshiya Abe, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Characteristics of Non-Volatile Charge Trap Memory based on a-IGZO TFTs with Hf0.5Zr0.5O2 as a Gate Insulator2023
- 著者名/発表者名
  Taiyo Shinoda, Yuki Kawasaki, Ren Deguchi, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] 酸化物半導体によるAIコンピューティングの最前線2023
- 著者名/発表者名
  木村睦, 宮戸祐治, 新谷道広, 藤井茉美, 曲勇作, 河西秀典, 松田時宜, 神谷利夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「ディスプレイの次のキラーアプリをねらえ！酸化物半導体の最前線」, 17p-E302-6, 100000001-273, 2023年3月
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Initial State Dependent Neuromorphic Device on Resistance Change of a-IGZO Memristor combined with Capacitor2023
- 著者名/発表者名
  Kunimoto Masaya, Kazuki Sawai, Kenta Yachida,Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Thin-Film Memristors & Memcapacitors for 3D Integration of Neuromorphic Systems - Display Technology for Electronics Applications !!2023
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Yuji Miyato, Hidenori Kawanishi, Michihiro Shintani, Mami N. Fujii, Tokiyoshi Matsuda, Yusaku Magari
- 学会等名
  SID Taipei Chapter, Student Chapter, IEEE Tainan Section
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] ミストCVD法によるGa2O3薄膜メモリスタのアナログ特性2023
- 著者名/発表者名
  伊藤良, 杉崎澄生, 嶽山嵐, 中川聖也, 松田時宜, 河西秀典, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会, pp. 85-87
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Amorphous Ga-Al-O Thin Film Double-layer Memristor with Different Oxygen Density fabricated by Mist CVD Method2023
- 著者名/発表者名
  Ryo Ito, Sumio Sugisaki , Arashi Dakeyama, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  AM-FPD ’23 pp. 182-183
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Fabrication of Ga-Sn-O Thin Film Device by Mist CVD and the Application to Spiking Timing Dependent Plasticity (STDP)2023
- 著者名/発表者名
  Kazuma Uno, Hodehito Kita, Atushi Horiuchi, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Switching Characteristics of a-IGZO-based 3-layer ReRAM2023
- 著者名/発表者名
  Tsuguyoshi Nakaso, Ryo Ito, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Novel Thin-Film Neuromorphic Devices integrating Memristors and Capacitors2023
- 著者名/発表者名
  Kenta Yachida, Yoshiya Abe, Kazuki Sawai, Tokiyashi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  AM-FPD ’23 pp. 232-233
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Thin-Film Memristors and Memcapacitors for 3D Integration of Neuromorphic Systems2023
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Shu Shiomi, Norito Komai, Etsuko Iwagi, Tomoharu Yokoyama, Yuma Ishisaki, Tokiyoshi Matsuda, and Hidenori Kawanishi
- 学会等名
  IEEE SOCC 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] メモリスタとキャパシタを用いたシナプス素子の評価2022
- 著者名/発表者名
  谷内田健太, 桑原拓海, 阿部祥也, 澤井一輝, 松田時宜, 河西秀典, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会, pp. 203-206, 2022年11月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Characterization of In-Ga-Zn-O Thin Film Synapses for Neuromorphic Device using Spike-Timing-Dependent-Plasticity2022
- 著者名/発表者名
  Naoki Sahara, Tetuya Katagiri, Kenta Yachida, Kazuki Morigaki, Norito Komai, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2022, Nov. 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] 強誘電体薄膜を用いたメムキャパシタのアナログ動作の評価と文字補正応用2022
- 著者名/発表者名
  石崎勇真, 田中欧介, 桑原拓実, 河西秀典, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会, pp. 173-176, 2022年11月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Metal Electrode-dependent Properties of a-IGZO ReRAM2022
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Katagiri, Kazuki Morigaki, Kenta Yachida, Hidenori Kawanishi, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  IMFEDK 2022, Nov. 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] ミストCVD法によるアモルファスGa-Al-O薄膜デバイスのメモリスタ特性2022
- 著者名/発表者名
  伊藤良, 杉崎澄生, 嶽山嵐, 松田時宜, 河西秀典, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会, pp. 81-83, 2022年11月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Ga-Sn-O Thin-Film Device using Mist CVD Method and Spike-Timing-Dependent-Plasticity (STDP)2022
- 著者名/発表者名
  Norito Komai, Tetsuya Katagiri, Naoki Sahara, Kazuma Uno, Hidehito Kita, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2022, Nov. 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Analog and Digital Memristor Characteristics in Ga-Sn-O Three-layered ReRAM2022
- 著者名/発表者名
  Shu Shiomi, Daisuke Makioka, Hidenori Kawanishi, Tokiyohi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  IMFEDK 2022, Nov. 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] ミスト CVD法によるニューロモルフィックアプリケション用Gax-Sn1-x-O / Gax-Al1-x-Oデバイスのメモリスタ特性2021
- 著者名/発表者名
  杉崎澄生, 伊藤良, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第18回研究集会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] GTO-TFT deposited using Mist-CVD2021
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Yuta Takishita, Ryugo Okamoto, and Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  ICDT 2021, May 2021, to be presented
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] GTO-TFT deposited using Mist-CVD2021
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Yuta Takishita, Ryugo Okamoto, and Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  ICDT 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] GTO TFT, Memristor, Thermoelectric Device, Neuromorphic System, etc.2020
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, Sumio Sugisaki, Ayata Kurasaki, and Isao Horiuchi
- 学会等名
  ICDT 2020, Oct. 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] ミスト CVD 法を用いた Gax-Sn1-x-O/Ga-Ox 薄膜デバイスのメモリスタ特性2020
- 著者名/発表者名
  杉崎澄生, 倉﨑彩太, 荒牧達也, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第17回研究集会, pp. 59-62, 2020年11月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Neuro-inspired System with Crossbar Array of Amorphous Metal-Oxide-Semiconductor Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse Units － Letter Recognition of Five Alphabets －2019
- 著者名/発表者名
  Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
- 学会等名
  The 26th International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Ga-Sn-O thin film thermoelectric conversion devise fabricated by Mist CVD method2019
- 著者名/発表者名
  T Aramaki, T Matsuda, K Umeda, M Uenuma, M Kimura
- 学会等名
  AM-FPD, 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] In-Ga-Zn-O Film Thickness Dependence of Memristor Characteristic for Resistive Random Access Memory2019
- 著者名/発表者名
  Kaito Hashimoto, Ayata Kurasaki, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  IMFEDK 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Development of Two-Layered ReRAM using Ga-Sn-O Thin Film2019
- 著者名/発表者名
  Ayata Kurasaki, Sumio Sugisaki, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  AM-FPD '19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Development of two-layered ReRAM using Ga-Sn-O thin film2019
- 著者名/発表者名
  A Kurasaki, S Sugiski, R Tanaka, T Matsuda, M Kimura
- 学会等名
  AM-FPD, 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Thermoelectric Conversion Devise Using Ga-Sn-O Thin Film Prepared by Mist CVD Method2018
- 著者名/発表者名
  T. Aramaki, R. Nomura, T. Matsuda, M. Kimura, K. Umeda, M. Uenuma, and Y. Uraoka
- 学会等名
  2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Characteristic Analysis of Ga-Sn-O TFT Subjected to UV Annealing Treatment2018
- 著者名/発表者名
  K. Tanino, R. Takagi, M. Kimura, and T. Matsuda
- 学会等名
  2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Evaluation of GTO Film Deposited Using mist CVD Method2018
- 著者名/発表者名
  Y. Takishita, R. Okamoto, M. Kimura, and T. Matsuda
- 学会等名
  2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Room Temperature Fabrication of Variable Resistive Memory Using Ga-Sn-O Thin Film2018
- 著者名/発表者名
  S. Sugisaki, A. Kurasaki, R. Tanaka, T. Matsuda, and M. Kimura
- 学会等名
  2018 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor2017
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  9th World Congress on Materials Science and Engineering
- 発表場所
  Rome, Italia
- 年月日
  2017-06-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] レアメタルフリー酸化物半導体薄膜トランジスタ2017
- 著者名/発表者名
  木村睦、松田時宜
- 学会等名
  JST新技術説明会
- 発表場所
  機械振興会館
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor2017
- 著者名/発表者名
  T. Matsuda, K. Umeda, M. Kimura
- 学会等名
  9th World Congress of Materials Science and Engineering, June 12-14, 2017 Rome, Italy (June 14, Wed., 11:35-11:50, 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] 高性能レアメタルフリーGa-Sn-O薄膜トランジスタ2017
- 著者名/発表者名
  梅田鉄馬、松田時宜、木村睦
- 学会等名
  応用物理学会第64回春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] 高性能レアメタルフリーGa-Sn-O薄膜トランジスタ2017
- 著者名/発表者名
  梅田鉄馬、松田時宜、木村睦
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] 酸化物半導体の研究開発と電子デバイスへの新規応用2017
- 著者名/発表者名
  木村睦、松田時宜
- 学会等名
  第2回 NEDIA DAY 関西
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール校友会館
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Evaluation of Ga-Sn-O Films fabricatted using Mist Chemical Vapor Deposition2016
- 著者名/発表者名
  Hiroki Fukushima, Masahiro Yuge, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kyoto, japan
- 年月日
  2016-06-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Films fabricated using RF Magnetron Sputtering2016
- 著者名/発表者名
  Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi, Kimura
- 学会等名
  2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-06-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] 新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発2016
- 著者名/発表者名
  梅田鉄馬, 加藤雄太, 西本大樹, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  電子情報通信学会 SDM EID
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Evaluation and Development of new oxide semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology
- 発表場所
  Prague, Chech
- 年月日
  2016-06-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  福嶋大貴, 弓削政博, 木村睦, 松田時宜
- 学会等名
  電子情報通信学会 EID SDM
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2016-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Films fabricated using RF Magnetron Sputtering2016
- 著者名/発表者名
  Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi, Kimura
- 学会等名
  2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (2016)
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール校友会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Evaluation and Development of New Oxide Semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology (EMN Prague)
- 発表場所
  Prague, Czech Republic
- 年月日
  2016-06-22
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Evaluation and Development of New Oxide Semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology (EMN Prague)
- 発表場所
  Prague, Czech
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  2016 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2016)
- 発表場所
  Sun Moon Lake, Taiwan
- 年月日
  2016-08-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] 新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発2016
- 著者名/発表者名
  梅田鉄馬・加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村　睦
- 学会等名
  電子情報通信学会 EID SDM
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2016-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  2016 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2016) Sun Moon Lake, Taiwan, August 13, 10:40-11:10, No. 3, p. 14.
- 発表場所
  Sun Moon Lake, Taiwan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Relationships between the Defects and Electrical Properties of Oxide Semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Emerging Technologies Communications Microsystems Optoelectronics Sensors
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  福嶋大貴, 弓削政博, 木村睦, 松田時宜
- 学会等名
  電子情報通信学会 SDM EID
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06733
[学会発表] Relationships between the Defects and Electrical Properties of Oxide Semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  2016 Emerging Technologies Communications Microsystems Optoelectronics Sensors (2016 ET CMOS)
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2016-05-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Development and Evaluation of New oxide semiconductor2016
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Annual World Congress of Smart Materials (WCSM 2016)
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- 年月日
  2016-03-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] 薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性―デバイスシミュレーションによる解析―2015
- 著者名/発表者名
  田中匠, 門目尭之, 渕矢剛宏, 春木翔太, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  第12回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  京都, 日本
- 年月日
  2015-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] 新規酸化物半導体TFTの形成及び評価2015
- 著者名/発表者名
  松田時宜、木村睦
- 学会等名
  酸化物半導体討論会
- 発表場所
  東京工業大学東京
- 年月日
  2015-05-18
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  弓削政博, 小川淳史, 吉岡敏博, 加藤雄太, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  EID2015-15, SDM2015-98
- 発表場所
  京都, 日本
- 年月日
  2015-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] SID'15 Display week 2015報告 (AMD関連)2015
- 著者名/発表者名
  松田時宜
- 学会等名
  SID日本支部SID報告会
- 発表場所
  東京, 日本
- 年月日
  2015-07-28
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] ミストCVD法による薄膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  弓削政博　小川淳史　吉岡敏博　松田時宜　木村睦
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2014年度第3回講演会「関西発グリーンエレクトロニクス研究の進展」
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2015-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Low temperature deposition of SiOx insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition2015
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda
- 学会等名
  International Conference on Small Science (ICSS 2015)
- 発表場所
  Phuket, Thailand
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] a-IGZO薄膜における連続電圧印加が与える影響2015
- 著者名/発表者名
  古我祐貴, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  第12回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  京都, 日本
- 年月日
  2015-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] SID'15 Display Week 2015 報告(AMDセッション)2015
- 著者名/発表者名
  松田時宜
- 学会等名
  SID報告会 2015
- 発表場所
  機械振興会館東京
- 年月日
  2015-07-28
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  吉岡敏博, 小川淳史, 弓削政博, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  EID2015-15, SDM2015-98
- 発表場所
  京都, 日本
- 年月日
  2015-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Paramagnetic Defects in Oxide Semiconductor Films Deposited by RF Magnetron Sputtering (RFマグネトロンスパッタリング法によって成膜された酸化物半導体薄膜中に導入された常磁性欠陥)2015
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  EMS-34
- 発表場所
  滋賀, 日本
- 年月日
  2015-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Comparison of Defects in Oxide Semiconductor Evaluated by ESR2015
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology Meeting (EMN Qingdao)
- 発表場所
  Qingdao, China
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価2015
- 著者名/発表者名
  小川淳史, 弓削政博, 吉岡敏博, 松田時宜, 木村睦
- 学会等名
  EID2015-15, SDM2015-98
- 発表場所
  京都, 日本
- 年月日
  2015-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] IGZO薄膜に対する成膜条件による影響2014
- 著者名/発表者名
  西野克弥、高橋宏太、松田時宜、木村　睦
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 電子ディスプレイ研究会（EID）
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス A1, 京都
- 年月日
  2014-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Low Temperature ZnO TFT Fabricated on SiOx Insulator Deposited by Facing Electrodes Chemical Vapor Deposition2014
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Mutsumi Kmura, and Takashi Hirao
- 学会等名
  ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES, TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS- (AM-FPD 14)
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール校友会館, 京都
- 年月日
  2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Comparison of Defects in Crystalline Oxide Semiconductor Materials by Electron Spin Resonance2014
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES, TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS- (AM-FPD 14)
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール校友会館, 京都
- 年月日
  2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] GaSnO薄膜の特性評価2014
- 著者名/発表者名
  加藤雄太、西本大樹、松田時宜、木村　睦
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 電子ディスプレイ研究会（EID）
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス A1, 京都
- 年月日
  2014-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Electrical Properties of ion implanted ZnO thin film for source and drain regions of ZnO-TFTs.2007
- 著者名/発表者名
  T. Matsuda, M. Furuta, T. Hiramatsu, H. Furuta, C. Li, and T. Hirao
- 学会等名
  International Display Workshop'07
- 発表場所
  北海道
- 年月日
  2007-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760032
[学会発表] 酸化物半導体を用いた電子デバイスとその応用
- 著者名/発表者名
  松田時宜、木村睦
- 学会等名
  京都産学公連携フォーラム 2015
- 発表場所
  京都パルスプラザ, 京都
- 年月日
  2015-02-17 – 2015-02-18
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Paramagnetic Defects in Oxide Semiconductor Films Deposited by RF Magnetron Sputtering
- 著者名/発表者名
  松田時宜、木村睦
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム (EMS)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、滋賀
- 年月日
  2015-07-15 – 2015-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717
[学会発表] Comparison of Defects in Oxide Semiconductor Evaluated by ESR
- 著者名/発表者名
  Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  Energy Materials and Nanotechnology Qingdao Meeting
- 発表場所
  Grand Regency Hotel, Qingdao, China
- 年月日
  2015-06-15 – 2015-06-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870717

1. 木村睦 (60368032)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 87件
2. 中島康彦 (00314170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. ZHANG Renyuan (00709131)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 羽賀健一 (40751920)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 徳光永輔 (10197882)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 古田守

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

松田 時宜 Matsuda Tokiyoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規レアメタルフリー酸化物半導体を用いた機能性デバイス開発のための格子欠陥評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多元系酸化物の格子欠陥のメカニズム解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化亜鉛薄膜-電極薄膜界面及び酸化鉛薄膜の子欠陥と構造に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Thin-Film Memristor using amorphous metal-oxide semiconductor with Gradient Composition of Oxygen Content2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] In?Ga?Zn?O memristor with double layers of different oxygen vacancy densities and long-term memory towards neuromorphic applications2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor using Hall Effect2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Memristor property of an amorphous Sn?Ga?O thin-film device deposited using mist chemical-vapor-deposition method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Neuromorphic System with Crosspoint-type Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse Elements2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Neuromorphic System with Crosspoint-Type Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse Elements2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] レアメタルフリーGa-Sn-O材料の薄膜トランジスタへの応用2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device with Double Layers of Different Oxygen Density2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] レアメタルフリー Ga-Sn-O 材料の薄膜トランジスタへの応用2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Research and Applications of Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Devices - In-Ga-Zn-O and Ga-Sn-O Thin-Film Devices -2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Room-temperature fabrication of a Ga-Sn-O thin-film transistor2017

松田時宜 Matsuda Tokiyoshi