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佐々木 孝  ササキ タカシ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30397674
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2007年度: 阪大, 工学(系)研究科(研究院)
2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, リサーチアシスタント
審査区分/研究分野
研究代表者
薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
量子細線 / 半導体絶縁用薄膜中のリーク電流 / 第一原理計算大規模電子状態計算
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (1件)
  •  第一原理計算による半導体デバイス絶縁用薄膜の電子状態とリーク電流に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 孝
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学

すべて 2006

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Order-N first-principles calculation method for self-consistent ground-state electronic structures of semi-infinite systems2006

    • 著者名/発表者名
      佐々木 孝
    • 雑誌名

      Physical Review E 74(5)

      ページ: 56704-56704

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760031

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